李鵬新 崔浩喆 邢照亮 郭 寧 閔道敏

環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)介電與熱學(xué)性能

李鵬新1崔浩喆1邢照亮2郭 寧3閔道敏1

（1. 電力設(shè)備電氣絕緣國家重點(diǎn)實驗室（西安交通大學(xué)） 西安 710049 2. 先進(jìn)輸電技術(shù)國家重點(diǎn)實驗室（全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司） 北京 102209 3. 強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實驗室（西北核技術(shù)研究院） 西安 710024）

研究縮水甘油基-籠型聚倍半硅氧烷（G-POSS）對環(huán)氧樹脂（EP）介電性能與熱學(xué)性能的影響和作用機(jī)理。實驗制備G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)在0%、0.5%、1%、2%、3%和5%的環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣。測試和研究G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)對環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)相對介電常數(shù)、交流擊穿場強(qiáng)、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度等的影響。當(dāng)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)較低時，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)性能隨G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加而不斷提高；在G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)達(dá)到2%時，復(fù)合電介質(zhì)各項性能均得到較大程度的提升；當(dāng)繼續(xù)增加G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)時，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的性能開始下降，甚至劣于純環(huán)氧試樣。分析認(rèn)為，G-POSS與環(huán)氧基體間形成的大量交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)對環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)性能的影響巨大。

環(huán)氧樹脂 POSS 復(fù)合材料 介電性能

0 引言

環(huán)氧樹脂是一種重要的電介質(zhì)材料，具有優(yōu)良的力學(xué)性能、電氣性能和耐熱性等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于高壓電氣設(shè)備的制造，如大型發(fā)電機(jī)、高壓套管、電纜接頭等[1-8]。但環(huán)氧樹脂耐熱性、耐候性和韌性較差，通過一定的改性方法可以提高環(huán)氧樹脂的性能。

在聚合物中添加納米粒子以制備納米復(fù)合電介質(zhì)是過去數(shù)十年的研究熱點(diǎn)[9-13]。在環(huán)氧樹脂中添加少量的納米粒子可以提高環(huán)氧樹脂的擊穿場強(qiáng)，增強(qiáng)其力學(xué)性能，并改善其導(dǎo)熱性。王旗等[12]通過向環(huán)氧樹脂中分別添加納米和微米氧化鋁顆粒，發(fā)現(xiàn)納米氧化鋁顆?？梢杂行岣攮h(huán)氧樹脂的擊穿強(qiáng)度，而納米和微米氧化鋁顆粒都可以提高環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱率。楊國清等[3]通過在環(huán)氧樹脂中添加納米ZnO粒子，發(fā)現(xiàn)納米ZnO粒子可以顯著提高環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的絕緣性能。劉衍等[4]向環(huán)氧樹脂中添加了納米MgO粒子，同樣提高了環(huán)氧樹脂的各項性能。此外，李盛濤課題組[14]在納米交互區(qū)結(jié)構(gòu)模型的基礎(chǔ)上，研究了環(huán)氧納米復(fù)合電介質(zhì)中淺陷阱和深陷阱對復(fù)合電介質(zhì)空間電荷分布等的影響，得到了許多有價值的結(jié)論。

由于納米粒子多為無機(jī)粒子，在與有機(jī)基體發(fā)生反應(yīng)時，容易產(chǎn)生團(tuán)聚，從而導(dǎo)致聚合物性能的劣化。而為了避免團(tuán)聚現(xiàn)象的產(chǎn)生，往往需要對納米粒子進(jìn)行一定的預(yù)處理，這無疑使得試樣制備過程更加復(fù)雜化，同時也增加了成本。因此，近年來有學(xué)者嘗試采用其他改性方法來改善環(huán)氧樹脂的性能，如T. Heid等[15-18]采用多種籠型聚倍半硅氧烷（Polyhedral Oligomeric Silsequioxane, POSS）對環(huán)氧樹脂進(jìn)行改性，獲得了較為滿意的結(jié)果。

