基于專(zhuān)利分析的芯片“卡脖子”問(wèn)題研究

姜 迪 徐 寅 陳長(zhǎng)益 芮雯奕

（1.江蘇科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所，江蘇南京 210042；2.移動(dòng)集團(tuán)江蘇分公司，江蘇南京 210029）

0 引言

早在2016年，國(guó)際專(zhuān)利檢索公司QUESTEL發(fā)布的《芯片行業(yè)專(zhuān)利分析及專(zhuān)利組合質(zhì)量評(píng)估》報(bào)告指出，中國(guó)近10年芯片專(zhuān)利增長(zhǎng)驚人，已成為芯片專(zhuān)利申請(qǐng)第一大國(guó)[1]。然而，雖然我國(guó)芯片專(zhuān)利申請(qǐng)量位居世界前列，但據(jù)國(guó)務(wù)院發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2019年我國(guó)芯片自給率卻僅為30%左右[2]，高端芯片嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的加劇，美國(guó)對(duì)華為芯片實(shí)施制裁和打壓，全面封鎖華為芯片采購(gòu)，高端芯片的制造已成為我國(guó)當(dāng)下最關(guān)心，也是急需解決的“卡脖子”問(wèn)題。生產(chǎn)芯片的核心設(shè)備是光刻機(jī)。全球能夠生產(chǎn)高端芯片的極紫外（EUV）光刻機(jī)的只有荷蘭的阿斯麥以及日本的尼康、佳能?，F(xiàn)階段我國(guó)只能生產(chǎn)中低端光刻機(jī)，難以滿(mǎn)足高端芯片制造的需求。

專(zhuān)利記載了發(fā)明創(chuàng)造的內(nèi)容，是技術(shù)信息最有效的載體。分析專(zhuān)利文獻(xiàn)可以掌握技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，實(shí)現(xiàn)其特有的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。為探究高端光刻機(jī)制造難的原因，有學(xué)者從光源、抗蝕劑、防護(hù)膜等方面對(duì)EUV光刻技術(shù)進(jìn)行了難點(diǎn)分析[3]，但從專(zhuān)利角度進(jìn)行分析的卻很少。通過(guò)文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，只是對(duì)光刻機(jī)的曝光系統(tǒng)中物鏡拋光技術(shù)[4]、光刻膠[5]、無(wú)掩蓋光刻技術(shù)[6]、對(duì)準(zhǔn)技術(shù)[7]進(jìn)行了專(zhuān)利分析，而針對(duì)光刻技術(shù)特別是EUV光刻技術(shù)的專(zhuān)利分析研究卻非常少。在這極少的研究中涉及的數(shù)據(jù)樣本還比較陳舊，不能很好地反映EUV光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀[8]。因此，本文將從專(zhuān)利的角度分析EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)、技術(shù)分布、競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和專(zhuān)利布局，挖掘我國(guó)大陸EUV光刻技術(shù)與發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)的技術(shù)發(fā)展差距，提出擺脫芯片“核芯”技術(shù)受制于人困境的對(duì)策建議。

1 芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.1 芯片產(chǎn)業(yè)鏈

隨著我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，芯片產(chǎn)業(yè)已具有一定的規(guī)模，從芯片設(shè)計(jì)到芯片應(yīng)用形成了產(chǎn)業(yè)鏈。從芯片產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，上游主要包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等制造環(huán)節(jié)；中游主要包括功率半導(dǎo)體芯片、射頻芯片、WiFi芯片、藍(lán)牙芯片、存儲(chǔ)芯片等產(chǎn)品；下游主要包括消費(fèi)電子（手機(jī)、PC平板、可穿戴設(shè)備等）、汽車(chē)電子（車(chē)載攝像頭、雷達(dá)、傳感器等）、新型創(chuàng)新（物聯(lián)網(wǎng)、虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)VR、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)技術(shù)AR）等應(yīng)用領(lǐng)域（圖1）。

1.2 我國(guó)芯片發(fā)展格局

長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)國(guó)內(nèi)芯片集成電路行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中最具競(jìng)爭(zhēng)力環(huán)節(jié)是封測(cè)產(chǎn)業(yè)，目前已具備了規(guī)模和技術(shù)基礎(chǔ)，發(fā)展了凸塊技術(shù)、晶圓級(jí)封裝和3D堆疊封裝等先進(jìn)技術(shù)，設(shè)計(jì)業(yè)自主發(fā)展迅速，群雄并起，華為海思、紫光展銳已進(jìn)入全球前10 位。

