徐 豐 席子祺 喬 路 陳 穎

(1.中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院,北京 100846;2.中國信息通信研究院,北京 100191)

0 引言

近年來,全球經(jīng)濟增速出現(xiàn)顯著放緩,半導體產(chǎn)業(yè)作為社會經(jīng)濟增長的關鍵引擎,受到全球的高度重視,各國政府紛紛出臺數(shù)額巨大的支持政策,搶占未來高技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)展先機。雖然半導體產(chǎn)業(yè)化過程長期依賴政府各類補貼和政策保護［1］,但高技術產(chǎn)業(yè)集聚和區(qū)域創(chuàng)新之間存在先促進、后抑制的倒“U”型關系［2］,高度集中型政府管理和投資模式被實證發(fā)現(xiàn)不利于高技術產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新［3］。歐洲半導體產(chǎn)業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈中上游的設計、制造環(huán)節(jié),掌握核心技術,而且在設備領域尤其是在光刻機方面具有絕對優(yōu)勢,是全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)。歐盟半導體產(chǎn)業(yè)采取集中管理與分散管理相結合的模式,較好地克服了各成員國發(fā)展不均衡問題,探究其發(fā)展經(jīng)驗和扶持政策沿革對后進國家有借鑒意義［4］。

1 歐盟半導體產(chǎn)業(yè)政策架構與形式

1.1 政策架構

歐盟半導體產(chǎn)業(yè)政策的決策機制由4個機構決定。一是歐洲理事會,負責決策,成員為歐盟各國元首;二是歐盟理事會,負責制定和協(xié)調,成員為歐盟各國電信部長;三是歐洲議會,負責監(jiān)督和立法,成員為歐盟各國直選的750余名議員;四是歐盟委員會,負責執(zhí)行,主要成員為歐盟各成員國代表。多數(shù)歐盟層面的具體產(chǎn)業(yè)計劃均由歐盟委員會起草和執(zhí)行,包括此前的歐洲處理器計劃、歐洲高性能計算共同計劃及最新的歐洲《芯片法案》等,這些計劃的執(zhí)行過程受到歐洲議會和各國政府的監(jiān)督。

1.2 政策形式

歐盟各國補貼政策形式以國家援助為主。國家援助指國家公共當局在有選擇的基礎上給予企業(yè)任何形式的支持。歐盟一般禁止國家援助,除非出于總體經(jīng)濟發(fā)展的理由。通常一項“國家援助”項目需要由成員國向歐盟委員會提出,歐盟委員會在收到正式申請20個工作日內決定該項目是否滿足國家援助的要求,是否與內部市場相容,或是否需要進一步調查(相關調查沒有法律期限要求)。歐盟委員會的所有決定和程序行為都須經(jīng)司法審查,并最終由歐洲法院審查。《歐盟運行條約》中列舉了一些可以得到豁免進而“與內部市場相容”的“國家援助”,其中,“推動歐洲共同利益項目或克服經(jīng)濟動蕩的援助”可定義為“由多國發(fā)起且多國受益”的項目,例如目前正在實施的“歐洲高性能計算共同計劃項目”,或用于應對“金融危機等經(jīng)濟困境”的項目,例如目前歐盟正在籌劃的基于復興措施基金的一系列半導體扶持計劃。2010年后,歐盟國家主要圍繞歐盟委員會進行半導體產(chǎn)業(yè)補貼,以規(guī)避國家援助的相關問題。由于歐盟獨特的政治體制和經(jīng)濟基礎,歐盟委員會作為歐盟主要的政策執(zhí)行部門,自20世紀80年代開始推動絕大多數(shù)產(chǎn)業(yè)補貼政策。2010年后,很少有歐盟國家單獨出臺半導體產(chǎn)業(yè)補貼政策,即使出臺相關半導體政策或計劃,也往往通過歐洲共同利益重大項目等歐盟框架內計劃項目來具體實施,相關公開項目及政策均按照“國家援助”豁免條款設計。歐洲多國曾在2000—2005年對半導體企業(yè)進行“國家援助”。1997—2005年,根據(jù)歐盟相關網(wǎng)站的公開信息,德國、法國、意大利、葡萄牙都曾對英飛凌、意法半導體、法國阿爾蒂斯半導體(現(xiàn)已被德國矽晶圓制造公司X-FAB收購)、飛利浦半導體(現(xiàn)恩智浦半導體)進行大額直接補貼。到2005年后,推出技術扶持計劃主要通過歐洲共同利益重大項目等歐盟體系項目進行。例如,德國在2018年推出的“研究與創(chuàng)新為人民：高技術戰(zhàn)略2025”計劃,其中,涉及技術研發(fā)的部分就是投資15億歐元的歐洲共同利益重大項目。

