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      完全非晶態(tài)Ni-B合金鍍層的電沉積制備

      2021-05-21 07:29:56韓錫正費(fèi)敬銀趙利娜燕寶強(qiáng)
      材料工程 2021年5期
      關(guān)鍵詞:非晶態(tài)沉積層鍍層

      韓錫正,費(fèi)敬銀,趙利娜,燕寶強(qiáng),王 俊

      (西北工業(yè)大學(xué) 理學(xué)院,西安 710129)

      盡管金屬基固態(tài)材料的內(nèi)部是由不同的相構(gòu)成,但是每一相都是具有特定晶格結(jié)構(gòu)的晶體材料。采用熔體冷卻法很難制備非晶體固態(tài)金屬材料[1-3]。化學(xué)鍍是制備非晶態(tài)金屬基合金材料(如非晶態(tài)Ni-P合金、Ni-B合金等)的常用方法[4-10]。經(jīng)過(guò)近一個(gè)世紀(jì)的關(guān)于非晶態(tài)Ni-P合金鍍層的研究與應(yīng)用,發(fā)現(xiàn)非晶態(tài)鎳基合金材料具有晶態(tài)金屬材料難以實(shí)現(xiàn)的特殊性能[11-17]。相對(duì)于電沉積法而言,化學(xué)鍍法存在生產(chǎn)成本高、生產(chǎn)效率低等缺點(diǎn)。為此,人們一直試圖采用電沉積法制備非晶態(tài)鎳基合金鍍層[18-21]。彭秋艷等采用雙向脈沖電沉積技術(shù)制備出高含P量、完全非晶化的Ni-P合金鍍層[22]。人們發(fā)現(xiàn)恰當(dāng)?shù)目刂迫芤航M分和電沉積條件也可制備出細(xì)晶、微晶結(jié)構(gòu)的Ni-B合金沉積層。Ogihara等[18]對(duì)比了二甲胺硼烷和三甲胺硼烷作為硼源對(duì)沉積層的影響。Wei等[23]通過(guò)X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)差熱分析相結(jié)合,研究了Ni-B合金的結(jié)晶過(guò)程。但國(guó)內(nèi)外關(guān)于電沉積Ni-B合金的研究較少,且沒(méi)有形成一致的影響其非晶化結(jié)構(gòu)的體系。本工作采用電沉積法成功制備非晶態(tài)Ni-B沉積層,通過(guò)控制變量法評(píng)價(jià)了溶液組分對(duì)沉積層結(jié)構(gòu)及微觀形貌的影響,并討論了影響沉積層晶體結(jié)構(gòu)的因素。

      1 實(shí)驗(yàn)

      1.1 基材前處理

      選用規(guī)格為25 mm×20 mm×0.15 mm的紫銅片作為基體材料,試樣一面用樹脂封閉,作為陰面,在陽(yáng)面進(jìn)行施鍍。首先,將試樣置于中性環(huán)保除銅氧化膜溶液(西安萬(wàn)事達(dá)精細(xì)化工有限公司生產(chǎn))中浸漬5 s,除去表面氧化膜,用去離子水沖洗干凈。然后,在堿性電解除油液(25 g/L NaOH,25 g/L Na2CO3,50 g/L Na3PO4·12H2O)中,用4 V直流電壓,室溫下電解除油1 min,用去離子水清洗干凈。最后,基材在酸性活化液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為37%的濃鹽酸∶去離子水=1∶1)中浸漬活化1 min,用去離子水沖洗后,將附有水膜的試樣立即放入鍍液中進(jìn)行電沉積。

      1.2 沉積液組成

      沉積液的組成如表1所示。

      使用NaOH調(diào)節(jié)溶液pH值至13,以抑制KBH4的分解。以紫銅片為陰極、純鎳板為陽(yáng)極,在電流密度為10 A/dm2、電壓為2.75~2.85 V下,置于50 ℃恒溫水浴鍋中進(jìn)行沉積。

      1.3 測(cè)試表征

      采用FEI Verios G4型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)考察不同條件下沉積層表面微觀形貌;采用Thermo NS7型X射線能譜儀(EDS)對(duì)鍍層的元素組成、分布情況、元素含量進(jìn)行分析;采用Bruker D2 PHASE X型X射線衍射儀(XRD)對(duì)沉積層相結(jié)構(gòu)及變化進(jìn)行表征。CuKα,掃描速率為4 (°)/min,管電壓和電流分別為36 kV和20 mA。

