光刻
- 光刻-刻蝕虛擬仿真實驗的設計與實施
略，自主設計開發(fā)光刻-刻蝕虛擬仿真實驗。實驗以芯片生產過程中的光刻-刻蝕工藝作為代表，通過虛擬仿真技術進行設備建模、光路模擬、微觀粒子運動演示等，將無法觸及的設備內部結構、復雜的光刻-刻蝕工藝影響、轉瞬即逝的微觀實驗現(xiàn)象直觀化展示給實驗者，利用“練習模式”和“考試模式”讓實驗者充分開展實驗探索，通過不同模擬情境激發(fā)學生學習興趣。實驗解決了光刻-刻蝕實驗在高校難以開展的問題，為綜合型人才培養(yǎng)打下基礎。［關鍵詞］ 光刻-刻蝕；虛擬仿真；實驗設計；教學改革［基金
教育教學論壇 2023年17期2023-06-26
- 離軸照明強度不對稱性對投影曝光光刻系統(tǒng)成像影響分析
前13.5nm 光刻系統(tǒng)只有少數(shù)企業(yè)使用，193nm 光刻系統(tǒng)仍是國內制造集成電路的主流光刻設備。157nm 光刻系統(tǒng)因成本和透鏡材料問題而不能被實際應用，下一代光刻系統(tǒng)，如極紫外光刻、離子束光刻和納米壓印技術仍在不斷改進，因此國內企業(yè)目前只能不斷改進193nm 光刻設備和曝光工藝希望將此技術延伸到7nm 節(jié)點。將193nm 光刻技術延伸至7nm 節(jié)點可以說是相當大的挑戰(zhàn)，對曝光工藝要求勢必更加苛刻，因此提升193nm 光刻系統(tǒng)曝光工藝就變得越來越重要。曝
電子技術與軟件工程 2023年6期2023-05-30
- 基于專利數(shù)據的全球光刻技術競爭態(tài)勢研究
臺數(shù)據庫中收錄的光刻技術領域的專利數(shù)據進行分析，從專利整體環(huán)境、技術布局和機構競爭3個方面，探討全球光刻技術的技術競爭態(tài)勢。研究結果表明：全球光刻領域專利族數(shù)量仍呈現(xiàn)逐年遞增的趨勢，中國近幾年技術研發(fā)活躍度較高，但與技術原始積累較強的美、日相比仍有較大差距；研究熱點圍繞極紫外光刻技術呈發(fā)散式分布；全球范圍內，各國機構科研活動的內部集聚性明顯，外部技術壁壘由日、美等技術領先國家搭建，形成局部技術鎖定。因此，中國在光刻方面必須把握國家科技轉型發(fā)展機遇期，敏銳感
科技與管理 2023年1期2023-05-30
- 菲涅爾衍射光刻*
直寫.菲涅爾衍射光刻無需復雜的光學透鏡組合,無需任何微納衍射光學元件,且具有較大的聚焦容差.該方法有望成為一種新型的,低成本、高靈活度的亞波長圖形制備手段.1 引 言光刻是現(xiàn)代半導體工業(yè)的基石.發(fā)展高分辨光刻技術在微電子學、光子學等領域具有重要意義.迄今已有多種納米光刻方法被提出,如激光直寫光刻[1,2]、深/極紫外光刻[3,4]、聚焦帶電粒子束(如電子[5]、離子[6])光刻、納米壓印光刻[7]、分子自組裝光刻[8]、表面等離激元光刻[9,10]等.其中
物理學報 2023年1期2023-01-30
- 多晶金剛石薄膜日盲紫外探測器件的電極制備
究，首先利用不同光刻工藝在多晶金剛石薄膜上制備了MSM結構的叉指電極，討論了濕法光刻與lift-off光刻對金剛石紫外探測性能的影響；并在此基礎上利用lift-off光刻工藝制備了Au、Ag、Ti、Ti/Au四種電極的器件，對比了不同金屬電極制備出的金剛石紫外探測器件的性能差異。2 實 驗本文采用的樣品是通過DC-PJCVD法在800℃高溫下生長的多晶金剛石薄膜，該方法生產效率高，制備出的金剛石是自支撐的金剛石薄膜，樣品的尺寸為1 cm×1 cm×0.3
發(fā)光學報 2022年12期2023-01-07
- 基于專利共類的關鍵核心技術識別模型構建及應用*
——以光刻技術為例
芯片、操作系統(tǒng)、光刻技術等領域仍然存在許多問題，如自主創(chuàng)新能力缺失、關鍵技術和核心產品嚴重依賴進口等。近年來，以美國為首的西方國家針對中國實施了一系列的技術封鎖、打壓，尤其是在中美貿易摩擦背景下發(fā)生的“中興事件”“華為事件”直擊中國核心技術“軟肋”，引發(fā)了國人的討論和反思。這些事件也暴露了中國由于關鍵核心技術短板而受制于人的實際現(xiàn)狀和潛在風險，也提醒我們掌握關鍵核心技術對經濟發(fā)展和國家安全至關重要。為了準確識別關鍵核心技術，厘清關鍵核心技術的概念是首要任務
情報雜志 2022年11期2022-12-01
- 基于表示學習的引證網絡關鍵路徑識別研究
，簡稱為EUV）光刻機，全球能夠生產EUV光刻機的只有荷蘭的阿斯麥以及日本的尼康、佳能。現(xiàn)階段我國只能生產中低端光刻機，難以滿足高端芯片制造的需求。光刻機（也稱光刻系統(tǒng)）是光刻技術的關鍵裝備，光刻技術的發(fā)展大大提高了芯片的計算速度及存儲量，可以說光刻技術是促進芯片產業(yè)和集成電路及相關產業(yè)發(fā)展的關鍵核心技術。技術和知識資產優(yōu)勢在發(fā)達國家與發(fā)展中國家博弈中占有壓倒一切的核心地位與關鍵作用。為了維持與發(fā)展中國家的技術差距，發(fā)達國家將以前的“技術封鎖”戰(zhàn)略轉變?yōu)椤?/div>
