日本團(tuán)隊(duì)開發(fā)出高精度硅基半導(dǎo)體量子點(diǎn)

日本理化學(xué)研究所的國際研究小組利用硅基半導(dǎo)體制作的量子點(diǎn)成功實(shí)現(xiàn)量子計算機(jī)所需的操作精度，克服了量子計算機(jī)實(shí)用化開發(fā)的一大技術(shù)難題。

量子計算機(jī)容易發(fā)生計算錯誤，需要邊修正錯誤邊進(jìn)行超高速計算，為此每個量子點(diǎn)的操作精度需達(dá)到99%以上。此前，科學(xué)家們采用超導(dǎo)等3種方式達(dá)到了這一精度，但硅基半導(dǎo)體量子點(diǎn)2個聯(lián)動時的操作精度一直止步于98%。該國際研究小組將2個電子封入硅的微小空間內(nèi)，利用電子的磁學(xué)特性創(chuàng)制出量子點(diǎn)，對其采用獨(dú)創(chuàng)的永磁體與微波組合的技術(shù)進(jìn)行操作，成功達(dá)到99.5%的操作精度，并且在2種量子計算實(shí)際驗(yàn)證中，獲得了高概率的正確答案。（科技部）

科研人員研發(fā)用于量子技術(shù)的金剛石激光器

俄羅斯國家科學(xué)院西伯利亞分院大電流電子研究所科研人員與托木斯克國立大學(xué)合作，研發(fā)出1種基于NV中心和光泵浦的金剛石激光器。

制造該設(shè)備需要1種人造金剛石，經(jīng)過輻射熱處理，在其晶體結(jié)構(gòu)中形成許多抗激光輻射的色心。對于量子技術(shù)來說，最重要的是NV中心（金剛石的色心之一）。NV色心是金剛石的結(jié)構(gòu)缺陷，包括1個氮原子（N）和1個相鄰的空位，晶格位置未被碳原子（V）占據(jù)。多年來，科研人員從金剛石色心獲得激光輻射均未成功。此次，科研人員在含有多達(dá)10個NV中心和每百萬碳原子多達(dá)300個氮原子的合成金剛石樣品中，實(shí)現(xiàn)了非熱發(fā)光的增強(qiáng)和激光輻射的產(chǎn)生。（科技部）

科學(xué)家發(fā)明出提高芯片產(chǎn)量新技術(shù)

韓國機(jī)械與材料研究院和新加坡南洋理工大學(xué)的科學(xué)家們開發(fā)了1種制造高度均勻和可擴(kuò)展的半導(dǎo)體晶圓的技術(shù)。在智能手機(jī)和電腦中常用的半導(dǎo)體芯片制造難度大且復(fù)雜，需要高度先進(jìn)的機(jī)器和特殊的環(huán)境。它們的制造通常在硅片上完成，然后切成用于設(shè)備的小芯片。然而這個過程并不完善，并非所有來自同一晶圓的芯片都能按預(yù)期工作或運(yùn)行。這些有缺陷的芯片被丟棄，降低了半導(dǎo)體產(chǎn)量，同時增加了生產(chǎn)成本。因此以所需厚度生產(chǎn)均勻晶圓的能力是確保在同一晶圓上制造的每個芯片正確運(yùn)行的最重要因素。

據(jù)悉，基于納米轉(zhuǎn)移的印刷即1種使用聚合物模具通過壓力或“沖壓”將金屬打印到基材上的工藝，在近年來因其簡單、相對成本效益高和高通量而成為1種有前途的技術(shù)。與目前市場上的芯片相比，該半導(dǎo)體的性能也有所提高。此外，該方法制作速度快，芯片成品率高。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）

科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)類人眼智能圖像傳感技術(shù)

韓國延世大學(xué)與香港理工大學(xué)聯(lián)合研究出模仿人類視網(wǎng)膜的“智能圖像傳感器”基礎(chǔ)技術(shù)。該技術(shù)利用二維半導(dǎo)體材料二硫化鉬的獨(dú)特光學(xué)特性，制作的智能圖像傳感器可像人眼一樣感知、適應(yīng)環(huán)境亮度，并迅速識別物體。

