凸點(diǎn)
- 電子封裝金屬微凸點(diǎn)制備技術(shù)研究進(jìn)展*
ut, I/O）凸點(diǎn)的封裝形式—球柵陣列封裝（Ball Grid Array Packaging, BGA）、芯片尺度封裝（Chip Scale Packaging, CSP）、晶圓級(jí)芯片尺度封裝（Wafer Level Chip Scale Packaging,WLCSP）以及倒裝芯片封裝（Flip Chip Packaging, FCP）陸續(xù)登上歷史舞臺(tái)，它將有源區(qū)面上制有凸點(diǎn)電極的芯片朝下放置，與封裝基底/基板布線層直接鍵合實(shí)現(xiàn)冶金連接[1–2]。這
電子機(jī)械工程 2023年6期2024-01-02
- 插座銅合金凸焊工藝及結(jié)構(gòu)研究
極加壓通電時(shí)，靠凸點(diǎn)接觸來(lái)提高單位面積上的壓力與電流密度，接觸區(qū)域集中發(fā)熱，凸點(diǎn)隨之熔化并被壓潰形成熔核，冷卻后形成焊點(diǎn)，除電力外整個(gè)過(guò)程無(wú)其他消耗。凸焊比較適合兩焊接件厚度不一致或者導(dǎo)電、散熱性能存在差異導(dǎo)致溫度分布不均的情況，凸點(diǎn)一般設(shè)置在導(dǎo)電、散熱較好的焊接件上。影響凸焊焊點(diǎn)質(zhì)量的主要因素有焊接電流、焊接壓力和焊接時(shí)間等焊接參數(shù)以及凸點(diǎn)的形狀和尺寸，此外電極材料和焊接件材料的匹配度也有很大影響。2.2 插座選擇凸焊工藝的合理性插座的插套和連接銅條均采
日用電器 2023年9期2023-11-01
- 菊花鏈互連電遷移多物理場(chǎng)模擬仿真?
。Cu/Sn鍵合凸點(diǎn)的電遷移現(xiàn)象成為一個(gè)重要的研究問(wèn)題。電遷移是指在電流的作用下，凸點(diǎn)內(nèi)的原子與電子產(chǎn)生碰撞，從而發(fā)生動(dòng)量交換，使原子由陰極向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)的現(xiàn)象。當(dāng)電流強(qiáng)度大時(shí)，在陰極產(chǎn)生空洞，導(dǎo)致凸點(diǎn)陰極短路失效，而陽(yáng)極因?yàn)樵永鄯e而形成小丘，出現(xiàn)短路現(xiàn)象，對(duì)凸點(diǎn)的可靠性造成威脅［6～7］。電遷移與互連凸點(diǎn)中的電流密度、溫度分布是緊密相關(guān)的。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電流密度超過(guò)1×104A/cm2時(shí)，極易引起電遷移失效［8］。張墅野等［9］建立了經(jīng)典三維Cu 互連線結(jié)構(gòu)
艦船電子工程 2023年4期2023-08-04
- 微凸點(diǎn)陣列等效熱導(dǎo)率模型及仿真驗(yàn)證
封裝中存在大量微凸點(diǎn)[7]、微銅柱[8]、TSV[9]等結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)高集成度封裝結(jié)構(gòu)中的信號(hào)互聯(lián)，這無(wú)疑也意味著對(duì)熱[10]、熱-機(jī)械[11]等可靠性評(píng)估過(guò)程對(duì)計(jì)算成本的極高需求，散熱問(wèn)題成為如今高功率密度集成電路封裝設(shè)計(jì)中亟待突破的技術(shù)壁壘之一。目前使用有限元分析(finite element，F(xiàn)E)軟件對(duì)各種封裝形式的器件進(jìn)行其模型的計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)(Computation Fluid Dynamics，CFD)仿真，以評(píng)估電子產(chǎn)品在其額定功率下工作的散
計(jì)算機(jī)仿真 2023年2期2023-03-29
- 塑封倒裝焊焊點(diǎn)開裂分析及改善研究
匹配，導(dǎo)致塑封體凸點(diǎn)易受熱應(yīng)力蠕變?cè)斐珊更c(diǎn)開裂現(xiàn)象，存在較嚴(yán)重的封裝可靠性風(fēng)險(xiǎn)。且倒裝焊的產(chǎn)品包含多個(gè)凸點(diǎn)，其中一個(gè)凸點(diǎn)失效就會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)品失效，因此凸點(diǎn)的可靠性成為決定產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。確定在封裝制程中最易形成凸點(diǎn)失效的工序及失效模式對(duì)提高封裝的可靠性具有非常重要的意義。本文通過(guò)ANSYS 軟件進(jìn)行1∶1 實(shí)物建模，從封裝制程的角度對(duì)易造成凸點(diǎn)失效的工序進(jìn)行應(yīng)力應(yīng)變分布的模擬，分析焊點(diǎn)開裂失效的原因并提出改善方案。2 試驗(yàn)方法倒裝焊的塑封體結(jié)構(gòu)主要包括
電子與封裝 2023年2期2023-03-22
- 基于智能設(shè)備的汽車行駛姿態(tài)感知研究與實(shí)現(xiàn)*
成本和誤差。1 凸點(diǎn)檢測(cè)算法1.1 有效凸點(diǎn)的定義條件為了識(shí)別汽車的轉(zhuǎn)向操作駕駛事件，檢測(cè)轉(zhuǎn)向過(guò)程中的有效凸點(diǎn)數(shù)量，本文通過(guò)分析大量在道路測(cè)試過(guò)程中采集的數(shù)據(jù)，為有效凸點(diǎn)定義了4 個(gè)參數(shù)，它們分別是δl，δh，TBUMP，TDELAY。δl代表一個(gè)有效凸點(diǎn)范圍內(nèi)角速度絕對(duì)值的最小值閾值限制，它決定了一個(gè)有效凸點(diǎn)發(fā)生的開始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)；δh代表一個(gè)有效凸點(diǎn)過(guò)程中角速度絕對(duì)值所能達(dá)到的最大值的最低閾值限制，它通過(guò)檢測(cè)一個(gè)凸點(diǎn)過(guò)程中的角速度絕對(duì)值的最大值是否達(dá)到此
電子器件 2022年4期2022-10-22
- 基于特征區(qū)域下凸點(diǎn)提取的藻類熒光光譜波長(zhǎng)選擇方法