科學與管理 2022年4期2022-08-25
- 太赫茲超材料仿真設計與制備研究
磁響應機理。通過光刻剝離工藝制備出四開口超材料諧振環(huán)，并基于光泵浦探測系統(tǒng)研究了太赫茲光譜透射實驗樣品后的光頻譜響應特征。結果表明：當入射的太赫茲波電場矢量電場與超材料襯底同一條邊平行或垂直時，太赫茲都在1THz附近，且響應特征相似。這說明了該全對稱結構對于入射太赫茲波的極化并不敏感。此設計在隱身技術、光電器件、傳感器和寬帶通信等領域具有潛在的應用前景。關鍵詞：超材料;光刻;太赫茲;極化DOI：10.15938/j.jhust.2022.01.015中圖分哈爾濱理工大學學報 2022年1期2022-05-10
- 基于數(shù)字微鏡器件的無掩膜光刻技術進展
微鏡器件的無掩膜光刻技術進展張思琪1，周思翰1，楊卓俊1，許智2，蘭長勇1，李春1*（1.電子科技大學 光電科學與工程學院，四川 成都 011699；2.中國科學院 物理研究所 松山湖材料實驗室，廣東 東莞 523429）基于空間光調制器的無掩膜光刻是光刻技術重要發(fā)展方向之一。近年來，隨著數(shù)字微鏡器件芯片集成度與性能的提高，數(shù)字微鏡器件無掩膜光刻成為一種主要的數(shù)字光刻技術。由于可灰度調制的光反射式“數(shù)字掩膜”替代了傳統(tǒng)光刻中使用的預制物理光掩膜版，該技術極光學精密工程 2022年1期2022-01-20
- 光刻巨人：ASML崛起之路
紀80年代，美國光刻機巨頭Perkin-Elmer和GCA在芯片光刻市場上遭到了日本競爭對手佳能和尼康的猛烈攻擊。結果，美國失去了對這項關鍵技術長達20年的壟斷地位，而這正是摩爾定律背后的驅動力。與此同時，一家默默無聞、無足輕重的光刻機小公司在荷蘭剛剛起步。這家公司就是ASML，它在今天獲得了無與倫比的成功。作為世界上很大和很賺錢的光刻機制造商，ASML取得了70%—80%的光刻市場份額，并多年來在光刻技術上一騎絕塵，將佳能和尼康遠遠甩在后面。在《光刻巨人華東科技 2021年11期2021-11-23
- 基于自適應非線性粒子群算法的光刻光源優(yōu)化方法
線性粒子群算法的光刻光源優(yōu)化方法王 建1,2，劉俊伯1，胡 松1,2*1中國科學院光電技術研究所，四川 成都 610209；2中國科學院大學，北京 100049光刻光源優(yōu)化作為必不可少的分辨率增強技術之一，能夠提高先進光刻成像質量。在先進光刻領域，光源優(yōu)化的收斂效率和優(yōu)化能力是至關重要的。粒子群優(yōu)化算法作為一種全局優(yōu)化算法，自適應控制策略可以提高粒子的全局搜索能力，非線性控制策略可以擴大粒子搜索范圍。本文提出一種基于自適應非線性控制策略的粒子群優(yōu)化算法，將光電工程 2021年9期2021-10-18
- 基于專利分析的芯片“卡脖子”問題研究
芯片的核心設備是光刻機。全球能夠生產高端芯片的極紫外（EUV）光刻機的只有荷蘭的阿斯麥以及日本的尼康、佳能。現(xiàn)階段我國只能生產中低端光刻機，難以滿足高端芯片制造的需求。專利記載了發(fā)明創(chuàng)造的內容，是技術信息最有效的載體。分析專利文獻可以掌握技術發(fā)展趨勢，實現(xiàn)其特有的經濟價值。為探究高端光刻機制造難的原因，有學者從光源、抗蝕劑、防護膜等方面對EUV光刻技術進行了難點分析[3]，但從專利角度進行分析的卻很少。通過文獻檢索發(fā)現(xiàn)，只是對光刻機的曝光系統(tǒng)中物鏡拋光技術中國科技資源導刊 2021年4期2021-09-01
- 淺談光刻與邊緣曝光系統(tǒng)對電鍍的作用
、3D堆疊等，而光刻與電鍍工藝流程是先進封裝技術中的重要環(huán)節(jié)。光刻工藝是運用光學、化學反應等原理將圖形傳遞到單晶表面或介質層上。電鍍工藝運用電化學反應，在金屬介質層上鍍出所需金屬，構成金屬導線。光刻作為電鍍的前置基礎，起到了承上啟下的作用。現(xiàn)從光刻與邊緣曝光系統(tǒng)出發(fā)對電鍍工藝進行探討，分析了光刻膠分辨率模型表達式和電鍍工藝的公式模型以及邊緣曝光系統(tǒng)對后續(xù)電鍍的作用，同時對光刻工藝分辨率和電鍍效率增強技術進行了調研。關鍵詞：先進封裝;光刻;邊緣曝光;電鍍0?機電信息 2021年18期2021-07-20
- 集成電路制造工藝中的化學原理與應用
制造;化學反應;光刻;刻蝕;氧化;基于芯片制造過程中使用的化學反應過程，闡述了光刻、刻蝕、氧化和薄膜沉積過程中涉及的化學反應和原理，對理解半導體芯片制造中的化學過程具有重要意義。一、刻蝕工藝1.濕法刻蝕。濕法刻蝕可以刻蝕硅、氧化硅、氮化硅和鋁等材料。硅的濕法刻蝕一般使用硝酸（HNO3）和氫氟酸（HF）的混合物。該反應中硅與HNO3發(fā)生氧化反應生產二氧化硅，然后二氧化硅被HF溶解，從而達到刻蝕目的。乙酸（CH3COOH）作為緩沖劑添加到HNO3和HF混合溶液錦繡·中旬刊 2021年7期2021-07-17
