實(shí)用新型專利申請文件修改是否超范圍的分析

呂佩

摘 要：在發(fā)明實(shí)質(zhì)審查過程中，申請人對申請文件的修改是否超范圍，或者分案申請的內(nèi)容是否超范圍，其判斷過程比較復(fù)雜，特別是在申請文件中增加公知常識的內(nèi)容，或者刪除申請文件中的某些技術(shù)特征，都難于判斷是否超范圍。文章通過兩個案例對上述情況進(jìn)行分析。

關(guān)鍵詞：超范圍;增加;刪除

中圖分類號：D923.4 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1674-1064（2021）11-119-03

DOI：10.12310/j.issn.1674-1064.2021.11.040

《中華人民共和國專利法》第三十三條規(guī)定，申請人可以對其專利申請文件進(jìn)行修改，但是，對發(fā)明和實(shí)用新型專利申請文件的修改不得超出原說明書和權(quán)利要求書記載的范圍[1]。《中華人民共和國專利法實(shí)施細(xì)則》第四十三條規(guī)定，分案申請的內(nèi)容不得超出原申請記載的范圍[1]。修改的基礎(chǔ)為原申請記載的范圍，而原申請記載的范圍包括原母案申請的說明書和權(quán)利要求書記載的范圍[2]。由此可見，判斷是否超范圍的標(biāo)準(zhǔn)與《中華人民共和國專利法》第三十三條中判斷超范圍的標(biāo)準(zhǔn)本質(zhì)上相同，也是確定是否超出原說明書和權(quán)利要求書文字記載的內(nèi)容以及說明書附圖直接地、毫無疑義確定的內(nèi)容。對于申請文件的修改或者分案申請的確定，主要包括技術(shù)特征的增加、刪除和改變，其中，技術(shù)特征的增加或刪除最為常見，而特征增加中涉及到公知常識的增加、特征刪除中涉及疊加關(guān)系是審查過程中的難點(diǎn)。

1 公知常識的增加

《專利審查指南（2010）》沒有對“直接地、毫無疑義地確定”的標(biāo)準(zhǔn)作出具體說明，是否可以增加從原申請文件直接地、毫無疑義地推斷出的公知常識，存在較大爭議。一般來說，對于公知常識的增加，主要包括兩點(diǎn)：增加的內(nèi)容僅涉及背景技術(shù)的增加，還是涉及發(fā)明本身;增加的內(nèi)容屬于公知常識，是否影響權(quán)利要求的保護(hù)范圍。如果增加的內(nèi)容屬于公知常識，但是該內(nèi)容寫進(jìn)說明書，在解讀權(quán)利要求會優(yōu)先考慮說明書記載的內(nèi)容。也就是說，將公知常識增加到說明書中，無論是增加到背景技術(shù)部分還是技術(shù)方案部分，只要涉及權(quán)利要求保護(hù)的技術(shù)方案，將與記載在申請文件之外的公知常識具有不同的作用，那么原申請文件中增加的公知常識屬于超范圍。如果增加公知常識后的技術(shù)方案沒有發(fā)生改變，那么原申請文件中增加的公知常識不超范圍。

2 案例一

某案涉及一種像素電路，在復(fù)審階段，申請人將原權(quán)利要求書和說明書中驅(qū)動晶體管的“源極”統(tǒng)一修改為驅(qū)動晶體管的“漏極”、驅(qū)動晶體管的“漏極”統(tǒng)一修改為驅(qū)動晶體管的“源極”，并將說明書中“第二電平信號端Ref2通過驅(qū)動晶體管DTFT的源極對驅(qū)動晶體管DTFT的漏極充電，直至驅(qū)動晶體管的漏極電位為Vref2-Vth為止”、“根據(jù)電容電量守恒原理，驅(qū)動晶體管DTFT的漏極電位對應(yīng)跳變?yōu)閂ref2-Vth+Vdata-V0”，修改為“第二電平信號端Ref2通過驅(qū)動晶體管DTFT的漏極對驅(qū)動晶體管DTFT的源極充電，直至驅(qū)動晶體管的源極的電位為V0-Vth為止”、“根據(jù)電容電量守恒原理，驅(qū)動晶體管DTFT的源極的電位對應(yīng)跳變?yōu)閂0-Vth+a（Vdata-V0）。其中，，COLED為發(fā)光器件D1自身電容，C為電容C的電容”。