2 歐盟半導體產(chǎn)業(yè)主要政策與成效

隨著美國集成電路產(chǎn)業(yè)大發(fā)展,歐盟各國開始出臺集成電路產(chǎn)業(yè)促進政策。1975年后,歐盟各國政府逐漸加大了對微電子的支持力度,歐洲信息技術研究與發(fā)展戰(zhàn)略計劃、歐洲半導體亞微米硅聯(lián)合計劃等項目推動了半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)的合作與發(fā)展。1985年,法國總統(tǒng)密特朗提出設立“尤里卡”計劃,其目標是促進“競爭性研究”,即開發(fā)以先進技術為基礎的適銷產(chǎn)品與工藝技術研究［5］。“尤里卡”計劃按時間主要分為歐洲半導體亞微米硅聯(lián)合計劃(1987—1996年)、歐洲微電子應用發(fā)展計劃(1997—2000年和2001—2007年)及歐洲納米電子學應用和技術究集群項目(2008—2015年)?！坝壤锟ā庇媱潓W洲半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要的促進作用,不但將歐洲的芯片技術推進到0.35μm級的工藝水平、掌握了0.9μm及0.7μm工藝技術,更建立了完善的高純物質、試劑供應鏈。同時,改進和發(fā)展了光刻工藝和光刻機技術,使歐洲企業(yè)擺脫了對日本光刻機的依賴。這一時期的歐洲產(chǎn)業(yè)促進計劃為歐洲半導體領域吸引了寶貴的產(chǎn)業(yè)人才,研發(fā)了先進的技術,奠定了今天的產(chǎn)業(yè)格局。后續(xù)的歐洲微電子應用發(fā)展計劃(1997—2000年)持續(xù)推動歐洲半導體企業(yè)的工藝水平達到0.25～0.18μm,實現(xiàn)了從8in到12in的技術升級,并進一步發(fā)展了芯片光刻技術。

1990—2000年,由于全球個人電腦市場已被美、日企業(yè)壟斷,一些歐洲半導體大廠被迫改組。西門子、飛利浦分別剝離其半導體業(yè)務成立了英飛凌和恩智浦。同時,這一時期歐洲國家雖少有單獨出臺產(chǎn)業(yè)支持政策,但歐洲各國在歐盟框架內出臺了多項推動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃,其中包括耗資20億歐元的歐洲微電子應用發(fā)展計劃(1996—2000年),集中各國的人、財、物,發(fā)展半導體工業(yè),并且主攻汽車、工業(yè)等領域芯片。受全球化浪潮的影響,歐盟各國政府開始接受自由市場經(jīng)濟的理念,顯著減少了對各個產(chǎn)業(yè)的直接補貼。在2005年前后,至少在公開層面停止了對本國半導體企業(yè)的直接補貼,轉而采用更為“聰明”“柔軟”的政策手段,即以歐盟委員會為核心的產(chǎn)業(yè)支持政策。2018年12月,歐盟委員會批準了歐洲共同利益重大項目,該項目將為微電子領域的研究活動提供17.5億歐元的資金。其中,法國提供3.55億歐元,德國提供8.2億歐元,意大利提供5.24億歐元,英國提供4800萬歐元。此外,該項目還預計將帶來高達60億歐元的民間風險投資并最終實現(xiàn)技術創(chuàng)新。2017年3月23日,歐洲7國簽署歐洲高性能計算共同計劃(EuroHPC),計劃總投資10億歐元,采用政府采購的方式在歐洲建設8個超級計算中心,支持歐洲半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。歐洲高性能計算共同計劃還包含歐洲處理器計劃(EPI)。歐洲處理器計劃投資約1.6億歐元,旨在為歐洲提供一種高性能、低功耗、滿足安全性要求的處理器。計劃為歐洲的超級計算機開發(fā)一系列高性能芯片,其中包括一款代號為瑞亞(Rhea)的高性能、低功耗微處理器。

