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      小檗堿和9-O取代衍生物紫外光譜及構(gòu)效研究

      2021-12-27 09:13:08李會吉孫海杰張麗麗
      原子與分子物理學報 2021年6期
      關鍵詞:溴代電荷轉(zhuǎn)移乙?;?/a>

      李會吉, 孫海杰, 張麗麗, 栗 婧

      (1.鄭州師范學院 化學化工學院, 鄭州 450044; 2. 湖南大學 分子科學與生物醫(yī)學實驗室, 長沙 410082)

      1 引 言

      小檗堿是黃連根莖中所含的一種生物堿,主要存在于小檗屬與黃連屬植物中,如小檗、水芹、黃連等[1,2]. 它不僅具有清熱燥濕,瀉火解毒的功效,還可用于治療糖尿病、腹瀉、激素紊亂、冠心病、肥胖或高脂血癥等多種疾病[3,4]. 小檗堿能夠選擇性地抑制腫瘤細胞生長,誘導細胞凋亡,且對正常細胞的細胞毒性作用較小[5,6],但其吸收性較差、活性不高,阻礙了其充分的抗腫瘤治療潛力[7,8]. 從而出現(xiàn)小檗堿的各種結(jié)構(gòu)修飾與藥理活性改善[9-12]. 小檗堿C8 、C9、C10和C13位取代衍生物來改善其藥效,如改善誘導凋亡活性,抗癌作用,提高其生物活性等方面[3]. C9上親脂基取代的小檗堿衍生物,增強其降血糖活性,用于治療糖尿病[11]. 9-O-烷基修飾的小檗堿類衍生物,烷基鏈越長,體外抗腫瘤效果越好[8].

      Viktor等人[6]新合成了9-O-取代的小檗堿衍生物(如圖1),在G2/M和S期阻滯HL-60白血病細胞,其中藥效最好的9-O-(3-溴代丙基)溴化小檗堿(B3)具有較強的抗增殖活性,在IC50值是0.7 μM時是小檗堿的30倍,且HL-60白血病細胞的誘導凋亡活性是小檗堿的6倍. 無論是在生物利用度,還是脂溶性增加方面都有所提高. 紫外/可見吸收光譜實驗發(fā)現(xiàn)小檗堿衍生物B3紫外光譜與小檗堿(B0)相似,其特征吸收峰都在348 nm和421 nm處,而9-O-(2-氯代乙酰基)氯化小檗堿(B1)和9-O-(2-溴代乙?;?溴化小檗堿(B2)發(fā)生紅移. 其推測是共軛延長. 而小檗堿與環(huán)丙沙星的結(jié)合生成的衍生物(B4)的吸收峰只提到向可見光譜區(qū)域擴大. 可見,小檗堿及其9-O-取代衍生物B1、B2、B3和B4的紫外光譜特征與它們微觀結(jié)構(gòu)的關系仍需詳細探究. 因此,采用量子化學方法先優(yōu)化了小檗堿及其9-O-取代衍生物B1、B2、B3和B4的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),利用空穴-電子分析方法探究小檗堿及其衍生物紫外光譜電子激發(fā)特征,討論與微觀結(jié)構(gòu)的關系,為小檗堿的結(jié)構(gòu)修飾與藥理活性改善提供理論依據(jù).

      2 計算和分析方法

      利用Gaussian 09軟件,采用密度泛函理論(DFT)中的PBE1PBE/6-311+G(d,p)方法,基于可極化連續(xù)介質(zhì)模型(PCM)優(yōu)化水溶劑中小檗堿及9-O-取代的小檗堿衍生物B1、B2、B3和B4的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),且無虛頻. 然后采用TD-DFT理論計算小檗堿及其9-O-取代衍生物B1、B2、B3和B4的理論紫外光譜. 利用Multiwfn波函數(shù)軟件中空穴-電子分析方法全面考察電子激發(fā)特征[12].

      3 結(jié)果與討論

      3.1 小檗堿紫外光譜及分析

      小檗堿的理論紫外光譜圖(圖2)中有243 nm、344 nm和416 nm三個吸收峰,與紫外光譜實驗中小檗堿的吸收峰位置一致[6]. 利用空穴-電子分析方法分析小檗堿電子激發(fā)特征如圖3及相關數(shù)據(jù)見表1. 圖中藍色區(qū)域代表“空穴”,綠色區(qū)域代表“電子”,電子從藍色區(qū)域激發(fā)到綠色區(qū)域. 小檗堿在243 nm處的吸收峰,S0→S14激發(fā)的貢獻是47.7 %,S0→S16激發(fā)的貢獻是34.0 %. 兩者的貢獻接近,將S0→S14和S0→S16激發(fā)都進行討論. 兩種激發(fā)的D值都小于C-C的鍵長,Sr接近1,t指數(shù)為負值,那么空穴和電子區(qū)域沒有明顯分離,如圖3中. 兩種激發(fā)由a和b環(huán)向b環(huán)、d環(huán)向c和d環(huán)的π→π*局域激發(fā),以及9-O處氧的孤對電子向c和d環(huán)的n→π*局域激發(fā).

