王 琪,李 超,張召香
(光電傳感與生命分析教育部重點實驗室,山東省生化分析重點實驗室,青島科技大學化學與分子工程學院,山東 青島266042)
銅是人體必需的微量元素之一,但若攝入過量則會造成消化系統(tǒng)功能紊亂等不良影響。Cu2+作為環(huán)境污染物廣泛存在于工業(yè)廢水中,如果處理不當則可在生物體內(nèi)積累造成銅含量超標。因此,研究一種靈敏、快速的Cu2+檢測方法具有重要意義。目前,對Cu2+的檢測有分光光度法[1]、熒光法[2-3]等。
隨著納米技術(shù)的發(fā)展,納米粒子因比表面積大、易合成、穩(wěn)定性良好等優(yōu)點而被廣泛用于分析檢測領(lǐng)域[4-5]。量子點以其獨特的熒光特性和尺寸可調(diào)的光學特性在熒光及化學發(fā)光檢測方面具有極大優(yōu)勢。前期工作中,本課題組利用胺分子對CdSe量子點電化學發(fā)光(ECL)的增強作用,采用CdSe量子點構(gòu)建了ECL傳感器用于豬肉樣品中瘦肉精的檢測[6]。但由于半導體量子點的毒性較大,近年來石墨烯量子點(GQDs)受到越來越多的關(guān)注。GQDs是一類具有獨特光電子性能的納米材料,與傳統(tǒng)半導體量子點相比,其具有更優(yōu)的水溶性和生物相容性,且綠色無毒,常用作信號放大器來構(gòu)建ECL傳感器[7]。但由于GQDs量子產(chǎn)率低,限制了其在微分析和超微分析中的應用,通常引入N、S、B等元素對其進行修飾以調(diào)節(jié)GQDs的內(nèi)在性能[8]。Li等[9]以石墨棒和對甲苯磺酸鈉為原料,電解法合成了硫摻雜的石墨烯量子點,改變了GQDs的電子性質(zhì)和表面電化學活性。Chen等[10]通過切割氮摻雜氧化石墨烯合成了具有雙電位ECL響應的氮摻雜石墨烯量子點,并通過對比不同激發(fā)電位下ECL強度的比值實現(xiàn)了對Co2+的定量檢測。曲丹等[11]報道了一種簡單的水熱法合成氮硫摻雜石墨烯量子點(N,S-GQDs),量子產(chǎn)率高達71%。然而,目前關(guān)于N,S-GQDs的研究主要集中在光催化和光致發(fā)光方面[12],對其ECL性質(zhì)的研究尚未見文獻報道。
本文通過一步溶劑熱法合成了N,S-GQDs,并以殼聚糖為連接劑,構(gòu)建了新型的N,S-GQDs ECL傳感器用于Cu2+的檢測。在GQDs中摻雜S使其表面引入更多缺陷中心,增強其電子捕獲能力,使其ECL信號得到極大增強;摻雜N則顯著改變其電化學特性,通過引入氨基,增強了量子點對Cu2+的吸附,從而實現(xiàn)了對Cu2+的快速、靈敏檢測。
MPI-A型電化學發(fā)光檢測系統(tǒng)(西安瑞邁分析儀器有限公司);三電極系統(tǒng):直徑4 mm金電極為工作電極,甘汞電極為參比電極,鉑絲電極為對電極;pHSJ-4A型酸度計(上海精密科學儀器有限公司);H7100透射電子顯微鏡(日本Hitachi公司);紫外可見光譜儀(美國Perkin Elemr公司);FT-IR 6600傅里葉變換紅外光譜儀(江蘇天瑞儀器有限公司)。
硫脲、檸檬酸(阿拉丁試劑有限公司);磷酸二氫鈉、NaOH(中國醫(yī)藥集團上?;瘜W試劑公司);HCl、N,N-二甲基甲酰胺(DMF,99.5%,Sigma公司);上述試劑均為分析純,實驗用水為超純水。