- 基于LEDIT的STEP光刻版數(shù)據圖形自動排版
集成電路為例，微光刻技術是集成電路中最關鍵的技術。集成電路芯片的生產需要進行多次光刻。在集成電路生產中提高產量與降低成本的有效方法之一是盡量地利用硅片面積。由于測量、控制、對準等各種標記圖形必須和集成電路芯片主圖形同時參與工藝處理，光刻版上圖形的布局[1]便極為關鍵和重要。目前的光刻版布局是在EDA 軟件基礎上，由數(shù)據處理工程師進行圖形布局。常用的軟件有CATS 軟件與Virtuoso 軟件。但這些軟件只提供了版圖數(shù)據處理的基礎功能，具體的布局仍然依賴于工電子技術與軟件工程 2021年7期2021-06-16
- 芯碁微裝(688630) 申購代碼787630 申購日期3.23
裝（WLP）直寫光刻設備產業(yè)化項目、平板顯示（FPD）光刻設備研發(fā)項目、微納制造技術研發(fā)中心建設項目?；久娼榻B：發(fā)行人專業(yè)從事以微納直寫光刻為技術核心的直接成像設備及直寫光刻設備的研發(fā)、制造、銷售以及相應的維保服務，主要產品及服務包括PCB直接成像設備及自動線系統(tǒng)、泛半導體直寫光刻設備及自動線系統(tǒng)、其他激光直接成像設備以及上述產品的售后維保服務，產品功能涵蓋微米到納米的多領域光刻環(huán)節(jié)。發(fā)行人在微納直寫光刻核心技術領域具有豐富的技術積累，在系統(tǒng)集成技術、光證券市場紅周刊 2021年11期2021-04-07
- 美光發(fā)布第六次年度可持續(xù)發(fā)展報告
紫外 （EUV）光刻技術的重要里程碑。同年，EUV構圖技術首次應用于7 nm技術代邏輯芯片的量產。插入以對芯片后端（BEOL）的最關鍵層進行圖案化，能夠打印間距高達36-40 nm的金屬線。2023年將標志著EUV光刻技術發(fā)展的又一個新的里程碑。屆時，新一代EUV光刻工具有望進入現(xiàn)場：高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻掃描儀——新設備預計可在較少的圖案化步驟中打印2 nm（及以上）邏輯芯片的最關鍵特征。瑞利方程再次證明了向高NA光刻的過渡是合理的，它提電子工業(yè)專用設備 2021年5期2021-03-31
- 光刻工藝對大面陣長波碲鎘汞芯片性能的影響
經歷:表面鈍化、光刻、離子刻蝕、離子注入、金屬層生長等多道工藝,每道工藝由于其設備性能限制會產生工藝非均勻性,進而影響探測器的性能[2]。由于每次光刻工藝過程中芯片與掩膜版相對位置不變,且芯片方向不變,因此產生的工藝非均勻性會在同一位置相互疊加,并隨著光刻工藝次數(shù)的增加而放大[3]。同時光刻工藝又是探測器芯片制備過程中重復次數(shù)最多的工藝,因此光刻工藝的非均勻性對探測器的性能影響最大,需要詳細分析，如圖1所示。圖1 光刻工藝非均勻性影響探測器性能2 光刻工藝激光與紅外 2021年2期2021-03-09
- 極紫外光刻膠產氣的定性和定量檢測
et， EUV）光刻膠產氣檢測系統(tǒng)， 對以分子玻璃（Molecular glass）螺芴（9，9′-Spirobifluorene， SP）為主體材料的光刻膠薄膜體系Film A、B、C和D進行產氣的定性和定量分析， 其中， Film A的主體材料外圍取代基團為叔丁氧羰基（t-Butylcarbonyl， Boc）， Film B和C是在Film A光刻膠薄膜頂層覆蓋不同厚度的保護層， Film D的主體材料外圍取代基團為醋酸金剛烷酯（Adamantyl分析化學 2020年12期2020-12-25
- 10 μm小間距紅外探測器的銦柱生長研究
主要表現(xiàn)是:剝離光刻膠之后的銦柱高度比較矮,不能達到互連的要求。采用同樣的銦柱蒸發(fā)工藝條件,在像元間距15 μm的芯片上,銦柱的高度為5 μm,而在像元間距10 μm的芯片上,銦柱的高度只有3.3 μm,高度減少了34 %。2 問題分析銦蒸發(fā)采用的是熱阻蒸發(fā)的方式,加熱蒸發(fā)舟,蒸發(fā)舟內的銦材料以一定的速率逸出,到達基片的表面[2]?；砻嫱坑?span id="j5i0abt0b" class="hl">光刻膠圖形,有光刻膠的部分,銦粒子沉積在光刻膠表面；沒有光刻膠的部分,銦粒子直接到達基片表面,經過堆積,形成銦柱,激光與紅外 2020年10期2020-11-05
- 長光柵光刻車間氣流組織數(shù)值模擬研究
? 要：長光柵的光刻制造工藝是一個復雜的精密制造過程，良好的環(huán)境條件有利于提高產品質量，本文通過CFD方法模擬分析某規(guī)格長光柵光刻車間內由空調通風所形成的空氣速度場及溫度場，確定滿足制造工藝要求的空調參數(shù)，同時研究送風溫度及送風速度對車間氣流組織的影響，實現(xiàn)有效減少試驗成本及試驗時間，為實際生產提供理論依據的目的。關鍵詞：光刻;CFD;速度場;溫度場0引言長光柵是利用光柵光學原理工作的測量反饋裝置，是我國裝備制造中的關鍵核心部件。傳統(tǒng)的光柵制備方法有機械刻智能建筑與工程機械 2020年1期2020-09-10
