程紅麗 唐法儼 李 勇
(1.西安科技大學(xué)通信與工程信息學(xué)院,陜西 西安 710054;2.西安科技大學(xué)電氣與控制工程學(xué)院,陜西 西安 710054;3.西安恒為電氣科技有限公司,陜西 西安 710100)
目前,多路輸出電源在航空航天、新能源汽車、智能家居等許多領(lǐng)域都得到了廣泛的研究與應(yīng)用。但目前的多路輸出電源仍有較高的交叉調(diào)整率,同時(shí)存在體積大、功耗高等問題,從而降低了多路輸出電源的總體性能和使用壽命,提高了電源的成本[1-4]。
為解決上述問題,許多研究人員在電路拓?fù)浜涂刂撇呗缘确矫孢M(jìn)行了大量研究。針對(duì)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在單路反饋多路輸出的基礎(chǔ)上提出了加權(quán)電路[5],這種方式的優(yōu)點(diǎn)在于以一種相對(duì)經(jīng)濟(jì)的方式提高了權(quán)重系數(shù)較高一路輸出電壓的精度,但權(quán)重系數(shù)較低的一路仍存在各種問題,于是又通過添加二次穩(wěn)壓電路來提高輔路的輸出精度和穩(wěn)定性,起初多使用線性穩(wěn)壓器[6],不過這會(huì)使變換器整體效率下降,因此現(xiàn)在大多使用低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator,LDO),盡可能地減小二次穩(wěn)壓電路的功耗,但在輸出電路支路較多時(shí),仍會(huì)影響電源效率[7];此外,單電感多輸出電源也是目前國外研究的熱門[8],其具有體積小,成本低,電路簡單等優(yōu)點(diǎn),具有良好的發(fā)展前景,但目前在交叉調(diào)整率和輸出效率方面依舊不夠理想[9]。針對(duì)控制策略,目前主流的控制技術(shù)是模擬芯片控制和數(shù)字處理器控制[10]兩種,采用模擬芯片控制技術(shù)可以使得電路拓?fù)浜唵?,減少電源體積,但仍然存在交叉調(diào)整率高,電源精度低等問題[11];而數(shù)字處理器控制技術(shù)具有周期短、模塊化、寄生參數(shù)和電磁干擾小等優(yōu)點(diǎn),常用的主輔路同步控制法[12]和基于功率分配控制法[13]都較好地改善了輸出交叉調(diào)整率,提高了電源輸出精度,但同時(shí)增加了電路的復(fù)雜性。
為了滿足某軍工電源隔離輸出和高精度的需求,設(shè)計(jì)了一種四路隔離輸出單端反激變換器,輸入電壓范圍為18V~36V,主路輸出±12V/3.5A,精度小于等于3%,輔路輸出±12V/1A,精度小于等于1%,主路與輔路不共地;電源整體效率不小于85%,交叉調(diào)整率小于等于3%。
多路隔離輸出單端反激變換器系統(tǒng)組成如圖1所示。系統(tǒng)主要組成有:反激變換器、主路加權(quán)電路、輔路加權(quán)電路、LDO、加權(quán)隔離電路、脈沖寬度變調(diào)(Pulse Width Modulation,PWM)驅(qū)動(dòng)電路和四路穩(wěn)壓輸出等模塊。主、輔路通過運(yùn)放進(jìn)行正負(fù)采樣,采樣后的電壓再通過加權(quán)隔離電路實(shí)現(xiàn)加權(quán),最后反饋到PWM 驅(qū)動(dòng)電路控制穩(wěn)定輸出,其中輔路通過LDO 進(jìn)行二次穩(wěn)壓,從而降低了交叉調(diào)整率,提高了輔路輸出精度,最終實(shí)現(xiàn)了四路穩(wěn)定輸出。
圖1 多路隔離輸出反激開關(guān)電源系統(tǒng)組成
系統(tǒng)電源的主要設(shè)計(jì)包括多路反激輸出電路、加權(quán)隔離電路和二次穩(wěn)壓電路。
1.2.1 輸出電路
四路輸出反激變換器主拓?fù)淙鐖D2 所示,由UC3844 芯片驅(qū)動(dòng)控制電路實(shí)現(xiàn)基本的穩(wěn)壓輸出;四路輸出中輔路V′o3、V′o4為相對(duì)穩(wěn)定輸出,主路Vo1、Vo2為穩(wěn)定輸出,兩主路與兩輔路不共地。
圖2 四路輸出反激變換器主拓?fù)?/p>
1.2.2 加權(quán)隔離電路
加權(quán)隔離電路主要由運(yùn)放電路和光耦隔離電路組成,如圖3 所示。運(yùn)放電路用于對(duì)主、輔路負(fù)電壓反相;光耦電路實(shí)現(xiàn)主路與輔路之間的隔離與加權(quán),通過光耦輸出的電壓反饋到原邊控制電路。
圖3 加權(quán)隔離電路
1.2.3 二次穩(wěn)壓電路