本文主要目的是研究不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)縮水甘油基- 籠型聚倍半硅氧烷（Glycidyl Polyhedral Oligomeric Silsequioxane, G-POSS）對環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)材料介電與理化性能的影響。研究中制備了G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0%、0.5%、1%、2%、3%和5%的環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣，測量和分析了試樣的寬帶介電譜、交流擊穿場強(qiáng)和差式掃描量熱法（Differential Scanning Calorimetry, DSC）曲線等，進(jìn)一步認(rèn)識了G-POSS分子對環(huán)氧樹脂性能的改善機(jī)理和影響 規(guī)律。

1 試樣制備與實驗方法

1.1 實驗原料

環(huán)氧樹脂選用鳳凰牌雙酚A型E-51環(huán)氧樹脂（南通星辰合成材料有限公司），固化劑選用甲基四氫苯酐（MTHPA，嘉興市東方化工廠），促進(jìn)劑選用DMP-30（Aladdin Industrial Corporation）；采用G-POSS材料優(yōu)化環(huán)氧樹脂性能。G-POSS與環(huán)氧樹脂和固化劑反應(yīng)示意圖如圖1所示。G-POSS分子結(jié)構(gòu)在以硅原子和氧原子構(gòu)成的籠型分子基礎(chǔ)上，可以連接8～12個有機(jī)基團(tuán)。G-POSS上有機(jī)基團(tuán)中的環(huán)氧結(jié)構(gòu)可以參與環(huán)氧樹脂的固化反應(yīng)，在環(huán)氧樹脂中形成更為緊密的結(jié)構(gòu)，從而改變環(huán)氧材料的各種理化與介電性能。

圖1 G-POSS與環(huán)氧樹脂和固化劑反應(yīng)示意圖

1.2 試樣制備

環(huán)氧樹脂試樣制備過程如下：

（1）將環(huán)氧樹脂、固化劑、促進(jìn)劑和G-POSS按比例混合。G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)梯度為0%、0.5%、1%、2%、3%和5%。

（2）將混合液置于攪拌機(jī)中，調(diào)節(jié)配重，以2 000r/min轉(zhuǎn)速攪拌15min，再以2 200r/min轉(zhuǎn)速除氣15min。

（3）將攪拌均勻的混合液緩慢倒入預(yù)熱好的模具，在120℃下固化8h，最后降至室溫，得到純環(huán)氧樹脂試樣和不同G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)的環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣。

1.3 實驗方法

采用VE9800型掃描電子顯微鏡（Scanning Electronic Microscopy, SEM）觀察環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣中G-POSS的分散情況。

利用Novocontrol Concept80寬帶介電譜測試系統(tǒng)測量環(huán)氧試樣的介電響應(yīng)情況。利用Novocontrol Concept90熱刺激電流測試儀測量環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的熱刺激去極化電流。

采用兩參數(shù)Weilbull分布模型處理交流擊穿數(shù)據(jù)，得到環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣交流擊穿場強(qiáng)。

利用DSC822e差式掃描量熱分析儀得到環(huán)氧試樣玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。利用熱重分析（Thermogravi- metric Analysis, TGA）儀SDTA851研究環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的熱穩(wěn)定性。

2 實驗結(jié)果

2.1 掃描電子顯微鏡

環(huán)氧試樣及部分環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的SEM圖像如圖2所示。從圖中可知，G-POSS分子

在環(huán)氧基體中分散良好，未出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象。說明G-POSS分子與環(huán)氧樹脂間進(jìn)行了充分反應(yīng)，試樣制備較為成功。