熒光區(qū)域積分結(jié)合凸點(diǎn)提取的波長(zhǎng)選擇方法是根據(jù)整體區(qū)域熒光強(qiáng)度變化選擇出能夠表征藻類色素的熒光特性的波長(zhǎng)變量，同時(shí)避免選擇過(guò)程的隨機(jī)性。本文以抑食金球藻、小球藻、細(xì)長(zhǎng)聚球藻為研究對(duì)象，在對(duì)3種藻的原始光譜進(jìn)行預(yù)處理后，結(jié)合熒光區(qū)域積分和二元凸函數(shù)判定方法，進(jìn)行特征區(qū)域波長(zhǎng)變量篩選，并將篩選后的光譜數(shù)據(jù)作為輸入建立PLS回歸模型，驗(yàn)證其有效性。1 基于凸點(diǎn)提取的波長(zhǎng)選擇原理特征區(qū)域下的凸點(diǎn)提取是通過(guò)在主要熒光區(qū)域中提取曲面峰值點(diǎn)及峰值周圍的點(diǎn)來(lái)達(dá)到去除熒光光譜
光譜學(xué)與光譜分析 2022年10期2022-10-09
- 某汽油機(jī)油氣分離器密封圈斷裂失效分析及改進(jìn)
，斷裂點(diǎn)位于防脫凸點(diǎn)附近。圖1 進(jìn)、排氣凸輪軸負(fù)載示意圖3 故障排查及原因分析3.1 失效機(jī)理分析通過(guò)魚骨刺圖，如圖2 所示，分析可能造成密封圈斷裂的原因。在排除裝配等其他影響因素后，排查方向聚焦在密封圈結(jié)構(gòu)和油氣分離器密封槽兩個(gè)方面。圖2 油氣分離器密封圈開裂原因分析3.2 故障原因排查使用原發(fā)動(dòng)機(jī)更換油氣分離器后進(jìn)行溫度場(chǎng)測(cè)試，結(jié)果表明油氣分離器密封圈斷裂處最高溫度為101℃，如表1 所示。油氣分離器殼體材料為PA66-GF30，密封圈材料FKM，兩種
時(shí)代汽車 2022年18期2022-09-06
- “口水”也珍貴
的口腔內(nèi)有4個(gè)小凸點(diǎn)，其中兩個(gè)分布在腮幫子內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對(duì)著上頜第二磨牙。另外兩個(gè)小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個(gè)。可別小看了這4個(gè)小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源于此。唾液具有潤(rùn)滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助于消化和殺菌。正常人每天白天平均分泌1 ～1 .5升的唾液，但夜里幾乎不會(huì)分泌唾液。由于一整夜沒(méi)有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量會(huì)在每天早起時(shí)達(dá)到峰值，所以睡
職工法律天地·上半月 2022年10期2022-07-05
- 基于光學(xué)三角法的芯片凸點(diǎn)高度測(cè)量
unding）和凸點(diǎn)鍵合（bump- bounding）。其中，凸點(diǎn)鍵合技術(shù)采用導(dǎo)電凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)芯片對(duì)芯片（die-to-die）、芯片對(duì)基板（dieto-wafer）之間的電氣互聯(lián)互通。同時(shí)，凸點(diǎn)還可以作為器件之間的支撐結(jié)構(gòu)［1］。如果凸點(diǎn)互聯(lián)結(jié)構(gòu)存在缺陷乃至失效將導(dǎo)致封裝芯片的良率下降，因此需要在凸點(diǎn)制備過(guò)程中對(duì)其進(jìn)行在線測(cè)量。凸點(diǎn)互聯(lián)失效模式主要包括錯(cuò)位、缺失、橋接以及高度不一致［2］。傳統(tǒng)二維測(cè)量方法只能檢測(cè)凸點(diǎn)錯(cuò)位、缺失和橋接，不能實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)高度一
光子學(xué)報(bào) 2022年5期2022-06-28
- 異形觸點(diǎn)鉚接級(jí)進(jìn)模設(shè)計(jì)
對(duì)某觸點(diǎn)頭部存在凸點(diǎn)的零件在級(jí)進(jìn)模內(nèi)鉚接和整形的技術(shù)進(jìn)行介紹，探討異形觸點(diǎn)鉚接和整形工藝。1 工藝分析圖1所示為某觸點(diǎn)元件，由觸橋和觸點(diǎn)組成，觸點(diǎn)為鉚釘形狀，通過(guò)鉚接的方式與觸橋連接，觸點(diǎn)頭部為異形（有小凸點(diǎn)），要求采用級(jí)進(jìn)模完成整個(gè)元件的成形，成形工序涉及沖切、刺破、去毛刺、彎曲、鉚接、觸點(diǎn)頭部整形及落料等。成形工序中沖切、刺破、去毛刺、彎曲、落料技術(shù)應(yīng)用較成熟，難點(diǎn)在于鉚接和觸點(diǎn)頭部凸點(diǎn)的成形，結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)分析，有以下2種工藝方案成形鉚接和觸點(diǎn)頭部凸點(diǎn)
模具工業(yè) 2022年5期2022-05-27
- 基于不同鍵合參數(shù)的Cu-Sn-Cu 微凸點(diǎn)失效模式分析
裝密度的提高，微凸點(diǎn)尺寸和間距的減小，大大提高了凸點(diǎn)中的電流密度，導(dǎo)致更加容易出現(xiàn)嚴(yán)重的電遷移現(xiàn)象，從而使產(chǎn)品壽命降低或者直接失效。電遷移發(fā)生后，會(huì)在凸點(diǎn)內(nèi)部形成空洞、裂紋等缺陷，導(dǎo)致產(chǎn)品失效；同時(shí)金屬凸點(diǎn)內(nèi)部金屬間化合物（Intermetallic Compound,IMC）層也會(huì)增加凸點(diǎn)脆性斷裂的風(fēng)險(xiǎn)[3-5]。電流密度是影響電遷移發(fā)生與否的主要因素，部分文獻(xiàn)中提到當(dāng)電流密度接近104A/cm2時(shí)，會(huì)引發(fā)凸點(diǎn)內(nèi)部電遷移行為[6-8]。除此之外，工作溫度
電子與封裝 2022年1期2022-02-17
- 雨刮電機(jī)壓蓋接地片虛焊的解決方案
