高 燕
(西安職業(yè)技術學院,陜西 西安 710077)
基于摩爾定律的科學預測與相關技術數(shù)據(jù)的有力支撐,芯片尺寸在實現(xiàn)用戶需求的前提下,集成度和智能化程度越來越高,微型化、低功耗、低成本、高可靠成了電子整機的演進發(fā)展方向。低溫共燒陶瓷技術(LTCC)是實現(xiàn)系統(tǒng)集成封裝技術的重要途徑,隸屬多芯片組件技術一個重要分支,涵蓋材料科學、電子線路、射頻微波等,寬領域、多學科技術交叉融合,用LTCC 技術制成的高集成度的有源 / 無源(Active/Passive)功能模塊,實現(xiàn)了高性能化的電子產(chǎn)品封裝,屬于主流應用的器件集成技術[1]。
頻率選擇性,是指在一個或多個頻帶內(nèi)信號能夠順利傳輸或有效衰減,這是濾波器的典型屬性,在電路中應用廣泛。微波濾波器作為濾波器的一種重要類型,在微波射頻電路中砥柱中流,在無線通信領域功能顯著。
伴隨無線通信科學與技術發(fā)展演進,微波濾波器性能提升需求對用戶來說也必然會水漲船高。設計者們需要不斷設計開發(fā)更小體積、更高性能、更低成本的濾波器。本研究就是基于低溫共燒陶瓷技術的高密度集成工藝技術,結合濾波器設計原理和指標要求,設計一款小型化高性能低通型濾波器[2]。
對于我們常見的低通濾波器(LPF),主要有3 種類型,分別是巴特沃茲型(Butterworth),在通帶頻響有最大平坦度,在阻帶層次遞減為零;橢圓函數(shù)型(Elliptic),在通、阻帶紋波相同;還有切比雪夫型(Chebyshev),來自切比雪夫分布,在通、阻帶上頻響波紋波動相同。作為LPF,其主要功能就是濾除高頻帶干擾信號,使得低頻段信號得到高可靠性傳輸。衡量判定LPF 性能優(yōu)劣的一個重要指標,就是其在截止頻率外是否能實現(xiàn)高抑制衰減率的陡峭特性。
圖1 給出了巴特沃滋(Butterworth)LPF、橢圓函數(shù)(Elliptic)LPF 以及切比雪夫(Chebyshev)LPF 在同n、同fs 條件下,對S 參數(shù)進行Ansoft Designer 軟件電路仿真,觀察衰減差異性特征。
圖1 三種響應衰減特性之對比
結合圖1,Elliptic LPF 呈現(xiàn)出通帶至阻帶最陡峭的截至特性,經(jīng)過很窄的過渡帶的截止頻率衰減率很高,且阻帶存在傳輸零點;Butterworth LPF 通帶紋波較好,然衰減特性不理想;Chebyshev LPF 衰減特性居中。巴特沃茲和切比雪夫濾波器全部傳輸零點均位于∞。比較而言,結合微波通信的技術指標要求,具有一定頻帶內(nèi)的衰減陡峭特性必須放在首要地位,統(tǒng)籌來看,橢圓函數(shù)Elliptic 濾波器無疑是最優(yōu)解。
出傳輸特性曲線見圖2,顯示了不同階數(shù)橢圓函數(shù)LPF 差異性,階數(shù)分別是n=5、7、9。從圖2 中可以看出,5 階阻帶兩個傳輸零點,最低的帶外衰減特性;7階阻帶三個傳輸零點,衰減特性折中;而9 階比7 階阻帶多一個傳輸零點,衰減率在fs 處最高,且具有極佳的抑制特性。
圖2 Elliptic LPF(n=5、7、9)傳輸特性
總之,隨著階數(shù)n 的增加,橢圓函數(shù)LPF 阻帶傳輸零點也隨之增加;通帶外衰減特性顯著提升,傳輸零點個數(shù)也在阻帶遞增,抑制特性增強。結合設計要求,要實現(xiàn)fs 處衰減優(yōu)異特性,阻帶有較高的抑制度,提升濾波器的階數(shù)n 是必然選擇。但是方案設計總是伴隨新的問題,那就是設計的理想化在實施實施的過程中,階數(shù)的提升會導致濾波器元器件數(shù)量也會增多,使得設計和結構實現(xiàn)困難,濾波器實物產(chǎn)品體積大難集成,大幅提升制作成本。
此款濾波器的設計指標參數(shù)見表1。在設計電路的過程中考慮電路特性和尺寸要求,基于低溫共燒陶瓷的LTCC 技術,利用HFSS 這款3D 高頻仿真軟件,進行一種小型化高性能7 階低通濾波器設計。指標要求:截止頻率1.37 GHz 有3dB 衰減;1.66 GHz 處達到-40 dB 的衰減,且阻帶衰減特性和高次諧波抑制特性都要好。
表1 濾波器設計指標參數(shù)
圖3 7 階Elliptic 低通濾波器電路原理圖
調(diào)整LC 諧振腔中C 和L 值,可按序?qū)鬏斄泓c對應排列。電路原理見圖3,結合設計要求,為使諧振腔中、左、右分別生成第一、二、三傳輸零點。用公式可以表示為
