姜秀榕,張欽應(yīng),劉鎧銘,江 程,鄭文進(jìn)
(1. 龍巖學(xué)院 化學(xué)與材料學(xué)院,福建 龍巖 364000;2. 福建省清潔能源材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,福建 龍巖364000)
節(jié)能與環(huán)保是當(dāng)下社會(huì)的發(fā)展主流,目前世界的能源消耗一大部分是在照明上,并且隨著人們的生活水平的提高呈現(xiàn)不斷生長趨勢(shì)[1]。半導(dǎo)體白光發(fā)光二極管(White Light Emitting Diode,簡稱WLED)是一種符合環(huán)保和節(jié)能的綠色照明光源,它具有節(jié)能、壽命長、無污染和高效等優(yōu)點(diǎn)[2-3]。當(dāng)下開發(fā)出具有高穩(wěn)定性、高色純度而且能被市場上銷售的紫外光或可見藍(lán)光有效激發(fā)的紅色熒光粉顯得尤為重要[4-5]。
電子分析天平CP124C型(上海奧豪斯)、數(shù)字pH計(jì)PHS-3B型(上海市虹益)、循環(huán)水式真空泵SHZ-D(Ⅲ)型(鞏義市予華儀器)、電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱DHG-9070A型(上海申賢)、集熱式磁力恒溫?cái)嚢杵?金壇市江南儀器廠)、掃描電子顯微鏡S-3400N型(日本日立)、X射線粉末衍射儀X’Pert3 Powder型(荷蘭帕納科)等。
四水合硝酸鈣(AR,西隴化工)、氧化銪(≥99.99%,麥克林)、氧化釓(≥99.99%,麥克林)、二水合鉬酸鈉(AR,西隴化工)、硝酸鍶(≥99.99%,麥克林)、硝酸(GR,西隴化工)、氨水(AR、西隴化工)、無水乙醇(AR、西隴化工)、谷氨酸(≥99.99%,麥克林)及超純水。
按一定摩爾比稱取0.8798 g氧化銪(Eu2O3)和0.8798 g氧化釓(Gd2O3),加入濃硝酸溶解,此過程反復(fù)加入蒸餾水稀釋,加熱除去多余水和硝酸,冷卻結(jié)晶,加入超純水定容,分別制成硝酸銪、硝酸釓溶液。另配置了硝酸鈣溶液和硝酸鍶溶液,取硝酸銪、硝酸釓溶液按比例緩慢滴加到混合硝酸鹽溶液中,隨后加入一定量的谷氨酸,在室溫下磁力攪拌20 min形成A溶液。
再稱取一定量的二水合鉬酸鈉溶于超純水,配置成B溶液。將A溶液逐滴緩慢加入到B溶液中形成乳濁液,然后將乳濁液移入高壓聚四氟乙烯反應(yīng)釜中,用0.1 mol/L的氨水和0.1 mol/L的稀硝酸溶液調(diào)節(jié)乳濁液的pH=7,在180 ℃溫度下進(jìn)行水熱反應(yīng),反應(yīng)時(shí)間為12 h。然后將生成的沉淀在5 000 r/min下高速離心5分鐘、然后用無水乙醇洗滌,60 ℃下真空干燥8 h得到前驅(qū)體,最后將前驅(qū)體置于瓷坩堝中在800 ℃高溫下焙燒2 h,即得產(chǎn)品。
2.1.1 物相分析
圖1 與的XRD圖譜Fig 1 XRD patterns of the
2.1.2 形貌分析
圖2 熒光粉的SEM圖與EDS圖譜Fig 2 SEM and EDS images of the
圖3 兩種熒光粉的激發(fā)光譜對(duì)比圖Fig 3 The patterns of excitation spectrum
圖4 兩種熒光粉的發(fā)射光譜對(duì)比圖Fig 4 The patterns of Emission spectrum
綜上分析可以看出,由于摻雜Gd3+離子使得熒光粉增加了發(fā)光強(qiáng)度,而且沒有使得熒光粉激發(fā)和發(fā)射峰位置發(fā)生較大改變。這是因?yàn)闊晒夥凼且訣u3+為發(fā)光中心,摻雜的Gd3+起到敏化作用把自身吸收的能量和基體吸收的能量傳遞給發(fā)光中心,使得熒光粉發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)。
圖5(b)為熒光粉中O元素高分辨光譜圖,在圖譜中出現(xiàn)了一個(gè)不對(duì)稱的峰,通過擬合成兩個(gè)對(duì)稱的高斯峰分別記為O1和O2。O1峰是由CaSrMoO4的主晶格的晶格氧引起的,而O2可能是由于化學(xué)吸附的氧或者羥基氧的峰。兩峰束縛能(BE)值為529.77和531.43 eV,可以看出O2峰的BE值較高,這是因?yàn)榇鏄悠分写嬖谠谘蹩瘴辉斐傻?。兩個(gè)峰的半峰寬最大值(FWHM)分別為1.28和1.88 eV,兩峰的面積比為3.33,這是因?yàn)槿毕莺脱蹩瘴粷舛入S著Gd3+到Ca2+位點(diǎn)而增加。