地片和壓蓋時(shí)，在凸點(diǎn)（壓蓋或接地片）處發(fā)熱;當(dāng)單位面積內(nèi)的熱量達(dá)到熔融接地片和壓蓋的條件時(shí)，熔化接地片和壓蓋，形成焊點(diǎn)熔核，并在電極壓力下保持一定時(shí)間結(jié)晶，形成焊點(diǎn)。1.2接地片點(diǎn)焊過(guò)程焊接熱量及其影響因素焊接產(chǎn)生的熱量由下式?jīng)Q定：Q=I2RT （1）式中Q——焊接產(chǎn)生的熱量I——焊接電流R——接觸電阻T——焊接時(shí)間儲(chǔ)能點(diǎn)焊機(jī)工作時(shí)的焊接電流I是通過(guò)內(nèi)部電容放電產(chǎn)生，在接觸電阻一定的情況下，電壓越高，焊接時(shí)的放電電流越大，焊接產(chǎn)生的熱量越大，焊點(diǎn)越牢固。但
汽車與駕駛維修（維修版） 2021年10期2021-11-05
- 雨刮電機(jī)壓蓋接地片虛焊的解決方案
地片和壓蓋時(shí)，在凸點(diǎn)（壓蓋或接地片）處發(fā)熱；當(dāng)單位面積內(nèi)的熱量達(dá)到熔融接地片和壓蓋的條件時(shí)，熔化接地片和壓蓋，形成焊點(diǎn)熔核，并在電極壓力下保持一定時(shí)間結(jié)晶，形成焊點(diǎn)。圖2 儲(chǔ)能點(diǎn)焊機(jī)焊接示意圖1.2 接地片點(diǎn)焊過(guò)程焊接熱量及其影響因素焊接產(chǎn)生的熱量由下式?jīng)Q定[2]：式中 Q——焊接產(chǎn)生的熱量I——焊接電流R——接觸電阻T——焊接時(shí)間儲(chǔ)能點(diǎn)焊機(jī)工作時(shí)的焊接電流I 是通過(guò)內(nèi)部電容放電產(chǎn)生，在接觸電阻一定的情況下，電壓越高，焊接時(shí)的放電電流越大，焊接產(chǎn)生的熱量越
汽車與駕駛維修(維修版) 2021年10期2021-11-05
- 參數(shù)對(duì)均勻微滴打印多尺寸錫焊料凸點(diǎn)陣列的影響
件管腳通過(guò)均勻錫凸點(diǎn)陣列連接起來(lái)，以縮短數(shù)據(jù)傳輸路徑、提高芯片運(yùn)行速度、增強(qiáng)連接可靠性[2]。保證3D封裝質(zhì)量的關(guān)鍵工藝[3]是在多疊層芯片之間制備高度一致、定位準(zhǔn)確的錫焊料凸點(diǎn)陣列。由于航空、航天裝備使用的3D封裝模塊具有精度高、規(guī)格多、批量少等特點(diǎn)，使得其受損后的快速維修是一個(gè)技術(shù)難點(diǎn)[4]?，F(xiàn)有的蒸發(fā)沉積法、釘頭法、模板印刷法、電鍍法[2]等凸點(diǎn)陣列批量制備方法易產(chǎn)生凸點(diǎn)尺寸不均、位置不準(zhǔn)確、工序復(fù)雜等不足，而激光錫焊工藝[5]制備的焊點(diǎn)存在錫球直徑
中國(guó)機(jī)械工程 2021年19期2021-10-20
- Cu-Sn-Cu互連微凸點(diǎn)熱壓鍵合研究
和基底之間采用微凸點(diǎn)進(jìn)行互連的小型化、高集成密度的封裝技術(shù)[4]。相對(duì)于傳統(tǒng)的引線鍵合技術(shù)，倒裝鍵合互連路徑更短，綜合性能更高[5-6]。倒裝鍵合焊接面積與芯片面積大小一致，其封裝密度很高，實(shí)際生產(chǎn)中基本達(dá)到了75%以上，具有良好的電氣性能、更強(qiáng)的信號(hào)分配能力以及更低的能耗，更加適合于高頻、高速的電子產(chǎn)品應(yīng)用[7-9]。倒裝芯片的互連方式主要有3類，包括熱超聲、回流焊和熱壓。熱壓鍵合方式需要對(duì)準(zhǔn)時(shí)有良好的精度，針對(duì)不一樣的凸點(diǎn)尺寸、凸點(diǎn)材料，需要選用對(duì)應(yīng)的
電子與封裝 2021年9期2021-10-13
- 沖壓用鍍鋅鋼板白色凸點(diǎn)缺陷產(chǎn)生原因及對(duì)策
現(xiàn)沖壓成品件的凹凸點(diǎn)現(xiàn)象，這種凹凸點(diǎn)為鍍鋅鋼板表面上所帶的白色凸點(diǎn)經(jīng)過(guò)沖壓后引起的凹凸缺陷。文中對(duì)熱鍍鋅生產(chǎn)的合金化產(chǎn)品(GA)中常見的白色凸點(diǎn)缺陷進(jìn)行了分類研究，對(duì)不同種類的白色凸點(diǎn)進(jìn)行對(duì)策分析，通過(guò)對(duì)影響鋅渣、鋅灰等幾類常見白色凸點(diǎn)的對(duì)策研究，得出穩(wěn)定控制沖壓件上常見白色凸點(diǎn)缺陷的措施。汽車工業(yè)生產(chǎn)中，熱鍍鋅板材的需求量一向較大，日系汽車制造沖壓所使用的合金化鍍鋅鋼材(GA鋼板)更是需求量巨大。在合金化鍍鋅成品中，存在很多對(duì)于沖壓生產(chǎn)而言面品質(zhì)不合格的
鍛造與沖壓 2021年16期2021-08-31
- 埋置空氣隙柔性凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)隨機(jī)振動(dòng)應(yīng)力應(yīng)變分析
04)當(dāng)前,柔性凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)已逐漸成為柔性晶圓級(jí)封裝CWLP(Compliant Wafer Level Package)提升電子產(chǎn)品性能和可靠性的核心技術(shù)之一[1]。芯片熱疲勞及機(jī)械振動(dòng)疲勞失效是顯著影響CWLP 芯片互連結(jié)構(gòu)可靠性的關(guān)鍵。電子產(chǎn)品實(shí)際服役過(guò)程中,通常會(huì)經(jīng)受溫度循環(huán)、外界振動(dòng)等環(huán)境沖擊作用,影響產(chǎn)品性能的同時(shí)對(duì)器件可靠性造成巨大威脅[2]。在航空航天及軍事等領(lǐng)域,振動(dòng)已成為影響電子產(chǎn)品可靠性的重要因素。據(jù)統(tǒng)計(jì),電子設(shè)備中電路組件失效中約有20
電子元件與材料 2021年7期2021-08-06
- 7.5 μm小間距銦凸點(diǎn)陣列制備的研究
和均勻性的小型銦凸點(diǎn)陣列是必須克服的挑戰(zhàn)之一[6-8]。本文通過(guò)不同打底層(UBM)尺寸和銦柱尺寸交叉組合的系列實(shí)驗(yàn)研究,分析討論了小像元間距情況下銦凸點(diǎn)陣列的制備情況。2 實(shí) 驗(yàn)圍繞尺寸為7.5 μm的小像元間距,進(jìn)行不同UBM尺寸和銦柱尺寸的系列對(duì)比實(shí)驗(yàn)。銦凸點(diǎn)制備流程如圖1所示。硅片→光刻UBM孔→UBM沉積→Lift-off→光刻銦柱孔→銦柱沉積→Lift-off→銦柱成球,其中銦柱生長(zhǎng)高度為3 μm,UBM孔的形狀為圓形,銦柱孔的形狀為正方形,具
激光與紅外 2021年6期2021-07-23
- 基于指紋傳感器的盲文識(shí)別算法研究?
