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      等占空比周期對(duì)版圖形的研究*

      2023-12-31 18:10:18萬鵬程黃彥國王永功趙海紅張建巾馬依依
      電子與封裝 2023年12期
      關(guān)鍵詞:游標(biāo)光刻機(jī)梳齒

      萬鵬程,黃彥國,王永功,趙海紅,張建巾,馬依依

      (1.天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司,甘肅天水 741000;2.蘭州理工大學(xué)理學(xué)院,蘭州 730050)

      1 引言

      設(shè)計(jì)部門將產(chǎn)品版圖數(shù)據(jù)提交給制版工廠,同時(shí)晶圓加工廠也需要向制版工廠提交稱之為Frame 的數(shù)據(jù)。Frame 數(shù)據(jù)通常是指格式為GDSII 的版圖數(shù)據(jù),包含了光刻、刻蝕、擴(kuò)散和淀積工藝所需的試驗(yàn)和測(cè)試所需的圖形,F(xiàn)rame 數(shù)據(jù)包含用于版圖所有層次的對(duì)準(zhǔn)和套刻圖形。制版工廠將設(shè)計(jì)部門的產(chǎn)品數(shù)據(jù)和晶圓加工廠的Frame 數(shù)據(jù)整合到一起,制作掩模版,交給晶圓加工廠。

      掩模版可以按照制造材料分為蘇打玻璃掩模版、低膨玻璃掩模版和石英玻璃掩模版,其中石英玻璃的熱膨脹系數(shù)最小,有利于大規(guī)模生產(chǎn)中保持產(chǎn)品良率和延長掩模版的壽命。為了避免環(huán)境中的微粒附著在掩模版表面,可以在掩模版上貼膜(Pellicle),貼膜材料包括硝化纖維(NC)和醋酸纖維(AC),其中NC 膜用于寬帶光源(波長為340~460 nm),AC 膜用于中度紫外曝光系統(tǒng)。掩模版可以單面貼膜、雙面貼膜,也可以不貼膜,顯然貼膜有利于保持產(chǎn)品良率。

      業(yè)內(nèi)主要的光刻機(jī)供應(yīng)商包括ASML、Nikon 和Canon。本文主要討論Nikon NSR-2005i9c 步進(jìn)投影光刻機(jī)對(duì)版圖形問題。NSR-2005i9c 擁有365 nm i-線光源,曝光精度為450 nm,套刻精度為100 nm,可用于125 mm×125 mm 掩模和6 英寸(150 mm)整片晶圓的高精度投影曝光,而且版到片上有5 倍縮小率,版上曝光場(chǎng)尺寸為20 mm×20 mm,可變數(shù)值孔徑NA=0.5~0.57 μm,掩模對(duì)準(zhǔn)精度為0.02 μm,步進(jìn)精度為0.08 μm,曝光功率(光強(qiáng))可達(dá)600 mW/cm2,曝光均勻性為1.75。

      由NSR-2005i9c 的設(shè)備數(shù)據(jù)可知,6 英寸晶圓通常采用分塊曝光的方式[1],這就需要設(shè)備具有平移功能。NSR-2005i9c 在水平面內(nèi)的移動(dòng)包括互相正交的兩個(gè)方向,文獻(xiàn)[2-3]對(duì)該設(shè)備的移動(dòng)和對(duì)準(zhǔn)做了較深入的討論;文獻(xiàn)[4]討論了掩模可制造性檢查規(guī)則的設(shè)計(jì)問題;文獻(xiàn)[5]討論了光刻機(jī)漏光對(duì)GaAs MMIC 圖形質(zhì)量的影響。但是上述文獻(xiàn)均缺少第一次光刻的時(shí)候光刻版偏移檢查圖形的設(shè)計(jì)說明,大量的文獻(xiàn)更多地關(guān)注套刻對(duì)準(zhǔn)圖形的設(shè)計(jì)[6-8]。梳齒狀對(duì)版圖形設(shè)計(jì)廣泛應(yīng)用于亞微米級(jí)縮小步進(jìn)式投影光刻工藝,當(dāng)應(yīng)用于其他波長光刻工藝時(shí),可以等比例設(shè)計(jì)縮放,且與光刻機(jī)設(shè)備的精度有關(guān)。對(duì)版圖形的設(shè)計(jì)第一是為了滿足后續(xù)封裝過程中劃片道的要求,恰當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)可以保證劃片金剛刀的路徑,并盡可能減少對(duì)產(chǎn)品管芯的損傷;第二是可以檢驗(yàn)光刻機(jī)坐標(biāo)參數(shù),檢查光刻機(jī)工作臺(tái)步進(jìn)的精度,確認(rèn)設(shè)備狀態(tài)。