申請人認(rèn)為，技術(shù)人員公知的驅(qū)動晶體管的源極和漏極通常通過電流的流向確定，且驅(qū)動晶體管在不同階段中電流的流向是可以發(fā)生變化的，使得驅(qū)動晶體管的源極與漏極在不同階段可以互換，技術(shù)人員對驅(qū)動晶體管的源極與漏極的描述方式僅為了描述清楚驅(qū)動晶體管的具體連接關(guān)系，并不用于具體限定驅(qū)動晶體管中哪個為源極、哪個為漏極。

在本申請?jiān)f明書中包括驅(qū)動晶體管為N型晶體管時，由于其驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流是由第一電平信號端流向發(fā)光器件陽極，技術(shù)人員可以直接地、毫無疑義地確定N型驅(qū)動晶體管的源極與發(fā)光器件的陽極連接。OLED具有自身電容是公知常識，雖然在原始申請文件的說明書中未明確給出發(fā)光器件自身電容的描述，但由于發(fā)光器件的自身電容是固有屬性，是隱含公開的特征。當(dāng)電容一端跳變且另一端處于浮接狀態(tài)時，該電容另一端也會相應(yīng)跳變，并受到與該電容的另一端連接的電容的影響。根據(jù)電容電量守恒原理以及上述公知常識，可以直接地、毫無疑義地確定電容C的另一端的電位在對應(yīng)跳變時，至少會有發(fā)光器件Dl的自身電容對其的耦合影響，因此，電容C另一端的電位會跳變?yōu)閂0-Vth+a（Vdata-V0），其中。

在復(fù)審程序中，合議組認(rèn)為，由于本申請的技術(shù)方案中具體記載了電流流向、源漏極的連接關(guān)系，電流從驅(qū)動晶體管的漏極流向發(fā)光器件的陽極，且結(jié)合記載“驅(qū)動發(fā)光器件D1發(fā)光的驅(qū)動晶體管DTFT可以為N型晶體管或P型晶體管，在此不做限定”，技術(shù)人員可以根據(jù)電流的流向及連接關(guān)系確定，本申請實(shí)施方式中的驅(qū)動晶體管為P型晶體管。

但上述修改改變了晶體管源極和漏極的連接關(guān)系，將該驅(qū)動晶體管變?yōu)镹型晶體管，從而實(shí)際上改變了本申請的技術(shù)方案，上述修改超出原始記載范圍。雖然發(fā)光器件具有電容屬性是公知常識，但并不意味著可以在本申請方案中任意加入上述公知常識，是否允許增加內(nèi)容的前提是該增加內(nèi)容是否可由原始申請的記載確定，而本申請?jiān)加涊d的方案中均未提及發(fā)光器件的電容性，增加與電容性相關(guān)的系數(shù)和計(jì)算公式均超出原始記載范圍。

技術(shù)人員了解到，充電電壓的數(shù)值可根據(jù)具體電路及時序控制的需要、要解決的問題進(jìn)行設(shè)置，技術(shù)人員雖然可以確定原始記載的“Vref2-Vth”是錯誤的，但根據(jù)原始申請文件的記載，無法確定本申請的方案中必然是充電電壓為“V0-Vth”。

此外，上述修改中增加了系數(shù)a及a的計(jì)算公式，但原申請文件中均未提及發(fā)光器件自身的電容屬性，也未體現(xiàn)在技術(shù)方案中考慮了發(fā)光器件的電容屬性帶來的影響。因此，上述增加的系數(shù)a及a的計(jì)算公式也給本申請的技術(shù)方案加入了原始申請中未記載的內(nèi)容，根據(jù)原始申請文件記載的內(nèi)容，無法確定這些內(nèi)容，導(dǎo)致該技術(shù)方案發(fā)生了變化。

該案例可以看出，如果所屬領(lǐng)域公知常識性技術(shù)手段并非是依據(jù)原申請文件明確記載的信息直接地、毫無疑義地確定的內(nèi)容，僅是該領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)中一種可能的選擇，則并不意味著可以將該公知常識性內(nèi)容通過修改補(bǔ)入申請文件。