基于文獻對N,S-GQDs的制備進行適當改進[12],N,S-GQDs的制備示意圖如圖1A所示:將0.192 g檸檬酸與0.228 g硫脲分散于8 mL DMF中,超聲30 min后使其完全溶解,轉(zhuǎn)移至10 mL四氟乙烯為內(nèi)襯的不銹鋼反應釜中,密封后置于烘箱,180℃反應8 h,冷卻至室溫,用無水乙醇離心洗滌3次,用分子量1 000 Da的透析袋純化處理2 d,放入真空干燥箱60℃烘干24 h即得。其中硫脲不僅提供N和S,還作為鈍化劑構(gòu)造邊緣官能團—NH2。
N,S-GQDs ECL傳感器的制備:將金電極依次用0.3 μm和0.05 μm Al2O3粉在拋光布上打磨光亮,然后在乙醇、水中分別超聲5 min,晾干。在電極表面滴加4 μL殼聚糖溶液,汞燈照射5 min,再在電極表面滴涂4 μL N,S-GQDs,汞燈照射5 min,即可將N,S-GQDs修飾至金電極表面(見圖1B)。將修飾電極放入檢測池中,與Ag/AgCl參比電極、鉑絲對電極組成三電極系統(tǒng),進行ECL研究。
圖1 N,S-GQDs(A)及N,S-GQDs ECL傳感器(B)的制備Fig.1 Preparation of N,S-GQDs(A)and N,S-GQDs ECL sensor(B)Tu:thiourea(硫脲);CA:citric acid(檸檬酸);CS:chitosan(殼聚糖)
在檢測池中加入60 mmol/L pH 7.5的Tris-HCl緩沖溶液和50 mmol/L S2O82-共反應劑。設(shè)置初始電位為0 V,循環(huán)伏安掃描范圍為-1.7~0 V,掃描速率為100 mV/s,光電倍增管高壓設(shè)定為600 V。加入Cu2+后,根據(jù)N,S-GQDs ECL信號的降低值(ΔI=I0-I)進行定量分析,其中I0為無Cu2+存在下的ECL強度,I為Cu2+存在下的ECL強度。
采用透射電鏡對N,S-GQDs進行表征,結(jié)果如圖2A所示,所制得的N,S-GQDs分散度較好,粒徑均勻,分布在4~6 nm。插圖為N,S-GQDs的高分辨透射電鏡圖,可清晰觀察到N,S-GQDs的晶格,且晶格間距為0.23 nm,與石墨烯晶格一致[13]。
圖2 B為N,S-GQDs的紫外可見光譜,由圖可見,N,S-GQDs在350、460、580 nm處有明顯的吸收峰,分別對應于C====O的n-π*躍遷、C====N的n-π*躍遷和C====S的n-π*躍遷。圖2C為N,S-GQDs的紅外光譜圖,其中3 050~3 500 cm-1處的寬吸收帶由N―H和O―H的伸縮振動引起,1 750 cm-1為C====O的特征吸收峰,表明氨基成功接入量子點表面,且量子點表面存在大量的羥基和羧基。2 750 cm-1為S―H的特征吸收峰,1 000~1 500 cm-1處的寬吸收帶由C―N、C―S伸縮振動引起,2 100 cm-1為C≡N的特征吸收峰,說明N和S不僅在石墨烯量子點的表面起官能團作用,還摻雜進入碳骨架中。
圖2 N,S-GQDs的透射電鏡圖(A)、紫外可見光譜(B)及傅里葉紅外光譜(C)Fig.2 TEM image(A),UV-vis absorption spectrum(B)and FT-IR spectrum(C)of N,S-GQDs
就ECL傳感體系而言,強而穩(wěn)定的發(fā)光強度至關(guān)重要。研究了不同量子點修飾電極在50 mmol/L K2S2O8中的ECL強度,由圖3可以看出,與裸金電極(曲線1)和GQDs修飾電極(曲線2)相比,N-GQDs修飾電極(曲線3)和S-GQDs修飾電極(曲線4)的ECL強度均有明顯增強,而N,S-GQDs修飾電極(曲線5)的ECL強度更是得到極大增強。這是因為在GQDs中摻雜N會顯著改變其電化學特性,而摻雜S則會使其表面引入更多缺陷中心,增強其捕獲電子的能力,二者均會使其ECL信號大大增強。
