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      整塊式氧化銅電極的制備及其在葡萄糖檢測(cè)中的應(yīng)用

      2021-03-29 02:07:48莫惠媚黃佩芬丁潤(rùn)思陳亞平
      化工技術(shù)與開發(fā) 2021年3期
      關(guān)鍵詞:氫氧化銅馬弗爐氧化銅

      莫惠媚,黃佩芬,丁潤(rùn)思,陳亞平

      (廣東石油化工學(xué)院,廣東 茂名 525000)

      近年來(lái),一維納米材料因具有長(zhǎng)徑比高、阻抗小、反應(yīng)位點(diǎn)多、電子傳導(dǎo)快速等優(yōu)點(diǎn),受到了研究者們的廣泛關(guān)注[1-4]。納米氧化銅(CuO)材料被廣泛應(yīng)用于鋰離子電池、傳感器、光解水制氫、光催化及電化學(xué)儲(chǔ)能等領(lǐng)域[5-7]。目前制備納米氧化銅的主要方法有模板法、液固反應(yīng)法、水熱法等[9-10],不同方法制備的氧化銅,其比表面積、尺寸、形狀的差異較大,導(dǎo)致其化學(xué)性能相差甚大。模板法制備CuO的工藝繁瑣,生產(chǎn)效率較低,成本相對(duì)較高,不適合大量生產(chǎn);液固反應(yīng)法在堿性環(huán)境中生成氫氧化銅,再通過(guò)脫水直接生成CuO,工藝不易控制;水熱法的反應(yīng)時(shí)間長(zhǎng),只適用于小規(guī)模制備。尋找一種簡(jiǎn)便易行的納米氧化銅的制備方法顯得尤為重要。

      本文采用電化學(xué)陽(yáng)極氧化法,以Cu箔為工作電極,鉑片為對(duì)電極,在KOH堿性溶液中施加一定的直流電源,在其表面快速地原位生長(zhǎng)Cu(OH)2,再經(jīng)過(guò)煅燒,即得到整塊式黑色CuO/Cu電極。采用XRD和SEM表征了CuO/Cu電極材料,并探究了CuO/Cu電極在葡萄糖檢測(cè)中的應(yīng)用。

      1 實(shí)驗(yàn)部分

      1.1 試劑與儀器

      銅片、葡萄糖、硫酸鈉、無(wú)水乙醇、氫氧化鈉(均為分析純,使用前未經(jīng)任何純化)。去離子水(自制)。

      PLS-SXE300氙燈光源,760E電化學(xué)工作站,箱式馬弗爐,真空干燥箱,Ultima Ⅳ X射線衍射儀,TM3030臺(tái)式掃描電鏡。

      1.2 CuO/Cu的制備

      銅片清洗:將銅剪裁成片狀(2cm×2cm),然后把銅基底分別放置在鹽酸和水中超聲3min,在丙酮中超聲10min,在乙醇中超聲5min,以去除其表面的氧化層。隨后,將徹底清洗干凈的銅片置于電熱鼓風(fēng)干燥箱中于60℃烘干,備用。

      Cu(OH)2/Cu的制備:將銅基放在50mL濃度為 3mol?L-1的 KOH 中,在 10 mA?cm-2恒電流下,陽(yáng)極氧化300s,形成Cu(OH)2/Cu,然后將所得的Cu(OH)2/Cu用去離子水清洗幾次,最后把藍(lán)色的Cu(OH)2/Cu放在恒溫干燥箱于80℃下干燥2h。

      CuO/Cu的制備:把Cu(OH)2/Cu放入馬弗爐中(馬弗爐的升溫速率為10?min-1),300℃下恒溫煅燒1h,得到黑色的CuO/Cu。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 線狀氧化銅的XRD表征

      Cu、Cu(OH)2/Cu、CuO/Cu的 XRD 圖譜如圖 1所示。從圖1可以看出,Cu基底在2θ=43.259°、50.466°、74.256°處出現(xiàn)的強(qiáng)衍射峰,與 JCPDF卡片70-3038相對(duì)應(yīng)。樣品Cu(OH)2/Cu除銅基峰外,在 2θ=16.597°、23.804°、34.046°、39.790°處出現(xiàn)的強(qiáng)衍射峰,與JCPDF卡片35-0505相對(duì)應(yīng),為斜方晶系結(jié)構(gòu)的Cu(OH)2,空間群為Cmcm(63),晶胞參數(shù)為 a=2.951,b=10.592,c=5.273。CuO/Cu除了銅基峰處,還出現(xiàn)了很強(qiáng)的Cu特征衍射峰,與JCPDF卡片41-0254相符,為單斜晶系結(jié)構(gòu)的CuO,空間群為C2/c(15),晶胞參數(shù) a=4.685,b=3.423,c=5.132。由圖1和圖2可以看出,Cu(OH)2經(jīng)過(guò)煅燒之后,可以完全轉(zhuǎn)化成CuO。

