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      DNA損傷應答中環(huán)狀GMP-AMP合成酶的UFMylation修飾潛在作用

      2023-06-23 21:39:28宋佳莧朱敏
      關鍵詞:鏈斷裂細胞質細胞核

      宋佳莧 朱敏

      摘要:為探究環(huán)狀GMP-AMP合成酶(cyclic GMP-AMP synthetase,cGAS)翻譯后修飾參與DNA損傷應答的潛在作用,轉染HeLa細胞和HEK-293T細胞,設置未處理組和Etoposide處理組。基于Western blot和免疫熒光染色,確定HeLa細胞質粒轉染效率、Etoposide處理前后的DNA損傷效果、DNA損傷前后cGAS的細胞定位情況。采用免疫共沉淀和Western blot檢測HEK-293T細胞cGAS的表達及UFMylation修飾。實驗結果顯示,HeLa細胞穩(wěn)定表達cGAS,Etoposide處理可造成明顯DNA損傷,未處理組cGAS富集于細胞質,處理組cGAS富集于細胞核。HEK-293T細胞穩(wěn)定表達轉染質粒,同時發(fā)現UFMylation修飾的cGAS。因此,cGAS參與DNA損傷應答且可能通過UFMylation修飾調控,為翻譯后修飾視角研究DNA損傷應答提供理論參考。

      關鍵詞:DNA損傷應答;環(huán)狀GMP-AMP合成酶;泛素折疊修飾因子1;UFMylation修飾

      中圖分類號:Q527 文獻標志碼:A

      文章編號:1006-1037(2023)02-0020-04

      doi:10.3969/j.issn.1006-1037.2023.02.04

      基金項目:

      國家自然科學基金(批準號:32201061)資助;山東省自然科學基金(批準號:ZR2021QC083)資助。

      通信作者:

      朱敏,女,博士,副教授,主要研究方向為DNA損傷修復。

      先天免疫系統(tǒng)(快速感知和響應感染)和DNA損傷應答(DNA damage response,DDR)作為保持生物體完整性所必需的重要系統(tǒng),其缺陷導致感染、自身免疫、癌癥和衰老等諸多疾病,兩者之間串擾所涉及分子因素及潛在機制仍不清楚。DDR能發(fā)現且控制細胞內特定DNA損傷,通過修復、耐受、永久失活(不可修復或不可耐受的病變細胞)等方式保護細胞,最大程度降低DNA損傷影響[1-2]。研究發(fā)現,12%的轉移性癌癥患者具有腫瘤抑制基因病原種系突變,其中75%與DNA損傷修復有關[3]。癌癥發(fā)生是由多因素誘發(fā)、多基因參與且涉及基因突變和染色體變化的多階段復雜過程,其核心特征之一是基因組不穩(wěn)定性[4-6]。環(huán)狀GMP-AMP合成酶(cyclic GMP-AMP synthetase,cGAS)是一種胞質DNA感受器蛋白,通過識別、結合細胞質內雙鏈DNA(內源性和/或外源性)被激活,合成第二信使cyclic GMP-AMP(cGAMP),由cGAMP激活定位于內質網的干擾素基因刺激因子(stimulator of interferon genes,STING),進而觸發(fā)信號級聯(lián)激活天然免疫。雖然cGAS的激活可通過多種蛋白質翻譯后修飾(Post-translational modification,PTM)調節(jié),包括磷酸化、谷氨?;?、泛素化、SUMO化和乙?;?,但cGAS的其他PTM因子仍然知之甚少。Ub樣蛋白(UBL)通過一系列酶促反應共價偶聯(lián)其靶蛋白,如神經前體細胞表達和發(fā)育下調8(NEDD8)、干擾素刺激基因15(ISG15)和泛素折疊修飾因子1(UFM1)。UFM1作為新發(fā)現的UBL之一,與泛素化類似,通過三步酶促反應與其靶蛋白偶聯(lián),包含泛素樣修飾劑激活酶5(UBA5, E1),UFM1偶聯(lián)酶1(UFC1, E2),UFM1特異性連接酶1(UFL1, E3)。DNA損傷相關基因組不穩(wěn)定性導致微核形成,微核cGAS與DNA損傷標志物如磷酸化的組蛋白H2AX(γH2AX)可共定位[7-8]。已有研究表明,DNA損傷以importin-α依賴方式誘導cGAS入核,通過多聚(ADP-核糖)與PARP1相互作用,抑制PARP1-Timeless復合物形成,從而抑制同源重組修復[9]。細胞核cGAS通過與染色質結合促進其致密化,阻礙RAD51介導的DNA鏈侵入,抑制同源重組修復[10]。綜上,本文基于微核cGAS的作用,過表達HeLa細胞和HEK-293T細胞的cGAS,研究cGAS的UFMylation修飾及DNA損傷前后cGAS的細胞定位,為DNA損傷修復研究提供新思路。

