楊曉宇 靳寶林 王熙寧 白林含

為解決高無(wú)機(jī)鹽廢水中的鉻（Chromium，Cr）的六價(jià)鉻Cr（Ⅵ）污染問(wèn)題，從高鹽環(huán)境中分離得到一株Cr（Ⅵ）還原菌，命名為KL01，經(jīng)分子鑒定為墓畫(huà)大洋芽孢桿菌（Oceanobacillus picturae），通過(guò)對(duì)KL01的生理特征分析發(fā)現(xiàn)其為一株中度嗜鹽菌.以SEM、TEM結(jié)合能譜對(duì)Cr（Ⅵ）脅迫下的菌體進(jìn)行了檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)KL01對(duì)Cr僅有少量的胞內(nèi)吸附，無(wú)胞外吸附，且高濃度的Cr（Ⅵ）可使菌體長(zhǎng)度增加.通過(guò)KL01在不同環(huán)境條件還原Cr（Ⅵ）能力的影響研究，發(fā)現(xiàn)其在有氧條件下，30 ℃，pH 7.5，NaCl濃度6%時(shí)，具有較好的還原Cr（Ⅵ）的效果；當(dāng)Cr（Ⅵ）濃度為20 mg/L時(shí)，對(duì)其的還原率可達(dá)96%以上.這表明KL01對(duì)高鹽環(huán)境中的Cr（Ⅵ）具有良好的去除效果，可用于處理高鹽含Cr（Ⅵ）廢水.

鉻污染； 高鹽環(huán)境； 墓畫(huà)大洋芽孢桿菌； 生物還原

Q93A2023.016004

收稿日期： 2022-05-05

基金項(xiàng)目： 成都市科技項(xiàng)目（2021-YF05-01171-SN）; 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（2018YFC1802605）

作者簡(jiǎn)介： 楊曉宇（1997-）， 女， 四川綿陽(yáng)人， 碩士研究生， 研究方向?yàn)橘Y源微生物. E-mail： 2019222040084@stu.scu.edu.cn

通訊作者： 白林含. E-mail： bailinhan@scu.edu.cn

Isolation， identification and reduction characteristics of a salt-tolerant Cr（Ⅵ） reducing strain

YANG Xiao-Yu， JIN Bao-Lin， WANG Xi-Ning， BAI Lin-Han

（Key Laboratory of Bio-Resources and Eco-Environment of Ministry of Education， College of Life Sciences， Sichuan University， Chengdu 610064， China）

In order to solve the problem of hexavalent chromium Cr（Ⅵ） pollution in high inorganic salt wastewater， a strain of Cr（Ⅵ） reducing bacteria， named KL01， was isolated from the hypersaline environment and molecularly identified as Oceanobacillus picturae. The physiological characteristics of KL01 revealed that it is a moderately halophilic strain. The cells under Cr（Ⅵ） stress were examined by SEM and TEM combined with EDS， and it was found that KL01 showed only a small amount of intracellular adsorption of chromium， but no extracellular adsorption and the high concentration of Cr（Ⅵ） caused an increase in the length of the bacteria. Single-factor experiments were conducted to investigate the ability of different environmental conditions on the reduction of Cr（Ⅵ） by KL01. It was found that KL01 had a better Cr（Ⅵ） reduction effect under aerobic conditions， 30 ℃， pH 7.5 and 6% NaCl concentration， and the reduction rate for 20 mg/L Cr（Ⅵ） was above 96%. It was shown that KL01 has a good removal effect on Cr（Ⅵ） in hypersaline environment and can be used for the treatment of Cr（Ⅵ） in the hypersaline wastewater.

Chromium contamination; Hypersaline environment; Oceanobacillus picturae; Bioreduction