      對于344 nm處的吸收峰,主要貢獻來自S0→S2激發(fā)(63.6 %). 結(jié)合表1中數(shù)據(jù)和圖3中空穴和電子分布圖,可知該處的吸收峰歸因于a、b環(huán)向b、c環(huán)的π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā). 小檗堿在416 nm處的吸收峰,主要貢獻來自S0→S1激發(fā)(52.9 %).D值達3.2 ?,且t值為正值,表明空穴和電子分離較為明顯,歸為電荷轉(zhuǎn)移激發(fā),電子被激發(fā)后分布區(qū)域發(fā)生了明顯轉(zhuǎn)移,即416 nm處的吸收峰主要是由a、b環(huán)到c、d環(huán)的π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā). 可見,小檗堿B0的a、b環(huán)及9-O處的氧是供電子體;c環(huán)是電子受體,尤其N處.

      圖2 小檗堿紫外光譜Fig. 2 UV spectrum of berberine

      表1 小檗堿空穴-電子分布參數(shù)

      3.2 9-O取代小檗堿衍生物B1和B2紫外光譜及分析

      9-O處2-氯代乙?;?-溴代乙酰基取代衍生物B1和B2的理論紫外光譜如圖4,空穴-電子分析電子激發(fā)特征如圖5及相關數(shù)據(jù)見表2. 小檗堿衍生物B1和B2在253 nm和255 nm處的吸收峰,S0→S13激發(fā)的貢獻分別是75.9 %和79.2 %. 對于兩者的S0→S13激發(fā),小檗堿衍生物B1與B2非常相似,D值小于C-C鍵長,屬于局域激發(fā),Sr指數(shù)都為0.85(上限值為1.0),結(jié)合圖5小檗堿衍生物B1和B2 的空穴-電子分布圖,環(huán)上電子和空穴分布的重合度高,屬于π→π*局域激發(fā),而不存在9-O處氧的孤對電子與d環(huán)方向上的n→π*局域激發(fā),從而導致與小檗堿此處吸收峰相比,紅移了10 nm. 也就是說,相對于小檗堿,發(fā)生紅移的原因是B1和B2只有π→π*局域激發(fā),而小檗堿既有π→π*局域激發(fā)和n→π*局域激發(fā),并不是Viktor 等人[6]所預測的共軛體系的延長.

      表2 9-O取代小檗堿衍生物B1和B2的空穴-電子分布參數(shù)

      小檗堿衍生物B1在343 nm處的吸收峰,S0→S2激發(fā)的貢獻是83.7 %. 小檗堿衍生物B2在344 nm處的吸收峰,S0→S5激發(fā)的貢獻是82.7 %. 兩個激發(fā)的D值都為2.0 ?,且Sr值都較大,t值為負值,說明空穴和電子分散不太明顯,明顯可以認為兩者都可能是電荷轉(zhuǎn)移激發(fā),結(jié)合圖5中的B1(S0→S2)及B2(S0→S5)的空穴-電子分布,344 nm處的吸收峰歸因于由a、b環(huán)到b、c環(huán)的π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā). 與B0在344 nm處的一致.

      小檗堿衍生物B1在426 nm處吸收峰,S0→S1激發(fā)的貢獻是65.7 %. 小檗堿衍生物B2在428 nm處的吸收峰,S0→S1激發(fā)的貢獻是64.0 %.D值約為3.6 ?,t值均為正值,表明空穴區(qū)域和電子區(qū)域分離較為明顯,那么歸為電荷轉(zhuǎn)移激發(fā),結(jié)合圖5可知是由a、b環(huán)到c、d環(huán)的π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā),形成離域π鍵. 相對于B0,因9-O處吸電子基團(2-氯代乙?;?-溴代乙?;?引入導致發(fā)生了明顯的紅移. 同時,B1和B2的a、b環(huán)是供電子體,而9-O處的氧不再是供電子體;c環(huán)是電子受體,尤其N處.

