孟令兵,于海琛?,呂世雅,江忠民,麻洪秋,關立東
1)安泰(霸州)特種粉業(yè)有限公司,霸州 065701
2)河北省特種粉體霧化技術(shù)創(chuàng)新中心,霸州 065701
一體成型電感(molding choke,MC)具有良好的磁屏蔽性,體積小、貼片式封裝,適用于高密度表面貼裝[1-3]。一體成型電感的發(fā)展歸功于電腦主板和電源技術(shù)的進步,能夠在大電流的條件下長期穩(wěn)定地為CPU供電,并起到濾波作用。經(jīng)過二十多年的發(fā)展,一體成型電感的應用逐漸滲透到電子、電器各個領域,如智能手機、5G終端、新能源電動汽車、人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等[4-6]。隨著器件的高頻化、大功率和小型化,未來一體成型電感元件的制造對粉末的要求是高磁導率、高飽和、高頻低損耗等。高磁導率和高飽和是為了適應未來電子器件小型化,高頻低損耗是為了適應電路芯片工作頻率的提升,提高電路轉(zhuǎn)化效率。隨著5G和新能源汽車的快速發(fā)展,高性能一體成型電感市場必然迅猛發(fā)展。
FeSiCr合金作為一體成型電感的主要用粉,其中Si元素的添加可提高材料的電阻率,使其適用于更高的頻率[7],而Cr元素可增加電感的環(huán)境可靠性,提升其防銹能力,器件不用噴涂處理,更符合RoHS要求[8]。與羰基鐵粉相比,F(xiàn)eSiCr合金的磁導率更高,耐腐蝕性能更好。高性能的FeNi合金多依賴于高壓高溫處理,不適于模壓一體成型電感。與FeNi合金相比,F(xiàn)eSiCr合金制造工藝簡單,具有良好的塑性,其磁導率和直流疊加性能與FeNi合金相當。盡管FeSiCr合金在損耗方面比FeNi產(chǎn)品高一些,但其在成本上有更大的優(yōu)勢[9-11]。目前一體成型電感用FeSiCr合金粉末多為水霧化工藝生產(chǎn)[12-14],本文針對5G通訊及新能源汽車領域?qū)σ惑w成型電感高磁導率、高飽和的需求,研究分析了不同粒度對FeSiCr軟磁合金粉末電感磁性能的影響,為產(chǎn)品應用提供實驗性指導。
選擇工業(yè)純鐵(純度>99.9%),工業(yè)硅(純度>99.5%)和金屬鉻(純度>99.0%)作為原材料,采用水霧化工藝制備FeSiCr軟磁合金粉末,粉末成分(質(zhì)量比)為Fe89.5Si5Cr5.5。首先將原料按設定配方配比好,然后將金屬原料加入中頻感應爐,加熱到1650~1680 ℃使金屬熔化,將鋼液倒入漏包中,鋼液經(jīng)過漏包底部的漏眼流下,采用高壓水打擊鋼液,使鋼液變成彌散細小的液滴,并迅速冷卻凝固,得到FeSiCr合金粉末。霧化介質(zhì)為水,霧化壓力100~120 MPa,粉末經(jīng)過脫水、干燥、篩分、合批制成所需樣品。圖1為FeSiCr軟磁合金粉末的工藝流程。
圖1 FeSiCr軟磁合金粉末制備工藝流程Fig.1 Flow chart of the preparation for the FeSiCr soft magnetic alloy powders
將篩分合批后的成品粉與質(zhì)量分數(shù)3%的樹脂濕混,放入干燥箱在65 ℃烘干1 h,再混入質(zhì)量分數(shù)0.3%的硬脂酸鋅,在600 MPa壓力下壓制成外徑14 mm、內(nèi)徑8 mm的磁環(huán),繞線后采用電感電容電阻電橋分析儀(inductance capacitance resistance,LCR,TH2829&TH1778)測試電感,利用功率信號分析(MATS-2010SA)測試不同條件下產(chǎn)品的損耗。通過掃描電子顯微鏡(scanning electron microscopy,SEM,JSM-6380LV)對不同粒度產(chǎn)品的形貌進行觀察,使用X射線衍射儀(X-ray diffraction,XRD,D8 Discover)對不同粒徑粉末的物相進行分析,利用磁強振動計(vibrating sample magnetometer,VSM,Lake Shore 8600)對不同粒度產(chǎn)品的飽和磁感應強度和矯頑力進行測量。
圖2為不同粒度FeSiCr粉末的形貌。由圖可知,粉末整體呈不規(guī)則形狀,有不規(guī)則的異形,也有不規(guī)整的橢球形。粉末粒度越小,顆粒形貌類球形的程度越高,這是因為粉末在冷卻過程中的球化時間與粒徑成正比。粉末粒度越小,顆粒球化所需的時間越短,同時顆粒冷卻所需時間也會縮短。對于大顆粒,因為顆粒冷卻時間和球化時間均較長,高速粉末由于顆粒間的碰撞和高壓水的強沖擊而形成不規(guī)則的異形顆粒。