隨著全球貿易摩擦加劇,歐盟各國紛紛開始構建自主可控的半導體供應鏈體系,全球半導體供應鏈出現(xiàn)逆全球化趨勢。歐洲各國政府和歐盟委員會意識到歐洲半導體供應鏈在先進制造、先進設計、上游材料等領域均存在短板,開始積極推出半導體相關政策,希望補足半導體產(chǎn)業(yè)短板。2020年12月7日,由歐盟委員會牽頭起草,17國電信部長聯(lián)合簽署《歐洲處理器和半導體科技計劃聯(lián)合聲明》(以下簡稱為《聯(lián)合聲明》),該聲明可視為歐盟理事會層面的共識文件?！堵?lián)合聲明》明確復興措施基金20%的資金應該用于數(shù)字化領域,在未來兩到三年投資總額需要達到1450億歐元左右。2021年3月9日,歐盟委員會正式發(fā)布了《2030數(shù)字指南針：數(shù)字十年的歐洲方式》,設定了11項先進技術發(fā)展目標,其中包括在2030年前實現(xiàn)先進芯片制造全球占比達到20%、先進制程達2nm、能效達到目前的10倍、五年內自行打造首部量子電腦等,以降低歐盟對美國和亞洲關鍵技術的依賴。文件中還提到,降低關鍵領域的對外依賴可以讓歐盟在數(shù)字技術上更為獨立,更好地主張歐盟利益。

2022年2月,歐委會正式發(fā)布《歐洲芯片法》草案。2022年12月1日,在歐盟內部召開的委員會議上,各國電信部長對《歐洲芯片法案》展開評估,并將法案中的補貼金額確定為430億歐元,較原定計劃縮減了20億。2023年4月,歐盟理事會和歐洲議會通過一項臨時政治協(xié)議,就涉及430億歐元補貼的《歐洲芯片法案》達成一致。2023年7月,歐洲各國以587∶10的壓倒性票數(shù)優(yōu)勢通過歐洲版《芯片法案》,未來歐洲理事會將在“地平線歐洲(Horizon Europe)”的戰(zhàn)略下建立制度化的合作伙伴關系,建立芯片聯(lián)合企業(yè),推動430億歐元投資以振興歐洲半導體產(chǎn)業(yè),目標在10年內將歐洲芯片產(chǎn)量全球占比提高至20%。法案提出“歐洲芯片倡議”、供應安全框架和危機協(xié)調機制等3個主要行動計劃,一是提出歐洲芯片倡議以支持建設大規(guī)模技術能力;二是通過吸引半導體企業(yè)在歐洲投資設廠以確保供應鏈安全和彈性;三是建立危機監(jiān)測與應對系統(tǒng),以預測供應短缺并在發(fā)生危機時提供響應。據(jù)媒體報道,自去年宣布其芯片補貼計劃以來,歐盟已經(jīng)吸引了超過1000億歐元的投資。