1 引 言

自工業(yè)化以來(lái)，重金屬的污染一直持續(xù)影響著水體與土地，其中包括《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》［1］中規(guī)定的第一類(lèi)污染物——鉻.鉻常被用于工業(yè)生產(chǎn)中，如電鍍廠(chǎng)［2］，化工廠(chǎng)［3］和采礦廠(chǎng)［4］等，不當(dāng)?shù)呐欧艅t會(huì)導(dǎo)致鉻污染.自然界中，鉻離子的主要存在形式為六價(jià)鉻（Cr（Ⅵ））和三價(jià)鉻（Cr（Ⅲ））.Cr（Ⅲ）作為一種哺乳動(dòng)物代謝所需的微量元素，具有一定毒性，但低濃度時(shí)不呈現(xiàn)，毒性?xún)H為Cr（Ⅵ）的百分之一［5］.且Cr（Ⅲ）化合物可被土壤吸附，形成溶解度極低的沉淀.相反，Cr（Ⅵ）因其極強(qiáng)的水溶性隨廢水排放或經(jīng)土壤滲透進(jìn)入地表水，影響到河流及沿岸的生態(tài)，甚至通過(guò)食物鏈進(jìn)入人體.Cr（Ⅵ）可破壞生物體的生化代謝，引起氧化和非氧化形式的DNA損傷［5］，引起突變.對(duì)人體還可誘發(fā)皮膚潰瘍、腎衰竭甚至癌癥等.工業(yè)上處理含Cr（Ⅵ）廢水常用的物理及化學(xué)方法如吸附法［8］、絮凝沉淀法［9］和電化學(xué)法［10］等，具有運(yùn)行成本高、再生工藝復(fù)雜及二次污染等不足.

使用微生物來(lái)去除Cr（Ⅵ）為含Cr（Ⅵ）廢水的處理提供了一種低成本且環(huán)境友好的方法.但由于許多工業(yè)廢水中含鹽量較高，大部分除Cr（Ⅵ）菌在高鹽環(huán)境下能力受限［11， 12］，包括近年來(lái)分離出的多株能夠除Cr（Ⅵ）的細(xì)菌，如希瓦氏菌（Shewanella oneidensis）［13］、銅綠假單胞桿菌（Pseudomonas aeruginosa）［14］和無(wú)色桿菌（Achromobacter）［15］等，均不能耐受高鹽濃度，在處理時(shí)必須增加除鹽工序，提高成本.因此，挖掘更多能在高鹽環(huán)境中除Cr（Ⅵ）的細(xì)菌具有重要的意義.

本研究從高無(wú)機(jī)鹽環(huán)境中分離得到一株Cr（Ⅵ）還原菌KL01，對(duì)其進(jìn)行了分子生物學(xué)鑒定，研究了該菌對(duì)Cr（Ⅵ）的耐受及還原特性，為微生物治理無(wú)機(jī)高鹽含Cr（Ⅵ）廢水提供了理論依據(jù)及實(shí)體資源.

2 材料與方法

2.1 實(shí)驗(yàn)材料

2.1.1 菌株來(lái)源 實(shí)驗(yàn)室保存的一株耐鹽菌KL01.

2.1.2 培養(yǎng)基 使用6% NaCl LB培養(yǎng)基，成分為蛋白胨10 g，酵母浸提粉5 g，NaCl 60 g，蒸餾水定容至1000 mL.調(diào)pH至7.0，固體培養(yǎng)基含1.5%瓊脂.121 ℃高壓蒸汽滅菌20 min.NaCl量及pH需根據(jù)實(shí)驗(yàn)所需鹽濃度和pH微調(diào).

2.2 實(shí)驗(yàn)方法

2.2.1 菌落形態(tài)觀(guān)察 接種KL01菌株至含鹽的固體LB培養(yǎng)基30 ℃培養(yǎng)2 d后，觀(guān)察并記錄菌落形態(tài).

2.2.2 掃描電鏡（SEM）觀(guān)察 將KL01在含鹽液體LB培養(yǎng)基中培養(yǎng)后，離心，取沉淀進(jìn)行洗滌，經(jīng)戊二醛固定、磷酸緩沖液漂洗、乙醇梯度脫水、臨界點(diǎn)干燥及噴鍍后，上機(jī)觀(guān)察.

2.2.3 透射電鏡（TEM）觀(guān)察 將KL01在含鹽液體LB培養(yǎng)基中培養(yǎng)后，離心，取沉淀使用戊二醛固定、丙酮逐級(jí)脫水、Epon812環(huán)氧樹(shù)脂滲透、包埋、超薄切片及醋酸鈾和枸櫞酸鉛染色后，上機(jī)觀(guān)察.

2.2.4 16S rDNA鑒定 接種KL01菌株至含鹽LB液體培養(yǎng)基中培養(yǎng)，以煮沸法提取DNA，使用16S rDNA通用引物：27F：5′-AGAGTTTGATCCTGGCTCAG-3′；1492R：5′-GGTTACCTTGTTACGACTT-3′，PCR擴(kuò)增該菌株的16S rDNA序列.將擴(kuò)增產(chǎn)物送至擎科生物科技有限公司測(cè)序，并將結(jié)果在NCBI進(jìn)行上blast比對(duì)，使用鄰接法構(gòu)建系統(tǒng)發(fā)育樹(shù).