圖3 不同電極在50 mmol/L K2S2O8中的ECL強度對比圖Fig.3 Comparison of ECL intensities of different electrodes in 50 mmol/L K2S2O8solution
在N,S-GQDs的ECL體系中加入Cu2+后,N,SGQDs的ECL信號明顯下降,表明Cu2+對N,S-GQDs的ECL有較強的抑制作用。Cu2+對N,S-GQDs ECL的抑制機理推測如下:
當無Cu2+存在時,在K2S2O8作為共反應劑的條件下,N,S-GQDs的ECL機理(見圖4A)為:
在一定的外電壓下,N,S-GQDs得到電子還原為N,S-GQDs·-,S2O82-得到電子還原為SO4·-,SO4·-具有強氧化性,迅速將附近的N,S-GQDs·-氧化為激發(fā)態(tài)的N,SGQDs*,而激發(fā)態(tài)的N,S-GQDs*躍遷到基態(tài)時發(fā)出光信號。
當在N,S-GQDs的ECL體系中加入Cu2+后,ECL信號明顯下降,這是因為氨基官能團對Cu2+具有很強的絡(luò)合能力[14],加入的Cu2+會迅速擴散到N,S-QDs修飾電極表面,因此N,S-GQDs表面的—NH2能夠捕獲溶液中的Cu2+發(fā)生絡(luò)合作用而形成穩(wěn)定的銅胺絡(luò)合物(見圖4B),而這種絡(luò)合物在循環(huán)掃描過程中不能被還原為N,SGQDs·-,使能生成激發(fā)態(tài)的N,S-GQDs減少,從而造成了ECL信號的降低。Cu2+濃度越大,與其結(jié)合的N,S-GQDs越多,ECL信號降低程度越大。因此,可以根據(jù)N,S-GQDs ECL的降低程度對Cu2+進行定量檢測。
圖4 N,S-GQDs ECL傳感器的發(fā)光原理(A)及Cu2+對N,S-GQDs的ECL猝滅機理示意圖(B)Fig.4 ECL principle of N,S-GQDs ECL sensor(A)and schematic diagram for the ECL of N,S-GQDs quenched by Cu2+(B)
2.3.1 緩沖溶液pH值的選擇研究了不同濃度的Tris-HCl、磷酸鹽、BR緩沖溶液對N,S-GQDs ECL行為的影響,結(jié)果發(fā)現(xiàn),N,S-GQDs在3種緩沖液中均有ECL行為,但在60 mmol/L Tris-HCl緩沖液中的發(fā)光強度最強且最穩(wěn)定。進一步研究了緩沖溶液pH值對N,S-GQDs ECL強度的影響(如圖5),結(jié)果顯示N,S-GQDs的ECL強度受pH的影響較大,當pH較低時,N,S-GQDs的表面基團在酸性條件下發(fā)生變化,部分—NH2帶上正電荷從而影響量子點的ECL強度,隨著pH值的增大,ECL強度不斷增強,當pH值增至7.5時,ECL強度達到最大值,繼續(xù)增大pH值,由于Cu2+在堿性范圍內(nèi)發(fā)生水解,導致ECL強度降低,因此實驗選擇pH 7.5的60 mmol/L Tris-HCl作為最佳緩沖溶液。
圖5 緩沖液pH值對ECL強度的影響Fig.5 Effect of buffer pH value on ECL intensity
