趙鶴然 ，曹麗華 ，陳明祥 ，康敏，呂銳，王卿

（1.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，遼寧 沈陽(yáng) 110000；2.華中科技大學(xué)機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院，湖北 武漢 430074；3.中國(guó)科學(xué)院金屬研究所，遼寧 沈陽(yáng) 110016；4.沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心，遼寧 沈陽(yáng) 110016；5.華中科技大學(xué)數(shù)字制造裝備與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，湖北 武漢 430074；6.武漢利之達(dá)科技股份有限公司，湖北 武漢 430074）

電子封裝離不開基板，它們既是芯片和阻容元件的承載體，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和互連的功能，也是芯片的保護(hù)體，發(fā)揮著抵御服役環(huán)境應(yīng)力沖擊及濕熱腐蝕的作用[1-3]。陶瓷材料具有與芯片熱膨脹系數(shù)匹配、耐高溫、耐腐蝕、散熱能力強(qiáng)、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)致密、絕緣性好、成本低廉、適合大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，陶瓷基板目前已成為電子封裝領(lǐng)域，尤其是高可靠電子封裝領(lǐng)域的主要原材料。

陶瓷基板種類眾多[4-5]，包括直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)、直接電鍍銅陶瓷基板(DPC)、高溫共燒陶瓷基板(HTCC)、低溫共燒陶瓷基板(LTCC)等。在集成電路和射頻電路方面應(yīng)用較多的厚膜陶瓷基板主要有Au、Ag、W、Mo等導(dǎo)體漿料體系，而在光電器件、功率器件領(lǐng)域大量使用的DBC和DPC基板多是直接采用Cu導(dǎo)體；陶瓷管殼制備以HTCC為主流，通過(guò)印刷W、Mo等高溫導(dǎo)電漿料作為導(dǎo)體。這些導(dǎo)體在空氣中容易氧化，使其潤(rùn)濕性和可焊性變差。為滿足航空航天、兵器船舶、5G通信、衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域的應(yīng)用需求，電子封裝基板一般通過(guò)沉積化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的貴金屬Au來(lái)修飾表面導(dǎo)體，形成避免表面導(dǎo)體氧化的屏障層，同時(shí)提供一個(gè)可供芯片、鍵合絲焊接的界面。這方面的研究集中在Cu、Au、Ag、W、Mo等導(dǎo)體鍍Au保護(hù)層方面，然而鍍 Au基板的氧化和腐蝕現(xiàn)象依然不可避免。本文針對(duì)高可靠性基板鍍金層的腐蝕問(wèn)題，介紹了主流鍍Au層的制備工藝，并通過(guò)調(diào)查研究，梳理了采用化學(xué)鍍鎳/浸金(ENIG)工藝和化學(xué)鍍鎳/鈀/浸金(ENEPIG)工藝所得鍍Au基板的變色、氧化、腐蝕等問(wèn)題的特征及其產(chǎn)生過(guò)程和機(jī)理，歸納總結(jié)了鍍Au基板的腐蝕模型。

1 兩種常用的基板表面鍍金修飾技術(shù)

1.1 ENIG工藝

ENIG工藝是先在Cu焊盤上化學(xué)鍍Ni，再通過(guò)置換反應(yīng)在Ni層表面獲得一層Au，具有抗氧化性好、存儲(chǔ)時(shí)間久、平整度高等優(yōu)點(diǎn)，其工藝流程為：清洗→酸洗→微蝕→活化→化學(xué)鍍Ni→浸Au[6-8]。

由于焊盤基材是Cu，表面極易形成不導(dǎo)電的氧化膜，不僅影響導(dǎo)電性，而且不利于化學(xué)鍍Ni。清洗能去除銅焊盤表面殘留的綠油阻焊層藥液，提高焊盤表面一致性。酸洗能夠進(jìn)一步去除氧化層和油脂，提高潤(rùn)濕性。通過(guò)微蝕粗化銅表面有利于提高后續(xù)Ni層的附著力。鈀活化形成均勻的鈀晶體層，為化學(xué)鍍Ni提供催化晶核。在化學(xué)鍍Ni過(guò)程中，鈀晶體層的催化作用及次磷酸鹽的還原作用使Ni2+還原沉積，當(dāng)新生的Ni完全覆蓋鈀晶體時(shí)，Ni的自催化作用令反應(yīng)繼續(xù)進(jìn)行，直至達(dá)到所需厚度。在化學(xué)浸Au過(guò)程中，金屬鎳與溶液中的金離子發(fā)生置換反應(yīng)，Au取代部分Ni而沉積在Ni層表面，直到表層Ni完全被Au取代[9]。

