美國杜克大學(xué)開發(fā)出高性能柔性超級電容器

美國杜克大學(xué)和密歇根州立大學(xué)的研究人員設(shè)計出了一種新型柔性超級電容器，即使將其拉伸到其原始大小的8倍，也可以保持功能穩(wěn)定，且不會因反復(fù)拉伸而出現(xiàn)任何磨損，在1萬次充放電循環(huán)后電能損失低于10%。該新型柔性超級電容器將成為可穿戴電子設(shè)備或生物醫(yī)學(xué)設(shè)備的重要組成部分，為可拉伸柔性電子設(shè)備提供技術(shù)保障。

研究人員解釋說，可拉伸超級電容器可以獨立為一些未來設(shè)備提供動力，或者可以與其他部件結(jié)合來克服工程挑戰(zhàn)。例如，超級電容器可以在幾秒鐘內(nèi)充電，然后慢慢給作為設(shè)備主要能源的電池充電。這種方法已經(jīng)用于混合動力汽車的再生制動，在混合動力汽車中，能量產(chǎn)生的速度比儲存的速度快，超級電容器提高了整個系統(tǒng)的效率。（國家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心）

研究者使用不穩(wěn)定的鈣鈦礦制造出藍(lán)光LED

加州大學(xué)伯克利分?？茖W(xué)家使用一種新型鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體材料制造出藍(lán)光LED，克服了將這些廉價且易于制造的材料應(yīng)用到電子器件中所面臨的主要障礙。

負(fù)責(zé)這項研究的加州大學(xué)伯克利分校化學(xué)系教授楊培東表示，制造發(fā)射藍(lán)光的半導(dǎo)體二極管向來都是一個挑戰(zhàn)。到目前為止，由鈣鈦礦制造出的紅綠光LED已被證實，而藍(lán)光LED則還沒有。鹵化物鈣鈦礦藍(lán)光LED一直不穩(wěn)定主要是因為其顏色會隨著使用而轉(zhuǎn)變?yōu)楦L更紅的波長。

研究發(fā)現(xiàn)，鹵化物鈣鈦礦的不穩(wěn)定性是由鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的獨特性質(zhì)所致，此結(jié)構(gòu)是由金屬和鹵原子組成。當(dāng)這些元素在溶液中混合一起然后干燥時，原子就會組成一個晶體。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）

日本新技術(shù)：一滴水流過半導(dǎo)體材料產(chǎn)生超5V電壓

日本名古屋大學(xué)教授大野雄高和九州大學(xué)教授吾鄉(xiāng)浩樹研究團(tuán)隊開發(fā)出了只要一滴水流過其表面就能產(chǎn)生5V以上電壓的元件，可應(yīng)用于傳感器的電源。

研究團(tuán)隊開發(fā)出了一種新制造方法，使二硫化鉬在藍(lán)寶石底板上整齊地生長一層，然后再將其轉(zhuǎn)印到塑料薄膜上。研究將約3～4cm大小的元件傾斜，并在其表面滴上水滴，就可以產(chǎn)生5～8V的電壓，這樣的電壓足以驅(qū)動電子設(shè)備工作。（科技部）

英國E2V公司發(fā)布全新抗輻照加固氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品

近日，英國E2V公司發(fā)布了一款面向軍工和宇航高可靠性應(yīng)用的全新100V/90A抗輻照加固氮化鎵（GaN）大功率高電子遷移率晶體管（HEMT）產(chǎn)品。該器件具有輸出電容低、導(dǎo)通電阻小等特點，允許最高可達(dá)650V的高電壓和150A的大電流，并具備良好的柵極電壓耐受性。

該器件還集成了氮化鎵系統(tǒng)（GaN Systems）公司的Island專利技術(shù)，能利用可擴展的垂直電荷耗散系統(tǒng)，使功率晶體管具備超低熱損耗、高功率密度、無電荷存儲和高開關(guān)速度等優(yōu)點。（國家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心）

泛林集團(tuán)發(fā)布全新光刻膠技術(shù)

泛林集團(tuán)發(fā)布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團(tuán)研發(fā)的這項全新的干膜光刻膠技術(shù)，結(jié)合了泛林集團(tuán)在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導(dǎo)地位及其與阿斯麥（ASML）和比利時微電子研究中心戰(zhàn)略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團(tuán)的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。（中國電子報）

瑞典林雪平大學(xué)開發(fā)出高導(dǎo)電性柔性熱電材料

瑞典林雪平大學(xué)首次開發(fā)出柔軟且可拉伸的高導(dǎo)電性有機熱電材料，可從人體熱量中獲取能量，在智能服裝、可穿戴電子設(shè)備和電子皮膚等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。

該材料結(jié)合了導(dǎo)電聚合物PEDOT：PSS、水溶性聚氨酯橡膠、離子液體的優(yōu)異性能，導(dǎo)電聚合物賦予材料熱電性能，橡膠提供彈性，離子液體確保柔軟，當(dāng)發(fā)生彎曲或折疊時，材料結(jié)構(gòu)跟隨運動而不會遭到破壞。研究人員表示，該材料的柔韌性和可拉伸性比現(xiàn)有導(dǎo)電聚合物PEDOT：PSS強100倍。