2.2.5 KL01的最適生長(zhǎng)條件和生長(zhǎng)曲線(xiàn) 按1∶100接種KL01菌株至梯度pH、梯度鹽濃度的LB培養(yǎng)基中，在不同溫度條件下震蕩培養(yǎng)2 d，平行3個(gè)樣本.每12 h取樣一次，使用酶標(biāo)儀測(cè)定OD600 nm.按KL01的最適生長(zhǎng)條件對(duì)其進(jìn)行培養(yǎng)，每2 h取樣使用酶標(biāo)儀測(cè)定OD600 nm，繪制KL01的生長(zhǎng)曲線(xiàn).

2.2.6 KL01的耐鹽能力 按1∶100接種KL01菌株至NaCl濃度梯度的LB培養(yǎng)基中，在最適生長(zhǎng)溫度下培養(yǎng)48 h，使用分光光度計(jì)測(cè)定OD600 nm值，檢測(cè)菌株是否生長(zhǎng).

2.2.7 KL01的耐Cr（Ⅵ）能力 Cr（Ⅵ）以K2Cr2O7的形式提前配制成1 g/L Cr（Ⅵ）標(biāo)準(zhǔn)貯藏液，使用時(shí)稀釋至10 mg/L.按1∶100接種KL01菌株培養(yǎng)基中，再加入Cr（Ⅵ）至梯度終濃度，于2.2.5所得的最適生長(zhǎng)條件下培養(yǎng)24 h，使用分光光度計(jì)測(cè)定OD600 nm值，檢測(cè)Cr（Ⅵ）對(duì)KL01的最小抑制濃度（MIC）.

2.2.8 Cr（Ⅵ）脅迫后KL01的SEM -EDS檢測(cè) 將KL01在含不同濃度的Cr（Ⅵ）培養(yǎng)基中在最適生長(zhǎng)條件培養(yǎng)48 h后，制樣方法同2.2.2，上機(jī)進(jìn)行掃描電鏡-X射線(xiàn)能譜（SEM-EDS）檢測(cè).

2.2.9 Cr（Ⅵ）脅迫后KL01的TEM-EDS Mapping檢測(cè) 將KL01在含175 mg/L Cr（Ⅵ）培養(yǎng)基中在最適生長(zhǎng)條件培養(yǎng)48 h后，制樣方法同2.2.3，上機(jī)進(jìn)行TEM-EDS Mapping檢測(cè).

2.2.10 KL01的馴化培養(yǎng) 將KL01菌株接種入初始濃度為100 mg/L Cr（Ⅵ）的含鹽培養(yǎng)基中，每日加入Cr（Ⅵ）標(biāo)液及新鮮培養(yǎng)基，逐步濃度增加至350 mg/L，馴化培養(yǎng)15 d.

2.2.11 KL01的除Cr（Ⅵ）能力 按1∶100接種KL01菌株培養(yǎng)基中，再加入Cr（Ⅵ）至終濃度為20、40、60、80和100 mg/L，于最適生長(zhǎng)條件下培養(yǎng)48 h，體系中Cr（Ⅵ）的濃度按國(guó)標(biāo)GB/T 7467-1987［16］中的二苯碳酰二肼法測(cè)定，計(jì)算Cr（Ⅵ）去除率.Cr（Ⅵ）去除率=（Cr（Ⅵ）初始濃度-測(cè)得的剩余Cr（Ⅵ）濃度）/ Cr（Ⅵ）初始濃度 × 100%.

2.2.12 溫度對(duì)KL01去除Cr（Ⅵ）的影響 將KL01按1∶100接種入含20 mg/L Cr（Ⅵ）的最適生長(zhǎng)條件下的培養(yǎng)基中，每個(gè)梯度設(shè)置3個(gè)重復(fù)，于25、30和35 ℃的溫度下培養(yǎng)48 h，測(cè)定體系中Cr（Ⅵ）濃度，計(jì)算去除率.

2.2.13 pH對(duì)KL01去除Cr（Ⅵ）的影響 將KL01按1∶100接種入含20 mg/L Cr（Ⅵ）的，pH為6.5～9.0培養(yǎng)基中，每個(gè)梯度設(shè)置3個(gè)重復(fù)，于最適生長(zhǎng)條件下培養(yǎng)48 h，測(cè)定體系中Cr（Ⅵ）濃度，計(jì)算去除率.