Ni層在焊盤上起到了多種作用。首先，Ni作為阻擋層，能夠阻擋Cu與Au發(fā)生互擴(kuò)散，防止Cu擴(kuò)散到Au表面并氧化。其次，Ni是焊盤焊接的主體，在焊接過(guò)程中薄Au層迅速溶解在焊料中，Ni暴露在熔融焊料中，但其在焊料中溶解的速率較低，不會(huì)完全溶解，因此可形成穩(wěn)定的焊點(diǎn)。此外，在焊接過(guò)程中Ni層既是反應(yīng)的主體，也是Cu基底的保護(hù)層，最終形成NiX界面金屬間化合物(如NiSn、NiAuSn等)。

高可靠器件一般要求Ni層厚度大于5 μm[10]。浸Au的目的是保護(hù)Ni表面不被氧化，否則焊盤的可焊性會(huì)大幅下降。為了避免焊接時(shí)出現(xiàn)“金脆”現(xiàn)象，作為焊盤的鍍Au層往往控制得很薄(一般為0.03 ～ 0.15 μm)[11-12]，致使Ni底層在高溫作用下沿著Au的晶界加速向Au層表面擴(kuò)散，氧化生成NiO而使焊盤變色[13]。為了抵抗外界服役環(huán)境對(duì)金屬導(dǎo)體的氧化和腐蝕，一些高可靠性的陶瓷管殼(如三維陶瓷基板)通常對(duì)暴露在環(huán)境中的金屬區(qū)域采用較厚的Ni/Au鍍層，甚至采用Ni/Au/Ni/Au多層體系，從而達(dá)到良好的防腐蝕效果和防底層金屬擴(kuò)散效果，如圖1所示。然而鍍層并非越厚越好，必須保證化學(xué)鍍Ni/Au后的線寬和線距都大于60 μm，否則Ni會(huì)發(fā)生嚴(yán)重交聯(lián)[14]。

圖1 高可靠陶瓷管殼Figure 1 Highly reliable ceramic casings

1.2 ENEPIG工藝

為了克服ENIG工藝存在的黑焊盤問(wèn)題，逐漸發(fā)展出ENEPIG工藝，即化學(xué)鍍鎳/鈀/浸金工藝，簡(jiǎn)稱鎳鈀金工藝，其工藝流程為：清洗→酸洗→微蝕→活化→化學(xué)鍍Ni→清洗→化學(xué)鍍Pd→清洗→浸Au[15-19]。

在ENEPIG工藝中，浸Au的置換反應(yīng)由ENIG工藝中的Au取代Ni轉(zhuǎn)變?yōu)橛葾u取代Pd。鍍Pd工藝的原理與鍍Ni工藝相近，也是以次磷酸鹽為還原劑進(jìn)行的自催化學(xué)氧化還原反應(yīng)，如式(1)和式(2)[20-21]所示。

與ENIG工藝相比，ENEPIG工藝作為焊盤表面修飾工藝具有諸多優(yōu)勢(shì)[22-28]。

1.2.1 省Au

在Ni和Au層之間插入Pd層能夠降低Au層的厚度，不僅節(jié)約成本，還能避免厚Au焊盤帶來(lái)的“金脆”問(wèn)題，提高焊盤可焊性。增大Pd層厚度可提高焊盤的表面潤(rùn)濕性，減小金屬間化合物應(yīng)力，提高焊接可靠性和力學(xué)性能[29-32]。Pd還具有良好的金絲鍵合性能，較薄的金層(≥0.05 μm)就能完成鍵合，Pd厚度≥0.10 μm時(shí)，鍵合后Pd層完整[33]。然而也有研究表明，ENEPIG上共晶SnPb焊料的可靠性稍低[34]，金絲鍵合的適用性也存在爭(zhēng)議。