- 超大數(shù)值孔徑浸沒式物鏡的研發(fā)設計
一種超大數(shù)值孔徑光刻投影物鏡。該光刻投影物鏡作為光刻機曝光系統(tǒng)的核心模塊，將掩模版上的圖案以4倍縮小倍率成像于硅片面，該物鏡以193 nm的準分子激光器為曝光光源，視場范圍為26mm×5.5mm，光學結構不同于傳統(tǒng)的全透射系統(tǒng)，引入反射鏡及鏡片反射面，采用折反射式光學系統(tǒng)結構，有利于平衡像差。浸沒情況下最大數(shù)值孔徑可達到1.35，可應用于前道制造45 nm關鍵層和非關鍵層的光刻工藝需求。關鍵詞：光刻;投影物鏡;浸沒;超大數(shù)值孔徑中圖分類號：TH744? ?中國新技術新產品 2020年10期2020-08-10
- 基于最速下降的矢量光刻模型掩膜優(yōu)化
最優(yōu)化算法的反向光刻技術，在理論上可以找到最佳的掩膜去補償圖案的畸變[4]，因此，運用分辨率增強技術進一步提高光刻系統(tǒng)的圖像精確度一直是該領域研究有效手段。最速梯度下降是是非線性最優(yōu)化常見的方法，它的主要思想是使用目標函數(shù)和約束條件定義或推導出代價函數(shù)，通過計算代價函數(shù)的梯度和選擇合適的更新步長來確定最優(yōu)化下降方向和大小。一、光刻系統(tǒng)的矢量模型光刻投影成像系統(tǒng)主要分為兩個部分：投影光學效果(耦合成像)和抗蝕效果。對于照明光源波長為193nm且NA大于0.4福建質量管理 2020年5期2020-03-11
- 淺析晶閘管光刻工藝原理
李鑫◆摘 ?要：光刻工藝是一種復印圖像同化學腐蝕相結合的技術。它先采用照相復印的方法，把光刻版上的圖形精確地復印在涂有感光膠的二氧化硅層或金屬蒸發(fā)層上，然后利用光刻膠的保護作用，對二氧化硅或金屬層進行選擇性腐蝕，從而在二氧化硅或金屬層上得到與光刻版相應的圖形，本文對晶閘管光刻原理進行了基本的分析?！絷P鍵詞：晶閘管;光刻;工藝;原理在晶閘管生產中通常對晶閘管要做兩次光刻，以此是利用光刻膠的保護進行刻蝕，這個光刻是選擇性的光刻，作用是為陰極面選擇性擴磷做準備。速讀·上旬 2019年9期2019-10-21
- NA1.35投影光刻光學系統(tǒng)偏振像差的優(yōu)化
一步發(fā)展的關鍵。光刻機是實現(xiàn)超大規(guī)模集成電路制造的重要設備，投影光刻光學系統(tǒng)是光刻機的核心部件[1]。增大投影光刻光學系統(tǒng)數(shù)值孔徑是提高系統(tǒng)分辨率的有效途徑，投影光刻光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑已經從原來的0.28、0.4、0.6增大到了1.35[2]。對于大數(shù)值孔徑投影光刻光學系統(tǒng)，偏振像差對其成像質量有著重要的影響。NA1.35投影光刻光學系統(tǒng)屬于大數(shù)值孔徑光學系統(tǒng)，為了實現(xiàn)NA1.35投影光刻光學系統(tǒng)高質量成像，偏振像差的優(yōu)化尤為重要。投影光刻光學系統(tǒng)偏振像差應用光學 2019年4期2019-10-10
- 晶閘管光刻的工藝原理分析
張猛摘 要：光刻工藝是一種復印圖像同化學腐蝕相結合的技術。它先采用照相復印的方法，把光刻版上的圖形精確地復印在涂有感光膠的二氧化硅層或金屬蒸發(fā)層上，然后利用光刻膠的保護作用，對二氧化硅或金屬層進行選擇性腐蝕，從而在二氧化硅或金屬層上得到與光刻版相應的圖形。關鍵詞：晶閘管;光刻;工藝原理現(xiàn)代電力電子技術不論對改造電力、機械、礦冶、交通等傳統(tǒng)工業(yè)，還是對新的航天、通信、機器人等高技本產業(yè)都至關重要，己迅速發(fā)展成為一門獨立學科，其應用領域幾乎涉及到國民經濟的各個E動時尚·科學工程技術 2019年19期2019-09-10
- “超分辨光刻裝備項目”通過驗收 可加工22nm芯片
研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制，在365nm光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達22nm；結合雙重曝光技術后，未來還可用于制造10nm級別的芯片。該項目在原理上突破了分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過了國外相關知識產權壁壘，具有完全自主知識產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義芯片等變革性領域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。（圖片來源：新華網）軍民兩用技術與產品 2018年23期2019-01-11