現(xiàn)有的以硅為基礎(chǔ)的圖像傳感器動態(tài)范圍（可識別范圍內(nèi)最亮的部分和最暗部分的比率）僅為70dB，很難準(zhǔn)確表達(dá)280dB動態(tài)范圍廣域自然光。而類人眼智能圖像傳感器具有167dB的廣闊動態(tài)范圍，可在更寬光度范圍內(nèi)識別物體。該技術(shù)可簡化圖像傳感器的復(fù)雜電路和動作算法，可應(yīng)用于無人駕駛汽車和高速生產(chǎn)組裝線等所需的高性能光學(xué)傳感器。（科技部）

科研人員利用量子點(diǎn)技術(shù)提高QLED生產(chǎn)工藝

韓國科學(xué)技術(shù)院機(jī)械化工系研究團(tuán)隊(duì)成功利用量子點(diǎn)技術(shù)控制“咖啡環(huán)”現(xiàn)象，提高涂層均勻度。

由于蒸發(fā)率的不同，咖啡滴在固體表面會留下中心淺、外圈重的環(huán)裝咖啡斑。這被稱為“咖啡環(huán)”現(xiàn)象?！翱Х拳h(huán)”現(xiàn)象直接影響到柔性材料涂層均勻度，消除涂層材料的“咖啡環(huán)”現(xiàn)象是生產(chǎn)新一代顯示器性能的核心技術(shù)。研究團(tuán)隊(duì)借助量子點(diǎn)概念調(diào)整了涂層溶劑成分，通過簡單的蒸發(fā)生產(chǎn)工藝，就成功實(shí)現(xiàn)100μm水平無咖啡環(huán)的均勻噴涂。

此項(xiàng)研究不僅解決了柔性材料涂層均勻度的問題，而且提高了生產(chǎn)水平，增加了原材料使用率，降低了生產(chǎn)成本。（科技部）

研究人員推出高精度量子傳感器新應(yīng)用

由奧地利科學(xué)院量子光學(xué)和量子信息研究所、因斯布魯克大學(xué)和理論物理系研究員Oriol Romero—Isart，以及由蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的Romain Quidant領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)提出通過利用系統(tǒng)的快速不穩(wěn)定動力學(xué)，捕獲在微觀光學(xué)諧振器中的納米粒子的運(yùn)動波動可以顯著降低到零點(diǎn)運(yùn)動以下。

Oriol Romero—Isart團(tuán)隊(duì)表示：“試驗(yàn)證明，設(shè)計合理的光腔可以用來快速和強(qiáng)烈地擠壓懸浮納米粒子的運(yùn)動?！盞ustura還表示：“當(dāng)前研究中，通過適當(dāng)控制這些不穩(wěn)定性，我們展示了光腔內(nèi)機(jī)械振蕩器的不穩(wěn)定動力學(xué)是如何引起機(jī)械擠壓的。”

此次研究擴(kuò)展了光腔作為機(jī)械量子擠壓器的新用途，并提出了超越量子基態(tài)冷卻的懸浮光力學(xué)可行的新途徑。因此，微諧振器可為量子傳感器的設(shè)計提供了一個有趣的新平臺，例如，可用于衛(wèi)星任務(wù)、自動駕駛汽車和地震學(xué)。（中國電子元件行業(yè)協(xié)會）

研究人員開發(fā)出可拉伸全聚合物L(fēng)ED顯示器

美國斯坦福大學(xué)鮑哲南團(tuán)隊(duì)開發(fā)出可拉伸全聚合物發(fā)光二極管（APLED），可作柔性顯示器用途。APLED具有較好的明亮度和耐用性，其最大亮度至少是普通手機(jī)顯示器的2倍，且在拉伸至原有長度2倍時仍能正常工作。APLED全聚合物薄膜可以粘貼在手臂或手指上，在彎曲時不會撕裂。同時，這一研究成果還具備其它潛在用途，如用于制作可變形的交互式屏幕，以及在地圖上形成三維景觀等。（科技部）