      1 材料與方法

      1.1 實驗材料

      HEK-293T細胞系、HeLa細胞系源自ATCC細胞庫。DMEM/HIGH-GLUCOSE(山東思科捷生物技術有限公司),胎牛血清(德國PAN-Biotech公司),HA Tag抗體(美國Bethyl公司),FLAG Tag抗體(美國Sigma公司),Protein A beads(美國GE Healthcare公司),γ-H2AX抗體(美國Millipore公司),FLAG-Vector、FLAG-cGAS、HA-UFM1、HA-UFM1(ΔC2)質粒均由本課題組實驗室前期構建。

      1.2 研究方法

      1.2.1 細胞培養(yǎng) HeLa細胞、HEK-293T細胞均接種于DMEM高糖細胞培養(yǎng)液(含10%胎牛血清、0.5%青霉素—鏈霉素混合液),置于37 ℃細胞培養(yǎng)箱(5% CO2)內培養(yǎng)。處于對數生長期的細胞通過胰酶消化后,參照聚乙烯亞胺說明書轉染。

      1.2.2 Western blot檢測質粒轉染效率 HeLa細胞(計數1.5×105個)接種至六孔板,于四孔分別轉染FLAG-Vector、FLAG-Vector、FLAG-cGAS、FLAG-cGAS質粒各2 μg,轉染48 h后,取一組FLAG-Vector、FLAG-cGAS質粒轉染的細胞用25 μmol/L Etoposide處理2 h。吸除細胞培養(yǎng)液,加入100 μL sample buffer(含細胞裂解成分)裂解細胞,提取細胞全蛋白。采用10% SDS-PAGE膠分離蛋白,轉印PVDF膜,經4%脫脂牛奶封閉后,加入FLAG Tag抗體4 ℃孵育過夜。次日,用抗鼠二抗室溫孵育PVDF膜1 h,通過化學發(fā)光儀器檢測信號,確定質粒轉染效率。

      1.2.3 免疫熒光確定cGAS細胞定位 HeLa細胞(計數1.5×105個)接種至六孔板(預置潔凈玻片),于四孔分別轉染FLAG-Vector、FLAG-Vector、FLAG-cGAS、FLAG-cGAS質粒各2 μg,記為a、b、c、d組。轉染48 h后,a、c組不作處理,b、d組用25 μmol/L Etoposide處理2 h;剩余兩孔記為m、n組,均不作轉染處理,n組與b、d組同時用25 μmol/L Etoposide處理2 h。各組樣本經4%多聚甲醛固定15 min,0.1% Triton X-100處理10 min通透細胞膜,10%山羊血清封閉1 h,分別滴加FLAG Tag一抗(a-d組)和γ-H2AX一抗(m-n組)4 ℃孵育過夜后,室溫避光孵育熒光二抗(與一抗種屬對應)2 h。加1滴含DAPI的抗淬滅封片劑至載玻片,覆蓋細胞爬片,涂抹指甲油固定。通過熒光顯微鏡觀察γ-H2AX(DNA損傷Marker)和cGAS的細胞定位情況。

      1.2.4 免疫共沉淀確定cGAS的UFMylation修飾 HEK-293T細胞(計數7×106個)接種至10 cm細胞培養(yǎng)皿,記為e、f、g組,分別轉染FLAG-VEC+HA-UFM1、FLAG-cGAS+HA-UFM1、FLAG-cGAS+HA-UFM1(ΔC2)質粒(質粒用量為:2.5 μg+2.5 μg)。轉染48 h后,室溫條件下用100 μL UF buffer(150 mmol/L Tris-HCl, pH 8.0; 5% SDS; 30% Grycerol)裂解細胞30 min,100 ℃煮沸5 min,冷卻至室溫加入900 μL UF buffer A(50 mmol/L Tris-HCl, pH 8.0; 150 mmol/L NaCl; 0.5% NP-40; 1×PIC)冰浴裂解30 min。14000 rpm,4 ℃離心10 min。取上清液,加入UF buffer A(上清液體積稀釋一倍), FLAG Tag抗體,過夜孵育后,加入Protein A beads結合2 h,提取FLAG Tag抗體特異性免疫沉淀蛋白,確定cGAS是否可以發(fā)生UFMylation修飾。