      圖3 小檗堿空穴-電子分布圖 (isovalue=0.002)Fig. 3 The hole-electron distribution of berberine (isovalue=0.002)

      圖4 9-O取代小檗堿衍生物B1和B2紫外光譜Fig.4 UV spectra of 9-O-substituted berberine derivatives B1 and B2

      圖5 9-O取代小檗堿衍生物B1和B2的空穴-電子分布圖(isovalue=0.002)Fig. 5 The hole-electron distributions of 9-O-substituted berberine derivatives B1 and B2 (isovalue=0.002)

      3.3 9-O取代小檗堿衍生物B3紫外光譜及分析

      9-O處3-溴代丙基取代的衍生物B3理論紫外光譜如圖6,有246 nm、344 nm、417 nm三處吸收峰,與B0三處的吸收峰位置完全一致,且與Viktor等人[6]紫外實驗數(shù)據(jù)一致. 可見,9-O處3-溴代丙基取代未導致峰的遷移,且在417 nm處的峰強度增強. 由圖7的空穴-電子分布圖和表3的數(shù)據(jù)可知,同樣地,246 nm處吸收峰也是由π→π*局域激發(fā)和n→π*局域激發(fā)引起,344 nm處的吸收峰由a、b環(huán)到b、c環(huán)的π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā),417 nm處的吸收峰由a、b環(huán)到c、d環(huán)方向上發(fā)生π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā).與小檗堿B0類似,a、b環(huán)及9-O處的氧是供電子體;c環(huán)是電子受體,尤其N處. 所以,解釋了Viktor 等人的實驗[6]中9-O處3-溴代丙基取代時小檗堿藥性增強的原因.

      圖6 9-O取代小檗堿衍生物B3的紫外光譜Fig.6 UV spectrum of 9-O-substituted berberine derivative B3

      圖7 9-O取代小檗堿衍生物B3的空穴-電子分布圖(isovalue=0.002)Fig. 7 The hole-electron distribution of 9-O-substituted berberine derivative B3 (isovalue=0.002)

      表3 9-O取代小檗堿衍生物B3的空穴-電子分布結(jié)構(gòu)參數(shù)

      圖8 9-O取代小檗堿衍生物B4紫外光譜Fig.8 UV spectrum of 9-O-substituted berberine derivative B4

      圖9 9-O取代小檗堿衍生物B4的空穴-電子分布圖(isovalue=0.002)Fig. 9 The hole-electron distribution of 9-O-substituted berberine derivative B4 (isovalue=0.002)

      3.4 9-O取代小檗堿衍生物B4紫外光譜及分析

      小檗堿與環(huán)丙沙星結(jié)合的小檗堿衍生物B4的理論紫外光譜如圖8,三個吸收峰位于284 nm、344 nm、433 nm. 由圖9的空穴-電子圖和表4的相關數(shù)據(jù)可知,284 nm處的吸收峰,S0→S19激發(fā)的貢獻是60.4 %. 該激發(fā)的D值高達5.49 ?,屬于電荷轉(zhuǎn)移激發(fā). 空穴區(qū)域主要位于小檗堿母體上,即a、b、c、d環(huán)區(qū)域,而電子區(qū)域完全出現(xiàn)9-O處環(huán)丙沙星取代基上. 可見,B4的S0→S19電子激發(fā)是由a、b、c、d環(huán)到取代基方向上的π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā),形成了大的離域π鍵,不同與小檗堿,紅移約40 nm.

      表4 9-O取代小檗堿衍生物B4的空穴-電子分布參數(shù)

      小檗堿衍生物B4在340 nm處的吸收峰,S0→S5激發(fā)的貢獻是69.8 %. 對于S0→S5激發(fā),也是主要由于a、b環(huán)到b、c環(huán)的π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā). 9-O處環(huán)丙沙星的取代只導致相對于B0發(fā)生了4 nm的藍移. 433 nm處的吸收峰,S0→S1激發(fā)的貢獻是72.1 %.D值為2.85 ?,且t值為正值,表明空穴和電子分離較為明顯,可認為是由a、b環(huán)到c、d環(huán)方向上發(fā)生π→π*電荷轉(zhuǎn)移激發(fā),仍屬于小檗堿母體中離域π鍵,環(huán)丙沙星和小檗堿母體形成的大離域π鍵與此處峰無關. 相對于B0,因9-O處引入環(huán)丙沙星的引入導致紅移17 nm. 那么,B4的小檗堿母體是供電子體,環(huán)丙沙星中共軛環(huán)是電子受體,且削弱了c環(huán)的受電子能力.

      4 結(jié) 論

      在液相(水溶劑)中使用PBE1PBE /6-311+G(d,p)方法、含時密度泛函理論(TD-DFT)和Multiwfn波函數(shù)分析軟件中空穴-電子分析研究小檗堿及其9-O-小檗堿衍生物的紫外特征吸收峰,得到以下結(jié)論:理論紫外光譜與實驗紫外光譜數(shù)據(jù)吻合,小檗堿9-O處3-溴代丙基的取代不改變此處氧的供電子能力,與小檗堿具有相同的紫外特征,而2-氯代乙酰基、2-溴代乙?;?、環(huán)丙沙星的取代導致9-O處氧對小檗堿母體無供電子能力,從而紫外吸收峰紅移. 243 nm和416 nm處的兩個吸收峰可認為是與小檗堿藥性相關的特征吸收峰,a、b環(huán)及9-O處氧是小檗堿及其衍生物激發(fā)過程中供電子體,c環(huán)是電子受體,尤其N處.

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