由于輔路權(quán)重比較低,為了提高輔路輸出精度,采用LDO 進(jìn)行二次穩(wěn)壓,本次設(shè)計(jì)采用的LDO 芯片型號(hào)為LM2941、LM2991,其最低壓差分別為0.5 V、0.6 V。電路圖如圖4 所示。通過變壓器匝比設(shè)計(jì)和加權(quán)隔離電路可保證LDO 輸入輸出保持在一個(gè)低壓差范圍內(nèi),從而降低LDO 的功耗。
圖4 二次穩(wěn)壓電路
根據(jù)反激變換器變壓器的設(shè)計(jì)原則,結(jié)合輸入輸出要求,輸出功率108 W,電源效率85%,最后實(shí)驗(yàn)中變壓器采用鐵氧體材料,原邊電感量約為86.42 μH,原邊繞組匝數(shù)為16 匝,主路輸出繞組匝數(shù)和輔助電源繞組匝數(shù)為12 匝,由于輔路電壓需二次穩(wěn)壓,其電壓應(yīng)略高于最終輸出電壓,故輔路輸出繞組匝數(shù)為12.5 匝。
如圖3 所示,由于Vo1與Vo2幅值相等,V′o3與V′o4幅值相等,Vf1為Vo1與Vo2等比加權(quán)后的采樣電壓,Vf2為V′o3與V′o4等比加權(quán)后的采樣電壓,則有R17、R18、R22、R23阻值相等,R19、R24阻值相等,且R19遠(yuǎn)大于R17。又因?yàn)镽z1等于Rz2,所以主輔路之間的權(quán)重系數(shù)受限流電阻Ra1和Ra2的影響,阻值小的占有更大的權(quán)重系數(shù)。綜上可知,討論采樣電壓Vf1與Vf2之間的權(quán)重系數(shù),即考量Vo1與V′o3之間的權(quán)重系數(shù)。則有該兩路輸出電壓與加權(quán)因子的關(guān)系如下:
式中:Vref為PWM 控制器內(nèi)的參考門限電壓,K1、K3分別對(duì)應(yīng)主路和輔路輸出的加權(quán)因子。
又因?yàn)檩敵鲭妷号c反激變換器的占空比D、變壓器副邊繞組壓降和整流二極管導(dǎo)通壓降有關(guān)。
又關(guān)斷占空比為:
副邊繞組電阻引起的壓降為:
式中:Ioi(i=1,3)為某一路的輸出電流,輸出電流紋波較小可忽略;Rgi(i=1,3)為相應(yīng)變壓器副邊繞組電阻值。
綜上可得在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi),輸出電壓可表示為:
式中:Vsi(i=1,3)為某路變壓器副邊繞組輸出的直流電壓;Vdi(i=1,3)為相應(yīng)的副邊二極管通態(tài)壓降;Rdi(i=1,3)為相應(yīng)的二極管等效電阻,實(shí)際很小可忽略。
定義VAi為變壓器實(shí)際輸出電壓,VBi為輸出電路上的損耗,Voi為實(shí)際輸出電壓,則有:
聯(lián)立式(1)、式(7)可求得:
根據(jù)以下公式,可以確定權(quán)重比的范圍,式中Vo(spec)min為輸出電壓所允許的下限電壓值,Vo(spec)max為輸出電壓所允許的上限電壓值。
將式(8)、式(9)代入以上不等式可以形成一個(gè)有效區(qū)間,即可求得權(quán)重系數(shù)K1、K3的取值范圍。根據(jù)性能要求,可確定上式對(duì)應(yīng)的輸出電壓范圍為:11.76 V≤Vo1≤12.24 V,12.6V≤V′o3≤13.0 V。
代入數(shù)據(jù)即可算得權(quán)重系數(shù)的取值范圍如圖5所示,最后取K1=0.8、K3=0.2,即主路占的權(quán)重比為80%,輔路占的權(quán)重比為20%。具體權(quán)重可在實(shí)驗(yàn)中根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)配。
圖5 權(quán)重系數(shù)取值范圍圖
2.3.1 限流電阻Rai(i=1,2)和死區(qū)負(fù)載Rzi(i=1,2)的確定
由數(shù)據(jù)手冊(cè)可知,TL431 能承受的最大電流為100 mA,TL431 基準(zhǔn)電壓VREF為2.5 V,光耦能承受的最大電流為50 mA,發(fā)光二極管工作壓降Vd為0.65 V,光耦輸入端電流為IF,輸出端電流為IC,由式(14)可計(jì)算出限流電阻:
以主路+12 V 輸出為例,K1為該路的權(quán)重比,由下式可知權(quán)重比與輸出電流的關(guān)系為:
因?yàn)楣怦羁沙惺茈娏饕话悴怀^50 mA,因此Iall的取值為50 mA。由上一小節(jié)計(jì)算可知,主回路的權(quán)重比K1=80%,所以計(jì)算可得IC=40 mA。光耦電流傳輸比CTR 的計(jì)算公式如下:
PC817 光耦的CTR 為50%~600%,由此可得主路光耦輸入端電流為6.7 mA~80 mA,代入式(14)可得,Ra1的取值范圍為110.6 Ω~1 320 Ω,選取Ra1為1.2 kΩ;同理可得Ra2的取值范圍為:467.5 Ω~5 500 Ω,選取限流電阻為4 kΩ。