根據(jù)歐洲半導體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù),2022年歐洲市場半導體銷售額達到創(chuàng)紀錄的538.09億美元,比2021年增長12.3%,全球占比為9.4%。歐洲主要制造企業(yè)恩智浦、英飛凌、意法半導體2022財年營收分別達到132億美元、142.18億歐元和161.3億美元,分別同比增長19%、29%和26%。近年來,歐洲半導體產(chǎn)業(yè)的全球份額整體處于緩慢下降的趨勢,其主要原因為歐盟扶持政策補貼資金占其經(jīng)濟總量不高、勞動力成本大幅上漲。但從歐洲半導體企業(yè)呈現(xiàn)的增長勢頭來看,歐盟半導體產(chǎn)業(yè)政策在統(tǒng)籌規(guī)劃和執(zhí)行效率方面仍具有較高的借鑒價值。

3 歐盟半導體產(chǎn)業(yè)政策特點與啟示

3.1 政策特點

半導體產(chǎn)業(yè)作為典型的高技術產(chǎn)業(yè),一方面需要政府長期、大力的支持,另一方面也需要減少產(chǎn)業(yè)直接補貼和保障開放的市場化機制,通過充分吸引社會資本來提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新效率。歐洲半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史充分證明政府補貼是其發(fā)展的必要條件,并且其多元化補貼方式也是未來相關政策的發(fā)展趨勢。從歐盟半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策的特點看,一是以盟國合作研發(fā)為主。歐盟注重盟國合作集體研發(fā)的研發(fā)補助模式,采取該模式的原因一方面是歐盟政策規(guī)定“由多國發(fā)起且多國受益”的項目可以獲得“國家援助”體系的豁免,另一方面是歐洲半導體龍頭企業(yè)往往在歐洲多國設有研發(fā)中心、生產(chǎn)線,可以通過多國合作開發(fā)規(guī)避政治風險。例如,英飛凌在葡萄牙、法國等地均設有研發(fā)中心,意法半導體的總部設在瑞士,但生產(chǎn)線主要在法國和意大利;二是在補貼形式上采取多元化的補貼手段。歐洲政策的補貼手段包括可償還預付金、貸款、擔?；驌芸畹?相關補貼項目和政策均因符合歐盟的“國家援助”豁免條款中“由多國發(fā)起且多國受益”或用于應對“金融危機等經(jīng)濟困境”的定義,被認為不會對貿易和市場造成扭曲;三是注重市場化原則和效益。雖然根據(jù)項目不同,其存在差別,但獲益者主要以歐洲傳統(tǒng)半導體龍頭企業(yè)為主,較少成立新實體。同時,在政府采購等項目上較為注重市場化原則。例如在EuroHPC項目建立的8個超算中心中,至少有4個使用了英偉達的產(chǎn)品和技術;四是逐步減少直接補貼的產(chǎn)業(yè)支持手段。進入21世紀后,由于各國直接補貼的方式極易造成歐洲國家內部競爭,不利于歐洲政治經(jīng)濟一體化發(fā)展,歐洲國家開始逐步減少直接補貼的方式。

3.2 政策啟示

一是應著重采用政府采購、研發(fā)補貼等方式進行產(chǎn)業(yè)補貼。自2000年以后,歐盟各國政府開始完全接受自由市場經(jīng)濟的理念,顯著減少對各個產(chǎn)業(yè)的直接補貼,轉而采用更為“聰明”“柔軟”的政策手段。例如,EuroHPC和其主導的EPI通過市場引導的方式推動了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,具體操作是利用大部分資金在歐洲建設的8個超算中心創(chuàng)造市場需求,吸引歐洲企業(yè)發(fā)展芯片設計。相比于直接補貼企業(yè),這種方式不但可以更好地吸引民間資本,同時在一定程度上避免了研發(fā)成功后下游企業(yè)不愿應用的難題,更可通過將超算中心定義為公共服務設施,避免在世界貿易組織引起關于貿易保護和非法補貼等方面的爭端。