圖1 芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽?/p>

然而，目前芯片制造業(yè)依舊是我國(guó)大陸芯片產(chǎn)業(yè)中最為薄弱的領(lǐng)域。在芯片制造工藝方面，我國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電、韓國(guó)的三星已演化到最新一代5 nm工藝制程，下一代4 nm、3 nm也在穩(wěn)步推進(jìn)之中。而中芯國(guó)際作為我國(guó)大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè)，僅有14 nm工藝制程，遠(yuǎn)落后于國(guó)際水平。光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備，被譽(yù)為芯片之母。目前我國(guó)量產(chǎn)的仍然是90 nm以下的中低端光刻機(jī)，而全球擁有制造高端芯片的EUV光刻機(jī)技術(shù)的只有荷蘭ASML以及日本尼康和佳能，這些核心裝備用錢(qián)是買(mǎi)不來(lái)的[9]。從產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展格局看，EUV光刻機(jī)技術(shù)是我國(guó)芯片的主要“卡脖子”技術(shù)問(wèn)題。

1.3 我國(guó)芯片市場(chǎng)發(fā)展情況

從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看，我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)依然不均衡，制造業(yè)比重相對(duì)過(guò)低，2019年我國(guó)芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三業(yè)銷(xiāo)售收入比重分別為40.5%、28.4%、31.1%，而技術(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家的設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三業(yè)占比一般為3:4:3。從市場(chǎng)份額來(lái)看，2013—2018年，我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額由368.9 億美元增加至約955 億美元，市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)14.5%，全球市場(chǎng)占比提升至20%，成為全球芯片消費(fèi)的主要市場(chǎng)（圖2）。從芯片自給率來(lái)看，2019年我國(guó)芯片的進(jìn)口金額為3 040 億美元，芯片自給率僅為30%左右，芯片制造設(shè)備自給率不到20%。

通過(guò)以上分析可以看出，芯片制造工藝水平低下是芯片產(chǎn)業(yè)鏈中最為薄弱的環(huán)節(jié)，芯片自給率低，芯片制造設(shè)備嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。高端芯片制造的核心設(shè)備是EUV光刻機(jī)。本文將從專(zhuān)利分析角度對(duì)全球EUV光刻技術(shù)進(jìn)行發(fā)展趨勢(shì)、技術(shù)分布、競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和專(zhuān)利布局分析，從專(zhuān)利視角挖掘我國(guó)大陸EUV光刻技術(shù)與發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)的技術(shù)發(fā)展差距。

2 全球EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利分析

本文采用Derwent Innovation專(zhuān)利信息檢索分析平臺(tái)作為芯片技術(shù)專(zhuān)利數(shù)據(jù)的信息來(lái)源。根據(jù)EUV光刻技術(shù)的分類(lèi)和特點(diǎn)，以“LITHOGRAPHY/ Mask ADJ Aligner”“integrated circuit/IC/chip/microcircuit/microchip”“Extreme Ultraviolet/EUV”等為檢索關(guān)鍵詞構(gòu)建檢索式，以1990年為檢索的起點(diǎn)時(shí)間，經(jīng)清洗和人工篩選后，共得到13 530 件專(zhuān)利，其中德溫特世界專(zhuān)利索引（Derwent World Patents Index，DWPI）同族數(shù)量有4 837 件。由于專(zhuān)利申請(qǐng)存在18 個(gè)月不等的公開(kāi)滯后，2019—2020年并不代表全年完整數(shù)據(jù)，僅作參考[10]。本文專(zhuān)利檢索時(shí)間為2020年11月28日。

圖2 2013—2018年我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額及全球占比

2.1 專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)

以全部專(zhuān)利數(shù)據(jù)為數(shù)據(jù)源分析EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)。由圖3可知，1997年之前，EUV光刻技術(shù)發(fā)展較為緩慢，每年專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量?jī)H為個(gè)位數(shù)。1998年到2004年期間，由于集成電路行業(yè)巨頭的關(guān)注，EUV光刻技術(shù)逐步引起越來(lái)越多研發(fā)機(jī)構(gòu)的重視，EUV光刻技術(shù)申請(qǐng)量開(kāi)始呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)趨勢(shì)[7]，2004年申請(qǐng)量是1998年的6.7 倍。在2005年到2007年期間，業(yè)界對(duì)EUV技術(shù)的研發(fā)遠(yuǎn)不如預(yù)期，相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)量出現(xiàn)了下降趨勢(shì)。2008年以后，芯片晶體管逐步向22 nm、10 nm、7 nm，甚至更小尺寸發(fā)展，傳統(tǒng)的浸沒(méi)式光刻技術(shù)無(wú)法滿(mǎn)足生產(chǎn)要求，且雙重光刻等其他光刻技術(shù)的成本迅速上升，因此業(yè)內(nèi)人士再次對(duì)EUV光刻抱以期望[8]，2013年EUV光刻技術(shù)申請(qǐng)量達(dá)到884 件，比2008年增長(zhǎng)了187件。根據(jù)摩爾定律，EUV光刻技術(shù)達(dá)到更小尺寸工藝時(shí)也將遇到更大的發(fā)展瓶頸，因此2014年以來(lái)，EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)量略有下降，每年都在600 ～800 件。