3 案例二

某案例涉及一種實(shí)現(xiàn)縮放的方法，復(fù)審請求人修改了權(quán)利要求1，將特征“根據(jù)與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化來改變與所述顯示設(shè)備關(guān)聯(lián)的縮放”，修改為“根據(jù)與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化來改變與所述輸入關(guān)聯(lián)的對象的縮放”。修改后的權(quán)利要求為：“在顯示設(shè)備上顯示多個對象;接收在所述顯示設(shè)備的顯示表面上的輸入;確定與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量;根據(jù)與所述輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化來改變與所述輸入關(guān)聯(lián)的對象的縮放?！痹瓕彶椴块T認(rèn)為，前置審查意見書中僅公開了在像素上施壓時對屏幕進(jìn)行縮放以顯示更多細(xì)節(jié)，沒有公開具體縮放范圍，而修改后的“與輸入關(guān)聯(lián)的對象”本身涵蓋范圍較寬，不能從原說明書和權(quán)利要求書記載的內(nèi)容直接地、毫無疑義地確定修改后的內(nèi)容，上述修改是超范圍的。

復(fù)審決定認(rèn)為，根據(jù)原申請文件說明書第14頁最后一段至第15頁第1段的記載內(nèi)容可知，本申請可通過壓力信息增強(qiáng)其他形式的選擇，基于壓力的選擇允許選擇縮放。由上述記載可知，本申請可以根據(jù)像素上壓力量的變化，改變屏幕的縮放，并允許顯示更多細(xì)節(jié)，用戶可以在選擇鄰近像素的同時實(shí)現(xiàn)更高的精確性。

根據(jù)原說明書第13頁第3段至第14頁第4段及圖12～15記載的實(shí)施例可知，其涉及的被用戶選擇輸入的對象包括繪圖程序中的繪圖圖像、文件和文件夾、文件和文件夾的集合、可選擇項(xiàng)目的集合如字符、繪圖對象、文件圖標(biāo)等，這些被用戶輸入選擇的對象可根據(jù)其上的壓力量大小的改變而改變被選中對象的數(shù)量，本申請的實(shí)施例涉及多種與輸入關(guān)聯(lián)的對象。

該案例涉及與像素相關(guān)的實(shí)現(xiàn)方法，用戶可根據(jù)像素上壓力量的變化來改變像素的縮放，本申請用戶選擇輸入的對象還可以是像素，用戶可以根據(jù)選擇輸入對象上壓力量的變化來改變該對象的縮放，其中的“像素”只是所述對象中示例性的一種，還包括前述的字符、繪圖對象、文件圖標(biāo)等。根據(jù)該權(quán)利要求，輸入對象來自顯示設(shè)備的顯示表面，壓力量與所述輸入關(guān)聯(lián)。

本申請涉及與輸入關(guān)聯(lián)的對象相關(guān)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法，壓力量是與所述輸入關(guān)聯(lián)的，與輸入關(guān)聯(lián)的壓力量的變化改變的是與輸入關(guān)聯(lián)的對象，且可以是該對象的縮放。上述修改后的內(nèi)容可以從原申請文件中直接地、毫無疑義地確定，復(fù)審請求人對權(quán)利要求1的修改未超出原申請文件記載的范圍，符合《中華人民共和國專利法》第三十三條的規(guī)定。

由此可以看出，在全面理解原始申請文件的基礎(chǔ)上，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員運(yùn)用其領(lǐng)域的普通技術(shù)常識，能夠認(rèn)定解讀出的信息與修改后的信息一致，則修改符合《中華人民共和國專利法》第三十三條的規(guī)定。

對于申請人采用刪除部分技術(shù)特征的方式修改申請文件，或者刪除部分技術(shù)特征，重新撰寫分案申請，由于刪除某些特征后的方案仍然在原說明書和權(quán)利要求書中得到文字記載，導(dǎo)致超范圍的判斷變得困難。如果根據(jù)原申請的記載，該特征是發(fā)明的必要技術(shù)特征，那么刪除該特征的修改或重新撰寫的分案超出了原申請記載的范圍。

4 案例三

某分案申請涉及一種面包原料盒，權(quán)利要求1中記載：一種面包原料盒，包括一硬質(zhì)側(cè)壁，在側(cè)壁的兩端各自設(shè)置有第一壁和第二壁，其特征在于，所述側(cè)壁自其頂面至底面具有逐漸擴(kuò)大的斜面或分段擴(kuò)大的斜面。