2.2.14 鹽濃度對(duì)KL01去除Cr（Ⅵ）的影響 將KL01按1∶100接種入含20 mg/L Cr（Ⅵ）的，鹽濃度為4%～14%培養(yǎng)基中，每個(gè)梯度設(shè)置3個(gè)重復(fù)，于最適生長(zhǎng)條件下培養(yǎng)48 h，測(cè)定體系中Cr（Ⅵ）濃度，計(jì)算去除率.

3 結(jié)果與分析

3.1 形態(tài)特征

KL01菌落（圖1a）在固體培養(yǎng)基上呈奶白色，圓形，直徑約2 μm，邊緣波紋狀不整齊.由SEM觀(guān)察到，菌體平均長(zhǎng)度約為2.4 μm，表面光滑，呈桿狀（圖1b）.由TEM觀(guān)察到菌體質(zhì)壁清晰分明，胞質(zhì)較均勻（圖1c）.

3.2 分子鑒定結(jié)果

KL01的16S rDNA序列經(jīng)NCBI網(wǎng)站BLAST工具比對(duì)后，使用ClustalW進(jìn)行多序列比對(duì)，采用鄰接法（Neighbor-Joining法）構(gòu)建系統(tǒng)發(fā)育樹(shù)（圖2）.可見(jiàn)KL01與Oceanobacillus picturae SQA-14（序列登錄號(hào)：MT110647.1）在同一分支中，相似性為99.93%，鑒定為墓畫(huà)大洋芽孢桿菌（Oceanobacillus picturae）.其所屬的大洋桿菌屬（Oceanobacillus）曾被發(fā)現(xiàn)存在于韓國(guó)傳統(tǒng)發(fā)酵食品辣醬中，芽孢桿菌可能產(chǎn)生抗生素抑制酵母菌的生長(zhǎng)，控制發(fā)酵的產(chǎn)氣量［17］.

3.3 KL01的最適生長(zhǎng)條件及生長(zhǎng)曲線(xiàn)

KL01在不同溫度、pH及鹽濃度下的生長(zhǎng)情況如圖3a～3c所示.KL01在35 ℃和37 ℃下初始生長(zhǎng)速度較快，但會(huì)快速進(jìn)入衰退期.而在25 ℃下KL01雖能保持較長(zhǎng)的生長(zhǎng)期，但生長(zhǎng)速度緩慢，故KL01的最適生長(zhǎng)溫度為30 ℃.KL01在pH為7.0時(shí)的生長(zhǎng)狀態(tài)最好，但在6.5 ～ 9.0的環(huán)境中都能生存.KL01在鹽濃度過(guò)高（8%）或過(guò)低（0%～3%）時(shí)生長(zhǎng)菌受到一定的抑制，而在4%～7%的鹽濃度下的生長(zhǎng)情況差異不大，在6%鹽濃度時(shí)的生長(zhǎng)狀態(tài)最好，屬于中度嗜鹽菌.綜上，KL01的最適生長(zhǎng)條件為30 ℃，pH 7.0，鹽濃度6%.

將KL01在最適生長(zhǎng)條件下培養(yǎng)后，測(cè)定OD600 nm值并繪制了KL01的生長(zhǎng)曲線(xiàn)，見(jiàn)圖3 d.KL01菌株生長(zhǎng)的前8 h為延遲期，8 h時(shí)進(jìn)入對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期，14 h時(shí)為菌株生長(zhǎng)最活躍的時(shí)期，至20 h時(shí)進(jìn)入穩(wěn)定期.

3.4 KL01的抗逆性分析

3.4.1 KL01的耐鹽性 在高鹽濃度下，KL01的生長(zhǎng)情況如圖4a所示.KL01在6%～16%的鹽濃度下可以生長(zhǎng)，但在14%鹽濃度下的生長(zhǎng)已受到強(qiáng)烈抑制，在18%鹽濃度下則完全被抑制.

3.4.2 KL01的耐Cr（Ⅵ）能力 KL01在不同濃度的Cr（Ⅵ）下的生長(zhǎng)情況如圖4b所示，隨Cr（Ⅵ）濃度增加，OD600 nm值逐漸降低，表明Cr（Ⅵ）抑制了細(xì)菌的生長(zhǎng).KL01在200 mg/L Cr（Ⅵ）濃度下OD600 nm為0.37，仍可生長(zhǎng)，但在225 mg/L Cr（Ⅵ）下培養(yǎng)后OD600 nm為0.15（<0.2），說(shuō)明已嚴(yán)重抑制了細(xì)菌的生長(zhǎng)，繼續(xù)提升濃度至250 mg/L后，KL01的生長(zhǎng)幾乎完全被抑制，即Cr（Ⅵ）對(duì)中度嗜鹽菌KL01的MIC為225 mg/L.