在一起。同時(shí)盲文凸點(diǎn)間距約為2.4mm左右，相鄰點(diǎn)陣間的距離約為4mm。2.2 盲文信息的采集圖像采集部分為ZFMS-21系列半導(dǎo)體指紋采集模塊，模塊以高性能高速DSP處理器AS601為核心，采集圖像的尺寸192×192，采集頭的有效區(qū)域?yàn)?.6mm×9.6mm，分辨率為508DPI。這樣，每個(gè)盲文凸點(diǎn)在圖像中的相鄰距離為48個(gè)像素點(diǎn)。本文研究過(guò)程中采用的圖像采集裝置如圖1所示。圖1 半導(dǎo)體指紋傳感器當(dāng)前市面上大多數(shù)半導(dǎo)體指紋傳感器均已要求接觸表面為微導(dǎo)電
計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程 2021年6期2021-06-29
- 側(cè)圍尾部翻邊棱線不順的原因分析及解決辦法
交匯的位置出現(xiàn)了凸點(diǎn)，如圖7 所示。對(duì)于棱線凸點(diǎn)的問(wèn)題，很長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)，一直懷疑是OP30 與OP40 基準(zhǔn)傳遞誤差導(dǎo)致的，因此花費(fèi)了很長(zhǎng)的時(shí)間調(diào)整OP30 的凸模基準(zhǔn)，但一直得不到有效的改善，此外，還對(duì)OP40 翻邊間隙進(jìn)行大小兩個(gè)方向的調(diào)整，也均無(wú)效果。后來(lái)對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行分析，產(chǎn)品的翻邊寬度存在落差，而且翻邊的角度也并不是垂直于此條棱線，而是存在一定的角度，如圖8 所示，而凸點(diǎn)發(fā)生的位置正好在位于翻邊寬度落差交接相應(yīng)位置。圖7 OP30 翻邊與OP4
鍛造與沖壓 2021年4期2021-05-06
- 面向窄節(jié)距倒裝互連的預(yù)成型底部填充技術(shù)*
提高，倒裝芯片上凸點(diǎn)的尺寸和節(jié)距也變得越來(lái)越小，凸點(diǎn)節(jié)距小于100 μm，甚至不大于10 μm， 傳統(tǒng)的組裝后底部填充技術(shù)由于是在凸點(diǎn)互連之后才進(jìn)行底部填充的，常常會(huì)出現(xiàn)凸點(diǎn)間填充不完全到位、產(chǎn)生孔洞等缺陷，使封裝互連的可靠性降低[3]。為了適應(yīng)倒裝芯片窄節(jié)距互連的填充需求，產(chǎn)業(yè)界提出了一種新型的預(yù)成型底部填充技術(shù)（Preassembly Underfill）[4-5]。這種方法既能簡(jiǎn)化工藝，又能對(duì)窄節(jié)距互連（小于100 μm）進(jìn)行良好的底部填充。此外，研
電子與封裝 2021年1期2021-01-26
- 淺談白車身防錯(cuò)設(shè)計(jì)方法
可以設(shè)計(jì)凸臺(tái)或者凸點(diǎn)進(jìn)行防錯(cuò)，凸臺(tái)高度不小于2 mm，凸臺(tái)焊接面的直徑大于螺母/螺栓的對(duì)角寬度6 mm以上，螺栓/螺母支撐面焊接在凸臺(tái)面上，如圖2所示。圖2 凸臺(tái)面的防錯(cuò)設(shè)計(jì)2.1.3 標(biāo)準(zhǔn)件種類的防錯(cuò)方法同一零件在滿足功能要求的前提下盡量采用同種規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)件，如圖3所示。圖3 標(biāo)準(zhǔn)件示意若同一個(gè)件上必須焊接不同種類的標(biāo)準(zhǔn)件，可以制定公司專屬防錯(cuò)規(guī)則。比如可以用凸點(diǎn)數(shù)量來(lái)防錯(cuò)：1個(gè)凸點(diǎn)標(biāo)識(shí)凸焊螺母，2個(gè)凸點(diǎn)標(biāo)識(shí)凸焊螺栓，3個(gè)凸點(diǎn)標(biāo)識(shí)凸焊螺柱，如圖4所示。圖
汽車零部件 2020年11期2020-12-01
- 小間距紅外探測(cè)器讀出電路銦凸點(diǎn)制備技術(shù)
光敏芯片與帶有銦凸點(diǎn)的讀出電路通過(guò)倒裝互連制備而成的[4-6]。伴隨著技術(shù)的進(jìn)步,碲鎘汞紅外探測(cè)器面陣規(guī)模不斷提升,像元中心間距不斷縮小。小間距(例如10 μm像元中心距)紅外探測(cè)器的制備過(guò)程中,由于碲鎘汞光敏芯片表面平坦度差,為保證倒裝互連成功率需要在小間距讀出電路位點(diǎn)上制備出具有一定高度并且均勻性好的銦凸點(diǎn),這些需求對(duì)讀出電路銦凸點(diǎn)制作技術(shù)提出了巨大挑戰(zhàn)。使用常規(guī)的剝離法制備的小間距讀出電路銦凸點(diǎn)存在高度不夠且差異過(guò)大、相互粘連嚴(yán)重等問(wèn)題,無(wú)法滿足應(yīng)用
激光與紅外 2020年8期2020-09-03
- 管夾自動(dòng)沖模設(shè)計(jì)
分體式且?guī)в泻附?span id="j5i0abt0b" class="hl">凸點(diǎn)的典型管夾為例，其具體結(jié)構(gòu)如圖4所示。零件價(jià)值不高，屬于消耗品，要求量大、生產(chǎn)效率高、能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，這就需要采用級(jí)進(jìn)模進(jìn)行成形。圖4 分體式帶焊接凸點(diǎn)管夾零件精度一般，可以采用少?gòu)U料單排排樣，毛坯采用寬20 mmm、厚1.2 mm的帶鋼，材料利用率可達(dá)90%，經(jīng)過(guò)材料矯直、自動(dòng)步進(jìn)送料、壓印、彎曲R17.5 mm圓弧、壓制4個(gè)焊接凸點(diǎn)、沖2個(gè)小孔，翻2個(gè)φ4.2 mm孔、沖裁落料、外加的輔助攻螺紋、焊接功能，完成零件的成形。原采用單
模具工業(yè) 2020年8期2020-08-24
- 英特爾公布下一代處理器架構(gòu)，大小核心混合設(shè)計(jì)
現(xiàn)10微米以下的凸點(diǎn)間距，提供更高的互連密度、更小更簡(jiǎn)單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗等優(yōu)勢(shì)。英特爾目前所使用的3D Foveros立體封裝技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)50微米的凸點(diǎn)間距，每平方毫米約能集成400個(gè)凸點(diǎn)。而全新的混合結(jié)合技術(shù)，使得凸點(diǎn)間距縮小到1/5，每平方毫米的凸點(diǎn)數(shù)量能超過(guò)1萬(wàn)，增加足足25倍。
- 馬約拉納費(fèi)米子的新發(fā)現(xiàn)
帶有磁性的硫化銪凸點(diǎn)。通過(guò)掃描這些凸點(diǎn)的周圍，發(fā)現(xiàn)能夠檢測(cè)到能量為0的特征峰值，而這種峰值就是馬約拉納費(fèi)米子產(chǎn)生的重要證據(jù)之一。這是科學(xué)家第一次在一個(gè)可以擴(kuò)展的平臺(tái)上觀察到這一粒子存在的證據(jù)，也是構(gòu)造量子比特的重要一步。研究人員表示，接下來(lái)的計(jì)劃是將這些粒子構(gòu)成量子比特，這將是構(gòu)建實(shí)用量子計(jì)算機(jī)的重要措施。來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院官網(wǎng)http：//www.cas.cn/kj/202004/t20200416_4741368.shtml下載日期：2020-04-19
科研成果與傳播 2020年2期2020-01-11
- 微系統(tǒng)集成用倒裝芯片工藝技術(shù)的發(fā)展及趨勢(shì)
的Sn-Pb焊料凸點(diǎn)中，Si芯片上的Al-Si接觸焊盤和焊料凸點(diǎn)之間沉積有Cr-Cu-Au粘附層。圖1（b）所示為IBM第一代FC封裝件，可以看到陶瓷基板上倒裝了三個(gè)芯片［1］。隨著電子器件體積的不斷減小以及I／O密度的不斷增加，1970年，IBM公司將FC技術(shù)發(fā)展為應(yīng)用在集成電路（Integrated Circuits，IC）中的可控塌陷芯片連接技術(shù)（Controlled-collapse Chip Connection）， 即 C4 技術(shù)。C4技術(shù)通過(guò)
導(dǎo)航與控制 2019年5期2019-12-12
- 賦Orlicz范數(shù)的Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)