- asml公司的EUV光刻設備的光源技術研究
UV光源是EUV光刻裝置的核心部件，直接決定了光刻之后半導體芯片的線寬和生產效率。本文對ASM公司的EUV光源技術，改進和反污染技術進行來梳理。關鍵詞：EUV光源；光刻；ASML；激光等離子體源多年來，集成電路技術的發(fā)展始終是隨著光學光刻技術的不斷創(chuàng)新所推進的。在摩爾定律的驅動下，光刻技術經歷了接觸/接近投影、掃描等倍投影、步進投影、縮小步進投影、步進掃描投影曝光方式的變革，曝光波長由436nm的h線向365nm的i線、繼而到248nm的KrF到193nm科技信息·中旬刊 2018年9期2018-10-21
- 【極紫外光刻】
極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，它以波長為10～14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm的軟x射線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。光刻技術是現(xiàn)代集成電路設計上一個最大的瓶頸。現(xiàn)cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統(tǒng)來實現(xiàn)的，但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術就會很好科學家 2017年20期2017-11-10
- 基于雙表面等離子激元吸收的納米光刻?
子激元吸收的納米光刻?劉仿?李云翔 黃翊東?(清華大學電子工程系,信息科學與技術國家實驗室,北京 100084)(2017年6月19日收到;2017年7月5日收到修改稿)光刻技術(lithography)是微納結構制備的關鍵技術之一.受限于光的衍射極限,傳統(tǒng)光刻方法進一步縮小特征尺寸變得越來越難.表面等離子激元(surface plasmon polariton,SPP)作為光與金屬表面自由電子密度振蕩相互耦合形成的一種特殊電磁形式,具有波長短、場密度大、物理學報 2017年14期2017-08-08
- 重慶成功研制液晶面板和觸摸屏等光刻裝備
晶面板和觸摸屏等光刻裝備近日從中國科學院重慶綠色智能技術研究院獲悉，該院成功研制了用于微電子光刻的“2-12英寸UVLED平行光曝光模組”及用于PCB、液晶面板和觸摸屏等光刻裝備的“5KW、8KW、10KW汞燈替代UVLED光源模組”系列產品。據中國科學院重慶綠色智能技術研究院相關項目負責人介紹，光刻機是液晶面板制造裝備中投資份額最大的關鍵裝備，其關鍵技術始終受制于國外企業(yè)，限制了行業(yè)發(fā)展。為打破液晶面板行業(yè)光刻裝備國外壟斷的局勢，針對電子信息領域對技術先電子世界 2017年3期2017-03-01
- 集成電路光刻工藝研究
摘 要：光刻是利用特定工藝將掩膜板上的集成電路圖形印制到硅片上的精密表面加工技術。在集成電路制造工藝中，光刻是最為重要的工藝之一。它決定著芯片的最小特征尺寸，占芯片制造時間的40-50%，并且占制造成本的30%。本文通過對光刻工藝的主要步驟的分析，研究了正膠及負膠的特性，探討了未來光刻工藝發(fā)展的方向。關鍵詞：集成電路；光刻；工藝；光刻膠DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.24.0111 緒論1.1 集成電路集成電路（Int山東工業(yè)技術 2016年24期2017-01-12
- 半導體光刻技術及設備的發(fā)展趨勢
溫菊紅?半導體光刻技術及設備的發(fā)展趨勢溫菊紅國家知識產權局專利局專利審查協(xié)作廣東中心，廣東 廣州 510530半導體的概念對于普通人來講稍顯陌生，但是我們的生活卻又離不開它。在信息化的背景下，人們生活中對電子產品也是越發(fā)依賴。半導體主要應用于通訊、高速計算機、智能化生活等領域。信息化時代的半導體技術大部分還是受海外企業(yè)的掌控，但我國的半導體市場也在高速前進。在此以半導體光刻技術及設備的發(fā)展趨勢為主題進行討論與分析，望能對半導體光刻技術及設備的未來發(fā)展提供一移動信息 2016年6期2016-12-31
- 高增益參量過程中相干態(tài)和真空態(tài)輸入下的干涉光刻研究
降低功耗的效用。光刻技術就是適應這一生產需要被廣泛運用的印刷術之一[1-2]。在過去的幾十年里，集成電路的特征尺寸以平均每年約10%的速度減小[3]，然而，隨著器件微型化程度越來越高，傳統(tǒng)的經典光刻技術遭遇瑞利衍射極限難以突破的障礙，極大地制約了當前半導體制造技術的發(fā)展，使得光刻技術面臨新的挑戰(zhàn)。近年來，開發(fā)光的量子特性打破經典衍射極限的量子干涉光刻技術已成為熱門的研究領域[4-12]。量子光刻法最早有Boto等人（2000）首次提出，其研究表明：利用“N池州學院學報 2016年6期2016-11-22