圖2 環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣SEM

2.2 寬帶介電譜圖

環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣介電常數(shù)頻率譜如圖3所示。圖3a為純環(huán)氧試樣與環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣相對介電常數(shù)實部頻譜。從圖中可以看到，所有試樣的相對介電常數(shù)均隨頻率的升高呈下降趨勢，而環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的相對介電常數(shù)均低于純環(huán)氧試樣。隨著G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的相對介電常數(shù)呈先降低后升高的趨勢，并在G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%時出現(xiàn)了最小值（相比純環(huán)氧試樣下降了約0.4）。圖3b為純環(huán)氧試樣與環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣相對介電常數(shù)虛部頻譜。試樣介電常數(shù)虛部可以反映試樣介電損耗的大小。從圖中可以看到，相較于純環(huán)氧試樣，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣在低頻區(qū)出現(xiàn)了較為明顯的損耗峰，且隨著G-POSS分子質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加，損耗峰在不斷地向低頻方向移動。同時，低頻區(qū)環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的損耗普遍高于純環(huán)氧試樣，而高頻區(qū)的情況則剛好相反。

2.3 熱刺激去極化電流

環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的熱刺激去極化電流（Thermally Stimulated Depolarization Current, TSDC）曲線如圖4所示。從圖中可以看到，不同的試樣具有不同的峰值溫度，但都處于120℃附近。隨著G-POSS分子質(zhì)量分?jǐn)?shù)的提高，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的電流峰值溫度和峰值電流密度先上升后下降，并且在G-POSS分子質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%時對應(yīng)著最高溫度和最大電流密度。對數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合發(fā)現(xiàn)，所有環(huán)氧試樣在去極化過程中出現(xiàn)了兩個松弛過程。其中，松弛峰處復(fù)合電介質(zhì)的陷阱參數(shù)列于表1中。由松弛峰擬合得到的活化能反映了環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)內(nèi)部存在的深陷阱能級會隨著POSS摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)的提高先升高后降低，在POSS摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%時達(dá)到最大，為2.25eV。深陷阱的存在會捕獲試樣內(nèi)部的空間電荷，陷阱越深，被捕獲的電荷越難發(fā)生脫陷。因此，POSS的添加可以有效抑制環(huán)氧復(fù)合電介質(zhì)空間電荷的積聚和遷移。

圖4 環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)TSDC曲線

表1 環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)陷阱參數(shù)

2.4 交流擊穿場強(qiáng)

環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)交流擊穿場強(qiáng)的Weibull分布如圖5所示。各試樣Weibull分布的參數(shù)見表2。從圖中和表中可知，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的交流擊穿場強(qiáng)普遍高于純環(huán)氧試樣，都達(dá)到了80kV/mm以上。其中，G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%的環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的交流擊穿場強(qiáng)最高，達(dá)到了90.72kV/mm，相比純環(huán)氧試樣提高了約16%。此外，隨著G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)的不斷增加，環(huán)氧/ POSS復(fù)合電介質(zhì)的交流擊穿場強(qiáng)呈現(xiàn)先升高后降低的趨勢，G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%和5%的試樣的交流擊穿場強(qiáng)很接近?？梢灶A(yù)見，當(dāng)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)超過5%后，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的交流擊穿場強(qiáng)很可能會低于純環(huán)氧試樣。

圖5 環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)交流擊穿場強(qiáng)

表2 交流擊穿場強(qiáng)Weibull分布參數(shù)

2.5 差式掃描量熱

環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的DSC曲線如圖6所示，由各試樣曲線所得到的試樣玻璃化轉(zhuǎn)變溫度見表3。從圖中及表中數(shù)據(jù)可知，純環(huán)氧試樣與環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度都位于120℃附近，隨著G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度先升高后降低，并在G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%時達(dá)到了最高，為128.40℃，相比純環(huán)氧試樣提高了約3.5℃。同時，可以注意到，在TSDC曲線中松弛峰的峰值溫度與試樣玻璃化轉(zhuǎn)變溫度相近，再次表明玻璃化轉(zhuǎn)變溫度對環(huán)氧試樣性能存在著顯著的影響。