以家族申請(qǐng)量為數(shù)據(jù)源，分析EUV光刻技術(shù)的技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)。從圖4可以看出，日本于1990年開(kāi)始申請(qǐng)EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利，是申請(qǐng)最早的技術(shù)來(lái)源國(guó)，美國(guó)緊隨其后，其次是德國(guó)、歐專(zhuān)局。而中國(guó)大陸作為技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)的專(zhuān)利申請(qǐng)起步較晚，晚于發(fā)達(dá)國(guó)家10年以上，同時(shí)申請(qǐng)總量排名第五，僅為技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)專(zhuān)利申請(qǐng)量最多的日本的1/10。

2.2 主要技術(shù)領(lǐng)域

通過(guò)表1可知，全球EUV光刻技術(shù)的研究主要集中在G03F（半導(dǎo)體器件的加工工藝、感光材料）、H01L（半導(dǎo)體器件）等大組。進(jìn)一步細(xì)分可以發(fā)現(xiàn)，熱點(diǎn)技術(shù)主要分布于G03F 7/20（曝光及其設(shè)備）、H01L 21/027（在半導(dǎo)體之上制作掩膜）、G03F 7/039（可光降解的高分子化合物，如正電子抗蝕劑）、G03F 7/004（感光材料），分別占同族專(zhuān)利總數(shù)的47.8%、41.1%、16.3%、16.1%。其次是H05G 2/00（專(zhuān)用于產(chǎn)生X射線(xiàn)的設(shè)備或方法）、G03F 1/24（反射掩膜及其制備）、G03F 7/038（不溶或非均勻可濕的光敏材料），占比分別為10.2%、9.6%、6.1%。這表明全球EUV光刻技術(shù)的研究主要聚焦于曝光設(shè)備、掩膜、感光材料、可光降解的高分子化合物、X射線(xiàn)產(chǎn)生設(shè)備、光敏材料、光學(xué)鏡子等技術(shù)領(lǐng)域。

圖3 全球EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)趨勢(shì)

圖4 EUV光刻技術(shù)的技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)

表1 全球EUV光刻領(lǐng)域?qū)＠麛?shù)量前十的熱點(diǎn)技術(shù)專(zhuān)題

從表2來(lái)看，各技術(shù)方向國(guó)內(nèi)外申請(qǐng)比例不一，但我國(guó)大陸在熱點(diǎn)技術(shù)方向的申請(qǐng)占比均很少，其中占比最多的是G03F 7/20（曝光及其設(shè)備），也僅有4.6%，H05G 2/00、G02B 5/08 次之。由此可以看出，我國(guó)大陸在EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力還遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于技術(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)。

2.3 主要申請(qǐng)人分析

由表3分析可知，全球EUV光刻專(zhuān)利申請(qǐng)量最多的是荷蘭的阿斯麥公司；其次是日本的富士、尼康和中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電。從所屬?lài)?guó)家來(lái)看，在全球前10 位的申請(qǐng)人中，荷蘭有阿斯麥和已經(jīng)被阿斯麥?zhǔn)召?gòu)的CYMER，日本占5 席，德國(guó)占1 席，美國(guó)占1 席。

表2 全球EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利TOP 10 技術(shù)方向中國(guó)大陸外申請(qǐng)分布

同時(shí)，表3還列出了EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域主要申請(qǐng)人的重點(diǎn)技術(shù)方向。全球申請(qǐng)量前10 位的申請(qǐng)人所研究的技術(shù)主要集中在G03F 7/20、H01L 21/027、G03F 7/039、G03F 7/004、H05G 2/00、G03F 1/24 等領(lǐng)域，其中研究最多的就是G03F 7/20（曝光設(shè)備）。其中，阿斯麥、臺(tái)積電、卡爾蔡司在曝光設(shè)備方面研發(fā)最多，尼康、佳能、IBM重點(diǎn)關(guān)注掩膜技術(shù)。