序列空間的k一致凸點(diǎn)判據(jù)也已查明［9］.本文對(duì)賦Orlicz范數(shù)Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)展開研究，得到了賦Orlicz范數(shù)的Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)的判別準(zhǔn)則.1 預(yù)備知識(shí)設(shè)X是Banach空間，X′是其共軛空間，S(X)表示X的單位球面.定義1［7］x(0)∈S(X)被稱為k一致凸點(diǎn)是指若則其中如果S(X)上每一點(diǎn)都是k一致凸點(diǎn)，則稱X是局部k一致凸的.定義2［4］若非負(fù)函數(shù)M是偶的連續(xù)凸函數(shù)，并且滿足則稱映射M:R→[0,∞)為N-函數(shù)
通化師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2019年10期2019-10-28
- 基于PVDF壓電薄膜的仿生觸覺檢測(cè)系統(tǒng)研究
結(jié)構(gòu)層，設(shè)計(jì)了雙凸點(diǎn)拱形觸覺傳感器。通過(guò)傳感器對(duì)比測(cè)試實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了雙凸點(diǎn)拱形觸覺傳感器滑覺信號(hào)靈敏系數(shù)最佳，傳感器上凸點(diǎn)層仿生人類皮膚乳突線層，下凸點(diǎn)層仿生人類皮膚中脊線層，單敏感元仿生邁斯納小體結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)對(duì)傳感器的采集信號(hào)進(jìn)行放大、濾波、傅里葉變換等處理分析，通過(guò)信號(hào)幅值的均值大小判定檢測(cè)觸覺信號(hào)，信號(hào)幅值方差判定檢測(cè)滑覺信號(hào)，并由信號(hào)的幅頻值來(lái)設(shè)定頻率閾值、幅度閾值，判斷熱覺信號(hào)，實(shí)現(xiàn)觸覺傳感器的仿生皮膚功能。1 總體設(shè)計(jì)1.1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)框圖圖1為仿生
壓電與聲光 2019年3期2019-06-25
- 賦Luxemburg范數(shù)的Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)
數(shù)空間局部k一致凸點(diǎn)的判據(jù)均已獲得[10]．本文擬采用處理序列空間的特殊技巧,研究賦Luxemburg范數(shù)Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn),討論該空間單位球面上點(diǎn)為k一致凸點(diǎn)的判別準(zhǔn)則．1 定義及符號(hào)2 主要結(jié)果定理1設(shè)M是N-函數(shù),x(0)=(x(0)(i))∈S(lM)是k一致凸點(diǎn)的充要條件為: i)M∈Δ2;ii) 若μI≥k,則M∈2且{x0(j)|j∈NI}∩(∪i[ci,di))=φ,其中I={j∈N:|x(0)(j)|∈∪i(ai,bi]};
- “口水”也珍貴
的口腔內(nèi)有4個(gè)小凸點(diǎn)，其中兩個(gè)分布在腮幫子內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對(duì)著上頜第二磨牙。另外兩個(gè)小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個(gè)?？蓜e小看了這4個(gè)小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源于此。唾液具有潤(rùn)滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助于消化和殺菌。正常人每天白天平均分泌1～1.5升的唾液，但夜里幾乎不會(huì)分泌唾液。由于一整夜沒(méi)有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量會(huì)在每天早起時(shí)達(dá)到峰值，所以睡覺前
特別文摘 2019年8期2019-04-13
- 基于有限元分析的兩極旋轉(zhuǎn)插頭可靠性設(shè)計(jì)
暢的問(wèn)題；采用雙凸點(diǎn)雙導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)，使旋轉(zhuǎn)過(guò)程順滑，給消費(fèi)者最佳旋轉(zhuǎn)體驗(yàn)；由于沒(méi)有使用連接片，而接線端子上接有導(dǎo)線，即旋轉(zhuǎn)過(guò)程中接線端子與導(dǎo)線是發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)的，通過(guò)出線孔角度設(shè)計(jì)來(lái)限制導(dǎo)線的擺動(dòng)幅度，從而降低導(dǎo)線在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中因?yàn)閿[動(dòng)幅度大而容易與旋轉(zhuǎn)插頭內(nèi)設(shè)置的其他零件或者散絲糾纏，降低產(chǎn)品故障多發(fā)率，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。1 出線孔設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)旋轉(zhuǎn)前蓋旋轉(zhuǎn)軸，在旋轉(zhuǎn)軸增加出線孔通孔，電源線通過(guò)出線孔伸進(jìn)接線端子中，接線端子銅螺釘壓緊電源線。出線孔結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化模型如圖2所
日用電器 2019年12期2019-02-26
- 三維X射線檢測(cè)技術(shù)在倒裝焊器件中的應(yīng)用
等方法生長(zhǎng)I/O凸點(diǎn)，凸點(diǎn)材料一般為鉛錫、金或鎳等，然后將芯片拾取并翻轉(zhuǎn)，以倒扣方式安裝到基底上，通過(guò)柵陣凸點(diǎn)與基底上相應(yīng)電極焊盤實(shí)現(xiàn)直接機(jī)械和電氣互連，凸點(diǎn)與基底的互連技術(shù)主要有熱壓/熱聲連接法、機(jī)械接觸互連法和可控塌陷芯片連接法等。在凸點(diǎn)間會(huì)填充環(huán)氧樹脂底充膠以增強(qiáng)界面粘接強(qiáng)度。倒裝焊器件按基板材料可分為陶瓷封裝和塑料封裝。2 倒裝焊器件常見缺陷及檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)目前，有關(guān)電子元器件X射線檢測(cè)的國(guó)軍標(biāo)有：GJB548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》方法
電子測(cè)試 2018年24期2019-01-29
- 電流變液微閥門加工公差帶選擇與盲文凸點(diǎn)顯示關(guān)系*
級(jí)空間完成對(duì)盲文凸點(diǎn)顯示的控制，致使現(xiàn)有盲文輸出手段存在顯示內(nèi)容少、價(jià)格昂貴的不足，無(wú)法滿足視障群體的自學(xué)需求.電流變液(electrorheological fluids，ERF)微閥門的微流道、小體積特征[1-7]，以及極性分子型ERF更高的屈服強(qiáng)度[8]，為實(shí)現(xiàn)大容量、低成本、高密度閥門陣列的面陣盲文顯示器提供了可能性[9-10].在解決ER微閥門使用持久性問(wèn)題之后[11]，并聯(lián)結(jié)構(gòu)的閥門陣列性能一致性，成為將ER微閥門陣列應(yīng)用于面陣盲文顯示器之前必
湘潭大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報(bào) 2018年5期2019-01-24
- 珍貴的“口水”
的口腔內(nèi)有四個(gè)小凸點(diǎn)，其中兩個(gè)分布在“腮幫子”內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對(duì)著上頜第二磨牙。另外兩個(gè)小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個(gè)?？蓜e小看了這四個(gè)小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源自于此。唾液具有潤(rùn)滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助消化和殺菌作用。正常人每天白天平均分泌1～1.5升的唾液，但夜里幾乎不會(huì)分泌唾液，由于一整夜沒(méi)有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量也會(huì)在每天早起時(shí)達(dá)到峰值，
益壽寶典 2018年15期2018-08-17
- 熱-電應(yīng)力下Cu/Ni/SnAg1.8/Cu倒裝銅柱凸點(diǎn)界面行為及失效機(jī)理?
