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      電磁軌道炮錫合金鍍層U形電樞仿真與試驗(yàn)

      2019-09-23 12:32:58陳建偉呂慶敖邢彥昌趙文杰
      關(guān)鍵詞:炮口電樞熔點(diǎn)

      陳建偉,呂慶敖,邢彥昌,張 倩,趙文杰

      (1. 陸軍工程大學(xué)石家莊校區(qū) 彈藥工程系,河北 石家莊 050003;2.中國(guó)人民解放軍32140部隊(duì),河北 石家莊 050003)

      電磁軌道炮作為一種利用電磁力加速宏觀彈丸到超高速的新概念動(dòng)能武器,具有超高初速、超遠(yuǎn)射程、超遠(yuǎn)射高、快速響應(yīng)以及易于控制等優(yōu)點(diǎn),在未來(lái)軍事領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,已引起世界各國(guó)的廣泛重視并開(kāi)展深入研究[1-3]。研究表明,電磁軌道炮鋁電樞在發(fā)射初始階段,在法向預(yù)應(yīng)力的作用下,樞/軌之間以干摩擦為主;同時(shí)由于電流歐姆熱作用,電樞表面發(fā)生軟化與剝落,加劇樞/軌間摩擦,即損傷電樞與軌道,降低軌道的使用壽命,還限制電樞速度的提高,導(dǎo)致發(fā)射效率低下;在電樞高速運(yùn)動(dòng)階段,鋁電樞表面由于電流歐姆熱和摩擦熱的持續(xù)累積,會(huì)熔化形成較均勻的液態(tài)層,對(duì)樞/軌滑動(dòng)電接觸具有一定的積極作用。

      因此,針對(duì)低速階段電樞/軌道間干摩擦情況,在電磁軌道炮電樞/軌道界面添加液態(tài)導(dǎo)電層,以降低電樞/軌道間摩擦力,提升電樞速度成為新的研究方向。Ghassenmi等[4]通過(guò)設(shè)計(jì)一種新型電樞結(jié)構(gòu),將液態(tài)金屬銦添加到電樞表面,從理論上對(duì)改善電磁軌道炮滑動(dòng)電接觸進(jìn)行了有限元仿真研究。Engel等分別將液態(tài)鎵銦錫和水膜添加到電磁軌道炮電樞/軌道接觸界面作為導(dǎo)電涂層,進(jìn)行了發(fā)射試驗(yàn)研究[5],分析了這兩種材料對(duì)電磁軌道炮滑動(dòng)電接觸性能的影響規(guī)律。Hsieh等[6]將鉍、錫和銦等低熔點(diǎn)固態(tài)合金添加至鋁電樞表面進(jìn)行邊界潤(rùn)滑,對(duì)其控制電樞表面材料的熔化磨損特性進(jìn)行了試驗(yàn)研究。以上研究中的涂層厚度都比較小,僅為1 μm左右。

      筆者通過(guò)計(jì)算鍍層電樞運(yùn)動(dòng)學(xué)特性、軌道與鍍層電樞接觸電阻模型,對(duì)不同厚度錫合金鍍層在電流焦耳熱作用下的熔化規(guī)律以及液態(tài)金屬層對(duì)電樞運(yùn)動(dòng)特性的影響進(jìn)行了分析;并開(kāi)展了鍍層電樞與普通電樞的發(fā)射對(duì)比試驗(yàn)。

      1 理論分析

      1.1 電樞運(yùn)動(dòng)學(xué)分析

      電磁軌道炮電樞在發(fā)射過(guò)程中會(huì)受到電磁力、接觸壓力、摩擦力等的作用,如圖1所示。

      由圖1可知,在忽略空氣阻力影響的基礎(chǔ)上,可得到t時(shí)刻電樞在運(yùn)動(dòng)方向上所受到的合力為

      F=FI-Ff=0.5L′I2(t)-2μP,

      (1)