韓國科研人員利用量子點(diǎn)技術(shù)提高QLED生產(chǎn)工藝

韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）機(jī)械化工系研究團(tuán)隊(duì)成功利用量子點(diǎn)技術(shù)控制“咖啡環(huán)”現(xiàn)象，提高涂層均勻度。由于蒸發(fā)率不同，咖啡滴在固體表面會留下中心淺、外圈重的環(huán)裝咖啡斑，被稱為“咖啡環(huán)”現(xiàn)象?！翱Х拳h(huán)”現(xiàn)象直接影響到柔性材料涂層均勻度，消除涂層材料的“咖啡環(huán)”現(xiàn)象是生產(chǎn)新一代顯示器性能的核心技術(shù)。

研究團(tuán)隊(duì)借助量子點(diǎn)概念調(diào)整了涂層溶劑成分，通過簡單的蒸發(fā)生產(chǎn)工藝，就成功實(shí)現(xiàn)100μm無咖啡環(huán)的均勻噴涂。此項(xiàng)研究解決了柔性材料涂層均勻度問題，而且提高了生產(chǎn)水平，增加了原材料使用率，降低了生產(chǎn)成本。（科技部）

豐田合成成功研制6英寸氮化鎵襯底

在日本環(huán)境省牽頭的一個科研項(xiàng)目中，豐田合成與大阪大學(xué)合作制備出6英寸高質(zhì)量GaN（氮化鎵）襯底。據(jù)稱，豐田合成依托其過往研究經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)出1種鈉與鎵在液態(tài)狀態(tài)下生長氮化鎵單晶的方法。上述機(jī)構(gòu)接下來將對6英寸襯底的批量生產(chǎn)進(jìn)行評估，并將嘗試進(jìn)一步增加晶圓尺寸。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）

傳三星擬下半年開始3nm工藝試產(chǎn)

三星位于平澤的P3工廠建設(shè)傳出新進(jìn)展，預(yù)計將于2022年夏天安裝生產(chǎn)設(shè)備，下半年開始第1代3nm工藝（3GAE）的試生產(chǎn)。韓媒稱，三星電子的3nm工藝采用環(huán)柵（GAA）技術(shù)，又分為第1代3GAE和第2代3GAP。在3GAE工藝下，相比7nm FinFET，功耗降低50%，芯片面積減少45%，性能可提升35%。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）

NexWafe生產(chǎn)超高效單晶N型硅片

繼與印度信實(shí)工業(yè)集團(tuán)（RelianceIndustries）合作之后，國際太陽能硅片生產(chǎn)商N(yùn) e x W a f e計劃向全球戰(zhàn)略合作伙伴提供技術(shù)許可?？偛课挥诘聡腘exWafe公司是從弗勞恩霍夫太陽能研究所中分離出來的一家公司。

NexWafe正在通過EpiWafer工藝開發(fā)單晶硅片，這種單晶硅片直接在原料氣體中生長。EpiWafer工藝避免了傳統(tǒng)硅片制造所依賴的多晶硅生產(chǎn)和拉錠等中間步驟。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）

東芝開發(fā)出稀土用量減半的磁鐵

東芝和日本東北大學(xué)開發(fā)出可把稀土用量減半的磁鐵。新磁鐵使用稀土“釤”，具備與當(dāng)前主流的釹磁鐵同等的磁力。與釹相比，釤具有成本低、容易采購的優(yōu)點(diǎn)。將在2023年秋季以后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

東芝將于2023年10月至2024年9月實(shí)現(xiàn)新型磁鐵的實(shí)用化。未來還將面向汽車、電子設(shè)備及風(fēng)力發(fā)電機(jī)，開發(fā)安裝新型磁鐵的馬達(dá)。（中國電子元件行業(yè)協(xié)會）

英特爾愛爾蘭Fab 34首臺EUV光刻機(jī)交付

英特爾在愛爾蘭萊克斯利普的工廠Fab 34已經(jīng)交付了其首臺EUV光刻機(jī)，該設(shè)備由ASML制造，是Intel4制程技術(shù)的關(guān)鍵一環(huán)，這也使得Fab 34成為歐洲最先進(jìn)的芯片制造工廠。

第1臺設(shè)備從英特爾位于俄勒岡州的技術(shù)開發(fā)工廠抵達(dá)愛爾蘭，這意味著fab34將成為工廠外第1個運(yùn)行新EUV技術(shù)的工廠。該設(shè)備由10萬個部件、3000根電纜、4萬個螺栓和超過1英里長的軟管組成。英特爾花了18個月的設(shè)計和施工活動，為Fab 34大樓接收這臺機(jī)器做準(zhǔn)備。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）

