付 唯
(成都大學 機械工程學院,四川 成都 610106)
螺旋波屬于哨聲波系列。當螺旋波在等離子體中傳播時,能使大面積的電子得到加熱。目前,國內(nèi)外的研究表明,螺旋波驅(qū)動等離子體是一種比較適合稀薄氣體電離的高效放電方式。Boswell[1]實現(xiàn)了接近100%的氣體電離效率,隨后,很多國內(nèi)外學者對其高電離效率的物理機制進行了探究,但其超高電離效率的產(chǎn)生機制至今仍不明確,在低氣壓下放電存在模式轉(zhuǎn)換和密度不穩(wěn)定現(xiàn)象。螺旋波等離子體由于電離效率高、磁場約束小等優(yōu)勢,已經(jīng)受到人們關(guān)注,且應用領(lǐng)域較為廣泛,如在材料領(lǐng)域進行刻蝕,再如航空航天領(lǐng)域的等離子體推力器等。隨著科研人員對螺旋波等離子體產(chǎn)生機制的不斷探究和特性研究,其應用領(lǐng)域變得更加廣泛,價值潛力越來越大。
螺旋波等離子體源由磁場、射頻天線、放電腔室構(gòu)成,具有1018~1020m-3的電子密度,但目前對螺旋波產(chǎn)生的高密度等離子體的物理機理、螺旋波能量耦合到等離子體中的物理方式始終沒有給出確切的解釋[2]。最早Boswell提出螺旋波等離子體的能量吸收機制為朗道阻尼,是波與熱電子間的相互碰撞[3]。但后來F.F.Chen發(fā)現(xiàn),當使用大放電腔室或天線長度大于半波長時,朗道阻尼機制受到限制。隨著螺旋波等離子體的研究與發(fā)展,發(fā)現(xiàn)了一種表面帶有靜電性質(zhì)的波(Trivelpiece-Gould,TG),認為螺旋波等離子體能量沉積是通過兩種渠道,即TG波和螺旋波共同作用。TG波和螺旋波在磁場中的阻尼不同。在高磁場中,TG波徑向傳播受阻,無法到達等離子體中心。因此,TG波的能量在表面沉積,而螺旋波的能量在等離子體中心沉積,當磁場較低時,TG波的傳播被阻止[3-4]。
螺旋波等離子體的激勵需要轉(zhuǎn)換兩種放電模式,即電容耦合(Capacitively Coupled Plasma,CCP)模式、電感耦合(Inductively Coupled Plasma,ICP)模式。在CCP模式下,主要是靜電場維持等離子體能量沉積,加大射頻功率后,感生電磁場占據(jù)主導作用,電磁波在等離子體內(nèi)部傳播或者沿等離子體表面?zhèn)鞑?,最終被等離子體吸收,使電子密度和電離度得到提高,繼續(xù)增大射頻功率,螺旋波和TG波能量耦合增強,使電子密度和電離度繼續(xù)增大[5]。
螺旋波模式是由與磁場B0成同一角度傳播的多種低頻哨聲波疊加而成的,色散關(guān)系式:
式中:k和kz分別是波矢的徑向和軸向分量,e為電子電荷量,n0為電子密度,B0為磁場強度,μ0為真空磁導率。
對于絕緣介質(zhì)為邊界、R為半徑的放電管中產(chǎn)生的m=1(m為方位角模數(shù))螺旋波[徑向電流密度Jr(R)=0或螺旋波角向電場Eθ(R)=0],以下關(guān)系成立[6]:
式中:Jm為m階第一類貝塞爾函數(shù),J′m代表貝塞爾函數(shù)的導數(shù),m為不同方位角模式。再根據(jù)色散關(guān)系(1)對于m=1的天線得到:
式中:Ra為等離子體半徑,由(3)式得出螺旋波的電子密度和磁場強度成正比,這也是螺旋波等離子體的判斷依據(jù)[7]。
相較于傳統(tǒng)的ICP模式的等離子體和CCP模式的等離子體,螺旋波等離子體具有無電極、高密度、高電離度等優(yōu)點。其中,高密度和高電離度等特性受氣體壓強、磁場強度、天線種類影響。
Sharma等[7]搭建了螺旋波等離子體源,研究氣壓對Ar螺旋波等離子體電子密度、電子溫度的影響。搭建的等離子體源由6個7 mm×7 mm的電磁鐵構(gòu)成;放電室為直徑 10.0 cm、長60.0 cm、厚0.5 cm的硼硅酸鹽玻璃;天線為 18 cm長的螺旋天線。他們利用13.56 MHz的射頻電源激勵不同氣壓下的Ar螺旋波等離子體,利用雙探針測量等離子體密度,數(shù)據(jù)表明,到達螺旋波模式后,電子密度在1018m-3左右,并得出結(jié)論:在一定范圍內(nèi),螺旋波等離子體密度會隨著氣壓的增強而增大;壓強越大,到達螺旋波模式的功率閾值越小。