二是應規(guī)避半導體集聚區(qū)間競爭,統(tǒng)籌實施半導體產(chǎn)業(yè)計劃。一方面,半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須經(jīng)歷政府大力投資支持的歷史發(fā)展階段。例如,20世紀50—70年代,歐洲最初主要采用直接投資補貼和政府采購的手段推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,如主導成立國際計算機有限公司并主動采購產(chǎn)品、直接投資半導體企業(yè)英莫斯等。另一方面,歐盟具有典型的多國聯(lián)盟政治生態(tài),歐盟各國傾向于滿足本國利益,這與半導體產(chǎn)業(yè)頭部集中的產(chǎn)業(yè)規(guī)律存在天然矛盾,導致歐盟在推進半導體產(chǎn)業(yè)容易遭遇分歧,難以形成合力。歐盟利用EuroHPC成為統(tǒng)一各國分歧的成功政策,對建立有效的區(qū)域協(xié)同合作有重要的參考價值。歐洲共同利益重點項目更接近傳統(tǒng)的研發(fā)支持項目,由于在歐盟框架下運作,受到歐洲議會和各國政府的監(jiān)督,規(guī)章流程和手續(xù)相對繁瑣。歐洲共同利益重大項目政策文件公布5年后才通過第一批項目,在歐洲議會的報告中更是透露出該項目發(fā)起自至少15年前。后進國家應仿效相關做法,加強產(chǎn)業(yè)統(tǒng)籌發(fā)展能力,避免因各地胡亂“上馬”半導體項目而造成的爛尾等問題。

三是應充分吸引社會資本,引導推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。歐洲半導體產(chǎn)業(yè)采取集中管理與分散管理相結合的模式,有效發(fā)揮了各成員國的資金撬動能力。例如《歐洲芯片法案》預期的430億歐元配套資金只有33億歐元來自歐洲地平線(Horizon Europe)計劃和數(shù)字歐洲(Digital Europe)計劃分別提供的16.5億歐元,其余400億歐元主要來自于各個成員國的政府投資及私人投資。自歐盟啟動《歐洲芯片法案》以來,已有15個成員國報告了68個戰(zhàn)略性融資項目,總融資金額已達到220億歐元,表明歐盟直接預算的實際資金撬動比例已接近1∶7。由于半導體工藝進步將需求更多研發(fā)資金,后進國家應借鑒歐盟的社會資本吸引模式,逐步完善地方政府和私人投資機制,更好地發(fā)揮地方半導體產(chǎn)業(yè)融資能力,突破半導體產(chǎn)業(yè)因過于依賴中央政府出資而受地方財政支撐能力限制的發(fā)展瓶頸,進一步加快半導體產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展速度。

四是應緊跟未來發(fā)展方向,關注產(chǎn)業(yè)新興領域。近年來,歐盟半導體產(chǎn)業(yè)補貼已開始向重視技術研發(fā)、豐富補貼形式、引導應用產(chǎn)業(yè)、關注環(huán)保節(jié)能等方面發(fā)展。如今,半導體技術的迭代進步正在推動半導體產(chǎn)業(yè)鏈越加龐大,歐盟除具備設計、制造、封裝、設備和材料等半導體主產(chǎn)業(yè)鏈外,也已經(jīng)開始涉足人工智能、電動汽車、第五代移動通信技術(5G)等新興應用產(chǎn)業(yè),加大補貼政策力度,以期在新興關鍵產(chǎn)業(yè)中占據(jù)市場優(yōu)勢和領導地位。此外,歐盟還持續(xù)加強在半導體產(chǎn)業(yè)鏈能源轉型、節(jié)能減碳等方面的補貼力度,意法半導體和英飛凌等龍頭集成電路企業(yè)均已公布碳中和計劃。除歐盟國家外,美國、日本、韓國等全球發(fā)達國家和地區(qū)也紛紛制定半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃,將半導體產(chǎn)業(yè)作為優(yōu)先發(fā)展產(chǎn)業(yè),大量、密集地投入資金、技術和人才,并更注重在教育和研發(fā)方面的補貼,這在客觀上促進后進國家盡快推出支持政策,進一步強化國內半導體企業(yè)市場競爭實力。