- 基于DMD的全息光刻系統(tǒng)設計
基于DMD的全息光刻系統(tǒng)設計付偉平，李靜(中國科學技術大學 精密機械與精密儀器系，安徽 合肥 230027)設計搭建了一套基于DMD(Digital Micro-mirror Derice)的全息光刻系統(tǒng)，它包括光路和軟件部分。在軟件設計中，采用MATLAB語言編制基于博奇編碼的計算全息圖，以二維灰度光柵為例，對其進行了計算全息的設計和模擬再現(xiàn)，并通過實驗再現(xiàn)了二維灰度光柵圖案，驗證了設計的合理性和可靠性。全息光刻；DMD；MATLAB光刻技術是引領微電子新技術新工藝 2016年9期2016-11-01
- 5um線寬LED晶片最佳光刻條件探究
寬LED晶片最佳光刻條件探究鄒賢軍，廖穎鈺 湘能華磊光電股份有限公司摘要：在外延結構已經確定的前提下，如何在芯片前工藝COW制備中提高亮度成為各芯片廠商最關注的話題，而制備反射電極、增加電流阻擋層、優(yōu)化圖形、縮短線寬則是提高COW亮度的常用方法。本文主要探究尺寸為457um*889um的芯片在制備5um線寬時黃光作業(yè)中的最佳光刻條件，實驗表明硬烤110°/60秒，曝光能量90mj/cm2，顯影時間90秒，膠厚2.85um，軟烤105℃/ 120秒為最佳光刻科學中國人 2016年17期2016-08-31
- 半導體制造技術綜述
在半導體技術中，光刻技術和薄膜制備技術是常用的工藝技術。本文介紹了光刻技術和薄膜制備技術現(xiàn)狀和進展情況。關鍵詞：半導體；光刻；圖形；薄膜；沉積0 引言人來研究半導體器件已經超過135年［1］。尤其是進近幾十年來，半導體技術迅猛發(fā)展，各種半導體產品如雨后春筍般地出現(xiàn)，如柔性顯示器、可穿戴電子設置、LED、太陽能電池、3D晶體管、VR技術以及存儲器等領域蓬勃發(fā)展。本文針對半導制造技術的演變和主要內容的研究進行梳理簡介和統(tǒng)計分析，了解半導體制造技術的專業(yè)技術知識山東工業(yè)技術 2016年11期2016-06-04
- 光刻技術制備仿生鋁超疏水表面的研究
435002)?光刻技術制備仿生鋁超疏水表面的研究阮敏1,2，王嘉偉1，劉巧玲1，陳躍1，占彥龍2,3，胡良云2,3，馬福民1，于占龍1，馮偉1(1湖北理工學院 材料與冶金學院，湖北 黃石 435003；2湖北理工學院 礦區(qū)環(huán)境污染控制與修復 湖北省重點實驗室，湖北 黃石 435003；3湖北師范學院 物理與電子科學學院，湖北 黃石 435002)摘要：超疏水薄膜有很好的自清潔、防腐蝕、減阻和防覆冰性能。利用高速激光雕刻機、光刻機對玻璃片進行刻蝕，并結合溶湖北理工學院學報 2016年2期2016-05-25
- 基于矩陣積分法優(yōu)化光刻部分相干成像模型
于矩陣積分法優(yōu)化光刻部分相干成像模型彭清維1，2，陳德良1*(1．貴州師范學院，貴州貴陽 550018;2．貴州大學，貴州貴陽 550025)基于矩陣積分法實現(xiàn)了Matlab對光刻部分相干二維成像的模擬，驗證了Matlab編寫的部分相干程序的可行性，加入了離焦對光刻分辨率的影響。通過建立部分相干光光刻仿真模型，并在二極照明方式下，對離焦對光刻成像的影響進行了模擬計算。結果表明，矩陣積分法降低了程序運算所用時間，微小的離焦對光刻部分相干成像影響巨大，必須考慮貴州師范學院學報 2016年9期2016-02-20
- 淺談曲面直寫式光刻工藝
76)通常所說的光刻工藝基本上分為兩大類，一是投影式光刻，它主要用純凈的紫外光源將掩模版的像投影到基片上實現(xiàn)基片上光刻膠的感光，再通過更換掩模版實現(xiàn)基片上線條的多次套刻，從而完成超大規(guī)模集成電路的光刻工藝，這種方法實現(xiàn)的光刻精度非常高，但價格昂貴，通常用于超大規(guī)模集成電路器件的光刻工藝，二是接觸接近式光刻，這種方法是將基片與掩模版緊密接觸或間隔極小的距離，當純凈的紫外光源通過掩模版投射到涂有光刻膠的基片上時，就實現(xiàn)了無線條遮蓋的基片區(qū)域的光刻膠曝光，根據工電子工業(yè)專用設備 2015年6期2015-07-04
- 瑞紅RZJ-304光刻膠光刻工藝研究
紅RZJ-304光刻膠光刻工藝研究龐夢瑤1，程新利1*，秦長發(fā)1，沈嬌艷1，唐運海1，王冰2（1.蘇州科技學院數(shù)理學院，江蘇蘇州215009；2.昆山雙橋傳感器測控技術有限公司，江蘇昆山215321）利用光刻技術對瑞紅RZJ-304正性光刻膠進行光刻工藝研究，用透射式光柵作為掩模版，通過改變光刻步驟中的前烘時間、曝光時間、顯影時間等來研究光刻效果。實驗結果表明，掩模版圖形被成功地轉移到了硅片基底上，顯影后光刻膠厚度均勻，光刻膠線條呈周期性排列，得到了與掩模蘇州科技大學學報(自然科學版) 2015年3期2015-02-06
