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      合成原料對MoS2/Mo2C/S-g-C3N4催化性能的影響

      2021-12-12 10:09:55褚國梁邱靈芳多樹旺
      科技信息·學(xué)術(shù)版 2021年32期
      關(guān)鍵詞:氮源光催化

      褚國梁 邱靈芳 多樹旺

      摘要:本文討論了合成原料對碳化MoS2(MoS2/Mo2C)/摻硫g-C3N4(S-g-C3N4)性質(zhì)和性能的影響。在篩選出的優(yōu)化條件下,硫脲和尿素分別作為硫源和氮源制備了出摻硫-g-C3N4,并將其與MoS2/Mo2C通過高溫熱縮聚反應(yīng)復(fù)合,成功制備了MoS2/Mo2C/S-g-C3N4異質(zhì)結(jié)光催化劑?;赬RD、FT-IR、DRS和PL進行表征,分析了S-g-C3N4,MoS2/Mo2C/S-g-C3N4的晶相和光學(xué)性質(zhì),研究了MoS2/Mo2C對S-g-C3N4材料性能和光催化性能的影響,并進行了RhB染料降解實驗。最優(yōu)化 MoS2/Mo2C/S-g-C3N4(質(zhì)量比為 2.0%)在波長800 nm處仍顯示出較強的可見光吸收,其對羅丹明B的降解率為 83.4%。與MoS2/Mo2C的復(fù)合提高了S-g-C3N4光生載流子的分離效率,有效提高了S-g-C3N4的光催化活性。

      關(guān)鍵詞:氮源;g-C3N4;異質(zhì)結(jié);光催化

      1 引言

      隨著社會的飛速發(fā)展和工業(yè)化進程的加快,中國乃至全球的能源和環(huán)境問題日益突出。如何高效、環(huán)保地處理染料廢水成為研究的重點。光催化作為降解水污染的重要途徑之一,具有運行簡單、能耗低、無二次污染[1,2]等優(yōu)點。光催化劑作為光催化的核心部分影響深遠,尤其是能夠?qū)梢姽庾鞒鲇行ы憫?yīng)的光催化劑更是備受關(guān)注。

      石墨相氮化碳(g-C3N4)作為一種新型的無金屬光催化劑,具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,和獨特的電子結(jié)構(gòu)。帶隙寬度約為2.7eV[3]。它顯示出良好的可見光響應(yīng)并具有與水分解相匹配的能級位置,這使得 g-C3N4 作為光催化劑具有很大的優(yōu)勢。但是g-C3N4光生載流子復(fù)合率高的缺點限制了g-C3N4的實際應(yīng)用。研究者們通過摻雜元素和構(gòu)建異質(zhì)結(jié)來改善這些問題。

      通過摻雜過渡金屬形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以拓寬光催化劑帶隙以增加異質(zhì)結(jié)的光響應(yīng)范圍,使光催化劑表現(xiàn)出更好的光催化活性。據(jù)報道過渡金屬Cr3+、Mn3+、Fe3+、Co2+、Ni2+和Cu2+被引入到傳統(tǒng)的光催化劑TiO2結(jié)構(gòu)中,光吸收邊緣紅移至450nm,這使得TiO2的光學(xué)性能得到極大提升[4]。2010年,程惠明教授等人制備了S摻雜的g-C3N4,優(yōu)化了催化劑的電子結(jié)構(gòu),價帶的負移增強了光生空穴的氧化能力[5]。摻硫g-C3N4獨特的電子結(jié)構(gòu)增加了帶隙寬度,最小導(dǎo)帶和析光度略有下降。S-g-C3N4 在λ>400nm處經(jīng)歷苯酚的完全氧化,S均勻地被晶格取代,并伴隨著量子限制效應(yīng)的發(fā)生,這被認為是構(gòu)成這種獨特電子結(jié)構(gòu)的原因,這也是S-g-C3N4 [6]具有優(yōu)異光反應(yīng)性的原因。我們以硫脲(CH4N2S)為硫源,三聚氰胺(C2H4N4)、雙氰胺(C3H6N6)、尿素(CH4N2O)為氮源,采用熱聚法制備了S-g-C3N4。將表征優(yōu)化后的S-g-C3N4與不同含量的具有金屬性質(zhì)的碳化MoS2(MoS2/Mo2C)半導(dǎo)體復(fù)合,通過XRD、PL、DRS 和 FT-IR 等表征方式對 MoS2/Mo2C/S-g-C3N4進行性質(zhì)分析,并通過降解RhB染料來評價MoS2/Mo2C/S-g-C3N4的光催化活性。