      2 結(jié)果與分析

      2.1 KBH4濃度對(duì)Ni-B合金鍍層的影響

      在NaKC4H4O6·4H2O為50 g/L,Ni2+的濃度與C2H8N2的濃度為1∶4時(shí),研究不同KBH4濃度對(duì)沉積層結(jié)構(gòu)的影響。KBH4作為體系的硼源,其加入量的多少對(duì)沉積層的B含量產(chǎn)生直接影響,進(jìn)而影響沉積層的晶體結(jié)構(gòu)。圖1為不同KHB4濃度所得沉積層的XRD譜圖。a曲線為純鎳衍射譜圖。b曲線是在直流條件下加入少量KBH4所形成的Ni-B合金鍍層所對(duì)應(yīng)的XRD衍射圖,譜圖中鎳特征峰的高度降低,寬度略有增大,沉積層中B原子的夾雜使Ni-B合金鍍層的晶粒發(fā)生細(xì)化,但衍射峰仍然強(qiáng)烈,峰形尖銳,峰寬較窄,表明鍍層的晶化程度仍然較高。

      圖1 不同KBH4濃度所得沉積層的XRD譜圖Fig.1 XRD patterns of sedimentary layers with different KBH4 concentrations

      隨著KBH4濃度的增加,晶粒不斷細(xì)化,Ni-B合金鍍層結(jié)構(gòu)向非晶態(tài)轉(zhuǎn)變,如c,d曲線所示,譜圖中衍射峰高度明顯下降,且峰寬顯著增加。此時(shí),鍍層的結(jié)構(gòu)由細(xì)晶態(tài)向非晶態(tài)過(guò)渡,或稱之為微晶態(tài)結(jié)構(gòu)。當(dāng)KBH4濃度繼續(xù)增大時(shí)(e曲線),衍射峰在2θ=45°處寬化漫散,出現(xiàn)“饅頭”狀峰,是非晶結(jié)構(gòu)的典型譜圖,此時(shí)Ni-B合金鍍層呈現(xiàn)非晶結(jié)構(gòu)。當(dāng)KBH4濃度達(dá)到4 g/L時(shí)(f曲線),沉積層達(dá)到完全非晶態(tài)結(jié)構(gòu),Ni的衍射峰幾乎完全消失。繼續(xù)增大KBH4濃度,g曲線和h曲線依舊保持趨于直線的無(wú)衍射峰狀態(tài),說(shuō)明此時(shí)沉積層已經(jīng)達(dá)到完全非晶態(tài)的結(jié)構(gòu)。

      可以發(fā)現(xiàn),作為體系的唯一硼源,KBH4的加入會(huì)明顯影響沉積層中B的含量,進(jìn)而影響鍍層的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。這是由于B原子與Ni原子的原子半徑差值較大,B原子的存在會(huì)造成鎳晶格扭曲,形成間隙固溶體。因此,在Ni-B合金中,加入KBH4較少時(shí),沉積層中B原子含量較少。鎳晶核就會(huì)有足夠的空間形成完整面心立方結(jié)構(gòu),這種晶核的聚集和長(zhǎng)大形成了長(zhǎng)程有序晶體結(jié)構(gòu),此時(shí)的鍍層結(jié)構(gòu)為典型的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。隨著B原子含量的增加,一部分鎳晶核能夠維持完整面心立方結(jié)構(gòu),晶核聚集和逐漸長(zhǎng)大會(huì)形成晶態(tài)結(jié)構(gòu),另一部分鎳發(fā)生晶格畸變,不能維持完整面心立方結(jié)構(gòu),形成了非晶態(tài)結(jié)構(gòu),此時(shí)的鍍層結(jié)構(gòu)為微晶態(tài)結(jié)構(gòu)(曲線c,d)。當(dāng)B原子含量達(dá)到一定程度時(shí),B原子會(huì)完全破壞Ni的原子有序排列,鎳晶格發(fā)生畸變,無(wú)法繼續(xù)保持原有結(jié)構(gòu)而形成小的胞狀物,并互相擠壓形成較大的胞狀體,此時(shí)的Ni-B合金鍍層呈非晶態(tài)結(jié)構(gòu)特征(曲線e,f,g,h)。

      Ni-B沉積層的高硬度導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力增大,所得鍍層普遍出現(xiàn)發(fā)裂現(xiàn)象。圖2為不同KHB4濃度所得沉積層的微觀形貌??梢钥吹?,低分辨率下隨著KHB4濃度的增加,碎裂密度逐漸增大,在KBH4濃度為4 g/L時(shí)達(dá)到最大碎裂密度(圖2(e))。在高分辨率SEM圖中可以觀察到明顯的晶粒細(xì)化過(guò)程,微觀表面由原來(lái)的小晶粒聚集狀(圖2(b),(c))逐漸變得光滑平整(圖2(d),(e)),很難觀察到小晶粒,這也符合XRD圖中完全非晶態(tài)的特征。當(dāng)KBH4濃度繼續(xù)增加,晶粒尺寸繼續(xù)增大。由于KBH4加入量的增多,沉積層中B原子含量增加,破壞Ni晶體的生長(zhǎng)受阻,形核率增加,晶粒不斷細(xì)化,而當(dāng)KBH4濃度過(guò)高,鍍液不穩(wěn)定,鍍液中部分KBH4出現(xiàn)自發(fā)分解,導(dǎo)致參與沉積反應(yīng)過(guò)程的KBH4減少,使得鍍層中B原子含量減少,晶粒細(xì)化程度也變小。