.然而,焊料倒裝凸點(diǎn)因其易產(chǎn)生凸點(diǎn)間橋連等問(wèn)題而在100μm以下間距的高密度應(yīng)用中受限[1].因此,急需發(fā)展一種新的倒裝凸點(diǎn)突破這一應(yīng)用瓶頸.采用焊料帽加銅柱結(jié)構(gòu)的倒裝凸點(diǎn)由此發(fā)展而來(lái)并被應(yīng)用于細(xì)間距倒裝芯片封裝,該類凸點(diǎn)相比傳統(tǒng)焊料凸點(diǎn)的焊料量極少,不易橋連,且銅柱導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能優(yōu)良[2].然而,隨著銅柱凸點(diǎn)尺寸不斷縮小,凸點(diǎn)承載的電流密度急劇增長(zhǎng),焊料帽位置較少的焊料極易完全合金化[3,4],產(chǎn)生空洞、裂紋等缺陷,引發(fā)新的熱、電、機(jī)械等可靠性問(wèn)題[5,
物理學(xué)報(bào) 2018年2期2018-03-18
- 珍貴的“口水”
的口腔內(nèi)有四個(gè)小凸點(diǎn)，其中兩個(gè)分布在“腮幫子”內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對(duì)著上頜第二磨牙。另外兩個(gè)小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個(gè)?？蓜e小看了這四個(gè)小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源自于此。唾液具有潤(rùn)滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助消化和殺菌作用。正常人每天白天平均分泌1～1.5升的唾液，但夜里幾乎不會(huì)分泌唾液，由于一整夜沒(méi)有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量也會(huì)在每天早起時(shí)達(dá)到峰值，
祝您健康 2018年3期2018-03-15
- 運(yùn)用赤足跡多元回歸分析同質(zhì)人群身高
，分別對(duì)跟壓后緣凸點(diǎn)到五趾前緣凸點(diǎn)的距離、跟壓后緣凸點(diǎn)到前掌內(nèi)外側(cè)凸點(diǎn)的距離進(jìn)行測(cè)量，使用SPSS統(tǒng)計(jì)分析軟件對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行多元回歸分析和逐步回歸分析，發(fā)現(xiàn)七個(gè)距離與身高之間存在線性相關(guān)關(guān)系，建立相應(yīng)的數(shù)學(xué)模型并得出回歸方程，比較模型之間的誤判率和準(zhǔn)確度，為利用足跡分析同質(zhì)人群身高提供更可靠有力的方法。赤足跡；同質(zhì)人群；身高分析；多元回歸傳統(tǒng)分析身高的方法基于足長(zhǎng)[1]這一單一元素分析，該方法簡(jiǎn)單但是也存在自身的局限性，不能涵蓋不同種族、不同地域、不同生活環(huán)境
湖南警察學(xué)院學(xué)報(bào) 2017年5期2018-01-02
- 用于2.5D封裝技術(shù)的微凸點(diǎn)和硅通孔工藝
5D封裝技術(shù)的微凸點(diǎn)和硅通孔工藝周 剛，曹中復(fù)（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十研究所，沈陽(yáng)110032）過(guò)去幾十年里，微電子器件尺寸按照摩爾定律持續(xù)減小，已經(jīng)進(jìn)入到真正的納米時(shí)代。盡管集成電路的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入20nm之下，但是在特定領(lǐng)域，尤其是存儲(chǔ)器、FPGA等對(duì)資源要求極高的領(lǐng)域，僅僅依靠摩爾定律已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)需求。市場(chǎng)永無(wú)止境地對(duì)在可控功耗范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的資源以及更高的代工廠良率提出迫切要求。針對(duì)一種新的2.5D封裝技術(shù)，介紹了其中使用的微凸點(diǎn)（mic
微處理機(jī) 2017年2期2017-07-31
- 采用新型活化氫技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模無(wú)助焊劑晶圓凸點(diǎn)回流焊
規(guī)模無(wú)助焊劑晶圓凸點(diǎn)回流焊C.Christine Dong1*，Richard E.Patrick1，Gregory K.Arslanian1，Tim Bao1，Kail Wathne2，Phillip Skeen2(1.Air Products and Chemicals，Allentown，PA 18195-1501，USA；2.Sikama International，Inc.，Santa Barbara，CA 93101-2314，USA)介紹了A
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年3期2017-07-31
- 一種新型減振器活塞的設(shè)計(jì)
低臺(tái)上分布有n個(gè)凸點(diǎn)(如圖1所示), 凸點(diǎn)高度與活塞凸臺(tái)端面的高度一致, 所述n的取值為1～3之間的任意整數(shù)。所述凸點(diǎn)或?yàn)橐粓A柱體，或?yàn)橐粓A錐臺(tái)體，其橫截面為圓形；或?yàn)橐环叫沃w，或?yàn)橐环叫五F臺(tái)體，其橫截面為方形。此減振器活塞不影響活塞的原有結(jié)構(gòu)功能，卻提高了閥片的使用壽命和減振器的力值性能，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)實(shí)用。在減振器工作過(guò)程中，位于活塞兩端面的閥片受到壓力時(shí)，兩個(gè)端面的凸點(diǎn)可以與凸臺(tái)同時(shí)頂住閥片，使閥片的折彎變形減小，閥片不易產(chǎn)生疲勞，既可提高閥片的壽
汽車零部件 2017年6期2017-07-25
- 基于三針驅(qū)動(dòng)器的盲文學(xué)習(xí)機(jī)
驅(qū)動(dòng)觸點(diǎn)形成相應(yīng)凸點(diǎn)，從而大大減少驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的數(shù)量，提高了系統(tǒng)電磁兼容性和穩(wěn)定性.提出了一種新型凸點(diǎn)產(chǎn)生裝置：凹凸開關(guān)，包括套筒、底座及頂桿三部分，能在三針驅(qū)動(dòng)器的作用下，使凹點(diǎn)和凸點(diǎn)交替切換.該裝置為純機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，掉電保持原狀態(tài)，獨(dú)特的復(fù)位層可以實(shí)現(xiàn)一鍵全復(fù)位.三針驅(qū)動(dòng)器； 凹凸開關(guān)； 機(jī)械保持； 自動(dòng)復(fù)位； 盲文觸點(diǎn)0 引言中國(guó)是世界上盲人最多的國(guó)家，截止到2012年10月，我國(guó)有1 350萬(wàn)視力殘疾人，550多萬(wàn)盲人[1].盲人獲取知識(shí)和技能的渠道比
鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2016年4期2017-01-04
- 三維矩形布局吸引子性質(zhì)的研究
顯然，頂點(diǎn)可分為凸點(diǎn)和凹點(diǎn)。不妨令p1(x, y, z)為定位函數(shù)值最小的凹點(diǎn)，且布局可行域邊界上與P1相鄰的凸點(diǎn)為p(x+Δx,y+Δy,z+Δz )，則：下面根據(jù) A、B、C的不同取值分別討論當(dāng)G(x+Δx,y+Δy,z+Δz)≤G(x,y,z)時(shí)，凸點(diǎn)p是否存在的情況。(1)A≥0,B≥0,C≥0。此時(shí)在布局可行域邊界上一定存在凸點(diǎn)p，使Δx≤0,Δy≤0,Δz≤0成立。此時(shí)最佳布入點(diǎn)應(yīng)為左、前、下的凸點(diǎn)即圖1 中1點(diǎn)方位。(2)A≥0,B≥0,C≤
圖學(xué)學(xué)報(bào) 2016年3期2016-11-29
- 銦凸點(diǎn)對(duì)倒裝互連影響的研究
麗，俞見云?銦凸點(diǎn)對(duì)倒裝互連影響的研究楊超偉1，閆常善2，王瓊芳1，李京輝1，韓福忠1，封遠(yuǎn)慶1，楊畢春1，左大凡1，趙 麗1，俞見云1（1. 昆明物理研究所，云南 昆明 650223；2. 中國(guó)人民解放軍駐298廠軍代室，云南 昆明 650114）制作了2種形式的銦凸點(diǎn)：即直接蒸發(fā)沉積的銦柱和將銦柱回流得到的銦球。分別討論了銦柱和銦球?qū)Φ寡b互連的影響，著重討論了銦球和銦柱分別和芯片倒裝互連后的剪切強(qiáng)度，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在互連未回流的狀態(tài)下銦球的剪切強(qiáng)度是銦柱的
紅外技術(shù) 2016年4期2016-03-15
- 基于51單片機(jī)的盲文助讀器系統(tǒng)設(shè)計(jì)?