通過調(diào)節(jié)電磁鐵通電電流來改變磁場強度,探究磁場強度對等離子體特性的影響。Sharma等[7]通過調(diào)節(jié)電流,將磁場強度參數(shù)設為200、300、400、500 Gs。實驗結(jié)果表明,當磁場強度在一定范圍內(nèi),到達螺旋波模式后,磁場強度越高,電子密度越小,且到達螺旋波模式的功率閾值隨著磁場強度的增加而減小[7]。
激發(fā)螺旋波等離子體的天線模式分為3類:m=1、m=-1、m=0,m=1模式的天線功率耦合最佳,但原因尚不明確。其中,最具代表性和最常用的天線是螺旋天線和Boswell天線,中國科學院等離子體物理研究所的平蘭蘭等[4]利用HELIC程序,對螺旋波的耦合和功率沉積與天線類型的關(guān)系進行了數(shù)值模擬。螺旋天線在等離子體中心和邊緣處較NagoyaⅢ型、Boswell型天線有較高的徑向相對吸收功率,且NagoyaⅢ型天線和Boswell型天線在等離子體中的耦合效果差不多。沿軸向的相對吸收功率更能明顯地看出,功率耦合效果最佳為螺旋天線,耦合效果最差為Boswell型天線,通過實驗證明,螺旋天線是激發(fā)高密度螺旋波等離子體的最佳天線。
目前,國內(nèi)對螺旋波等離子體的研究大多以氬氣為工質(zhì)氣體,而對于復雜工質(zhì)氣體成分,國內(nèi)主要在材料處理或其他方面進行了少量的螺旋波放電實驗。某學者利用螺旋波等離子體進行了碳膜沉積,讓氬氣和甲烷按照不同比例混合后,激發(fā)螺旋波等離子體制備碳膜。用掃描電鏡觀察碳膜,當甲烷流量為5 sccm和氬氣流量為50 sccm時,表面稀疏且顆粒狀明顯;當甲烷流量為25、45 sccm時,表面致密嚴實(氬氣流量為50 sccm)。當甲烷流量增加到65 sccm時,表面形貌再一次發(fā)生改變,由致密結(jié)構(gòu)變?yōu)榧毿≈旅芙Y(jié)構(gòu),并可觀察到微孔結(jié)構(gòu)。當甲烷流量在85、105、125、145 sccm時,表面形貌基本保持一致,呈多孔網(wǎng)絡結(jié)構(gòu),垂直于基片生長,葉子形態(tài)??刂萍淄榱髁靠梢詫崿F(xiàn)多種碳膜的制備,如垂直石墨烯[8]。
由于螺旋波等離子體源具有無電極、高電離的優(yōu)點,可以利用大氣經(jīng)過收集、加速、電離,大大減少衛(wèi)星攜帶的推進劑、延長航天器在軌運行壽命。北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所丁亮等[9]對超低軌吸氣式螺旋波電推進進行了仿真模擬。以原子氧為工質(zhì),通過13.56 MHz射頻加熱,進而通過磁噴口完成推力輸出全流程模擬。據(jù)仿真分析,電磁輻照的功率沉積量較低,但沉積功率的密度較高,當射頻功率為2 000 W時,達到了最大值105 W/m3。
目前,關(guān)于螺旋波等離子體的準確激勵機制尚不明確,TG波和螺旋波相互耦合激發(fā)螺旋波等離子體的機制是人們普遍接受的,但仍然存在缺陷。對螺旋波等離子體產(chǎn)生機制的持續(xù)研究,對其應用和性能優(yōu)化具有非常重要的影響。
隨著世界人口增長和經(jīng)濟持續(xù)發(fā)展,能源短缺問題變得越來越嚴峻,世界各國都在努力尋找煤、石油、天然氣等化石能源的替代能源,核能作為一種可以大規(guī)模開發(fā)利用的新能源,成為各國解決能源問題的重要手段。核聚變發(fā)生對溫度要求特別高,一般的加熱手段無法滿足聚變堆需求。中性束注入是受控核聚變堆芯等離子體的有效加熱方式之一,但高能離子束的中性化效率偏低,能量損失嚴重,難以滿足未來的聚變堆需求。中性束可通過正離子源和負離子源產(chǎn)生,但正離子源產(chǎn)生中性束的效率會隨著束流能量的升高而降低,而負離子源即使能量達到MeⅤ量級,中性化效率仍然不高,而中性化效率與等離子體密度有密切關(guān)系。等離子體密度越高,中性化效率越高。因此,螺旋波等離子體在核聚變中具有巨大潛力。