1.2.2 防止Ni過(guò)氧化

ENIG工藝中的黑焊盤問(wèn)題不容忽視，尤其在高可靠大規(guī)模集成電路中，若基板擁有1 000個(gè)以上的高密度焊盤，即使發(fā)生黑焊盤現(xiàn)象的概率較低，也會(huì)對(duì)整個(gè)器件產(chǎn)生致命的影響。在Ni層表面鍍Pd可以避免浸Au過(guò)程中鍍液對(duì)Ni晶界的過(guò)氧化侵蝕，從而防止發(fā)生富P原電池腐蝕。

1.2.3 阻止Cu/Ni遷移

Pd作為額外的阻擋層，本身化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，在400 °C以下難以被氧化，化學(xué)鍍Pd層均勻、致密，可抑制Cu導(dǎo)體和Ni層向Au層表面的熱擴(kuò)散。在后續(xù)器件制造和服役過(guò)程中，帶有Pd層的鍍Au焊盤在高溫下能夠提供一個(gè)更穩(wěn)定的界面，令焊盤表面更不易氧化變色。

如圖2所示，ENIG和ENEPIG中的Au層一般都是垂直于基體表面生長(zhǎng)的柱狀結(jié)構(gòu)，柱直徑為5 ～ 20 nm。Pd層內(nèi)部的對(duì)比度較小，說(shuō)明Pd層可能是非晶態(tài)的。圖3給出了在150 °C下老化200 h后Au/Pd界面附近的高分辨率透射電鏡(HR-TEM)結(jié)果，以及Au和Pd晶格的快速傅里葉變換分析結(jié)果。從中可知Au層和Pd層分別是晶態(tài)和非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。正是Pd層的非晶態(tài)結(jié)構(gòu)有效抑制了Ni原子向Au層外的沿晶擴(kuò)散[35]。

圖2 透射電鏡下觀察到的ENIG工藝和ENEPIG工藝鍍層的微觀結(jié)構(gòu)[35]Figure 2 Microstructures of the coatings obtained by ENIG and ENEPIG processes by transmission electron microscopy [35]

圖3 在150 °C下老化200 h后Au/Pd界面附近的HR-TEM圖像(a)及Au晶格(b)和Pd晶格(c)的快速傅里葉變換分析圖像[35]Figure 3 HR-TEM image in the vicinity of Au/Pd interface after aging at 150 °C for 200 hours (a),and fast Fourier-transform analysis images of Au lattice (b) and Pd lattice (c) [35]

Ratzker等人[34]總結(jié)了ENEPIG和ENIG工藝的鍍層厚度范圍，如圖4所示。

圖4 ENEPIG(a)和ENIG(b)工藝鍍層的厚度范圍[34]Figure 4 Required thicknesses of different coatings for ENEPIG (a) and ENIG (b) processes [34]

2 鍍金基板腐蝕現(xiàn)象及機(jī)理

2.1 Ni/Au修飾基板的腐蝕

ENIG工藝的致命缺陷就是黑焊盤現(xiàn)象，也稱黑盤、黑墊、黑帶、黑鎳等。黑焊盤現(xiàn)象會(huì)阻礙焊盤與焊料之間的有效焊接，無(wú)法形成均勻、連續(xù)的IMC層而產(chǎn)生焊接孔洞，使得焊接面積和焊接強(qiáng)度大幅下降，隨著服役時(shí)間的延長(zhǎng)，焊接界面逐漸萌生裂紋，最終引發(fā)沿焊點(diǎn)與鍍層之間的界面開裂，導(dǎo)致焊點(diǎn)脫落。

Au的化學(xué)性質(zhì)不活潑，一般認(rèn)為器件表層Au本身不會(huì)發(fā)生氧化、變色和腐蝕。黑焊盤其實(shí)是焊盤表面的Ni鍍層氧化變黑所致。黑焊盤的形成機(jī)理主要從兩個(gè)方面展開探討：一是Ni/Au鍍層間的擴(kuò)散，二是浸Au溶液對(duì)Ni鍍層的過(guò)氧化[36-40]。