      2 衍射公式

      菲涅爾-基爾霍夫衍射公式為

      考慮縫寬為a 的情況,此時(shí)距離縫中心為x 的位置的光和經(jīng)過縫中心的光的光程差Δr可以表示為

      這里的θ 也稱為衍射角,注意到此時(shí)的光程差與y 方向無關(guān)。為了試驗(yàn)觀察和計(jì)算方便,在縫后放置透鏡,此時(shí)場(chǎng)點(diǎn)到縫中心的距離滿足r0物像高斯公式。

      考慮到光強(qiáng)和振幅的平方成正比,則有

      式中的Iθ是衍射角為θ 時(shí)的光照強(qiáng)度,I0是衍射角為0時(shí)的光照強(qiáng)度。

      圖1 給出了i 線(λ=365 nm)在不同單縫寬度a 下單縫衍射的光強(qiáng)分布。當(dāng)縫寬a 減小至趨于入射i 線的波長時(shí),衍射效果增強(qiáng)。從對(duì)準(zhǔn)圖形的角度考慮,可以設(shè)計(jì)簡單的結(jié)構(gòu)(如條帶拼接)用于檢查第一次光刻對(duì)版的偏移,并希望避免顯著的衍射效應(yīng)??紤]版對(duì)準(zhǔn)精度為0.02 μm,以及優(yōu)化對(duì)版相對(duì)誤差的目的,本文中選擇a=2 μm,同時(shí)避免了顯著的衍射極限效應(yīng)。另一方面,如圖1 所示,當(dāng)a<2 μm 時(shí),在光刻過程中引入了顯著的衍射效應(yīng),這會(huì)造成光刻圖形對(duì)比度下降;而且,當(dāng)a=2 μm 時(shí),由圖1 可知,衍射效應(yīng)的抑制使得i 線按照幾何光學(xué)直線傳播,這意味著可以顯著提高圖形附近的對(duì)比度。

      圖1 單縫衍射的光強(qiáng)分布

      3 梳狀結(jié)構(gòu)的對(duì)準(zhǔn)圖形

      正如比克爾和道克蘇指出的[10],使用已知精確度的儀器對(duì)未知常數(shù)β 進(jìn)行測(cè)量,如果測(cè)量結(jié)果Xi(i=1,...,n)是獨(dú)立的且呈正態(tài)分布,其中測(cè)量結(jié)果的均值和方差分別為和σ2,那么可通過式(8)估計(jì)該常數(shù):

      可以估算該測(cè)量結(jié)果和未知常數(shù)β 的誤差分布概率

      其中b 是測(cè)量的精度要求。顯然,測(cè)量結(jié)果及其方差并不能確定落在精度要求的范圍內(nèi)。進(jìn)一步的計(jì)算表明

      試驗(yàn)中,為了提高第一次對(duì)版的效率,可將首次對(duì)版的條帶結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)(也稱為拼接光柵)。基于中心極限定理,當(dāng)梳齒的數(shù)量N→∞時(shí),可知對(duì)梳狀結(jié)構(gòu)的測(cè)量可以保證對(duì)版的結(jié)果滿足概率要求。但是,從工程角度出發(fā)設(shè)計(jì)只能取有限的齒數(shù),在這個(gè)前提下,有限的測(cè)量結(jié)果服從t 分布(亦稱Student 分布)。

      上式構(gòu)造的統(tǒng)計(jì)量服從自由度為n-1的t 分布,而且密度函數(shù)fn(t)為

      式(12)中的Γ 表示Gamma 函數(shù)。

      圖2 是t 分布和Gaussian 分布的概率密度函數(shù)f(x),橫坐標(biāo)為隨機(jī)變量x 的分布區(qū)間,縱坐標(biāo)f(x)表示n 分別為1、5、10 時(shí)t 分布和Gaussian 分布的概率密度函數(shù),當(dāng)獨(dú)立測(cè)量的次數(shù)n>10 以后,t 分布可以近似為標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布,或認(rèn)為此時(shí)測(cè)量的統(tǒng)計(jì)結(jié)果在可靠度1-γ 要求下處于β±b 之內(nèi)。