圖2 FeSiCr不同粒度粉末形貌:(a)D50=5 μm;(b)D50=12 μmFig.2 Morphologies of the FeSiCr alloy powders with different particle size: (a)D50=5 μm;(b) D50=12 μm
圖3為不同粒徑FeSiCr磁粉的X射線衍射圖。由圖可知,不同粒徑的FeSiCr磁粉在特定衍射角下主要表現(xiàn)出相似的α-Fe(Si,Cr)相及部分Fe3Si相,未發(fā)現(xiàn)其他雜相,證明顆粒內(nèi)部的相結(jié)構(gòu)基本相似。
圖3 不同粒徑FeSiCr合金磁粉X射線衍射圖Fig.3 XRD patterns of the FeSiCr alloy powders with different particle size
圖4為不同粒徑FeSiCr合金磁粉的磁滯回線及矯頑力。從圖中可以看出,當粒徑(D50)從5 μm增加到35 μm時,磁粉的飽和磁化強度無明顯變化,但顆粒內(nèi)部的矯頑力存在一些差異。隨著粒徑增大,顆粒內(nèi)部的矯頑力呈現(xiàn)增加的趨勢,分析認為顆粒越大,冷卻過程中釋放出的熱量越多,多余的熱量會使顆粒內(nèi)部的晶粒長大。在晶體材料中,材料的矯頑力與晶粒尺寸成正相關,由于多余的熱量較少,所以帶來的晶粒長大和矯頑力都不會太大。
圖4 不同粒徑FeSiCr合金磁粉的磁滯回線Fig.4 Hysteresis loop of the FeSiCr alloy powders with different particle size
(1)粒度對磁導率的影響
磁導率是反應材料磁化能力強弱的物理量,磁化過程實質(zhì)是材料內(nèi)部原子磁矩取向的過程。FeSiCr磁粉心在磁化過程中存在磁疇轉(zhuǎn)動和疇壁位移,對于同種材料而言,單位體積內(nèi)磁性物質(zhì)的含量直接決定了磁導率的高低,因此可以通過粒度分布來實現(xiàn)軟磁材料磁導率的優(yōu)化。磁導率與粒度的關系在過去幾十年內(nèi)已被廣泛研究[15-16],在軟磁材料中,大顆粒對磁導率起主要貢獻,小顆粒可以填充顆粒間的氣隙,提高單位體積內(nèi)磁性物質(zhì)的含量,另外,細粉的存在可以提高粉心的高頻特性,降低損耗。在Johnson[17]模型中充分考慮了鐵磁性顆粒被非磁性物質(zhì)所包覆,得出了粉心磁導率與磁粉粒度的關系,如式(1)所示。
式中:μe是顆粒的有效磁導率(無量綱),μi是顆粒的本征磁導率,D是顆粒直徑,δ是與氣隙有關的有效厚度。
圖5是不同粒徑FeSiCr磁粉制成粉心圓環(huán)的有效磁導率隨頻率變化的曲線,以及FeSiCr磁粉粒度對磁導率和振實密度影響的曲線。從圖中可以發(fā)現(xiàn),隨著測試頻率的增加,磁導率幾乎保持穩(wěn)定,下降幅度不超過5%,頻率的提升會影響交流磁滯回線,使損耗增大,降低磁導率。但因為間隙和細粉的存在,使材料更容易達到恒導狀態(tài)[18?19]。此外,通過局部放大圖可以發(fā)現(xiàn)隨著磁粉粒度的增加,磁粉的振實密度和粉心的磁導率也隨之增加。因為顆粒越小其比表面積越大,在振實或壓實的過程中會引入更多的氣隙。磁粉在壓制過程中顆粒間會發(fā)生相對滑移、變形等來填充顆粒間的空隙,使體積減小達到緊密堆積,更小的顆粒會帶來更多的氣隙分布,減少單位體積內(nèi)鐵磁性物質(zhì)的占比,因此磁導率會隨著粉末粒度增大而提高。
圖5 FeSiCr磁導率隨頻率及粒度變化曲線Fig.5 Magnetic permeability of the FeSiCr alloy powders with the frequency and particle size
(2)粒度對直流偏置能力的影響直流偏置能力(direct current bias,DC bias)通常是用來衡量粉心在交流和直流應用電路中抗磁導率衰減的參數(shù)。在交流電路中外加恒定的直流源,其磁導率的變化主要是由直流磁場對疇壁的作用引起的。起初疇壁被各向異性場、位錯、氣隙等釘扎,隨著直流場的增加,會減除部分疇壁的釘扎作用,致使疇壁位移,使磁導率微弱增加,這是圖6中部分曲線在20 Oe磁場強度處磁導率增加的原因。當直流磁場增大到一定值時,會形成不可逆的疇壁位移,磁導率達到最大值,進一步增大偏置場,疇壁消失,疇壁位移對磁導率的貢獻逐漸降低,此時磁導率也會隨之降低。這是隨著直流磁場增加,磁粉心直流偏置能力逐漸減低的原因。