2.1.1 Ni/Au擴(kuò)散

在Au取代Ni的置換反應(yīng)過(guò)程中，一個(gè)較小的Ni原子置換成2個(gè)較大的Au原子，Au很難在Ni留下的空位上完美沉積。若工藝參數(shù)控制不當(dāng)，薄Au層中容易形成疏松多孔的晶粒結(jié)構(gòu)，甚至形成孔洞、裂紋等缺陷，如圖5所示，這為Ni的擴(kuò)散提供了通道[37]，使得Ni更容易爬升到Au層表面，并沿著Au層表面向整個(gè)焊盤擴(kuò)散。研究認(rèn)為，鍍層越厚、越平整，缺陷就越少[13]。此外，鍍Au液中的雜質(zhì)夾雜在鍍Au層中也會(huì)形成Ni的擴(kuò)散通道。擴(kuò)散到Au層表面的Ni很快被氧化，最終由點(diǎn)及面，污染整個(gè)焊盤，使其變黑[9]。另外，由于焊盤自身的幾何結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，側(cè)面和邊緣是鍍層制備的難點(diǎn)，缺陷往往在焊盤邊緣產(chǎn)生，因此常見的焊盤黑鎳多起始于邊緣。

圖5 ENIG界面中Au孔隙的形成機(jī)理[37]Figure 5 Formation mechanism of Au vias in ENIG interface [37]

從20世紀(jì)90年代起，國(guó)內(nèi)外開始采用Ni-Co合金代替Ni底鍍層。王占華等人[13]研究發(fā)現(xiàn)，加入Co后，Co原子替代了部分Ni原子，形成代位固溶體，提高了Ni原子向鍍Au層表面擴(kuò)散所需的能量，從而使Ni的擴(kuò)散被抑制。但Ni-Co合金鍍層較脆，路聰閣等人[41]提出將Ni-Co合金作為Ni的阻擋層，1 μm厚的Ni-Co合金鍍層就能有效阻止2.5 μm厚的Ni鍍層發(fā)生擴(kuò)散，進(jìn)而防止器件發(fā)生氧化變色。

2.1.2 浸Au液對(duì)Ni層的過(guò)氧化腐蝕

在一定條件下，浸Au液也可能造成局部Ni底層發(fā)生過(guò)度氧化，從而引起黑盤現(xiàn)象。Kim等人[40]的研究表明，當(dāng) Ni-P鍍層暴露在氰化金體系鍍液中時(shí)，不同部位的 P含量差異能夠引起驅(qū)動(dòng)局部電化學(xué)腐蝕的電位，使腐蝕發(fā)生在具有P含量差異的相鄰區(qū)域，P含量較低部位的Ni-P鍍層作為陽(yáng)極優(yōu)先發(fā)生腐蝕，P含量較高部位的Ni-P鍍層作為陰極。P含量差異越大，腐蝕越劇烈，形成黑盤現(xiàn)象的傾向越大，如圖6所示。

圖6 Ni-P鍍層腐蝕區(qū)域的斷面透射電鏡圖像[40]Figure 6 Cross-sectional transmission electron microscopy image at corroded area of Ni-P coating [40]

何志丹[9]分析了焊盤小孔洞Ni/Au界面的形貌和成分，如圖7和圖8所示，焊盤黑色孔洞區(qū)域Ni的原子分?jǐn)?shù)為22.04%，高于正常區(qū)域；與正常區(qū)域相比，黑色孔洞區(qū)域中Au的原子分?jǐn)?shù)明顯降低，說(shuō)明黑色孔洞區(qū)域底層有更多 Ni發(fā)生擴(kuò)散。從黑色孔洞的側(cè)剖面可以看出，這是一種縱向腐蝕，是典型的原電池腐蝕[42-43]。

當(dāng)現(xiàn)場(chǎng)情況滿足公式1，但不滿足公式2時(shí)，可根據(jù)道路設(shè)計(jì)及施工規(guī)范、路面通行要求等酌減；若路面采用混凝土或?yàn)r青混凝土等進(jìn)行硬化時(shí)(d=路面鋪裝厚度)，可對(duì)壩坡坡腳進(jìn)行垂直切坡處理，適當(dāng)增加路面寬度：

圖7 焊盤邊緣黑色孔洞的微觀形貌[9]Figure 7 Micromorphologies of black pits at the edge of pad [9]

圖8 黑色孔洞區(qū)域和正常區(qū)域的元素組成[9]Figure 8 Elemental compositions of black pit and normal area [9]