      2 實驗部分

      S-g-C3N4的合成:本實驗以CH4N2S為硫源,以C2H4N4、C3H6N6和CH4N2O為氮源制備S-g-C3N4[7]。稱取0.5g CH4N2S和2g C3H6N6,充分研磨均勻,倒入坩堝中。用錫紙蓋住坩堝頂部并扎好,蓋上坩堝蓋,將坩堝放入馬弗爐中。以2°C/min的加熱和冷卻速度煅燒4h至550°C。接著分別用等量的C2H4N4和CH4N2O代替C3H6N6,同樣按照上述步驟進行煅燒。另外,制備純相g-C3N4和S-g-C3N4作對比。

      MoS2/Mo2C/S-g-C3N4的合成:稱取優(yōu)化的0.25 g S-g-C3N4并將其溶解在20 mL乙醇中。分別取2.5 mg、3.75 mg、5 mg 和 6.25 mg MoS2/Mo2C,分散在乙醇溶液中,超聲處理1小時。然后在磁力攪拌下,將上述MoS2/Mo2C乙醇溶液滴加到S-g-C3N4溶液中,攪拌1小時,超聲2小時。在烘箱中90°C加熱5小時以蒸發(fā)乙醇。將上述樣品充分研磨后,在高純N2(99.999%)氣氛中300℃處理2小時,產(chǎn)物分別記為MoS2/Mo2C/S-g-C3N4-1.0%、MoS2/Mo2C/S-g-C3N4-1.5%、MoS2/Mo2C/S-g-C3N4-2.0%、MoS2/Mo2C/S-g-C3N4-2.5%。

      表征:所有樣品均采用X射線衍射儀(XRD,Shimadzu XRD-6100,日本)進行晶相確認,F(xiàn)T-IR進行化學(xué)成分分析(Spectrometer PerkinElmer Spectrum Two,USA),紫外漫反射光譜(DRS,λ 750,中國)用于分析可見光響應(yīng)能力和光致發(fā)光(PL,Zolix LSP-X500A,中國),用于評估光生載流子的復(fù)合率。

      光催化實驗:降解RhB(10mg/L)的光催化實驗在光學(xué)反應(yīng)裝置中進行。將50 mg 的樣品添加到含有50 mL 初始 RhB 溶液的專用石英管中。等待物理吸附平衡后,取第一次樣品(4mL),并將RhB溶液的濃度標記為C0。然后打開氙燈 (l> 420 nm) 以提供可見光照明。每間隔20 分鐘取樣一次,將相應(yīng)的 RhB 濃度標記為C。

      3 結(jié)果和討論

      圖 1 顯示了所制備樣品的 XRD 結(jié)果。我們分別用C3H6N6、CH4N2O和C2H4N4制備的g-C3N4單相都與PDF卡(JCPDS 87-1526)相匹配。g-C3N4典型的特征峰分別位于 2θ = 13.1°和 27.4°,兩個特征峰分別對應(yīng)于(100)晶面和(002)晶面[8,9]。這兩個特征峰歸因于3-s-三嗪環(huán)結(jié)構(gòu)單元的面內(nèi)結(jié)構(gòu)堆疊和石墨氮化碳芳族體系特征層的堆積[10]。以三種原料制備的g-C3N4測得的XRD曲線均沒有其他雜峰,說明制備的樣品為純相。以C2H4N4為原料制備的純相g-C3N4峰位較高說明以C2H4N4為原料制備的純相g-C3N4具有較高的結(jié)晶度。如圖我們可以看到制備得到的所有S-g-C3N4的特征峰的位置都與g-C3N4的特征峰位置一致,并沒有發(fā)生偏移,但峰寬略寬,說明S摻雜后的S-g-C3N4會保留g-C3N4的原始晶體結(jié)構(gòu)不會使之發(fā)生改變,但同時會產(chǎn)生一定量缺陷。使用CH4N2O制備的g-C3N4的峰值在摻雜S后得到增強,說明摻雜S會使g-C3N4 的結(jié)晶度得到提高。