2.3.2 共反應劑濃度的選擇研究了不同濃度(20、30、40、50、60、70、80 mmol/L)共反應劑S2O2-8對N,S-GQD的ECL強度的影響。結(jié)果顯示,當緩沖溶液中的濃度從20 mmol/L增至50 mmol/L時,N,S-GQD的ECL信號逐漸增強,當?shù)臐舛葹?0 mmol/L時,ECL強度達最大值,繼續(xù)增大的濃度,則會導致ECL強度降低。因此,實驗選擇的最佳濃度為50 mmol/L。
在最佳實驗條件下,利用新構(gòu)建的N,S-GQDs ECL傳感器對不同濃度Cu2+進行測定。結(jié)果顯示,隨著Cu2+濃度的增大,N,S-GQDs的ECL信號降低,且ECL信號的降低值(ΔI)與加入的Cu2+濃度(c,μmol/L)在0.01~35 μmol/L范圍內(nèi)呈線性相關(guān),其回歸方程為ΔI=171.21c+53.13,相關(guān)系數(shù)(r)為0.999 1,檢出限(S/N=3)為1.7 nmol/L。
比較了文獻報道的不同量子點ECL傳感器測定Cu2+的線性范圍和檢出限(見表1)。結(jié)果顯示本文所構(gòu)建的N,S-GQDs電化學發(fā)光傳感體系的檢出限更低,線性范圍更寬。
表1 與測定Cu2+的其它方法的比較Table 1 Comparison with the other methods for determination of copper ion
在最優(yōu)條件下,使用N,S-GQDs修飾電極對1 μL 1.0 μmol/L的Cu2+連續(xù)測定10次,其ECL強度值的相對標準偏差(RSD)為0.50%,表明所制備電極具有良好穩(wěn)定性。采用相同方法制備5根電極并進行測量,其ECL強度值的RSD為1.6%,表明電極的重現(xiàn)性好。
進一步研究所構(gòu)建N,S-GQDs ECL傳感器的抗干擾性能,考察了Cu2+和其它干擾離子存在下體系的ECL強度(圖6),一些金屬離子如Hg2+也可以與N,S-GQDs表面的負電荷相互作用,但其離子結(jié)合力較弱,結(jié)合親和力不如Cu2+強[17],因此Hg2+對N,S-GQDs ECL強度的降低程度明顯弱于Cu2+,而其它離子對ECL強度的影響可忽略不計。說明所構(gòu)建的N,S-GQDs ECL傳感器對Cu2+具有良好的選擇性。
圖6 N,S-GQDs ECL傳感器的選擇性Fig.6 Selectivity of N,S-GQDs ECL sensors
取10 mL污水樣品,以8 000 r/min離心10 min,上清液經(jīng)微孔濾膜(0.45 μm)過濾。在濾液中分別添加5、10、20 μmol/L 3個濃度水平的銅離子,在優(yōu)化條件下進行測定,每個加標水平做3次平行實驗,結(jié)果如表2所示。測得Cu2+的回收率為96.9%~99.7%,RSD為0.90%~1.2%,說明該方法準確、可靠。
表2 Cu2+在廢水樣品中3個水平下的加標回收率及相對標準偏差(n=3)Table 2 Spiked recoveries and RSDs of Cu2+at three spiked levels in wastewater sample(n=3)
本文合成了成本低、穩(wěn)定性高的N,S-GQDs,相比于純GQDs,電化學發(fā)光信號得到極大增強,并利用殼聚糖的吸附作用將其固定在金電極上,基于Cu2+對N,S-GQDs ECL強度的降低作用,制備了一種定量分析檢測Cu2+的N,S-GQDs ECL傳感器。此方法的抗干擾性強,對檢測Cu2+表現(xiàn)出很高的靈敏度(檢出限低至1.7 nmol/L)以及較寬的檢測范圍。該研究為實際樣品中重金屬離子的快速檢測做了鋪墊,拓寬了納米材料在電化學發(fā)光傳感領(lǐng)域中的應用。