Rzi(i=1,2)為TL431 提供死區(qū)電流,TL431 的死區(qū)電流大概為0.7 mA,光耦壓差為1.5 V,則求得Rz1、Rz2的阻值為2.1 kΩ。
2.3.2 補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)Cs1、Cs2和RC的計(jì)算
反激變換器控制到輸出的傳遞函數(shù)采用了Middlebrook 簡化模型[14],再根據(jù)極點(diǎn)零點(diǎn)補(bǔ)償器[15]可得到所設(shè)計(jì)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)計(jì)算公式:
式中:fp0為0 dB 穿越極點(diǎn),fep為補(bǔ)償極點(diǎn),fez為補(bǔ)償零點(diǎn)。代入數(shù)值計(jì)算可求得主路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)為Cs1=4.27 nF,Cs2=6.4 nF,RC=1.9 MΩ;同理可得,輔路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)為Cs1=18.33 nF,Cs2=3 nF,RC=100 kΩ;
在PSIM 環(huán)境下對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn),輸入直流電壓為27 V,開關(guān)頻率為67 kHz,±12 V/3.5 A(Vo1、Vo2)兩主路負(fù)載為3.42 Ω,±12 V/1 A(Vo3、Vo4)兩輔路負(fù)載為12 Ω,其他元器件參數(shù)均為計(jì)算值,線性穩(wěn)壓器為自建模型。Vo1,Vo3輸出電壓仿真波形如圖6 所示,Vo2,Vo4輸出電壓仿真波形如圖7 所示。
圖6 額定負(fù)載下Vo1、Vo3輸出電壓波形
圖7 額定負(fù)載下Vo2、Vo4輸出電壓波形
由圖6 可知,Vo1輸出為11.99 V,紋波電壓大約為13.4 mV;Vo3通過低壓差線性穩(wěn)壓器輸出為11.91 V,無明顯紋波電壓。
由圖7 可知,Vo2輸出為-11.99 V,紋波電壓大約為13.1 mV;Vo4通過低壓差線性穩(wěn)壓器輸出為-11.90 V,無明顯紋波電壓。
3.2.1 輸出電壓精度測試
實(shí)驗(yàn)中直流輸入電壓為27 V,兩主路負(fù)載為3.4 Ω,兩輔路負(fù)載為12 Ω,四路輸出結(jié)果如圖8 所示:
圖8 四路輸出電壓波形
由圖8 可知,Vo1輸出電壓為12.02 V,紋波電壓為27 mV,Vo2輸出電壓為-11.99 V,紋波電壓為28 mV,Vo3輸出電壓為12.10 V,紋波電壓為8 mV,Vo4輸出電壓為-11.90 V,紋波電壓為10 mV。
3.2.2 交叉調(diào)整率與低壓差測試
由于輔路為LDO 輸出,實(shí)驗(yàn)主要測試主路的交叉調(diào)整率和輔路LDO 輸入輸出間的壓差大小,分別改變主路負(fù)載與輔路負(fù)載,測得主路輸出電壓與輔路二次穩(wěn)壓輸入電壓如表1 所示,Rmain為主路負(fù)載,Rauxi為輔路負(fù)載。
表1 不同負(fù)載下輸出電壓測試
由表1 可以計(jì)算出主路交叉調(diào)整率為0.83%,負(fù)載調(diào)整率為1.75%;LDO 輸入輸出兩端的壓差基本保持在0.6 V~1.0 V 之間。
3.2.3 輸入調(diào)整率測試
在額定條件下,輸入電壓從18 V~36 V 之間變化,測試輸出電壓如表2 所示。
表2 輸入電壓調(diào)整率測試
由表2 可以計(jì)算出Vo1和Vo2的輸入電壓調(diào)整率均為0.25%,Vo3和Vo4不受影響。綜合負(fù)載調(diào)整率、交叉調(diào)整率和輸入電壓調(diào)整率,主路電壓精度小于2%,輔路電壓精度小于1%,很好地滿足了設(shè)計(jì)指標(biāo)。
3.2.4 電源效率
在輸入為27 V 直流且額定負(fù)載下,測得輸入電流為4.663 A,則可算得輸入功率為125.901 W,輸出功率為108 W,最后求得電源效率為85.78%,符合設(shè)計(jì)要求。
所設(shè)計(jì)的多路隔離輸出反激變換器通過選取加權(quán)隔離電路和LDO 結(jié)構(gòu),對(duì)加權(quán)系數(shù)和其他硬件參數(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的分析和計(jì)算,最后完成了硬件調(diào)試,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該方案具有可行性,滿足了輸出隔離以及高精度的需求。