      圖2 不同KBH4濃度時(shí)沉積層的微觀形貌

      2.2 乙二胺濃度對(duì)Ni-B合金鍍層的影響

      在高pH值的情況下,Ni2+易生成氫氧化物沉淀,使鍍液渾濁甚至分解。乙二胺作為鍍液體系中Ni2+的主要絡(luò)合劑,其含量的多少直接影響Ni2+的沉積過(guò)程,從而對(duì)沉積層的形貌與結(jié)構(gòu)造成影響。本工作以Ni2+濃度為定量,通過(guò)調(diào)節(jié)乙二胺加入量形成不同的濃度比進(jìn)行研究。

      在NaKC4H4O6·4H2O為50 g/L、KBH4為4 g/L時(shí),考察不同濃度的C2H8N2對(duì)沉積層的影響。圖3為Ni2+與C2H8N2濃度比分別為1∶1,1∶2,1∶3,1∶4,1∶5,1∶6,1∶7的X射線衍射譜圖。曲線a是純鎳鍍層的XRD衍射圖,可以明顯看到金屬鎳的特征衍射峰(2θ=45°處),表明純鎳鍍層的晶化程度較高。沉積層晶體結(jié)構(gòu)隨著濃度比的增大,晶粒不斷細(xì)化,Ni的衍射峰寬化散漫明顯。曲線b相對(duì)于曲線a發(fā)生了明顯的晶粒細(xì)化。繼續(xù)增大濃度比,峰寬增加更為顯著。曲線c,d出現(xiàn)了明顯的“饅頭峰”,即晶粒繼續(xù)細(xì)化,沉積層發(fā)生了由晶態(tài)向微晶態(tài)或非晶態(tài)的轉(zhuǎn)變,直至曲線e時(shí)達(dá)到完全非晶態(tài)。隨著濃度比的繼續(xù)增大,非晶化程度反而變小,如曲線f,g,h所示,“饅頭峰”再次出現(xiàn)。這是由于,當(dāng)絡(luò)合劑濃度較小時(shí),溶液中的Ni2+僅少量被絡(luò)合,大量未被絡(luò)合的Ni2+直接參與沉積反應(yīng),鍍層沉積速率快,而相同時(shí)間下B原子的解離量不變,導(dǎo)致最終沉積層中B含量較少。隨著絡(luò)合劑濃度的增加,Ni2+被全部絡(luò)合且結(jié)合緊密,沉積速率較慢,而B的解離受其影響較小,此時(shí)沉積層中B含量增加。絡(luò)合劑濃度過(guò)高時(shí),嚴(yán)重影響了Ni2+的正常沉積,鍍液中自由移動(dòng)參與反應(yīng)的離子極少,進(jìn)而影響了與其共沉積的B的含量。

      圖3 不同乙二胺濃度所得沉積層的XRD譜圖Fig.3 XRD patterns of sedimentary layer with different ethylenediamine concentrations

      圖4為不同C2H8N2濃度所形成的沉積層的微觀形貌。圖4(a)為濃度比為1∶1時(shí)沉積層的微觀形貌,此時(shí)Ni2+未完全絡(luò)合,沉積層形貌與純鎳鍍層類似,出現(xiàn)大量碎裂,高分辨率下觀察到細(xì)致的小晶粒緊密排列。濃度比為1∶2時(shí)(圖4(b)),出現(xiàn)了典型的微晶、非晶態(tài)“菜花狀”微觀結(jié)構(gòu)。沉積層均勻且無(wú)裂紋出現(xiàn),晶粒致密、均勻。圖4(c),(e)為濃度比為1∶3,1∶5的微觀形貌,低放大倍數(shù)下碎裂密度相近。高分辨率下觀察到類似胞突形貌,胞突上有細(xì)密的小晶粒緊密排列。濃度比為1∶4時(shí)(圖4(d)),沉積層細(xì)致平整,在高分辨率下仍然難以觀察到晶粒分布,呈現(xiàn)十分均勻、平整的結(jié)構(gòu)。濃度比為1∶6時(shí)沉積層再次呈現(xiàn)“菜花狀”形貌,相比圖4(b)每個(gè)“菜花”晶胞的粒徑明顯變大。可見(jiàn),隨著濃度比的增大,沉積層微觀結(jié)構(gòu)出現(xiàn)了由“菜花狀”胞突到細(xì)致平整結(jié)構(gòu),再到“菜花狀”胞突的轉(zhuǎn)變過(guò)程,此與XRD衍射峰的變化趨勢(shì)相吻合。在濃度比為1∶4時(shí),沉積層細(xì)致平整,難以觀察到小晶粒結(jié)構(gòu),此時(shí)XRD呈現(xiàn)一條直線的完全非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。