      圖2顯示了制備樣品經(jīng)325nm波長激光照射后生成的PL光譜圖。光生載流子復(fù)合率可以通過PL光譜的輻射峰強度來判斷。相較于不摻硫的g-C3N4,摻雜硫后g-C3N4的PL輻射峰明顯降低,這表明摻S能夠明顯的降低光生載流子的復(fù)合,其中由硫脲和尿素共同制備的S-g-C3N4激發(fā)峰最低,光生載流子復(fù)合率再次下降,這也將極大促進樣品的光催化性能,所以我們選擇用硫脲和尿素制備的S-g-C3N4與MoS2 /Mo2C進行復(fù)合。

      如圖3所示為不同復(fù)合比例的MoS2/Mo2C/S-g-C3N4異質(zhì)結(jié)的XRD譜圖。從圖中可以看出,產(chǎn)物在2θ=13.0°和27.4°有明顯的特征峰,沒有其他雜質(zhì)峰,說明沒有其他雜質(zhì)帶入。隨著MoS2/Mo2C的摻量增加,復(fù)合樣品中MoS2主峰逐漸明顯。

      復(fù)合材料的FT-IR曲線如圖4所示。摻雜不同MoS2/Mo2C含量的MoS2/Mo2C/S-g-C3N4復(fù)合材料,在814cm-1處出現(xiàn)一個尖峰,這是由于g-C3N4的三嗪單元的振動吸收所致。在1700-1200cm-1處的峰值,代表石墨相氮化碳的C=N和C-N拉伸振動模式[11]。3000-3600cm-1區(qū)間的寬峰是由-NH基團的伸縮振動引起的[12],隨著MoS2/Mo2C含量的增加,這個區(qū)域的寬峰逐漸增強。添加MoS2/Mo2C后復(fù)合材料的FT-IR曲線與典型的g-C3N4沒有明顯差異,這表明MoS2/Mo2C的復(fù)合并沒有改變g-C3N4的結(jié)構(gòu)。

      圖5為不同復(fù)合比例的MoS2/Mo2C/S-g-C3N4復(fù)合樣品的紫外可見漫反射(DRS)光譜譜圖。與單相S-g-C3N4相比,MoS2/Mo2C/S-g-C3N4復(fù)合樣品在437 nm后明顯拓寬了可見光吸收范圍,可見光吸收邊緣紅移延伸至800 nm處。尤其是MoS2/Mo2C/S-g-C3N4-2.0%復(fù)合樣品的可見光響應(yīng)能力得到了提升。

      不同復(fù)合比例的MoS2/Mo2C/S-g-C3N4復(fù)合樣品的光致發(fā)光(PL)譜圖如圖6所示。顯然,與S-g-C3N4相比,MoS2/Mo2C/S-g-C3N4復(fù)合樣品的輻射峰有所降低,說明復(fù)合樣品的光生載流子復(fù)合率顯著降低,并且隨著 MoS2/Mo2C含量的逐漸增加,MoS2/Mo2C/S-g-C3N4復(fù)合樣品的光生電子空穴復(fù)合率降低得越多。其中MoS2/Mo2C/S-g-C3N4-2.0%對光生電子-空穴分離作用最強,這將大大提高樣品的光催化活性。

      如圖7所示,原始RhB染料在可見光照射下幾乎沒有光降解性能,而不同的光催化劑表現(xiàn)出不同程度的光催化活性。S-g-C3N4的降解效率為65%,遠高于純相g-C3N4。當摻雜MoS2/Mo2C后復(fù)合樣品降解效率隨著MoS2/Mo2C含量的增加而逐漸增加,特別是MoS2/Mo2C含量為2.0%時,MoS2/Mo2C/S-g-C3N4的降解效率為83.4%,比S-g-C3N4高18.4%。

      4 結(jié)論

      通過優(yōu)化實驗得到以硫脲為硫源、尿素為氮源共同制備的S-g-C3N4現(xiàn)出最優(yōu)的光催化性能。當MoS2/Mo2C與S-g-C3N4的質(zhì)量比為2.0%時,MoS2/Mo2C/S-g-C3N4復(fù)合物表現(xiàn)出最好的光催化性能,降解RhB染料的效率為83.4%,比S-g-C3N4高18.4%。該工作可為具有更高光催化性能的g-C3N4基異質(zhì)結(jié)設(shè)計提供了參考。

      參考文獻

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