圖5為申請(qǐng)量前10 位的專(zhuān)利申請(qǐng)人布局圖。從圖5中可以看出，阿斯麥在本國(guó)申請(qǐng)的專(zhuān)利特別少，它側(cè)重于在全球主要申請(qǐng)國(guó)進(jìn)行均勻布局，其中在美國(guó)的專(zhuān)利申請(qǐng)量占比達(dá)22.9%，而日本的富士和尼康均以本國(guó)申請(qǐng)為主，再在其他國(guó)家均勻布局。臺(tái)積電和阿斯麥類(lèi)似，主要在其他國(guó)家/地區(qū)進(jìn)行專(zhuān)利布局，在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)申請(qǐng)的專(zhuān)利只有41 件，是布局在美國(guó)專(zhuān)利數(shù)量的1/4。

2.4 區(qū)域分布

由EUV光刻技術(shù)的全部專(zhuān)利數(shù)分析可以得到，排名靠前的申請(qǐng)國(guó)家/地區(qū)以及組織機(jī)構(gòu)為日本、美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織、歐洲專(zhuān)利局、德國(guó)、荷蘭。統(tǒng)計(jì)分析可以看出（圖6），日本申請(qǐng)量最多，主要來(lái)自本國(guó)申請(qǐng)，其他主要來(lái)自美國(guó)、歐洲專(zhuān)利局、德國(guó)；美國(guó)申請(qǐng)量排名第二，同樣也是本國(guó)申請(qǐng)量最多，其他主要來(lái)自日本、歐洲專(zhuān)利局、德國(guó)。美國(guó)、日本、德國(guó)是申請(qǐng)世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織（PCT）專(zhuān)利的主要國(guó)家，說(shuō)明這3 個(gè)國(guó)家比較重視EUV光刻專(zhuān)利的全球布局。中國(guó)大陸申請(qǐng)量排名第四，只有18.7%的專(zhuān)利來(lái)自本國(guó)申請(qǐng)，申請(qǐng)中國(guó)大陸優(yōu)先權(quán)的專(zhuān)利有275 件，進(jìn)入其他國(guó)家/地區(qū)的只有16 件?？梢钥闯觯袊?guó)大陸的本國(guó)申請(qǐng)數(shù)量比其他國(guó)家 / 地區(qū)在中國(guó)大陸布局的專(zhuān)利數(shù)量少，同時(shí)中國(guó)大陸在其他國(guó)家/地區(qū)布局的專(zhuān)利也微乎其微，說(shuō)明中國(guó)大陸在EUV光刻領(lǐng)域有一些專(zhuān)利申請(qǐng)，但與該領(lǐng)域技術(shù)強(qiáng)國(guó)的差距很大。這里值得關(guān)注的是荷蘭。荷蘭申請(qǐng)量?jī)H有137 件，且主要來(lái)自美國(guó)、歐洲專(zhuān)利局，荷蘭優(yōu)先權(quán)數(shù)量也僅有34 件，而荷蘭擁有世界最先進(jìn)光刻技術(shù)的阿斯麥公司，申請(qǐng)專(zhuān)利高達(dá)3 127件，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了荷蘭申請(qǐng)量和荷蘭優(yōu)先權(quán)數(shù)量，說(shuō)明荷蘭主要在國(guó)外布局大量專(zhuān)利和申請(qǐng)國(guó)外的優(yōu)先權(quán)。

表3 全球EUV光刻專(zhuān)利申請(qǐng)人前十

圖5 EUV光刻技術(shù)主要申請(qǐng)人的申請(qǐng)國(guó)/地區(qū)分布

2.5 分析小結(jié)

通過(guò)專(zhuān)利分析可知，EUV光刻技術(shù)正處于平穩(wěn)發(fā)展期。中國(guó)大陸作為技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)進(jìn)行專(zhuān)利申請(qǐng)起步較晚，且專(zhuān)利申請(qǐng)量?jī)H有日本的1/10；中國(guó)大陸在全球EUV光刻熱點(diǎn)技術(shù)方向的申請(qǐng)均很少，其中申請(qǐng)最多的是曝光設(shè)備方向，全球占比僅有4.6%；在全球?qū)＠暾?qǐng)量排名前10 的主要申請(qǐng)人中，申請(qǐng)量最多的是荷蘭阿斯麥，日本占據(jù)5 席；在全球EUV光刻技術(shù)申請(qǐng)量排名中，中國(guó)大陸申請(qǐng)量排名第四，但只有18.7%的專(zhuān)利來(lái)自本國(guó)申請(qǐng)，其余申請(qǐng)主要來(lái)自美國(guó)和日本等國(guó)的在華申請(qǐng)；在全球EUV光刻技術(shù)的專(zhuān)利布局中，荷蘭在國(guó)外布局大量專(zhuān)利和申請(qǐng)國(guó)外優(yōu)先權(quán)，而中國(guó)大陸在其他國(guó)家/地區(qū)布局的專(zhuān)利微乎其微。