      圖4 乙二胺濃度對(duì)沉積層微觀形貌的影響

      2.3 酒石酸鉀鈉濃度對(duì)Ni-B合金鍍層的影響

      酒石酸鉀鈉也是Ni2+的配體,是一種較弱的絡(luò)合劑。酒石酸鉀鈉可以作為橋連基同時(shí)與兩個(gè)金屬離子絡(luò)合,有許多獨(dú)特的性能。同時(shí)酒石酸鉀鈉的加入有利于改善鍍層外觀,促進(jìn)陽(yáng)極正常溶解。

      溶液中KBH4為4 g/L、Ni2+的濃度與C2H8N2的濃度比為1∶4時(shí),考察不同濃度的NaKC4H4O6·4H2O對(duì)沉積層的影響。圖5為不同NaKC4H4O6·4H2O濃度所得沉積層的XRD譜圖??芍?,b曲線為明顯的非晶態(tài)“饅頭峰”。隨濃度增加,衍射峰繼續(xù)彌散寬化,如c,d,e,f曲線所示,趨于平滑一致,即其非晶化程度相似。可見(jiàn)酒石酸鉀鈉作為較弱的絡(luò)合劑,其對(duì)沉積層晶體結(jié)構(gòu)有一定的影響,但不會(huì)造成顯著的變化。

      圖5 不同酒石酸鉀鈉濃度所得沉積層的XRD譜圖Fig.5 XRD patterns of sedimentary layer with different potassium sodium tartrate concentrations

      圖6為不同酒石酸鉀鈉濃度下沉積層的微觀形貌??芍?,低放大倍率下,隨濃度的增加,表面逐漸趨于細(xì)致平整,但不同濃度的沉積層均存在碎裂。高分辨率下可看到小晶胞產(chǎn)生消失的過(guò)程,當(dāng)酒石酸鉀鈉濃度較低時(shí),沉積層為密集排列的小晶胞狀晶粒(圖6(a),(b))。隨著濃度的增加,只在沉積層缺陷處優(yōu)先形核出現(xiàn)小晶胞狀晶粒(圖6(c))。當(dāng)濃度達(dá)到50 g/L時(shí)(圖6(d),表面光滑細(xì)密,不再有小胞狀晶粒出現(xiàn)。繼續(xù)增大濃度,沉積層形貌變化不大(圖6(e))。微觀形貌的變化與XRD譜圖表征趨勢(shì)大體一致,可見(jiàn)酒石酸鉀鈉可顯著改善沉積層的形貌。

      綜上所述,調(diào)節(jié)溶液組分,可電沉積得到良好非晶態(tài)結(jié)構(gòu)、微觀形貌的沉積層。當(dāng)KBH4濃度為4 g/L、摩爾比為1∶4、NaKC4H4O6·4H2O濃度為50 g/L時(shí),沉積層細(xì)致均勻,XRD譜圖顯示其Ni的衍射峰完全消失,成為一條直線,形成了完全非晶態(tài)結(jié)構(gòu),對(duì)其沉積層進(jìn)行元素含量及分布情況分析測(cè)試,如圖7所示。沉積層B含量最高,達(dá)到了10.21%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),EDS元素面掃描顯示B元素在鍍層中均勻分布。證明獲得了分布均勻,非晶化程度極高的Ni-B沉積層。

      圖7 元素EDS能譜(a)及元素分布面掃描圖(b)Fig.7 EDS spectra of elements(a) and scanning maps of element distributions(b)

      3 結(jié)論

      (1)采用電沉積法,以KHB4為硼源,制備得到形貌良好的非晶態(tài)Ni-B沉積層。

      (2)KHB4濃度、乙二胺的種類與加入量顯著影響沉積層的非晶化過(guò)程。通過(guò)考察鍍液組成對(duì)復(fù)合鍍層形貌和晶體結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律,優(yōu)選出可制備高B含量完全非晶態(tài)Ni-B復(fù)合鍍層的溶液組分:Ni2+濃度50 g/L,Ni2+的濃度與C2H8N2的濃度比為1∶4,KBH4濃度4 g/L,NaKC4H4O6·4H2O濃度50 g/L,電流密度10 A/dm2,鍍液溫度50 ℃,pH值13。

      (3)所得沉積層非晶化程度極佳,且B含量豐富,達(dá)到了10.21%,出現(xiàn)沒(méi)有金屬晶體衍射峰的完全非晶態(tài)。

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