以三行兩列的6個(gè)凸點(diǎn)為一個(gè)基本單位，6個(gè)凸點(diǎn)之間通過(guò)不同的排列組合形成不同的文字，本文基于流行最廣的現(xiàn)行盲文設(shè)計(jì)了一種8方的盲文助讀器。因微型步進(jìn)電機(jī)具有體積小、利于控制、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，機(jī)械部分采用步進(jìn)電機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)的起落，控制部分則采用STC89C51單片機(jī)，通過(guò)6個(gè)LB1848M步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)控制6個(gè)步進(jìn)電機(jī)，每個(gè)步進(jìn)電機(jī)控制1個(gè)凸點(diǎn)的起降，每6個(gè)步進(jìn)電機(jī)控制的凸點(diǎn)表示1個(gè)盲文單元（即盲文的1方），每個(gè)盲文單元可以顯示1個(gè)阿拉伯?dāng)?shù)字或英文字母，2
機(jī)械工程與自動(dòng)化 2015年1期2015-12-31
- 硅通孔（TSV）轉(zhuǎn)接板微組裝技術(shù)研究進(jìn)展*
板正面的窄節(jié)距微凸點(diǎn)和背面的C4凸點(diǎn)，分別實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接板與芯片和基板的直接電學(xué)連接。其中轉(zhuǎn)接板與芯片互連的高密度微凸點(diǎn)直徑在20 μm以下，節(jié)距不到50 μm，以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接板與芯片的高密度互連?？梢哉f(shuō)RDL結(jié)合微凸點(diǎn)，提供了TSV與堆疊芯片的電學(xué)接口。TSV技術(shù)是2.5D轉(zhuǎn)接板實(shí)現(xiàn)3D集成的核心技術(shù)，目前TSV深寬比可達(dá)到10∶1。為降低封裝尺寸和TSV制造難度，需要對(duì)轉(zhuǎn)接板晶圓襯底進(jìn)行減薄處理。目前通常將轉(zhuǎn)接板減薄到100 μm以下，遠(yuǎn)低于功能芯片的厚度。此外
電子與封裝 2015年8期2015-12-05
- Flip Chip技術(shù)在集成電路封裝中的應(yīng)用
品核心技術(shù)密間距凸點(diǎn)倒裝、環(huán)氧樹脂底部一次性填充封裝技術(shù)。其特點(diǎn)包括：取代涂布底填、無(wú)需再布線技術(shù)、低凸點(diǎn)倒裝焊接技術(shù)、窄節(jié)距凸點(diǎn)焊接技術(shù)、高密度凸點(diǎn)的倒裝貼裝技術(shù)及高可靠性等。具備以下優(yōu)點(diǎn)：賦予了封裝組件良好的電氣性能；具有較高的封裝速度；幾乎沒(méi)有封裝密度的限制，能夠增加單位面積內(nèi)的I/O數(shù)量；減小了封裝組件的尺寸和重量；提高了信號(hào)完整性，頻率特性更好；倒裝凸點(diǎn)等制備基本以圓片、芯片為單位；與單根引線為單位的引線鍵合互連比較，生產(chǎn)效率高，降低了批量封裝的
電子世界 2015年24期2015-03-15
- 電場(chǎng)作用下CSP的失效行為
1 電遷移的過(guò)程凸點(diǎn)的電遷移過(guò)程導(dǎo)致孔洞的形成和原子的堆積，孔洞的形成位置發(fā)生在陰極處，大量的孔洞縮小了焊點(diǎn)與引線間的互連面積，使得電子的移動(dòng)受到限制，進(jìn)而增大了焊點(diǎn)的電阻。在恒定的溫度下，通過(guò)測(cè)量焊點(diǎn)兩端的電壓值可以得到焊點(diǎn)的電阻值隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。在環(huán)境溫度為50℃電流載荷為2.6 A條件下，凸點(diǎn)中的電流密度可達(dá)到1.02×104A/cm，超過(guò)了電遷移發(fā)生的閥值，圖2所示的為凸點(diǎn)兩端電阻值與時(shí)間的關(guān)系曲線。從曲線中可以看出互連凸點(diǎn)在通電過(guò)程中電阻變化有
沈陽(yáng)航空航天大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年2期2014-01-22
- 金絲球焊制作焊接凸點(diǎn)的工藝參數(shù)分析
的引線連接。利用凸點(diǎn)同時(shí)實(shí)現(xiàn)電氣和機(jī)械連接。金絲球焊機(jī)可以制作凸點(diǎn)以起到固定連線的目的，而且凸點(diǎn)的直徑大小可以調(diào)節(jié)。利用金絲球焊機(jī)生產(chǎn)的凸點(diǎn)作為倒裝焊的凸點(diǎn)，將其制作在功率型LED的基板上，既減少了傳統(tǒng)制作凸點(diǎn)方法中復(fù)雜的技術(shù)過(guò)程，又增強(qiáng)了焊接的靈活性和精度[1]。生產(chǎn)周期縮短，而質(zhì)量不會(huì)降低，增加倒裝焊的競(jìng)爭(zhēng)力，使這項(xiàng)技術(shù)更富有生命力。1 凸點(diǎn)制作圖1 金絲球焊機(jī)金絲球焊可以根據(jù)焊接芯片，進(jìn)行打點(diǎn)設(shè)計(jì)，完全按照已有的模型自由靈活地制作凸點(diǎn)。可以根據(jù)具體產(chǎn)
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年12期2012-09-16
- 整平劑及電流密度對(duì)電子封裝用銅微凸點(diǎn)電鍍的影響