熒光粉中Ca元素的高分辨光譜圖如圖5(c)所示,束縛能(BE)值為346.51和350.03 eV的兩個(gè)能帶分別對(duì)應(yīng)Ca(2p3/2)和Ca(2p1/2),兩個(gè)峰的FWHM為1.12 eV,Ca(2p3/2)和Ca(2p1/2)兩峰的面積比為2.12。從上述結(jié)果和BE值可以看出,在熒光粉樣品中,鈣元素在+2氧化態(tài)下是穩(wěn)定存在。同理Sr元素的高分辨光譜圖如圖5(f)所示,束縛能(BE)值為132.31、134.13和135.68 eV的兩個(gè)能帶分別對(duì)應(yīng)Sr(3d5/2)、Sr(3d3/2)和Sr(3ds),3個(gè)峰FWHM為1.26、1.25和1.79 eV。所以對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)圖譜,可以說明鍶元素在+2氧化態(tài)下是穩(wěn)定存在的。
圖5(g)和(h)分別是熒光粉中Eu元素和Gd元素的3d、4d的高分辨光譜圖,可以看出Eu元素存在兩個(gè)光譜峰,束縛能(BE)值為分別為1 133.48和1 163.65 eV,對(duì)應(yīng)為Eu(3d5/2)和Eu(3d3/2),兩峰的面積比為2.85,F(xiàn)WHM值分別4.22和2.21 eV。對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)值,說明銪元素以+3氧化態(tài)穩(wěn)定存在。而Gd元素存在出現(xiàn)了一個(gè)光譜峰,通過擬合,可以得到束縛能(BE)值為141.8 eV,F(xiàn)WHM值為3.02 eV。對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)值,說明釓元素以+3氧化態(tài)穩(wěn)定存在。
圖的XPS能譜圖Fig 5 XPS survey spectrum and high resolution XPS spectra of O1s, Ca2p, Mo3d, Mo3p, Eu3d, Sr3d and Gd-4d
2.4.1 物相分析
2.4.2 熒光性能分析
圖6 摻雜不同含量Gd3+的的XRD圖Fig 6 XRD patterns of the with different amounts of Gd3+
圖7 摻雜不同含量Gd3+的的發(fā)射光譜圖Fig 7 Emission spectrum of with different amounts of Gd3+
2.4.3 濃度猝滅機(jī)理和能量傳遞的臨界距離的探討
因?yàn)橄⊥岭x子有豐富的能級(jí),在晶體場的作用下,就迫使能級(jí)發(fā)生了分裂,而且引起稀土離子間的能量傳遞,其原因主要是能級(jí)相互匹配的機(jī)會(huì)變多,伴隨出現(xiàn)濃度猝滅現(xiàn)象。根據(jù)Dexter理論[15-16],存在如下數(shù)學(xué)函數(shù)關(guān)系:
(1)
圖8 熒光粉的lg(I/x)與lg(x)基本都呈線性關(guān)系Fig 8 Linear relation linearity between lg(I/x) and lgx
研究能量傳遞的距離,稱之為臨界距離。在發(fā)生濃度猝滅時(shí),稀土離子即發(fā)光離子的中心之間的平均距離能量傳遞的臨界距離可以表示[15,16]:
(2)
式中:V為晶胞的體積,N為晶胞中陽離子個(gè)數(shù),C代表臨界猝滅濃度。
對(duì)于CaSrMoO4:Eu3+晶體:其N=4.0,V=0.3498 nm3,通過上面計(jì)算得到的Gd3+的猝滅濃度為C=0.03~0.06 mol/L。帶入算式(2)可計(jì)算出能量傳遞的臨界距離大小為:DC=1.4582~1.8371 nm。
(3)
式中:τ為熒光壽命,I0為時(shí)間也是零時(shí)的熒光強(qiáng)度,t為時(shí)間。
根據(jù)圖9可知,熒光粉在395 nm的激發(fā)下,在616 nm的監(jiān)測波長下得到此熒光衰減曲線,并結(jié)合上面給出的衰減擬合方程(3)就可以可以求出熒光壽命為:490.23 ms。
圖9 最佳產(chǎn)物的熒光壽命圖Fig 9 The spectra of fluorescence lifetime with
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
上式:A0-J、A0-1為輻射發(fā)射率;I0-J、I0-1為光譜能量;h為普朗克常數(shù);v為頻率;AT為輻射轉(zhuǎn)化率;ANR非輻射率;τ為熒光壽命時(shí)間;η為量子效率。
表1 最佳產(chǎn)物的量子效率
色坐標(biāo)測試結(jié)果為:x=0.647,y=0.335,另由圖10的CIE色坐標(biāo)可以看出,摻雜Gd3+后熒光粉顏色逐漸的加深,同時(shí)比市場現(xiàn)行通用的Y2O3S:Eu3+更接近于標(biāo)準(zhǔn)紅色標(biāo)準(zhǔn)的色坐標(biāo):,符合我國SJ1536-79標(biāo)準(zhǔn)要求,而且接近美國NTSC標(biāo)準(zhǔn)值。
圖10 最佳產(chǎn)物與的CIE圖Fig 10 CIE patterns of the