支路中電感和諧振腔電感均采用平面螺旋結構。根據(jù)電路特性,諧振腔中電容值較大,因此設計版圖面積會加大,設計難度提高。而基于LTCC 的多層基板技術,原有MIM 電容Co 可替換為兩同值并聯(lián)電容Cp。在圖4中,根據(jù)公式Co=Cp+Cp,面積Sp 降為原來1/2,即Sp=1/2 So。
圖4 MIM 電容設計結構圖
本研究選用的LTCC 材料ε=7.8,tanδ=0.002,導線材料選用金屬銀,導線厚度為10 um。LPF 3D 模型設計為8 薄層加11 厚層共19 層,薄層分屬上、下各4層,3 個電容放置其中;厚層放置7 個電感。設計模型尺寸為:3.5mm×2.3mm×1.6mm。其結構布局展示于表2、圖5。
表2 Elliptic 濾波器結構布局
圖5 Elliptic 濾波器3-D 結構圖
濾波器3-D 外觀圖見圖6,在PCB基板將濾波器其上,金屬引線將信號T/R端口與PCB 板連接。微帶線阻抗計算公式求解端口阻抗。為使濾波器與外電路無障礙連接,端口阻抗R0=50ohms。微帶線阻抗計算公式(1)、(2)。其中W、H 和εr分別代表導線寬度、PCB 基板厚度和基板介電常數(shù)。
圖6 濾波器3-D 外觀圖
這 里 選 用 εr為 3.47 的 Rogers RO4350 作 為PCB 基 板 材 料,H=0.509 mm,W=1.12 mm。通過公式(1)、(2)便可使端口阻抗為50ohms。濾波器S 參數(shù)測試結果見圖7。
由圖7 可知,在3 GHz 內(nèi)的阻帶,參數(shù)S21 曲線未實現(xiàn)-40 dB 衰減量,且在4.7 GHz 附近發(fā)生諧振,在通帶內(nèi)S11 參數(shù)大于-12 dB,使VSWR>2。測試結果表明表1 設計指標要求未滿足。
圖7 S 參數(shù)測試結果
綜合分析,原因有兩點:
其一,寄生耦合效應普遍存在于內(nèi)部元件之間;
其二,元件模型設計與實現(xiàn)間誤差存在的必然性。
因此電路優(yōu)化的關鍵就在于如何減小耦合效應、調(diào)整元件設計參數(shù)。
將諧振腔中的C 垂直于串聯(lián)支路的相鄰電感A、B,將電感C 居中,A、B 分居其上下相鄰層,層間距85.8 um。但這種結構會使相鄰層由于走線產(chǎn)生寄生電容,距離較近的相鄰電感亦會催生緊耦合效應,影響電感值的精度,最終會導致設計的濾波器模型仿真與預期結果出現(xiàn)偏差,見圖8、圖9。
圖8 L 耦合示意圖
圖9 螺旋L 耦合示意圖
為避免以上現(xiàn)象,在保證L值不變的前提下,通過改變其內(nèi)徑、圈數(shù),減少L 在上、下相鄰層垂直方向的投影重合,進而降低層間L 寄生耦合效應。L 經(jīng)過調(diào)整、優(yōu)化結構之后,其模型和仿真曲線見圖10、圖11。
圖10 調(diào)整后的螺旋L 示意圖
圖11 優(yōu)化S 參數(shù)測試結果
從仿真曲線可以看出,調(diào)整優(yōu)化目的達成,其結果可以滿足表1 指標要求。
濾波器模型在優(yōu)化結構前后的仿真結果對比見圖12,推論得出在以下幾個方面得到性能改善:
圖12 結構優(yōu)化前后的S 參數(shù)對比結果
(1) 回波損耗通帶內(nèi)從-7.8 dB 降到-12.3 dB。
(2) 阻帶傳輸零點有4 個,衰減特性極佳。
(3) 在1.59 GHz-3.22 GHz 阻帶內(nèi),抑制>42 dB。
(4) 在3.22 GHz-6.00 GHz 阻帶內(nèi),遠端抑制>32 dB。
現(xiàn)將測試結果總結如下:
通帶內(nèi)插入損耗=-0.6 dB,回波損耗=-11.5 dB,截止頻率=1.35 GHz;阻帶內(nèi)第一零點f1=1.65 GHz,第二零點f2=1.85 GHz,第三零點f3=2.60 GHz,第四零點f4=4.6 GHz;在1.35 GHz 處fs外有270 MHz 的過渡帶,能夠?qū)崿F(xiàn)超過-40 dB 衰減,在1.59 GHz-3.22 GHz 的頻帶內(nèi)抑制大于40 dB,衰減效果甚為理想。通過對該LTCC 低通濾波器內(nèi)部結構的優(yōu)化,回避了寄生效應共生缺陷,實現(xiàn)了濾波器的高性能設計。
基于LTCC 技術,設計了一款小型化高性能的7階Elliptic LPF。結合目標要求,對模型結構進行優(yōu)化設計,盡可能降低內(nèi)部元件寄生耦合效應,使設計符合預期要求。經(jīng)過優(yōu)化,濾波器的體積為3.5mm×2.3mm×1.6mm,完全滿足應用級產(chǎn)品相關指標要求,該濾波器可以用于抗混疊濾波和音頻信號處理領域,發(fā)揮其重要作用及優(yōu)勢,滿足用戶需求。