- 國產IC光刻系統(tǒng)精密紫外反光鏡研制成功
國產IC光刻系統(tǒng)精密紫外反光鏡研制成功沈陽儀表科學研究院經過2年多的技術攻關，成功研制出了擁有自主知識產權的集成電路（IC）光刻系統(tǒng)精密紫外反光鏡產品，其關鍵技術指標達到國際先進水平。該IC光刻系統(tǒng)精密紫外反光鏡產品可耐450℃高溫，利用自主研發(fā)的新工藝實現(xiàn)了非球面成形。其反射波長范圍為300nm～440nm，反射率大于95%，達到了反射紫外光并濾除其它可見光的目的。據悉，該產品的成功開發(fā)，填補了該項技術的國內空白，標志著沈陽儀表院在精密非球面加工和檢測技軍民兩用技術與產品 2015年15期2015-01-10
- 光刻圖形轉移技術
34)0 引 言光刻機是微電機系統(tǒng)(MEMS)與微光學器件(MOD)的完美結合,引發(fā)了一場微型化革命,從而使半導體芯片、電子器件和集成電路向著更高集成度方向發(fā)展.而光刻技術是芯片制造的關鍵,決定了芯片的最小尺寸[1].IC制造具有復雜的工藝鏈:晶圓制備、電路制造、封裝等,其中電路制造過程最為復雜,包括氣相沉積、光刻、刻蝕、離子注入、擴散和引線等.決定IC特征尺寸大小的關鍵和瓶頸技術就是其中的光刻環(huán)節(jié).IC特征尺寸的變化與光刻技術的發(fā)展關系遵從著著名的摩爾定上海師范大學學報·自然科學版 2014年2期2014-03-20
- 在鏡像投影曝光機上使用相移掩膜提高解像力的初步研究
容限，從而提高了光刻的解像力。2 軟件模擬和結果分析2.1 軟件介紹Athena是美國Silvaco公司推出的一種商用的TCAD工具。TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半導體工藝模擬以及器件模擬工具。ATHENA提供了一個易于使用、模塊化的、可擴展的平臺，能對所有關鍵制造步驟(離子注入、擴散、刻蝕、沉積、光刻以及氧化等)進行快速精確的模擬[7-10]。它有一個交互式、圖形化的實時運行環(huán)境Deckbuild，在工液晶與顯示 2014年4期2014-02-02
- 紫外LED光刻光源系統(tǒng)的研究進展
極其重要的作用，光刻技術作為半導體工業(yè)的關鍵技術之一，隨著半導體產品的日益市場化，采用先進的光刻技術來降低光刻成本和生產周期顯得尤其迫切，這就需要價格低廉高效率的光刻設備進行加工［1］～［4］。目前，紫外 LED 光源系統(tǒng)具有體積小、光密度高、超長壽命、冷光源、無輻射、發(fā)熱量少、瞬間點亮、無污染等優(yōu)點，因此，在光刻設備領域有著廣泛的應用前景，對紫外LED光源系統(tǒng)進行深入研究有著重要的實用價值。本文主要從光刻光源系統(tǒng)光學設計方面綜述了紫外LED光刻光源系統(tǒng)的照明工程學報 2013年2期2013-12-04
- 基于時序分析的光刻版清洗機運行效率提升方法
）基于時序分析的光刻版清洗機運行效率提升方法侯為萍，高建利，劉玉倩（中國電子科技集團公司第四十五研究所，北京 101601）光刻版清洗機是典型的多軸運行類自動化清洗設備，清洗效率的提升是此設備的關鍵技術之一。介紹了一種基于時序分析的提升該設備運行效率的方法，實驗證明此方法通過對控制時序的分析和優(yōu)化，有效提升了設備的運行效率。光刻版清洗機；時序分析；運行效率近年來，隨著LED行業(yè)的飛速發(fā)展，對制造過程中設備的效率要求也越來越高。為了適應市場的需要，提高設備的電子工業(yè)專用設備 2013年12期2013-09-17
- 石英玻璃在光刻技術中的應用
高，而這又依賴于光刻技術的不斷進步。微電子有兩個著名定律：器件等比例縮小定律和摩爾定律。器件等比例縮小定律指MOS 器件的橫向縱向尺寸按一定比例 K 縮小，單位面積上的功耗可保持不變，這時器件所占的面積(因而成本)可隨之縮小K2 倍，器件性能可提高K3 倍。所以器件越小，同樣面積芯片可集成更多、更好的器件，還降低了器件相對成本，這也是摩爾定律的物理基礎。摩爾定律指出，芯片集成度每l8—24個月增長一倍價格不變，或者說器件尺寸每3年縮小 K 倍，技術整體更新中國建材科技 2012年5期2012-01-26
- 極紫外線技術有望讓晶體管“瘦身”75%
紫外線(EUV)光刻技術的研發(fā)，新技術有望讓晶體管的大小縮減為原來的1/4。一塊芯片能容納的晶體管數(shù)量每隔幾年就可以翻番，但這一趨勢目前似乎已到窮途末路。解決方案之一是借用EUV光刻技術將更小的晶體管蝕刻在微芯片上，即用超短波長的光在現(xiàn)有微芯片上制造比目前精細4倍的圖案。芯片上的集成電路圖案是通過讓光透過一個遮蔽物照射在一塊涂滿光阻劑的硅晶圓上制成，目前只能采用深紫外(波長一般約為193 nm)光刻技術制造出22 nm寬的最小圖案。在芯片上蝕刻更小圖案的唯中國材料進展 2012年8期2012-01-26