圖6 環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)DSC曲線

表3 試樣玻璃化轉(zhuǎn)變溫度

2.6 熱重分析

環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的熱分解曲線如圖7所示。從圖中可以看到，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的熱分解特性與純環(huán)氧試樣相比略有改善，但差別不大。環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣熱分解后剩余物質(zhì)應(yīng)考慮是來自G-POSS分子中所含的無機(jī)硅籠結(jié)構(gòu)。對TGA曲線進(jìn)行一階求導(dǎo)可得到微商熱重（Derivative Thermogravimetry, DTG）曲線，如圖8所示，可知，在熱分解過程中，環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)值存在一個熱失重過程。DTG曲線最低點(diǎn)處溫度代表該溫度下試樣失重速率最快，除POSS摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5%的其他環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣的最低點(diǎn)溫度差別不大，均在402℃附近。

圖7 環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)TGA曲線

圖8 環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)DTG曲線

3 分析與討論

由于G-POSS分子中既含有硅氧鍵形成的籠型結(jié)構(gòu)，同時又具有含環(huán)氧鍵的有機(jī)基團(tuán)，因此其同時具有無機(jī)和有機(jī)兩種性質(zhì)。同時，G-POSS分子尺寸可達(dá)nm級（約2nm），因此可以被視為一種新型納米填料。當(dāng)G-POSS分子添加到環(huán)氧基體中后，便會與環(huán)氧樹脂和固化劑發(fā)生固化反應(yīng)，并以G-POSS分子為中心，形成更緊密的網(wǎng)狀交聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而影響復(fù)合電介質(zhì)的各種性能。相比其他類型的POSS材料，如三縮水甘油基異丁基籠型-聚倍半硅氧烷（Triglycidylisobutyl-POSS, TG-POSS）等，G-POSS的這種影響更加顯著。當(dāng)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)較低時，會與環(huán)氧基體發(fā)生充分的反應(yīng)，這會使得環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的性能得到提升。而當(dāng)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)較高時，G-POSS分子之間也會發(fā)生反應(yīng)，這些反應(yīng)會使得環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)中的交聯(lián)結(jié)構(gòu)相對地大幅減少；同時，積聚的G-POSS分子整體尺寸增大，可能表現(xiàn)出微米級填料的性質(zhì)。而G-POSS分子中所含有的無機(jī)硅籠結(jié)構(gòu)，其摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)提高時，在環(huán)氧復(fù)合電介質(zhì)的各項性能上也會體現(xiàn)出越來越明顯的影響。

G-POSS分子與環(huán)氧基體反應(yīng)生成的交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)會阻礙環(huán)氧樹脂中主鏈段的運(yùn)動，這使得環(huán)氧/ POSS復(fù)合電介質(zhì)相對介電常數(shù)相比純環(huán)氧介質(zhì)有所降低。而當(dāng)G-POSS分子質(zhì)量分?jǐn)?shù)較高時，一方面，交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)會相對地有所減少；另一方面，G-POSS分子中的硅氧結(jié)構(gòu)由于具有較大的相對介電常數(shù)，因此對環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)相對介電常數(shù)的影響也會越來越顯著。G-POSS對環(huán)氧樹脂相對介電常數(shù)的影響規(guī)律與文獻(xiàn)[2, 19]中納米二氧化硅顆粒對環(huán)氧樹脂的影響相似。在圖3b中，低頻處環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的損耗峰是由界面極化引起的[17]，這可能與未根據(jù)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)調(diào)整基礎(chǔ)配方有一定關(guān)系。而在高頻處，環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的損耗低于純環(huán)氧試樣，這也與G-POSS和環(huán)氧基體間形成的交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)對環(huán)氧中基團(tuán)運(yùn)動的阻礙作用有關(guān)[16]。G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)對環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)熱刺激去極化電流和交流擊穿場強(qiáng)的影響，也與G-POSS和環(huán)氧樹脂間發(fā)生的反應(yīng)的規(guī)律密切相關(guān)。更多的網(wǎng)狀交聯(lián)結(jié)構(gòu)的形成，在環(huán)氧樹脂中引入了深陷阱，深陷阱對電子具有捕獲能力，阻礙了電子在介質(zhì)中的遷移，從而有利于提高環(huán)氧/ POSS復(fù)合電介質(zhì)的交流擊穿場強(qiáng)，也有助于抑制環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)中空間電荷的積聚與遷移。