      式中:L′為電感梯度;I為流入電磁軌道炮電流;μ為樞/軌間摩擦系數(shù);P為樞軌界面接觸壓力。

      結(jié)合電樞運(yùn)動(dòng)學(xué)方程

      F=ma(t),

      (2)

      可得出,t時(shí)刻電樞的加速度、速度和位移表達(dá)式分別為

      (3)

      (4)

      (5)

      由于電磁軌道炮樞/軌滑動(dòng)電接觸過(guò)程非常復(fù)雜,通常會(huì)經(jīng)歷一個(gè)由大到小的動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)變化過(guò)程。在以往的分析研究中,載流摩擦接觸表面的摩擦系數(shù)通常按照經(jīng)驗(yàn)值取一個(gè)常數(shù),進(jìn)行運(yùn)動(dòng)速度與位移的計(jì)算。然而,從電磁軌道炮實(shí)際發(fā)射過(guò)程看,其初期摩擦力較大,而發(fā)射后期摩擦力較小,尤其鋁電樞在高速運(yùn)動(dòng)階段形成液化膜后,摩擦系數(shù)更是降到幾乎為0.由于錫合金熔點(diǎn)較低,其形成液化膜的時(shí)間比電樞要早,因此在低速階段鍍層電樞與軌道間摩擦力相應(yīng)要小。在對(duì)鍍層電樞炮口速度進(jìn)行分析時(shí),應(yīng)區(qū)分不同的運(yùn)動(dòng)階段。

      1.2 接觸電阻計(jì)算

      物體宏觀表面光滑但微觀是粗糙不平的,因此電接觸相關(guān)理論[7]認(rèn)為,當(dāng)兩個(gè)金屬相互接觸時(shí),其接觸面是以導(dǎo)電斑點(diǎn)(a斑點(diǎn))的形式接觸,實(shí)際接觸面積只是名義接觸面積的一小部分,如圖2所示。

      研究表明,外加法向正壓力P、金屬硬度H和接觸面積Aa滿足以下關(guān)系式:

      P=ξHAa,

      (6)

      式中:H是對(duì)金屬承受集中載荷變形能力的一種表征;ξ是壓力因子,其值取決于粗糙表面的變形程度,在絕大多數(shù)實(shí)際接觸系統(tǒng)中取1.

      當(dāng)接觸界面通電時(shí),電流被收縮以通過(guò)a斑點(diǎn),這時(shí)電流收縮產(chǎn)生的接觸電阻稱為收縮電阻。Holm通過(guò)研究,得出單個(gè)a斑點(diǎn)的收縮電阻可表示為

      Rs=(ρ1+ρ2)/4r,

      (7)

      式中:ρ1和ρ2是兩種相互接觸金屬的電阻率;r是金屬和金屬相接觸斑點(diǎn)的半徑。

      接觸電阻的另一表現(xiàn)形式為金屬表面氧化膜層的電阻,由于在絕大多數(shù)應(yīng)用中,膜層對(duì)總接觸電阻的影響很小,故在本次分析計(jì)算過(guò)程中忽略不計(jì)。假設(shè)總的接觸斑點(diǎn)數(shù)量為n,且每個(gè)斑點(diǎn)大小相等,則由式(6)、(7),可得總的接觸電阻為

      (8)

      由于凸點(diǎn)數(shù)量n在實(shí)驗(yàn)中很難確定,故一般采用前人估算法[8],即每4 mm2約10個(gè)接觸點(diǎn),且均勻分布,即可得

      n=2.5A,

      (9)

      式中,A為鍍層與軌道的名義接觸面積。

      根據(jù)Marshall經(jīng)驗(yàn)公式,按照每安培1克法則,可得出外加預(yù)應(yīng)力為

      Fc=0.01I,

      (10)

      式中,I為回路中電流大小。

      將式(9)、(10)代入式(8)中,最終得

      (11)