- 德國SUSS MicroTec與美國Rolith共同研發(fā)用于太陽能發(fā)電的納米光刻技術
研發(fā)的分裂式納米光刻方法制造一種納米結構設備，用于大面積基材高產出、高生產效益的納米光刻技術為可再生能源和綠色建筑市場帶來契機。該技術采用圓柱形滾動掩模實現(xiàn)近場光學光刻，目前Rolith公司正在申請相關專利。利用相移干擾效應或等離子強化印刷結構可設計出次波長技術解決方案，運用連續(xù)運行模式可實現(xiàn)低投入、高產出。Rolith公司的“滾動掩模”納米結構系統(tǒng)生產成本有望低于2美元/m2。Rolith公司CEO Boris Kobrin表示，預計利用該技術可制造出包浙江電力 2011年1期2011-08-15
- 光刻技術在金屬板片刻蝕上的應用
面精密加工是采用光刻工藝完成的。液體推進劑預包裝貯箱上的膜片閥金屬膜片刻痕也是采用單／雙面自對準光刻工藝完成。1 光刻工藝簡述電子信息技術日新月異，迅猛發(fā)展，究其原因是由于半導體工業(yè)集成電路設計和制造水平在不斷提升和發(fā)展，而制造半導體集成電路的核心和關鍵技術就是光刻工藝。光刻工藝技術本身也在不斷發(fā)展和更新。金屬板片光刻技術是交叉性的邊緣學科，是一種將圖形精確復制和刻蝕技術相結合的綜合性超精密加工工藝技術，該項技術將微電子領域的光刻技術與精密微機械加工技術相火箭推進 2010年1期2010-10-15
- 應用于微納光子器件的立體光刻研究進展
納光子器件的立體光刻研究進展吳 琦 梁艷明 周建英(中山大學光電材料與技術國家重點實驗室，廣東 廣州 510275)本文概述了光刻技術的廣泛應用并探討其今后的發(fā)展方向,分析比較了幾種常見立體光刻技術的優(yōu)缺點,重點介紹了全息光刻技術在制備光子晶體方面的應用，并總結了我們小組的研究成果。光刻;立體光刻;全息光刻;光子晶體1 引 言常規(guī)光刻技術是利用光學復制的方法把超小圖樣印到半導體薄片上或者介質層上來制作復雜電路的技術[1]。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所湖南科技學院學報 2010年4期2010-09-05
- EUV設備價格達1.2億美元
誰能支持EUV光刻？回答只有極少數(shù)幾家公司，因為設備的價格再次上升。VLSICEODanHutcheson回答，每臺1.25億美元。在報告中，一年之前VLSI的總裁Risto Puhakka曾預測，設備的價格未來要按pixel像素來計算，當時大家認為這是不可能的，但是現(xiàn)在EUV的價格己經幾乎得到證實。在2003年時，Intel支持EUV，希望每臺設備價格在2000萬美元。當時的目標是試圖用EUV來替代今日的193 nm浸入式光刻，如今己成泡影。由于研發(fā)成本電子工業(yè)專用設備 2010年11期2010-04-04
- 安靠公司向SUSSM icroTec采購多項設備
ec 300mm光刻設備在先進封裝市場的領先地位SUSSM icroTec公司長年致力于提供半導體行業(yè)及其相關市場的工藝和測試設備，已成為業(yè)界領軍者。該公司日前宣布，已從安靠公司獲得多種300mm光刻設備的后續(xù)訂單。安靠公司擁有世界領先的工業(yè)半導體封裝技術。本次設備采購訂單包括MA300 Gen2光刻機以及ACS300 Gen2晶圓片工藝生產機組。這些設備將用于晶圓片級封裝、焊料凸點光刻和三維一體化技術。在韓國光州安靠K4及臺灣新竹安靠T1工廠的設備安裝預電子工業(yè)專用設備 2010年4期2010-04-03
- 3D互連中光刻與晶圓級鍵合技術面臨的挑戰(zhàn)，趨勢及解決方案
SA)3D互連中光刻與晶圓級鍵合技術面臨的挑戰(zhàn)，趨勢及解決方案Margarete Zoberbier1,Erw in Hell2,Kathy Cook3,Marc Hennemayer1,Dr.-Ing.Barbara Neubert1(1.SUSS MicroTec Lithography GmbH,85276 Garching,Schleissheimerstr.90,Germany;2.SUSS MicroTec Shanghai Co.,Ltd.R電子工業(yè)專用設備 2010年10期2010-01-26
- “龍”嗥蒼字天地變
從原來的65nm光刻提升到45nm沉浸光刻，同時大幅增加L3 Cache的大小，得益于生產工藝的進步，現(xiàn)在羿龍?zhí)幚砥鹘K于可以站上3，0GHz的高臺，而在此之前頻率—直是英特爾用來壓制AMD的重要手段。與此同時AMD的芯片組已經在市場上站穩(wěn)了腳跟并積累了不小的人氣，再加上Radeon HD 4800系列的口碑相當不錯，所以在龍平臺正式“揭牌”之前就受到廣大用戶的高度關注。微型計算機 2009年3期2009-01-22
- 太赫茲超材料仿真設計與制備研究