      2 結果

      2.1 DNA損傷后誘導cGAS從細胞質轉位至細胞核

      為確定DNA損傷前后cGAS的細胞定位,HeLa細胞經質粒轉染后作部分DNA損傷處理,通過免疫熒光染色觀察Etoposide處理前后cGAS的熒光信號。由圖1可知,Etoposide處理的HeLa細胞發(fā)現DNA損傷Marker γ-H2AX于細胞核富集,而未處理細胞無明顯γ-H2AX富集,即25 μmol/L Etoposide處理2 h可造成明顯的HeLa細胞DNA損傷。HeLa細胞轉染后的免疫熒光染色結果顯示,未加藥處理組細胞的cGAS主要定位細胞質中,這與其作為胞質DNA感受器參與先天免疫的功能一致(圖1(c))。Etoposide誘導DNA損傷后,cGAS主要定位細胞核中,說明DNA損傷后cGAS發(fā)生了核轉位,細胞核定位的cGAS可能參與損傷后DNA修復過程。

      2.2 cGAS能被UFMylation修飾

      cGAS的酶活性受多種PTM調節(jié),為驗證cGAS能否發(fā)生UFMylation修飾,免疫共沉淀純化FLAG-cGAS蛋白并通過Western blot檢測修飾情況。由圖2可知,HEK-293T細胞中FLAG-cGAS可穩(wěn)定表達,同時發(fā)現UFMylation修飾的cGAS(泳道2、3),其中UFM1(ΔC2)為暴露C末端甘氨酸殘基的活性狀態(tài)(泳道3)。這證實外源轉入cGAS和UFM1后,與活性狀態(tài)的UFM1(ΔC2)一致,cGAS可發(fā)生UFMylation修飾。

      3 討論

      遺傳信息傳遞過程中各種內源性和/或外源性因素會誘發(fā)DNA組成、結構異常改變從而影響基因組穩(wěn)定性。內源性因素主要包括DNA錯誤復制,DNA不穩(wěn)定性引發(fā)的自身堿基轉化、堿基丟失、堿基修飾,以及由細胞正常代謝產生且使DNA堿基氧化、DNA鏈斷裂的自由基[11-13]。據統(tǒng)計,細胞每天最多可發(fā)生105次內源性DNA損傷[14]。電離輻射、紫外線、化學誘變劑等物理化學因素引發(fā)的DNA損傷,會破壞堿基結構,形成嘧啶二聚體,產生DNA鏈斷裂(SSB、DSB)和DNA交聯(lián)(鏈內交聯(lián)、鏈間交聯(lián)、ICL)[15-17]。

      正常細胞的胞質DNA積累受限于不同亞細胞位點的DNA酶作用,DNA酶存在于細胞外(DNase I和DNase IL3)、吞噬溶酶體內(DNase II)或胞漿內(DNase III),共同預防自身DNA異常累積[18]。研究表明,MutLα亞基缺失MLH1(其缺陷引發(fā)約50%的dMMR癌癥)會導致DNA雙鏈斷裂,形成異常DNA修復中間產物,最終產生染色體異常,釋放核DNA,激活cGAS-STING途徑[19]。經典cGAS-STING信號通路中,cGAS的酶活性受翻譯后修飾調節(jié),進而影響先天免疫反應。單純皰疹病毒-1感染細胞時,RNF185(E3泛素化連接酶)通過介導cGAS(K173和K384位點)K27連接的泛素鏈形成,會增強cGAS的酶活性,促進下游干擾素應答效應[20]。UFMylation修飾參與內質網應激、胚胎發(fā)育、DNA損傷修復等多種生物過程。DNA雙鏈斷裂招募磷酸化的UFL1,通過UFMylation修飾單鏈組蛋白H4,增強募集SUV39H1和Tip60,從而促進DNA損傷時共濟失調毛細血管擴張突變(ATM)激酶的激活[21]。此外,MRE11 K282位點的UFMylation修飾通過募集MRN復合物,激活ATM,從而促進同源重組介導的雙鏈斷裂修復,維護基因組穩(wěn)定性[22]。本研究結果證實,細胞內cGAS存在UFMylation修飾,25 μmol/L Etoposide處理后細胞質定位的cGAS富集于細胞核,即DNA損傷后cGAS發(fā)生核轉位,聯(lián)結先天免疫和DNA損傷,為闡明兩者之間串擾的分子機制,提供理論參考。

      4 結論

      cGAS-STING信號通路主要響應源自微生物、DNA病毒的外源DNA,以及由于基因組不穩(wěn)定或線粒體釋放的內源DNA,觸發(fā)先天免疫反應,釋放I型干擾素。研究結果表明,cGAS細胞質定位與先天免疫中功能一致。而Etoposide處理造成DNA損傷后,cGAS移位至細胞核,提示cGAS參與DNA損傷后修復過程。細胞內cGAS的UFMylation修飾,為探究cGAS參與DNA損傷修復的翻譯后修飾調控提供新靶點。

      參考文獻

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