ENIG鍍層的制備原理決定了Ni的縱向腐蝕不可避免，而輕微的縱向腐蝕不會(huì)影響焊盤的可焊性，但是沿著Ni層界面的橫向腐蝕一旦形成，必然會(huì)影響焊盤的可焊性。提高Ni層的均勻性和平整性可以降低浸Au液對(duì)Ni的腐蝕，并且要確保Ni層厚度在4 μm以上。

2.1.3 雜質(zhì)氧化

馮皓等人[44]針對(duì)電子連接器上鍍Ni、Au的Cu觸頭表面鍍金層的變色問(wèn)題進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)變色樣品的Ni層和Au層中混入了大量Ag，這些Ag是供貨廠家在鍍金原材料中混入的雜質(zhì)。Ag首先生成淺黃色、黃褐色及黑褐色的硫化銀膜，進(jìn)而生成氯化銀，最終導(dǎo)致部分樣品表面鍍層氧化變色甚至變黑。

2.2 Ni/Pd/Au修飾基板的腐蝕

2.2.1 Au層缺陷

Ni/Pd/Au鍍層具有較好的耐蝕性，現(xiàn)階段報(bào)道的腐蝕現(xiàn)象多是由表面Au層裂紋、孔洞、脫落等缺陷造成的，針對(duì)這類腐蝕，應(yīng)對(duì)Au層表面微孔和縫隙進(jìn)行封閉處理[45-47]。

劉慧叢等人[48]對(duì)引腳鍍覆 Ni/Pd/Au的器件進(jìn)行了耐濕試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)引腳表面存在腐蝕敏感區(qū)(如切筋暴露基體部位、彎曲成型鍍層裂紋部位和鍍層表面有針孔部位)，如圖9所示。同時(shí)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)環(huán)境溫度超過(guò)40 °C、相對(duì)濕度超過(guò)80%時(shí)腐蝕加速。他們認(rèn)為環(huán)境中的雜質(zhì)能夠大幅提高鍍 Au層缺陷附近聚集的純水分子膜的導(dǎo)電性，使其成為電解液[48]。從表1可知，Au、Pd、Ni和Cu這4種金屬元素中，Au的電位最高，Ni最低，兩者接觸時(shí)以Au為陰極、Ni為陽(yáng)極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，如式(3)和式(4)所示。腐蝕最初只在Ni層內(nèi)橫向發(fā)展，Ni層損傷過(guò)多而暴露大面積Cu層后，Au和Cu進(jìn)一步構(gòu)成原電池腐蝕，如式(5)、式(6)和式(4)所示。銅的腐蝕產(chǎn)物體積較大，沿著腐蝕孔不斷遷移到鍍層表面，甚至破壞表面鍍Au層的結(jié)構(gòu)。

圖9 引線上的腐蝕敏感區(qū)域[48]Figure 9 Corrosion sensitive area on the lead [48]

表1 常見化學(xué)鍍金屬的標(biāo)準(zhǔn)電極電位[39]Table 1 Standard electrode potentials of common metals for electroless plating [39]

2.2.2 鍍層剝離

圖10 HTCC基板上Ni/Pd/Au鍍層的微觀結(jié)構(gòu)[49]Figure 10 Microstructure of Ni/Pd/Au coating on surface of LTCC substrate [49]

2.2.3 有機(jī)污染

單純的 C、O有機(jī)污染只會(huì)影響焊盤的可焊性和潤(rùn)濕性，在高溫試驗(yàn)后有機(jī)物組分的存在可能使焊盤表面變色，不過(guò)Au層表面結(jié)構(gòu)依然完好。另一種具有腐蝕性的有機(jī)污染則會(huì)攻擊焊盤，使鍍Au層表面產(chǎn)生色斑，焊盤內(nèi)部發(fā)生腐蝕。這種腐蝕往往源于焊盤邊緣與阻焊層油墨相鄰的邊角區(qū)域，與阻焊層結(jié)構(gòu)息息相關(guān)，主要是側(cè)蝕導(dǎo)致油墨、鍍液等殘留，引起金屬原電池腐蝕[50-51]。要確保油墨充分固化，以及油墨與焊盤緊密結(jié)合、無(wú)縫隙。對(duì)于可靠性要求較高的產(chǎn)品，如果條件允許，可先對(duì)焊盤(包括焊盤側(cè)壁)整體進(jìn)行鍍覆，再印刷油墨，確保焊盤側(cè)壁邊緣也被鍍層保護(hù)。