      式中:ρP為電樞鍍層的電阻率;ρR為軌道材料的電阻率;H為鍍層材料的硬度,理論上鍍層比軌道軟。

      1.3 鍍層閃熔點(diǎn)計(jì)算

      已知接觸界面總電阻為Rc,電阻率為ρ.由于鍍層的厚度為微米級(jí),故在此假定由接觸電阻產(chǎn)生的焦耳熱,近似為鍍層吸收的熱量(由于電樞初始狀態(tài)速度為0,故而暫不考慮摩擦熱對(duì)膜層溫度的影響)。則δt時(shí)間內(nèi),接觸電阻熱j2ρδt與鍍層吸收熱量CMρPδT相等,從而可得溫升為

      (12)

      式中:CM為鍍層材料的比熱;δT為溫升。

      由式(12)可以看出,當(dāng)鍍層熔化為液態(tài)時(shí),其最小溫升δT應(yīng)不小于材料熔點(diǎn)值,且包含相變潛熱。由于鍍層是在脈沖電流流通瞬間即熔化,在此將δT稱為鍍層材料閃熔點(diǎn),并作為選擇鍍層材料熔點(diǎn)的依據(jù),閃熔指固態(tài)鍍層材料在瞬間熔化為液態(tài)的過(guò)程。

      當(dāng)電樞/軌道接觸界面被液態(tài)膜填充后,樞/軌摩擦系數(shù)會(huì)大大降低。

      2 仿真計(jì)算

      2.1 幾何模型及假設(shè)條件

      由于電磁軌道炮樞/軌接觸界面處熱生成速率遠(yuǎn)大于樞/軌系統(tǒng)其他部件,樞/軌接觸面可視為“移動(dòng)熱源”在接觸面上的高速滑動(dòng)。根據(jù)電磁軌道炮對(duì)稱性結(jié)構(gòu)特點(diǎn),只取單側(cè)電樞尾翼與軌道進(jìn)行仿真計(jì)算,以簡(jiǎn)化計(jì)算過(guò)程,減小運(yùn)算量。電樞材料為鋁合金,與軌道接觸面積大小為25 mm×20 mm,軌道材料為H62黃銅,尺寸大小為200 mm×40 mm×10 mm,模型上半部分為電樞,下半部分為軌道,模網(wǎng)格劃分如圖3所示。

      仿真過(guò)程中,對(duì)條件進(jìn)行合理簡(jiǎn)化,作如下假設(shè):

      1)由于接觸電阻值遠(yuǎn)高于其他部分,故假設(shè)接觸電阻歐姆熱是引起界面溫升的主要影響因素,忽略其他部位的歐姆熱生成量。

      2)由于鍍層熔化后,樞軌界面摩擦力被液態(tài)潤(rùn)滑層粘滯力所代替,故發(fā)射初期摩擦熱對(duì)樞/軌界面溫升影響較小,在本次仿真模擬過(guò)程中,忽略摩擦熱作用。

      3)不考慮固態(tài)鍍層熔化為液態(tài)層所產(chǎn)生的相變潛熱,假定鍍層材料溫度達(dá)到熔點(diǎn)后繼續(xù)上升。

      4)不考慮樞/軌相對(duì)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中接觸電阻值的跳變情況,本次仿真假設(shè)接觸電阻值為常數(shù)。

      5)仿真中過(guò)程,樞/軌接觸界面的歐姆熱,以熱流密度的形式加載到接觸界面。

      2.2 主要參數(shù)

      仿真采用梯形波電流,上升時(shí)間為1 ms,平臺(tái)時(shí)間為0.5 ms,下降時(shí)間5.5 ms.采用100,200,400,600 kA 4種峰值的電流,分別對(duì)應(yīng)5,10,20,30 MA/m 4種線電流密度(電樞寬度20 mm),如圖4所示。

      2.3 仿真結(jié)果

      通過(guò)仿真計(jì)算,得到鍍層電樞表面溫度變化曲線。由于仿真假設(shè)材料到達(dá)熔點(diǎn)后溫度繼續(xù)上升,故在此不考慮到達(dá)熔點(diǎn)之后的溫度情況,僅分析熔點(diǎn)之前。根據(jù)仿真結(jié)果,得出在不同線電流密度下,鍍層電樞表面材料達(dá)到熔點(diǎn)時(shí)刻,如圖5、6所示。