      基于這樣的考慮,設(shè)計(jì)梳狀對(duì)版檢查結(jié)構(gòu)的齒數(shù)大于10。從物理的角度來看,當(dāng)齒數(shù)增大時(shí),光刻機(jī)的成像亮度會(huì)增大,這也有益于提高空間像的對(duì)比度,兩種齒數(shù)下光強(qiáng)的空間分布如圖3 所示,其中a=2 μm,空間周期T=4 μm,占空比a/T=50%。從圖中可知,隨著齒數(shù)的增大,光強(qiáng)顯著提高,這有利于光刻過程。

      圖3 兩種齒數(shù)下光強(qiáng)的空間分布

      作為對(duì)比,不同周期下光強(qiáng)的空間分布如圖4 所示。當(dāng)空間周期較大時(shí)(占空比由50%變?yōu)?3.3%和25%),除了中央主極大衍射峰外,在像附近還存在其他的主極大峰值,這對(duì)掩模對(duì)準(zhǔn)操作可能產(chǎn)生影響。

      圖4 不同周期下光強(qiáng)的空間分布

      梳齒狀對(duì)版圖形的版圖如圖5 所示,在版圖設(shè)計(jì)中,圖5 的圖形放置于每個(gè)步進(jìn)單元上下左右四邊,用于拼接游標(biāo)檢查,在版圖設(shè)計(jì)過程中必須保證上下梳齒狀圖形最中間梳齒對(duì)齊,同時(shí)也必須保證左右梳齒狀圖形最中間梳齒對(duì)齊,在首次光刻后梳齒狀對(duì)版圖形的顯微照片如圖6 所示。首次光刻后檢查拼接游標(biāo)時(shí),中間梳齒對(duì)齊表示拼接無誤差,對(duì)拼到其余梳齒表示步進(jìn)存在誤差??衫迷撈唇佑螛?biāo)調(diào)整步進(jìn)參數(shù),誤差在±0.6 μm 以內(nèi)可以從拼接游標(biāo)上讀出,版拼接游標(biāo)共13 條梳齒,設(shè)中間梳齒為0 號(hào),向上遞增,向下遞減,該圖形為檢查圖形,每條讀取誤差值為0.1 μm,當(dāng)兩個(gè)拼接游標(biāo)的0 號(hào)梳齒對(duì)齊時(shí),表示拼接合格,無誤差。當(dāng)拼接游標(biāo)第幾條梳齒對(duì)齊時(shí),可讀取對(duì)應(yīng)的誤差值,比如第一條對(duì)齊,誤差為0.1 μm,拼接不合格,需要光刻工程師校準(zhǔn)光刻機(jī)精度。當(dāng)6 號(hào)梳齒對(duì)齊時(shí),可以讀取的誤差值最大,為±0.6 μm,目的是給光刻機(jī)的校準(zhǔn)提供數(shù)據(jù)支撐。對(duì)光刻后的圖形進(jìn)行檢查,中間梳齒對(duì)齊則拼接圖形合格,滿足要求(見圖6)。

      圖5 梳齒狀對(duì)版圖形的版圖

      圖6 梳齒狀對(duì)版圖形的顯微照片

      4 結(jié)論

      基于菲涅爾-基爾霍夫衍射原理,忽略衍射效應(yīng),設(shè)計(jì)寬度為2 μm、占空比為50%的對(duì)版圖形。為了達(dá)到統(tǒng)計(jì)可靠性的目的,將對(duì)版圖形設(shè)計(jì)為梳狀多齒結(jié)構(gòu),F(xiàn)rame 圖形設(shè)計(jì)為對(duì)版拼接提供了檢查依據(jù)。理論分析證明該梳狀多齒結(jié)構(gòu)有利于提高中央主極大峰值附近的光強(qiáng)和對(duì)比度。試驗(yàn)中,該設(shè)計(jì)的確未對(duì)光刻對(duì)版操作產(chǎn)生不良影響,顯微觀察的結(jié)果表明,對(duì)版圖形清晰,能反映該工藝具有較好的穩(wěn)定性。后續(xù)的晶圓在線測(cè)試和切割過程中,亦沒有發(fā)現(xiàn)由于對(duì)版誤差引起的產(chǎn)品良率下降問題。

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