3 電子封裝鍍金基板腐蝕模型

基板表面的Au層本身不會(huì)腐蝕，但基板的腐蝕與Au層品質(zhì)密切相關(guān)。如圖11[52-54]所示，鍍金基板的腐蝕可歸納為兩類：一類是干熱條件下的氧化腐蝕，另一類是電解質(zhì)溶液環(huán)境中發(fā)生的原電池腐蝕。

圖11 鍍金基板的腐蝕模型[52-54]Figure 11 Corrosion models of gold-coated substrates [52-54]

當(dāng)基板表面Au層較薄時(shí)，Ni、Cu等底鍍層和基材導(dǎo)體將沿著鍍Au層晶界向其表面緩慢擴(kuò)散。Au層中的微裂紋和其他微缺陷為擴(kuò)散提供額外的通道，使Ni、Cu在更短的時(shí)間內(nèi)到達(dá)Au層表面。此外，器件的高溫服役環(huán)境將會(huì)大幅加快擴(kuò)散。Au層不能保護(hù)擴(kuò)散到其表面的底鍍層和基材元素，這些元素暴露在環(huán)境中很快就被氧化、硫化和腐蝕。這類氧化腐蝕不僅導(dǎo)致焊盤表面變色，還會(huì)使變色區(qū)域失去對(duì)焊料的潤(rùn)濕能力，使得焊接和鍵合不能形成有效的IMC連接界面，嚴(yán)重影響了基板的焊盤品質(zhì)。

當(dāng)基板表面Au層存在缺陷，底鍍層和基材暴露時(shí)，氧化并不是最危險(xiǎn)的腐蝕，因?yàn)檫@種情況下金屬能夠形成致密的氧化膜，具有一定的自我保護(hù)作用。然而當(dāng)伴有水汽時(shí)，空氣中的腐蝕性和導(dǎo)電性離子溶解在表面Au層缺陷處的水膜中，就會(huì)形成微原電池腐蝕。此時(shí)Au層不但不能保護(hù)底層金屬，還會(huì)作為陰極促使底層腐蝕。成分復(fù)雜的腐蝕產(chǎn)物(由鍍層材料和外來(lái)腐蝕元素共同決定)通過(guò)Au層缺陷溢出并在表面堆積。對(duì)于多層結(jié)構(gòu)的鍍層，低電極電位鍍層先被腐蝕。雖然垂直于鍍層平面的縱向腐蝕破壞力有限，但當(dāng)腐蝕沿著鍍層間界面擴(kuò)展時(shí)，更多Au層結(jié)構(gòu)將被破壞和剝離，在宏觀上表現(xiàn)為腐蝕面積增大。微原電池逐漸擴(kuò)展而發(fā)展成大面積焊盤腐蝕，從根本上破壞了基板的焊盤結(jié)構(gòu)和元素成分，使焊盤徹底失去作為焊接載體的作用。

4 結(jié)語(yǔ)

(1) 導(dǎo)致Ni/Au鍍層腐蝕主要有Ni/Au擴(kuò)散、Ni-P腐蝕、雜質(zhì)腐蝕等因素。提高鍍Au層致密度，以及減少Ni向焊盤表面擴(kuò)散是抑制變色的最根本途徑。有效手段包括優(yōu)化拋光研磨技術(shù)、發(fā)展新型封孔劑、開發(fā)新的半置換半還原金技術(shù)及研發(fā)Ni基合金底層。

(2) Ni/Pd/Au鍍層的腐蝕主要由Au層缺陷、鍍層剝離、有機(jī)污染等原因?qū)е?。提高焊盤表面鍍層品質(zhì)，同時(shí)預(yù)防人為損傷，是防止腐蝕的有效措施。提升基材表面活性，有利于提高底鍍層與基材之間的結(jié)合強(qiáng)度，避免鍍層剝離。有機(jī)污染的危害相對(duì)較小，一般加強(qiáng)清洗即可。