未來，該技術(shù)有望在柔性超級電容器、柔性電池、柔性傳感器以及可穿戴和可植入設(shè)備等領(lǐng)域得到應(yīng)用。（國家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心）

臺積電攜手ST發(fā)力車用氮化鎵產(chǎn)品市場

臺積電日前宣布，將與意法半導(dǎo)體（ST）合作加速市場采用氮化鎵（GaN）產(chǎn)品。臺積電指出，相較于硅技術(shù)，功率GaN及GaN集成電路產(chǎn)品，在相同制程上具備更優(yōu)異的效益，能夠協(xié)助意法半導(dǎo)體提供中功率與高功率應(yīng)用所需的解決方案，包括應(yīng)用于油電混合車的轉(zhuǎn)換器與充電器。功率GaN及GaN集成電路技術(shù)將協(xié)助消費型與商用型汽車朝向電氣化的大趨勢加速前進(jìn)。

意法半導(dǎo)體預(yù)計2020年稍晚將提供功率GaN分離式元件的首批樣品給其主要客戶，并于之后數(shù)個月內(nèi)提供GaN集成電路產(chǎn)品。（中國電子報）

硅襯底上生長高結(jié)晶性黑磷薄膜研究取得進(jìn)展

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員張凱與湖南大學(xué)教授潘安練、深圳大學(xué)教授張晗合作，在《自然·通訊》上報道了一種在硅等介質(zhì)基底上生長高結(jié)晶性黑磷薄膜的方法。

黑磷是一種具有高載流子遷移率、0.3～1.5eV隨厚度可調(diào)直接帶隙以及各向異性等優(yōu)異性質(zhì)的二維層狀半導(dǎo)體材料，在新型電子和光電子器件等領(lǐng)域，如高遷移率場效應(yīng)晶體管、室溫寬波段紅外探測器及多光譜高分辨成像等方面具有獨特的應(yīng)用優(yōu)勢，受到廣泛關(guān)注。（中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所）

我國碳納米管光電傳感存儲器件問世

近日，中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心聯(lián)合中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)研究所、吉林大學(xué)，提出了一種基于鋁納米晶浮柵的碳納米管非易失性存儲器，這為可穿戴電子及特殊環(huán)境檢測系統(tǒng)提供了新的器件設(shè)計方法。據(jù)悉，新型器件具有高電流開關(guān)比、長達(dá)10年的存儲時間以及穩(wěn)定的讀寫操作，多個分立的鋁納米晶浮柵器件具有穩(wěn)定的柔性使役性能，為新型柔性光檢測與存儲器件的研制奠定了基礎(chǔ)。

此外，科研人員采用半導(dǎo)體性碳納米管薄膜為溝道材料，利用均勻離散分布的鋁納米晶/氧化鋁一體化結(jié)構(gòu)作為浮柵層與隧穿層，獲得高性能柔性碳納米管浮柵存儲器。同時，較薄氧化鋁隧穿層可使閉態(tài)電流獲得明顯的提升，完成光電信號的直接轉(zhuǎn)換與傳輸，實現(xiàn)集圖像傳感與信息存儲于一體的新型多功能光電傳感與存儲系統(tǒng)，為可穿戴電子及特殊環(huán)境檢測系統(tǒng)提供了新的器件設(shè)計方法。（科技日報）

新型鍺硅基半導(dǎo)體二維原子晶體研究取得突破

天津大學(xué)封偉教授團(tuán)隊在半導(dǎo)體二維原子晶體的可控制備和帶隙調(diào)控研究上取得重要突破：在理論計算和結(jié)構(gòu)設(shè)計的基礎(chǔ)上，采用-H/-OH封端二元鍺硅烯，首次獲得了具有帶隙可調(diào)控的二維層狀鍺硅烷。通過精確控制二元配比，實現(xiàn)了二維鍺硅烷的帶隙調(diào)控，并探索了其光催化領(lǐng)域的應(yīng)用價值，為后續(xù)設(shè)計新型半導(dǎo)體二維原子晶體提供了重要的研究基礎(chǔ)。

與石墨烯同族元素的二維鍺烯和硅烯半導(dǎo)體晶體，雖然具有極高的理論載流子遷移率和獨特的sp2—sp3雜化鍵，但是精確制備并調(diào)控其能帶結(jié)構(gòu)仍然是該領(lǐng)域重要的難點。由于不存在類似于石墨的層狀體相結(jié)構(gòu)，無法通過直接剝離法制備二維鍺烯和硅烯半導(dǎo)體晶體，導(dǎo)致難以實現(xiàn)其層狀結(jié)構(gòu)的精確控制；更為重要的是鍺烯和硅烯的零帶隙特征限制了其在場效應(yīng)晶體管、光電晶體管和光催化領(lǐng)域的應(yīng)用。