II—VI加快擴(kuò)建美國、瑞典6英寸和8英寸SiC襯底產(chǎn)能

II—VI正在美國和瑞典加快對6英寸和8英寸碳化硅（SiC）襯底和外延晶圓制造的投資。公司此前宣布，將在未來10年投資10億美元，用于美國賓夕法尼亞州伊斯頓和瑞典基斯塔的大規(guī)模工廠擴(kuò)建，以期成為全球最大的供應(yīng)商之一。

II—VI將在美國伊斯頓大規(guī)模建設(shè)近30萬平方英尺的工廠，以擴(kuò)大其最先進(jìn)的6英寸和8英寸SiC襯底和外延晶片的生產(chǎn)。到2027年，伊斯頓6英寸和8英寸SiC襯底的產(chǎn)量預(yù)計將達(dá)到相當(dāng)于每年100萬塊6英寸襯底的產(chǎn)量，8英寸襯底的比例將隨著時間的推移而增長。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）

東芝開發(fā)出能測距300m的小型高性能傳感器

東芝發(fā)布消息稱，已把利用激光反射測距的高性能傳感器的測量距離延長到300m。在把測量距離延長到原來1.5倍的同時，還把設(shè)備體積減小約4成，減至約200cm3。由于面向道路監(jiān)控及車載等用途的實(shí)用性越來越高，東芝計劃2023年度內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。

該傳感器采用“LiDAR”技術(shù)，根據(jù)激光射到對象物上返回的時間測量距離。東芝開發(fā)出了把多個投光器發(fā)出的激光重疊，延長可測量距離的技術(shù)。使用2臺投光器可以測量約300m的距離。（中國電子元件行業(yè)協(xié)會）

單一取向有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列制備方面取得進(jìn)展

近日，中國科學(xué)院化學(xué)研究所綠色印刷院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室宋延林課題組提出了利用微觀彎液面形變及沉積操控實(shí)現(xiàn)單一取向晶體薄膜可設(shè)計圖案化陣列的直寫打印新方法。該方法利用微米尺度彎液面與晶核尺寸匹配，實(shí)現(xiàn)了對有機(jī)晶體成核與生長過程的精準(zhǔn)調(diào)控。研究通過結(jié)合異質(zhì)浸潤性基材的圖案化設(shè)計及墨水粘附力特性調(diào)控，誘導(dǎo)微米彎液面流體三相線（TCL）前端微區(qū)形變，精準(zhǔn)調(diào)控分子的成核位置與生長方向，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)功能分子的區(qū)域選擇與取向純化沉積，可在不同基材上印刷制備可控取向的有機(jī)半導(dǎo)體晶體陣列。

研究表明，彎液面TCL形變與流體濃度不對稱分布是取向純化的關(guān)鍵因素。通過與雙取向晶體薄膜的對比研究發(fā)現(xiàn)，單一取向晶體薄膜的遷移率顯著提高，并表現(xiàn)出電荷傳輸?shù)母飨虍愋??；诖?，研究制備了有機(jī)偏振光電探測器件，在線性偏振光的照射下表現(xiàn)出偏振響應(yīng)特性，器件光電流的二向色性比為1.42。該微觀彎液面操控策略具有很好的普適性，可實(shí)現(xiàn)單一取向晶體陣列的大面積圖案化印刷制備，為構(gòu)筑新型多功能光電器件陣列提供了新的方法和思路。（中國科學(xué)院）

臺積電WoW先進(jìn)封裝技術(shù)首獲商用

一家英國芯片設(shè)計企業(yè)Graphcore日前發(fā)布其智能處理器（IPU）產(chǎn)品，運(yùn)用了臺積電Wafer—on—Wafer先進(jìn)封裝技術(shù)，據(jù)稱為該技術(shù)首次獲得商用。該公司表示，通過將7nm制程芯片的“片對片（wafer—to—wafer）”鍵合，同一封裝面積內(nèi)處理器性能提高了40%，能效提高16%。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）