3.5 Cr（Ⅵ）脅迫后KL01的SEM-EDS檢測(cè)

受Cr（Ⅵ）脅迫后的KL01菌體的SEM顯微圖見(jiàn)圖5，在掃描電鏡觀(guān)察區(qū)域中隨機(jī)選擇3個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域隨機(jī)選擇5個(gè)統(tǒng)計(jì)菌體長(zhǎng)度.發(fā)現(xiàn)在100 mg/L Cr（Ⅵ）下，少部分菌體長(zhǎng)度達(dá)到5 μm；在125 mg/L Cr（Ⅵ）下，菌體長(zhǎng)度普遍在3～5 μm；在175 mg/L Cr（Ⅵ）下，菌體的平均長(zhǎng)度甚至可以達(dá)到5～7 μm.相較于脅迫前的菌體，在含Cr（Ⅵ）環(huán)境下生長(zhǎng)的菌體長(zhǎng)度明顯變長(zhǎng).但KL01菌體表面始終保持光滑，未見(jiàn)吸附有塊狀物.結(jié)合EDS分析（圖6），無(wú)論KL01在20 mg/L還是100 mg/L Cr（Ⅵ）下，菌體表面的鉻原子百分比均小于0.05（表1），說(shuō)明KL01表面不吸附Cr（Ⅵ）.

3.6 Cr（Ⅵ）脅迫后KL01的TEM - EDS Mapping檢測(cè)

在175 mg/L的Cr（Ⅵ）環(huán)境下培養(yǎng)后，對(duì)KL01進(jìn)行了TEM觀(guān)察及TEM-EDS Mapping檢測(cè).TEM觀(guān)察圖像見(jiàn)圖7，高Cr（Ⅵ）脅迫后KL01部分菌體破裂，內(nèi)容物流出.完整菌體內(nèi)部胞質(zhì)部分可見(jiàn)清晰黑點(diǎn)，分布較均勻，經(jīng)TEM-EDS Mapping后據(jù)Cliff Lorimer進(jìn)行定量分析，發(fā)現(xiàn)菌體內(nèi)部含有少量鉻（表2），據(jù)Mapping圖像（圖8）可見(jiàn)這些鉻均勻分布于胞質(zhì)中，未在胞壁或質(zhì)膜上集中分布.

3.7 KL01去除Cr（Ⅵ）能力

KL在馴化前后的除Cr（Ⅵ）能力如圖所示圖9a，在馴化前，KL01在2 d內(nèi)對(duì)Cr（Ⅵ）的去除量為96.09%.經(jīng)馴化后，KL01在2 d內(nèi)對(duì)Cr（Ⅵ）的去除量為96.55%，除Cr（Ⅵ）效率有所提高.而KL01對(duì)于更高濃度的Cr（Ⅵ）時(shí)的處理效果并不理想，在40 mg/L時(shí)去除率僅有46%左右（圖9b）.

3.8 不同因素對(duì)KL01除Cr（Ⅵ）的影響

3.8.1 溫度對(duì)KL01除Cr（Ⅵ）的影響 溫度對(duì)KL01除Cr（Ⅵ）的影響如圖10a，選擇了與KL01最適生長(zhǎng)溫度30 ℃及附近的25 ℃和35 ℃進(jìn)行實(shí)驗(yàn).發(fā)現(xiàn)在30 ℃時(shí)KL01的除Cr（Ⅵ）效果最好，提高或降低培養(yǎng)溫度至25 ℃和35 ℃時(shí)，KL01對(duì)Cr（Ⅵ）的去除效果均大幅降低.

3.8.2 pH對(duì)KL01除Cr（Ⅵ）的影響 如圖10b所示，pH對(duì)于KL01除Cr（Ⅵ）的影響較小.在pH為7.5時(shí)除Cr（Ⅵ）效果最好，在pH小于等于7.0或大于等于8.0的情況下，KL01對(duì)Cr（Ⅵ）的去除效果稍差.在pH 9.0的環(huán)境下KL01對(duì)Cr（Ⅵ）的還原率仍可達(dá)88.28%，說(shuō)明KL01具有在偏堿環(huán)境下除Cr（Ⅵ）的能力.