      圖1 CuO樣品的XRD圖譜

      2.2 線狀氧化銅的形貌表征

      圖2為Cu(OH)2/Cu和CuO/Cu不同放大倍數(shù)的SEM圖。由圖2(a)和圖2(b)可以看出,Cu(OH)2/Cu表面有谷穗狀的Cu(OH)2覆蓋著Cu基底表面,直徑大約為10~250nm。圖2(c)和圖2(d)則顯示,CuO/Cu表面為絲條狀的CuO覆蓋在Cu基底上,直徑變小,這可能是Cu(OH)2在高溫分解過(guò)程中失水造成的。

      圖2 Cu(OH)2/Cu和CuO/Cu不同放大倍數(shù)的SEM圖

      2.3 線狀氧化銅形成機(jī)理的研究

      采用電化學(xué)氧化法制備線狀CuO納米材料的機(jī)理如下:在室溫條件下,用一個(gè)穩(wěn)壓電源在6mA的電流下,陰極夾著鉑片,陽(yáng)極夾著銅基底,恒電流下,銅片上的Cu變成二價(jià)銅(式1),二價(jià)銅離子與氫氧根反應(yīng)得到藍(lán)色的Cu(OH)2納米線(式2)。用去離子水清洗干凈之后,放在空氣中干燥,隨后把藍(lán)色的Cu(OH)2放進(jìn)馬弗爐中300℃煅燒1h,得到CuO納米線(式3)。應(yīng)用恒電流陽(yáng)極氧化在銅箔表面進(jìn)行電化學(xué)氧化和氧化銅合成的機(jī)理過(guò)程,可用如下反應(yīng)式表示:

      為了探究前驅(qū)體氫氧化銅的脫水溫度,樣品的熱重-差熱同步熱分析結(jié)果如圖3所示。可以看出,氫氧化銅在160℃左右開始大量失去水分。在熱處理納米結(jié)構(gòu)中,DTA在150~200℃之間出現(xiàn)了一個(gè)極其高且尖銳的峰,說(shuō)明氫氧化銅脫水時(shí)會(huì)釋放大量的熱。

      圖3 前驅(qū)體氫氧化銅在空氣中的TG-DAT圖

      2.4 整塊式氧化銅電極在葡萄糖溶液檢測(cè)的應(yīng)用

      CuO電極用于葡萄糖檢測(cè)的方法及機(jī)理,可參考Yang等人[11]提出的理論。其原理大致可用下面2個(gè)反應(yīng)式表示:

      樣品的電化學(xué)測(cè)試在760E型電化學(xué)工作站上完成。測(cè)試條件是三電極體系,線條狀CuO/Cu為工作電極,鉑電極為對(duì)電極,Ag/AgCl電極作參比電極。CuO/Cu的線性掃描伏安法(LSV)中,光電陽(yáng)極與不同濃度的葡萄糖的關(guān)系曲線如圖4所示,可以看出9條曲線都明確表明,氧化峰的電流強(qiáng)度隨葡萄糖濃度的增加而呈線性增加。圖5是在電壓0.4V下,CuO/Cu電極的葡萄糖濃度和光電流I之間的線性關(guān)系。正如所預(yù)期的那樣,數(shù)據(jù)通過(guò)線性擬合后的R2值為0.9819。因此,CuO/Cu電極可以應(yīng)用于葡萄糖濃度的檢測(cè)。

      圖4 CuO/Cu的伏安圖

      圖5 CuO電極的葡萄糖濃度和光電流間的線性關(guān)系

      3 小結(jié)

      本文以Cu箔為基底和原料,采用電化學(xué)氧化法,快速制備了谷穗狀Cu(OH)2/Cu,煅燒后得到線條狀的CuO/Cu,并通過(guò)XRD、SEM進(jìn)行了確認(rèn)。熱重-差熱結(jié)果表明,超過(guò)160℃,Cu(OH)2開始轉(zhuǎn)化為CuO,300℃下轉(zhuǎn)化完全。這種整塊式電極直接應(yīng)用于葡萄糖的檢測(cè),葡萄糖的濃度與瞬態(tài)光電流呈現(xiàn)出良好的線性關(guān)系,具有較高的敏感度和穩(wěn)定性,為今后探測(cè)水體中的葡萄糖含量提供了一種新的方法。

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