      從圖5、6普通電樞與錫合金鍍層電樞表面溫度仿真曲線結(jié)果,可以看出在接觸電阻歐姆熱作用下,鍍層電樞與普通電樞表面溫度隨著時(shí)間的積累,均呈上升趨勢(shì)并超過(guò)各自熔點(diǎn)。具體情況如表1所示。

      表1 不同線電流密度條件下達(dá)到電樞熔點(diǎn)時(shí)刻

      從表1中可以看出,隨著線電流密度的增加,達(dá)到鍍層電樞與普通電樞熔點(diǎn)的時(shí)間越來(lái)越短。相同線電流密度下,達(dá)到鍍層電樞熔點(diǎn)的時(shí)間比普通電樞要短;其中,在5 MA/m條件下,鍍層電樞較普通電樞達(dá)到熔點(diǎn)的時(shí)間縮短約37.5%;30 MA/m條件下,鍍層電樞熔點(diǎn)時(shí)刻較普通電樞縮短約20%.

      3 發(fā)射試驗(yàn)

      3.1 電樞材料及規(guī)格

      本文所用普通U形鋁電樞,單個(gè)質(zhì)量17 g,材料為6061鋁合金,具有較好的抗拉強(qiáng)度。其結(jié)構(gòu)如圖7所示,電樞尾翼前端寬度為20 mm,尾端寬度為21.2 mm,與20 mm×20 mm方膛的軌道間形成機(jī)械過(guò)盈配合。電樞/軌道理論接觸面積為20 mm×25 mm.

      3.2 發(fā)射系統(tǒng)

      試驗(yàn)平臺(tái)為現(xiàn)有20 mm×20 mm方口徑電磁軌道發(fā)射器[9],最大發(fā)射行程為1 000 mm,上下殼體均為玻璃纖維環(huán)氧體,利用上下壓緊方式對(duì)軌道進(jìn)行定位和預(yù)緊。軌道選用H62黃銅,規(guī)格為10 mm×40 mm×1 000 mm,電阻率為71 nΩ·m.

      為實(shí)現(xiàn)脈沖成形網(wǎng)絡(luò)(PFN)放電,試驗(yàn)采用文獻(xiàn)[10]所述的5組電源模塊,電容器充電電壓5 kV,放電時(shí)序?yàn)?0,0,0,500,800)μs.

      兩組試驗(yàn)分別在全新銅軌道上進(jìn)行,電樞行程起始位置均為距炮口90 cm處。

      3.3 測(cè)量裝置

      電樞速度采用自制的B-dot磁探針,主要結(jié)構(gòu)為感應(yīng)環(huán)線圈,通過(guò)感應(yīng)流過(guò)電樞電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)變化,產(chǎn)生變化的感應(yīng)電壓信號(hào),推算相鄰B-dot磁探針間平均電樞速度。B-dot磁探針[11]安裝在試驗(yàn)裝置正上方,與電樞的中心點(diǎn)處于同一平面且到兩根軌道距離相等。用距離炮口最近的膛內(nèi)速度近似代表炮口速度,即電樞出口速度。

      試驗(yàn)B-dot磁探針采用分布式,共安裝3個(gè),距炮口距離分別為10、20、30 cm,其位置如圖8所示。

      4 結(jié)果與分析

      在5 MA/m線電流密度條件下,分別對(duì)不同厚度鍍層電樞進(jìn)行了發(fā)射試驗(yàn)。最終測(cè)得的速度參數(shù)如表2所示。

      表2 同一線電流密度不同厚度鍍層電樞炮口速度

      表2中,相同線電流密度、不同厚度鍍層的電樞發(fā)射實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,鍍層的厚度對(duì)電樞速度的影響呈非線性變化。從表中可以看出隨著鍍層厚度的增加,電樞炮口速度呈增大趨勢(shì);當(dāng)鍍層厚度達(dá)到35 μm時(shí),電樞炮口速度達(dá)到最大;鍍層厚度超過(guò)35 μm時(shí),電樞炮口速度反而降低。

