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      一種基于WLP封裝的聲表面波濾波器

      2020-09-03 14:13:16陳尚權趙雪梅董加和陳彥光
      壓電與聲光 2020年4期
      關鍵詞:凸點印制板諧振器

      陳尚權,呂 翼,趙雪梅,董加和,米 佳,陳彥光,伍 平

      (中國電子科技集團第二十六研究所,重慶 400060)

      0 引言

      晶圓級封裝(WLP)是近年來快速發(fā)展起來的新型封裝技術[1],WLP采用重布線和凸點技術,能極大地減小封裝體積,實現了封裝面積和芯片面積比小于1.2。在電子設備小型化、模組化發(fā)展的趨勢下,采用WLP封裝的濾波器能更好地滿足移動通信等領域小型化的需求。

      WLP聲表面波(SAW)濾波器是在完成功能圖形制作的晶圓上,對整個晶圓進行封裝、測試。此種封裝技術能實現整片晶圓的一次性封裝,加工效率高;每個晶圓有數千顆芯片,與傳統(tǒng)封裝技術對單個芯片進行操作相比,極大地降低了工藝成本;WLP器件布線短,電極厚,電磁寄生小。具有眾多優(yōu)點的WLP器件正成為SAW濾波器的發(fā)展方向。但WLP封裝器件由于尺寸較小、電極凸點位于封蓋上,劃片后,采用夾具進行測試的方法難以準確測量其電性能、且易損壞器件或凸點。本文改進了現有GSG探針測試方法,研究制備專用探卡,解決了WLP器件測試難題。

      1 SAW濾波器設計

      1.1 低損耗SAW濾波器設計模型

      低損耗SAW濾波器設計普遍采用COM模型[2-3],COM模型能分析換能單元在壓電晶體表面的聲電效應。其響應關系用P矩陣形式表示為

      [At1,At2,I]T=[Pij][Ai1,Ai2,V]T

      (1)

      式中:At,Ai分別為輸入、輸出響應;下角1,2為聲端口;I為電流;V為電壓。通過邊界條件可解得一個3×3的P矩陣。通過P矩陣的級聯,可以分析不同結構的濾波器響應。

      1.2 WLP封裝阻抗元結構SAW濾波器

      常用的低損耗SAW濾波器的結構為阻抗元結構,其基本原理是利用反射柵和換能器構成的諧振器,采用COM模型分析單個諧振器的響應,每個諧振器單獨設計。通過串、并電連接的方式構成濾波器。本文封裝尺寸為1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm,尺寸較小,因此設計方案選擇諧振器數量較少的雙T型阻抗元結構,同時輸入、輸出對稱,實現小型化設計。在版圖設計時,考慮到器件尺寸小,實際裝配到電路應用中,需避免直通對器件性能的惡化。因此,設計的輸入、輸出接口為對角。本文選擇41°Y-XLiNbO3作基底材料。材料參數如表1所示。COM參數通過有限元法理論計算提取并經過工藝進行了驗證。本文工作頻率為L波段,封裝引起的電磁寄生對阻抗元結構的頻率響應有較大影響,采用等效的電容、電感建立集總參數封裝模型。因為WLP封裝和傳統(tǒng)表貼封裝結構有較大區(qū)別,故采用仿真與工藝驗證相結合的方法,準確獲取了WLP封裝的寄生參數。

      表1 材料參數

      1.3 濾波器結構及仿真

      圖1為雙T型阻抗元SAW濾波器電路結構。圖中,IE1、IE2、IE3為諧振器,其輸入、輸出對稱,L為封裝寄生電感,Cp為封裝寄生電容。設計時,輸入參數包含芯片結構參數、材料COM參數、WLP封裝寄生參數。結構參數主要有諧振器的周期、孔徑、占空比等參數;材料COM參數由膜厚和壓電基底決定;封裝寄生參數由電磁效應決定。采用梯度下降法,優(yōu)化3種類型諧振器的周期、孔徑、換能器對數等,參數如表2所示,獲得了相對帶寬約為5.8%的帶通濾波器,如圖2所示。