過(guò)芯片與基板間的凸點(diǎn)(Bump)鍵合取代傳統(tǒng)引線鍵合的一種封裝技術(shù)，該技術(shù)具有縮小芯片封裝尺寸、提高運(yùn)行頻率、減少寄生效應(yīng)以及提高封裝密度等優(yōu)勢(shì)。成本高是倒扣型封裝的主要不足，所用基板材料成本為引線鍵合的2 ～ 3倍，但與引線鍵合中所用金線相比，在金價(jià)飆升的背景下，2種技術(shù)的成本差距在縮小。另外，過(guò)去單位尺寸內(nèi)節(jié)點(diǎn)高于1 000時(shí)，2種封裝技術(shù)成本才有差異，而如今單位尺寸內(nèi)節(jié)點(diǎn)數(shù)高于 200時(shí)，倒扣型封裝的成本優(yōu)勢(shì)就已十分明顯。因此，許多電子器件開始選用倒
電鍍與涂飾 2012年12期2012-02-17
- 用于倒裝芯片的銅球凸點(diǎn)制作技術(shù)研究＊
互連通過(guò)芯片上的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)和一般制作在基板上的焊接材料相互作用來(lái)實(shí)現(xiàn)。從圖1和圖2可以看出,這種技術(shù)避免了多余的工藝步驟,與傳統(tǒng)引線鍵合互連技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)。(1)尺寸小、薄,重量更輕。(2)密度更高,使用倒裝焊技術(shù)能增加單位面積內(nèi)的I/O數(shù)量。(3)性能提高,短的互連減小了電感、電阻以及電容,信號(hào)完整性、頻率特性更好。(4)散熱能力提高,倒裝芯片沒(méi)有塑封體,芯片背面可用散熱片等進(jìn)行有效的冷卻,使電路的可靠性得到提高。(5)倒裝凸點(diǎn)等制備基本以圓片、芯
濰坊學(xué)院學(xué)報(bào) 2011年4期2011-12-08
- 凸焊接頭性能的影響因素
力，利用電流通過(guò)凸點(diǎn)的接觸面及鄰近區(qū)域產(chǎn)生的電阻熱進(jìn)行焊接的方法。凸焊在我們公司中應(yīng)用也很多，接線端子、螺栓、底座、托架焊接都屬于凸焊。日常工作中，時(shí)常會(huì)發(fā)現(xiàn)有焊接強(qiáng)度不足、凸點(diǎn)移位、焊接飛濺較大等焊接缺陷，造成這些缺陷的原因是多方面的，下面就對(duì)凸焊接頭性能的影響因素作一個(gè)簡(jiǎn)單的分析。一、凸焊的物理本質(zhì)凸焊的物理本質(zhì)是利用焊接區(qū)金屬本身的電阻熱和大量塑性變形能量，使兩個(gè)分離表面的金屬原子之間接近到晶格距離形成金屬鍵，在結(jié)合面上產(chǎn)生足夠量的共同晶粒，而得到焊
河南科技 2011年4期2011-08-15
- 倒裝芯片技術(shù)分析
分析2.1 形成凸點(diǎn)技術(shù)凸點(diǎn)形成技術(shù)可以分為淀積金屬、機(jī)械焊接、基于聚合物的膠粘劑等幾個(gè)類型。1）金屬電鍍技術(shù)一般是在電鍍槽里，把基片當(dāng)作陰極，利用靜態(tài)電流或者脈沖電流來(lái)完成焊料的電鍍。在鍍上所需厚度的焊料后，就可以把光致抗蝕劑清除掉，這時(shí)焊料凸點(diǎn)制作完成。電鍍的優(yōu)勢(shì)是可以在非常小的間距內(nèi)印刷，而且可以保證足夠的焊料以得到更高的高度。電鍍的不足之處在于它的啟動(dòng)成本較高，生產(chǎn)設(shè)備的占用面積較大，電解液會(huì)造成更多的浪費(fèi)，選擇合金的靈活性少。化學(xué)鍍是一種新型的金
科技傳播 2010年16期2010-08-15
- 各向異性導(dǎo)電膠粘結(jié)工藝技術(shù)研究
把制作在芯片上的凸點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)電粒子與基板上的電極連接起來(lái)，從而實(shí)現(xiàn)電路的電性能和機(jī)械性能。圖1為ACA的整個(gè)粘結(jié)工藝過(guò)程。2.2 性能測(cè)試使用掃描電鏡QUANTA-200觀察樣品形貌；采用Dage4000P鍵合拉力計(jì)測(cè)定樣品的剪切強(qiáng)度；用34401A數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)定樣品的接觸電阻；用WE-101電熱鼓風(fēng)干燥箱進(jìn)行150℃高溫儲(chǔ)存， DV-ST溫度循環(huán)箱進(jìn)行-65℃～150℃溫度循環(huán)，其中高低溫保溫時(shí)間不得低于10min，負(fù)載應(yīng)在15min內(nèi)達(dá)到規(guī)定的溫度，從熱
電子與封裝 2010年1期2010-05-31
- 倒裝焊陶瓷封裝失效模式分析及失效機(jī)理研究
基板及芯片尺寸，凸點(diǎn)材料及結(jié)構(gòu)和尺寸、基板焊盤材料及其與基板黏附、底部填充料等有關(guān)。2.1 焊點(diǎn)疲勞損傷倒裝焊封裝是將芯片凸點(diǎn)直接與基板焊盤焊接，會(huì)受到熱應(yīng)力的影響而導(dǎo)致熱疲勞，甚至產(chǎn)生失效。對(duì)于有機(jī)基板，由于硅的膨脹系數(shù)比PCB基板熱膨脹系數(shù)小很多，在每個(gè)熱循環(huán)階段，PCB基板將以比硅更高的速率擴(kuò)展并收縮。在熱循環(huán)期間發(fā)生變形時(shí)，焊接材料諸如倒裝焊的焊料凸點(diǎn)將經(jīng)歷加工硬化和加工蛻化過(guò)程。通過(guò)集中應(yīng)力，極低的凸點(diǎn)高度（25μm ～100μm）加重了這一問(wèn)題
電子與封裝 2010年8期2010-04-20
- 應(yīng)用于紅外焦平面銦柱互連的封裝技術(shù)
的互連。倒裝焊中凸點(diǎn)的制作方法主要包括：引線鍵合方法、電鍍方法、化鍍方法等。2 研究現(xiàn)狀2.1 銦柱的制備銦柱的工藝要求為：薄膜厚度分布的均勻性不低于95%，銦膜要有適當(dāng)?shù)暮穸?，合理的銦柱高寬比（一般?.5∶1），優(yōu)選矩形截面，中心間距100μ m。以滿足做成銦柱后可倒裝互連的要求[1]。對(duì)銦柱的制備要求銦柱高度大于7μm、表面光滑、不易氧化、銦膜粘著力強(qiáng)[2]。為達(dá)到這些要求，通常會(huì)從銦原材料的選擇、制備工藝、均勻性及黏附性等方面去考量。銦柱的制作過(guò)程
電子與封裝 2010年6期2010-02-26