3.8.3 鹽濃度對(duì)KL01除Cr（Ⅵ）的影響 以KL01能夠生存的4%至14%的鹽濃度設(shè)計(jì)了實(shí)驗(yàn)，鹽濃度對(duì)于KL01還原Cr（Ⅵ）的影響見(jiàn)圖10c.在KL01的最適生長(zhǎng)鹽濃度6%下，對(duì)Cr（Ⅵ）的去除效果最好，為97.51%.隨體系內(nèi)鹽濃度增加，KL01的除Cr（Ⅵ）率逐漸降低，鹽濃度在4%和8%時(shí)對(duì)Cr（Ⅵ）的去除率分別為85.44%和88.28%，說(shuō)明KL01具有在高鹽環(huán)境下仍然具有一定的除Cr（Ⅵ）的能力.但在更高的鹽濃度下，KL01的除鉻能力已低于80%，受到嚴(yán)重影響.

4 討 論

本研究從實(shí)驗(yàn)室中分離到了一株耐鹽Cr（Ⅵ）還原菌Oceanobacillus picturae KL01，其最高可耐受200 mg/L Cr（Ⅵ）和16%的鹽濃度，具有良好的耐Cr（Ⅵ）及耐鹽能力.馴化后的KL01能在48 h內(nèi)其最適生長(zhǎng)條件（6%鹽濃度）下，對(duì)20 mg/L Cr（Ⅵ）的還原率在96%以上，能夠在高NaCl濃度下的有氧環(huán)境中去除Cr（Ⅵ）.使用SEM對(duì)KL01在高濃度Cr（Ⅵ）環(huán)境下脅迫后的菌體進(jìn)行觀(guān)察發(fā)現(xiàn)KL01菌體表面無(wú)塊狀吸附物，且菌體長(zhǎng)度明顯變長(zhǎng).在菌體長(zhǎng)度增加這點(diǎn)上，與假單胞桿菌G1DM21（Pseudomonas sp.G1DM21）在Cr（Ⅵ）環(huán)境下培養(yǎng)后的觀(guān)察到的變化一致［18］，表現(xiàn)為阻滯細(xì)胞正常的生長(zhǎng)周期，干擾了正常的細(xì)胞分裂［19］，說(shuō)明了高濃度Cr（Ⅵ）對(duì)于細(xì)胞的毒性.由SEM-EDS可檢測(cè)到無(wú)論在高濃度還是低濃度的Cr（Ⅵ）環(huán)境下，KL01菌體表面均無(wú)鉻的存在，不進(jìn)行體外吸附.通過(guò)TEM觀(guān)察了KL01脅迫后的內(nèi)部情況，發(fā)現(xiàn)胞質(zhì)部分可見(jiàn)均勻分布的黑點(diǎn)，經(jīng)TEM-EDS Mapping進(jìn)一步檢測(cè)后確定為胞內(nèi)吸附的少量鉻.同時(shí)，還使用單因素法考察了不同環(huán)境因素對(duì)于KL01還原Cr（Ⅵ）的影響，發(fā)現(xiàn)其在30 ℃，pH 7.5，鹽濃度6%時(shí)，具有較好的除Cr（Ⅵ）效果.溫度對(duì)于其Cr（Ⅵ）還原能力影響較大，在25 ℃和35 ℃下的除Cr（Ⅵ）率較30℃時(shí)大幅降低.鹽濃度在4%～8%時(shí)，KL01對(duì)Cr（Ⅵ）的去除率維持在85%以上，在高鹽濃度下仍然能很好的去除體系中的Cr（Ⅵ）.而這正好對(duì)應(yīng)著目前很大一部分高鹽含Cr（Ⅵ）廢水的鹽濃度［20， 21］，體現(xiàn)了其應(yīng)用在工業(yè)廢水除Cr（Ⅵ）中的優(yōu)勢(shì).pH對(duì)于KL01的Cr（Ⅵ）還原效果影響并無(wú)其他因素大，在pH 6.5～8.5下均有較好的效果，這意味著KL01在有氧條件下鹽堿環(huán)境中也能很好地發(fā)揮其功能.

綜上所述，本文分離得到了一株Cr（Ⅵ）還原菌KL01，對(duì)高無(wú)機(jī)鹽及高Cr（Ⅵ）環(huán)境具有耐受性，能在有氧、高鹽濃度、中性偏堿環(huán)境下對(duì)Cr（Ⅵ）進(jìn)行還原，為微生物處理高鹽含Cr（Ⅵ）廢水的研究提供了理論依據(jù).

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