      隨著鍍層厚度的增加,其對(duì)電樞速度的提升幅值會(huì)增加,這是因?yàn)殄儗尤刍笮纬梢簯B(tài)層,降低了樞/軌摩擦力;鍍層厚度增加,液態(tài)層的產(chǎn)生量會(huì)增加,對(duì)樞/軌潤(rùn)滑效果相應(yīng)增加;當(dāng)鍍層厚度大于某一值后(35 μm),對(duì)電樞速度的提升幅值則開(kāi)始降低,這說(shuō)明鍍層的厚度存在一個(gè)合理最大值(35 μm),超過(guò)該值后,液態(tài)層對(duì)電樞速度作用機(jī)理還有待進(jìn)一步研究。

      相同鍍層電樞,不同充電電壓時(shí),即不同線電流密度條件下,鍍層電樞發(fā)射的炮口速度如表3所示。

      表3 不同線電流密度同一鍍層電樞炮口速度

      從表3可以看出,同一厚度、不同線電流密度條件下的鍍層電樞發(fā)射實(shí)驗(yàn)表明,在5 MA/m線電流密度條件下,電樞速度增加幅值最大,達(dá)到了23.9%,但是在15 MA/m線電流密度條件下,電樞速度增加幅值僅為3.3%,這說(shuō)明在大電流密度條件下,鍍層電樞與普通電樞表面熔化時(shí)間已經(jīng)非常接近,所形成的液態(tài)層對(duì)摩擦系數(shù)的影響也相近。但對(duì)比二者發(fā)射后的軌道表面狀態(tài),發(fā)現(xiàn)差別比較明顯:鍍層電樞發(fā)射后的軌道表面較為完好,而普通電樞發(fā)射后的軌道表面較差。由此推斷:在電樞/軌道相互作用過(guò)程中,熔化的鍍層起到了緩沖與過(guò)渡的作用,并對(duì)軌道具有一定的保護(hù)作用。

      試驗(yàn)結(jié)果表明,鍍層電樞發(fā)射速度較普通電樞有所提高,因此可認(rèn)為鍍層比電樞提前熔化并形成了液態(tài)層,從而降低了樞/軌摩擦系數(shù)。

      5 結(jié)論

      通過(guò)分析普通U形電樞和錫合金鍍層U形電樞發(fā)射對(duì)比試驗(yàn)結(jié)果,錫合金由于熔點(diǎn)較低,在同等電流歐姆熱作用下,會(huì)先于電樞(鋁合金材料)熔化并在樞/軌界面形成液態(tài)層,從而可以及早地降低電磁軌道炮發(fā)射初期樞/軌間的摩擦力,提高發(fā)射速度。

      1)錫合金鍍層可在一定條件下降低電樞/軌道間摩擦力,提高電磁軌道炮電樞炮口速度。

      2)在相同發(fā)射條件下,錫合金鍍層U形電樞比普通U形電樞能達(dá)到更高的發(fā)射速度,鍍層對(duì)速度的提升幅值與鍍層厚度及線電流密度均有關(guān)。

      3)同一鍍層厚度條件下,低線電流密度時(shí),鍍層對(duì)電樞炮口速度提升幅值較大;高線電流密度時(shí),鍍層對(duì)電樞炮口速度提升幅值變小。

      4)相同線電流密度條件下,鍍層厚度存在一個(gè)合理最大值,對(duì)電樞炮口速度的提升幅值達(dá)到最佳。實(shí)驗(yàn)表明35 μm錫合金鍍層厚度較為理想,但是大于該厚度時(shí),液態(tài)層對(duì)電樞速度的影響機(jī)理還有待進(jìn)一步深入研究。

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