氫化和合金化是調(diào)控二維半導(dǎo)體晶體帶隙結(jié)構(gòu)的2種重要途徑。近年來研究表明，由于Zintl相的鍺化鈣（CaGe2）和硅化鈣（CaSi2）中存在著類似于石墨烯的Ge或Si的六元蜂窩狀結(jié)構(gòu)，因此通過Zintl相晶體CaGe2和CaSi2的拓?fù)浠瘜W(xué)反應(yīng)（去除Ca離子），可以直接制備得到氫化的鍺烯和硅烯，即鍺烷（GeH）和硅烷（SiH），但是通過可控?fù)诫s實現(xiàn)鍺烷和硅烷的帶隙調(diào)控仍然鮮有報道。針對該難點，封偉團(tuán)隊通過對CaGe2進(jìn)行Si摻雜，制備了具有精確配比的Ca（Ge1-xSix）2（x=0.1～0.9）合金，通過拓?fù)洳鍖臃磻?yīng)實現(xiàn)了-H/-OH封端，獲得了具有一系列不同摻雜比例的蜂窩狀二維鍺硅烷合金。（天津大學(xué)）

我國首個5G微基站射頻芯片成功流片

我國首個5G微基站射頻芯片——YD9601，在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過自主研發(fā)流片成功，目前正在進(jìn)行封裝測試。

據(jù)悉，HiNOC2.0是我國下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn)，南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實現(xiàn)600M/s的下行速率，完全可與國際巨頭的同類產(chǎn)品對標(biāo)。在中國廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測試中，搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線路衰耗下仍可接入，相比對標(biāo)的國際巨頭同類產(chǎn)品，抗衰減能力提升了10dB左右，這使其更能適應(yīng)國內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。（科技日報）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院落戶浙江嘉興

近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院（以下簡稱“研究院”）簽約落戶嘉興科技城。研究院由嘉興科技城和浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司共建，將以該公司的團(tuán)隊技術(shù)、人才為依托，建設(shè)第三代半導(dǎo)體科研平臺和產(chǎn)業(yè)化平臺，建成國內(nèi)一流、國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)科創(chuàng)、人才、產(chǎn)業(yè)化基地。

在合作期內(nèi)，研究院將引進(jìn)和培育一批圍繞第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向的團(tuán)隊及人才；依托氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目及研究院科研團(tuán)隊和科技成果，提供第三代半導(dǎo)體研發(fā)、測試基本服務(wù)；孵化各類技術(shù)成果和產(chǎn)業(yè)項目；圍繞嘉興科技城集成電路這個核心產(chǎn)業(yè)，引進(jìn)落戶一批上下游產(chǎn)業(yè)化發(fā)展項目。

研究院也將圍繞嘉興科技城產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求和研究院的研發(fā)需求，重點開展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用型研究。以半導(dǎo)體材料和工藝技術(shù)研發(fā)為核心，吸引上下游設(shè)備、材料、封測和設(shè)計公司入駐，以及后期的產(chǎn)業(yè)培育孵化，打造一個集科技研發(fā)、人才培養(yǎng)的綜合性平臺，形成集成電路產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)。（中國電子報）

世紀(jì)金光6英寸碳化硅項目落戶合肥

合肥產(chǎn)投資本管理有限公司（以下簡稱“合肥產(chǎn)投資本”）宣布，其管理的語音基金與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（簡稱“世紀(jì)金光”）簽署投資協(xié)議并完成首期出資，這也標(biāo)志著合肥首個第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目正式落地。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱“大基金”）持股10.55%，為世紀(jì)金光第3大股東；大基金的子基金上海聚源聚芯集成電路產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金中心（有限合伙）持股5.05%，為第4大股東。另外，天風(fēng)證券持股70.36%的天風(fēng)天睿投資股份有限公司持有世紀(jì)金光股權(quán)0.71%。（上海證券報）

博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工

浙江嘉興博方嘉芯氮化鎵（GaN）射頻及功率器件項目于近日開工，該項目是第三代半導(dǎo)體材料示范項目，也是嘉興南湖微電子產(chǎn)業(yè)平臺的第2個標(biāo)志性項目。浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司將引進(jìn)6寸晶圓生產(chǎn)線兼容4寸GaN生產(chǎn)線設(shè)備。該項目將分2期實施，項目全部達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售30億元以上。（嘉興市政府網(wǎng)）

北京順義第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目復(fù)工

日前，北京順義區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項目已復(fù)工，預(yù)計2020年6月底竣工。該項目計劃3月中旬開始機電安裝及室內(nèi)裝修，5月底完成安裝調(diào)試，6月中旬完成聯(lián)動調(diào)試，2020年6月30日竣工。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是北京市高精尖產(chǎn)業(yè)的重要內(nèi)容，也是順義確定發(fā)展的三大創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群之一，中關(guān)村順義園具備第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展獨特優(yōu)勢。2019年，順義區(qū)聯(lián)合中關(guān)村管委會共同出臺了《關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施》，重點支持企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、制造、應(yīng)用等多個環(huán)節(jié)，實現(xiàn)從設(shè)計、晶圓加工、襯底和外延制備以及設(shè)備和材料研發(fā)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條覆蓋。

未來5～10年，順義區(qū)將成為第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新策源地、產(chǎn)業(yè)發(fā)展先行示范區(qū)和成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化輻射源。（北京日報）