3 結(jié)論與建議

本文從芯片的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展格局入手，梳理出我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的“卡脖子”環(huán)節(jié)是“高端芯片制造的EUV光刻技術(shù)”，然后從專(zhuān)利角度分析我國(guó)大陸EUV光刻技術(shù)與發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)的申請(qǐng)趨勢(shì)、技術(shù)分布、競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和專(zhuān)利布局的差距，得到以下分析結(jié)論，并提出相應(yīng)的對(duì)策建議。

圖6 EUV光刻技術(shù)主要申請(qǐng)國(guó)/地區(qū)的技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)分布

（1）通過(guò)芯片產(chǎn)業(yè)分析得知，我國(guó)大陸芯片制造業(yè)是芯片產(chǎn)業(yè)中最為薄弱的環(huán)節(jié)，芯片工藝制程遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家/地區(qū)水平，生產(chǎn)高端芯片的核心設(shè)備光刻機(jī)嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。通過(guò)對(duì)EUV光刻技術(shù)進(jìn)行專(zhuān)利分析可知，荷蘭、美國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家EUV光刻技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)方面起步較早，在海外布局的專(zhuān)利很多，已經(jīng)形成了很強(qiáng)的專(zhuān)利壁壘，而我國(guó)大陸在EUV光刻各熱點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)利申請(qǐng)量均很少，在海外布局的專(zhuān)利更少，因此我國(guó)大陸的芯片制造嚴(yán)重受制于人。

（2）基于以上芯片“卡脖子”問(wèn)題分析研究，從以下3 個(gè)方面提出建議：一是積極攻克芯片制造的技術(shù)短板問(wèn)題。建議國(guó)家進(jìn)一步集中科研力量，聯(lián)合上海微電子等光刻機(jī)研發(fā)廠(chǎng)家，聚焦EUV光刻技術(shù)，推動(dòng)光刻領(lǐng)域的曝光、光源、鏡頭、光刻機(jī)、掩膜等核心技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，盡快突破一系列光刻核心技術(shù)難題，逐步實(shí)現(xiàn)具有先進(jìn)工藝制程的光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化替代。二是深化轉(zhuǎn)型，提升產(chǎn)業(yè)協(xié)同與集中度。打通芯片生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈，建立設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)企業(yè)之間良好的溝通渠道，縮短研發(fā)周期，提高生產(chǎn)效率，打造可以獨(dú)立完成設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)所有環(huán)節(jié)的企業(yè)；在區(qū)位布局上，應(yīng)推動(dòng)三業(yè)形成產(chǎn)業(yè)集聚，積極引導(dǎo)集成電路企業(yè)與整機(jī)廠(chǎng)商對(duì)接，促進(jìn)協(xié)同發(fā)展；積極融入全球化進(jìn)程，在全球范圍內(nèi)加強(qiáng)合作和對(duì)外交流，共同打造芯片產(chǎn)業(yè)鏈，使它更加健康可持續(xù)發(fā)展[11-12]。三是換道超車(chē)，突破專(zhuān)利壁壘。加強(qiáng)在芯片制造、計(jì)算、應(yīng)用發(fā)展的領(lǐng)域布局，從5G+工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代技術(shù)等角度尋求新興領(lǐng)域的突破，避開(kāi)國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家在芯片傳統(tǒng)領(lǐng)域的專(zhuān)利壁壘，實(shí)現(xiàn)“換道超車(chē)”。

（3）本文僅圍繞芯片的其中一個(gè)重要“卡脖子”環(huán)節(jié)即EUV光刻技術(shù)進(jìn)行專(zhuān)利分析。由于篇幅有限，專(zhuān)利分析未能向法律狀態(tài)信息、引文信息、核心專(zhuān)利等方面深入開(kāi)展，且僅從專(zhuān)利挖掘信息，研究存在一定的局限性。未來(lái)可以進(jìn)一步從政策、產(chǎn)業(yè)、市場(chǎng)、人才、技術(shù)等多方面視角進(jìn)行剖析，也可以從芯片的其他“卡脖子”問(wèn)題入手，挖掘出更多有價(jià)值的情報(bào)。