該內(nèi)容在原母案申請文件中得到文字記載，但是原母案申請中，保護(hù)的是一種用于某種特定結(jié)構(gòu)的面包自動制作機(jī)的面包原料盒，該面包原料盒需要與母案申請中保護(hù)的特定的面包自動制作機(jī)配合使用，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的面包原料的配制問題。原母案的說明書針對面包原料盒的細(xì)節(jié)進(jìn)行了說明：“面包原料盒有一個硬質(zhì)的主體，該主體它包括一硬質(zhì)側(cè)壁，在側(cè)壁的兩端各自設(shè)置有第一壁和第二壁，共同構(gòu)成容納空間和其下方的開口;第一壁形態(tài)為易于刺破的薄膜，配合固定于該開口上，與掛架上的鋸齒條配合使用，使用上蓋下壓第二壁，使鋸齒條刺破第一壁?！?/p>

根據(jù)上述記載及原母案的所有實(shí)施例能夠確定，面包自動制作機(jī)上的鋸齒條相互配合，直接刺穿面包原料盒上的薄膜，導(dǎo)出其內(nèi)的面包原料，加水?dāng)嚢韬蠛姹?。因此，原母案中的面包原料盒是一種專門運(yùn)用于某種面包自動制作機(jī)上的特定面包原料盒，該面包原料盒的設(shè)計(jì)與面包自動制作機(jī)之間配合，縮短了面包原料的配制時間，簡化了整個面包烘焙操作步驟。在本分案申請中，從權(quán)利要求1中的記載可知，其保護(hù)的僅是一種普通面包原料盒，由于沒有對面包機(jī)的結(jié)構(gòu)及相應(yīng)特征進(jìn)行限定，該面包原料盒可以理解為能夠運(yùn)用于多種面包機(jī)上，而非僅運(yùn)用于該申請中特定的面包自動制作機(jī)上，自然不能解決原母案申請?zhí)岢龅募夹g(shù)問題，該權(quán)利要求中保護(hù)的技術(shù)方案沒有在原始母案中得到記載，超出了原母案申請文件記載的范圍。

5 案例四

某分案涉及一種多功能豆?jié){機(jī)，其權(quán)利要求1中對豆?jié){機(jī)具有的制作豆?jié){的功能模塊進(jìn)行了詳細(xì)限定，該些功能模塊均在原母案申請中具有文字記載。

然而，原母案的技術(shù)方案中，請求保護(hù)的一種多功能豆?jié){機(jī)，其針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種體積小、模仿石磨且用于榨果汁的豆?jié){機(jī)。為實(shí)現(xiàn)這些功能，該豆?jié){機(jī)還包括以下功能模塊：研磨杯內(nèi)下磨盤的上端可拆卸，設(shè)有一個用以與下磨盤配合磨豆?jié){的上磨盤，上磨盤上端連接一個進(jìn)料杯;研磨杯內(nèi)下磨盤上端可拆卸，設(shè)有一個用以與下磨盤配置榨果汁的上磨盤;研磨杯上端可拆卸，連接一個進(jìn)料槽。

對于原母案申請的技術(shù)方案而言，本分案的權(quán)利要求1中，申請人刪除了關(guān)于榨汁用的上磨盤、與研磨杯中上磨盤配合的下磨盤的相關(guān)特征，還刪除了進(jìn)料槽相關(guān)結(jié)構(gòu)的特征，這些特征是解決本發(fā)明的豆?jié){機(jī)實(shí)現(xiàn)榨汁功能的必要技術(shù)特征，這種刪除是不被允許的。因此，該權(quán)利要求中保護(hù)的技術(shù)方案沒有在原始母案中得到記載，超出了原母案申請文件記載的范圍。

6 結(jié)語

對增加技術(shù)特征進(jìn)行判斷時，若涉及增加的技術(shù)特征為公知常識，無論該內(nèi)容屬于權(quán)利要求書的增加還是說明書的增加，都影響權(quán)利要求的保護(hù)范圍。如果產(chǎn)生影響，則認(rèn)定修改的申請超范圍。

對刪除技術(shù)特征進(jìn)行判斷時，如果涉及刪除的技術(shù)特征與其他技術(shù)特征是疊加關(guān)系，要考慮刪除的技術(shù)特征是否為必要技術(shù)特征。如果是必要技術(shù)特征，則修改的申請或分案申請超范圍。

參考文獻(xiàn)

[1] 中華人民共和國國家知識產(chǎn)權(quán)局.專利審查指南（2010）[M].北京：知識產(chǎn)權(quán)出版社，2010.

[2] 尹新天.中國專利法詳解（縮編版）[M].北京：知識產(chǎn)權(quán)出版社，2012.