環(huán)氧介質(zhì)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度與環(huán)氧中分子鏈的運(yùn)動有關(guān)，而這又與介質(zhì)的交聯(lián)程度、介質(zhì)中的自由體積以及介質(zhì)中各類基團(tuán)的性質(zhì)有關(guān)。G-POSS與環(huán)氧樹脂反應(yīng)形成的交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，既可以降低環(huán)氧中鏈段的平均長度，也可以減少環(huán)氧中的自由體積，因此在G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)處于一定范圍內(nèi)時提高了環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。當(dāng)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)進(jìn)一步升高時，又會因為G-POSS分子間的反應(yīng)而導(dǎo)致玻璃化轉(zhuǎn)變溫度下降。介質(zhì)熱分解溫度的特性也受到了類似因素的影響。

4 結(jié)論

本文制備了環(huán)氧及環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)試樣，通過介電譜、熱重分析等測試，研究了G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)對環(huán)氧樹脂介電與理化性能的影響機(jī)理。

實驗結(jié)果表明，G-POSS分子質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%的環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)相較純環(huán)氧試樣和其他復(fù)合電介質(zhì)，具有更低的相對介電常數(shù)、更高的交流擊穿場強(qiáng)和更高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。通過進(jìn)一步的分析，G-POSS主要通過參與環(huán)氧樹脂的固化反應(yīng)，形成交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)來影響環(huán)氧/POSS復(fù)合電介質(zhì)的性能。當(dāng)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)較低時，復(fù)合電介質(zhì)的性能會隨G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加而得到提高，當(dāng)G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)較高時，由于G-POSS分子間會發(fā)生反應(yīng)，使得復(fù)合電介質(zhì)的各項性能隨G-POSS質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加出現(xiàn)一定的下降。同時，G-POSS還會在環(huán)氧復(fù)合電介質(zhì)中引入深陷阱，這會對環(huán)氧電介質(zhì)中空間電荷的積聚的抑制起到一定作用，因此在直流輸電工程中具有潛在的應(yīng)用前景。

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Dielectric and Thermal Properties of Epoxy/POSS Composites

11231

（1. State Key Laboratory of Electrical Insualtion and Power Equipment Xi’an Jiaotong University Xi’an 710049 China 2. State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology Global Energy Interconnection Research Institute Co. Ltd Beijing 102209 China 3. State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect Northwest Institute of Nuclear Technology Xi’an 710024 China）

In this paper, the effect and mechanism of a new material, G-POSS, on the dielectric and thermal properties of epoxy resin (EP) were studied. The EP/POSS composites with 0wt%, 0.5wt%, 1wt%, 2wt%, 3wt% and 5wt% of G-POSS were fabricated in the experiments. The permittivity, AC breakdown strength and glass transition temperature were measured and analyzed for composites. The performance of the EP/POSS composite is improved with the increase of the G-POSS content when the G-POSS content is low. When the content of G-POSS reaches 2wt%, the performance of the composite has been greatly improved. When the G-POSS continues to increase, the performance of the composite begins to decrease, even inferior to the pristine epoxy resin. It is believed that the formed cross-linking networks in the epoxy matrix due to the G-POSS have a great influence on the performance of EP/POSS composites.

Epoxy resin, polyhedral oligomeric silsequioxane, composites, dielectric performance

TM852

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90308

先進(jìn)輸電技術(shù)國家重點(diǎn)實驗室開放基金（GEIRI-SKL-2018-010）和強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實驗室（西北核技術(shù)研究院）專項經(jīng)費(fèi)（SKLIPR1709）資助項目。

2020-07-09

2020-10-08

李鵬新 男，1997年生，碩士研究生，研究方向為聚合物納米電介質(zhì)制備與介電性能。

E-mail: lpx0517@stu.xjtu.edu.cn

閔道敏 男，1985年生，博士，副教授，研究方向為聚合物納米電介質(zhì)制備與介電性能。

E-mail: forrestmin@mail.xjtu.edu.cn（通信作者）

（編輯 崔文靜）