圖6 FeSiCr磁粉心直流偏置能力隨直流磁場和粒度變化的曲線Fig.6 DC bias properties in the core of the FeSiCr alloy powders with magnetic field and particle size
此外在局部放大圖中可以看出,隨著磁粉粒度的增大,粉心的直流偏置能力下降明顯。粒度越細,成型后引入的氣隙越多,反之,隨著粉末粒度的增加,材料內(nèi)部的氣隙會下降,而氣隙的存在可以很好的阻礙材料的磁化和飽和,使鐵磁體達到飽和變得更困難。但隨著粒度增大,氣隙減少,鐵磁體的抗飽和能力下降,因此隨著FeSiCr磁粉粒度的增加,直流偏置能力呈降低趨勢。
(3)粒度對損耗的影響
大多數(shù)情況下,損耗是一個更為重要的應用參數(shù),因為其直接關系到能源的損失和能量的消耗,越低的損耗意味著越環(huán)保。粉心材料在應用時會隨著應用頻率沿磁滯回線反復磁化,在磁化過程中,會有部分能量轉(zhuǎn)化為不可逆的熱量散失掉,這部分損耗統(tǒng)稱為磁滯損耗,其主要與材料成型過程產(chǎn)生的內(nèi)應力及材料內(nèi)部的矯頑力等因素有關。其次,在交流磁場中,被磁化的磁體會感生出渦流,渦流在磁體顆粒內(nèi)部和橫截面中流動,最終產(chǎn)生渦流損耗以熱量的形式散掉,這部分損耗主要取決于樣品的大小、形狀和電阻率等因素。此外,磁化過程中疇壁的移動會在其周圍感生出渦流,同時疇壁的一些其它馳豫過程也會引起損耗,通常稱之為剩余損耗,這部分對于磁性材料的依賴都不是線性的[16]。因此,通常用總損耗(Wt)減去磁滯損耗(Wh)和渦流損耗(Wc),剩下的則是剩余損耗(We)。據(jù)此,總損耗可表示為如式(2)所示。
如圖7所示,隨著外加應用場頻率的提高,損耗呈急劇增加的趨勢,而隨著FeSiCr磁粉粒度的增加,損耗增加也較為明顯。粉心的渦流損耗和磁滯損耗均與頻率正相關,因此,隨著頻率的升高,損耗會急劇增加。而隨著粉末粒度增加而增加的這部分損耗主要來源于渦流損耗。粉心內(nèi)的渦流主要由兩部分組成[17],一部分來自顆粒內(nèi)部渦流損耗,另一部分來自顆粒之間的渦流損耗。其中顆粒間的損耗可由式(3)得出。
圖7 FeSiCr粉心損耗隨頻率和粒度變化曲線Fig.7 Core losses of the FeSiCr alloy powders with frequency and particle size
式中:de是渦流流過的有效尺寸;B為材料的飽和磁化強度;β為幾何系數(shù),與垂直于磁通方向的橫截面有關;f為交流場的頻率;ρinter為粉心顆粒間材料的電阻率。這部分渦流損耗更大程度決定于顆粒間的電阻率,對于本實驗,這部分差異可以忽略,認為顆粒間的電阻率相同或相近,因此不是造成隨著粒度增大而損耗增加的主要原因。另一部分顆粒內(nèi)的渦流損耗可表示為如式(4)所示。
式中:D為顆粒直徑,B為材料的飽和磁化強度,ρintra為顆粒本身的電阻率。對于成分相同的FeSiCr粉材可認為B和ρintra均是相近或相等的。通過式 (4)可得出,顆粒內(nèi)部的渦流損耗與粒徑的直徑平方成正比,因此可以解釋本實驗中損耗隨著FeSiCr磁粉粒徑D50增大而明顯增加。
(1)隨著FeSiCr磁粉粒徑(D50)從5 μm增加到40 μm,其振實密度和磁導率也逐漸增大,因為粉末間引入的氣隙,導致FeSiCr粉心具有優(yōu)異的頻率特性,在1000 kHz以下可以保持恒導狀態(tài)。
(2)FeSiCr粉心隨著外加直流偏置磁場的增大,磁導率呈衰減趨勢,且磁粉粒度越粗,其對應的粉心衰減幅度越大。在100 Oe磁場條件下,粉末粒徑從5 μm增加到40 μm,粉心的抗直流偏置能力從77.48%降至64.25%。
(3)FeSiCr粉心的損耗隨著交流磁場頻率的增加急劇增加,而隨著磁粉粒度的增加,粉心的損耗也明顯表現(xiàn)出增加的趨勢,在100 kHz,50 mT條件下,損耗從10 μm的1483 mW·cm?3增加到40 μm的2354 mW·cm?3,這部分增加的損耗主要來源于顆粒內(nèi)部的渦流損耗。