      圖1 雙T型阻抗元結構

      表2 諧振器部分參數

      圖2 器件仿真結果

      2 WLP封裝工藝

      WLP封裝將芯片進行鈍化處理,在其表面覆蓋聚酰亞胺(PI)或Si固體介質材料,以實現器件的封裝。采用重布線技術將I/O接口以陣列方式分布在介質材料上,并進行凸點制作,完成器件接口制作。本文封裝覆膜材料為Si,能提升WLP器件在模塊化中模壓能力。與傳統(tǒng)封裝技術相比,封裝、測試在劃片工序前完成。WLP封裝的主要工藝流程,如圖3所示。

      圖3 封裝流程

      凸點技術是WLP封裝的關鍵技術,本文采用solder ball植球的方式實現凸點制作。與其他技術相比,其成本低,工藝穩(wěn)定及能實現小球制作[4]。圖4為產品實物圖。

      圖4 劃片后產品

      3 WLP器件在線測試

      本文采用WLP封裝器件在劃片前進行測試工序。準確測試芯片性能指標,即可以及時反饋研發(fā)結果,減少工藝制作周期。同時也能避免不合格產品進入后道工序,減少經濟損失。準確完成芯片檢測,成為WLP器件制作的一個重要環(huán)節(jié)。

      3.1 傳統(tǒng)探針

      SAW器件芯片的傳統(tǒng)測試方法采用GSG探針的方式,探針頭對金屬電極或金屬凸點進行接觸連接,實現對濾波器芯片的測試。此種類型探針頭數量不超過4個,包含輸入、輸出兩個信號接口,其余接地。本文采用的WLP封裝外殼有8個端口,探針頭數量無法覆蓋全部的接口,采集的信號不完整,造成探針測試的結果和實際器件性能差異很大,無法準確判斷芯片性能,圖5為GSG探針測試結果。帶外抑制和通帶指標與實際響應差距較大。

      圖5 探針測試結果

      3.2 專用探卡

      WLP封裝濾波器尺寸小,采用夾具測試易引入電磁寄生,測試結果與實際有差異,且易損壞器件。本文設計制備了專用探卡(見圖6),實現了WLP器件的測試,隨后將濾波器裝配在實際使用的電路板上,進行測試對比。

      圖6 探卡印制板及針頭分布

      探卡主要包括探針頭、印制板和引線。探針頭是探卡的最重要部分,其需要具有良好的力學性能和電學性能。探針和器件金屬凸點既要保持良好接觸,又不能應力過大而破壞金屬凸點。同時保證接觸電阻要小,材料選擇有良好機械和電學性能的BeCu合金。探針的結構為懸臂梁式,根據材料力學,懸臂梁的尖端最大撓度ωmax由梁的厚度決定[5]:

      (2)

      式中:E為楊氏模量;b為梁寬度;L為梁長度;h為梁厚度;F為針尖受力。懸臂梁的彈性系數K為

      (3)

      由此可對金屬凸點的受力情況進行分析,避免受損。

      探針頭數量有8個,其中6個獨立接地。探針頭之間的最短距離為250 μm,探針可在x,y,z3個方向移動,可以調節(jié)與金屬凸點的接觸位置和對金屬凸點施加的應力。x,y方向的調節(jié)精度可達2 μm,z方向的調節(jié)精度為1 μm,可以實現探針和待測器件良好接觸。工作頻率為1 GHz時,接觸電阻小于0.5 Ω,導電性能好。探針間的特征阻抗大于500 MΩ,隔離性好,可以用于高頻測試。

      印制板上有引線電路連接探卡的引出端口和探針頭,且印制板有較高的平整度要求,以確保探針頭和濾波器的良好接觸。印制板上的引出端口由外部連接線和網絡分析儀連接,完成器件的測試。圖7為探卡測試結果。

      圖7 探卡測試結果

      為了驗證探卡測試的準確性,將同一器件裝配在實際使用的電路上,用相同儀器進行測試,兩者間的對比如圖8所示。

      圖8 探卡測試與實際電路測試對比

      4 結束語

      本文選擇了一種雙T型的阻抗元結構,采用WLP封裝技術,實現了一款基于WLP封裝聲表面波濾波器的研制。產品體積僅為1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm,可以用于手機射頻前端等領域的模塊中,能極大地減小模塊體積。針對WLP封裝濾波器難以測試的問題,研究制備了一種專用的探卡,能較準確地完成整片晶圓濾波器的測試工作。本款濾波器的研制方法適用于其他不同切型材料的基于WLP封裝的聲表面波濾波器研制。

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