掩膜
- 基于掩膜投影和雙參數(shù)CFAR的圓周掃描GBSAR三維點(diǎn)云提取方法
本文提出一種基于掩膜投影和雙參數(shù)CFAR 的圓周掃描GBSAR 三維點(diǎn)云提取方法。該方法首先利用雙參數(shù)CFAR 獲得三視圖掩膜，三視圖掩膜進(jìn)行投影得到三維掩膜，三維掩膜再與三維像取交集，利用掩膜從數(shù)據(jù)的三個維度分別對強(qiáng)旁瓣進(jìn)行抑制，大大減少三維圖像中強(qiáng)旁瓣的三維空間分布對目標(biāo)檢測結(jié)果的影響。然后，再對取交集提取的潛在目標(biāo)區(qū)域應(yīng)用第二次雙參數(shù)CFAR 實現(xiàn)點(diǎn)云提取，在潛在目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行目標(biāo)檢測，避免了不同高度的強(qiáng)旁瓣使鄰近弱目標(biāo)被掩蓋而導(dǎo)致丟失目標(biāo)點(diǎn)、檢測出強(qiáng)
信號處理 2023年9期2023-10-17
- TFT-LCD陣列基板柵極半透掩膜版設(shè)計研究
陣列基板制程按照掩膜版次數(shù)可劃分為三種：6 道掩膜版、5 道掩膜版和4 道掩膜版工藝（如圖1 所示）。從圖中可以看到，公共電極(ITO)和柵極(Gate)的制程相鄰，為第一/第二道掩膜版。采用柵極半透掩膜版，將兩者合二為一，既減少了一張掩膜版，又減少了一次光刻制程，大幅度的縮短了生產(chǎn)周期，提高產(chǎn)能，降低成本[5]。圖1：陣列基板制程工藝柵極半透掩膜版具有三種透光率：0%、100%及半透區(qū)。半透區(qū)透光率的設(shè)計，與掩膜版曝光量的選擇、產(chǎn)能及工藝穩(wěn)定性息息相關(guān)。
電子技術(shù)與軟件工程 2023年7期2023-05-29
- 掩膜電解微坑陣列對鈦合金表面疏水性能的影響
面織構(gòu)方法相比，掩膜電解微織構(gòu)是基于電化學(xué)反應(yīng)和陽極溶解原理的一種加工方式[10]，具有無熱應(yīng)力、無切削力、無工具損耗等優(yōu)點(diǎn)，適用于凹坑非光滑單元體的一次性陣列加工。PATEL等[11]采用多孔柔性電極對SS304的平面和自由曲面進(jìn)行了微坑陣列的掩膜電解織構(gòu)，研究發(fā)現(xiàn)：寬110～150 μm、深10～20 μm的微凹坑能夠?qū)崿F(xiàn)表面的疏水性。王陽等人[12]對鈦合金TC4進(jìn)行了掩膜微坑陣列電解加工的仿真和試驗，并分析了加工電壓、加工時間等工藝參數(shù)對凹坑幾何尺
機(jī)床與液壓 2023年2期2023-03-01
- 基于Mask R-CNN 結(jié)合邊緣分割的顆粒物圖像檢測
，得到物體的預(yù)測掩膜；在顆粒物有部分接觸堆疊的情況下，為了得到單個顆粒物的預(yù)測掩膜，需要對語義分割的結(jié)果進(jìn)行后處理，對接觸點(diǎn)的位置進(jìn)行分離[15]，或者利用分水嶺算法分割預(yù)測掩膜[16]。另一類是利用目標(biāo)識別網(wǎng)絡(luò)或者實例分割網(wǎng)絡(luò)識別每個顆粒，利用網(wǎng)絡(luò)的檢測能力得到顆粒物的位置與類別信息[17-18]，然后對目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行分割[19]。為了能夠?qū)ι沉５阮w粒物圖像進(jìn)行準(zhǔn)確的分割，本文提出改進(jìn)掩膜的Mask R-CNN 網(wǎng)絡(luò)。在模型主體方面，使用DenseNet[
應(yīng)用光學(xué) 2023年1期2023-02-19
- 鈦合金疏水表面微坑陣列的掩膜電解加工仿真與分析
量較差;活動模板掩膜電解加工由于活動模板的通孔尺寸受微細(xì)切削的限制,難以加工出尺寸較小的非光滑單元體。文中采用光刻膠掩膜電解加工的方法在鈦合金表面織構(gòu)出無需氟化處理、直接滿足疏水性能要求的凹坑非光滑單元體。此外,針對電解加工受電場、流場、尺寸間隔等眾多因素影響的特點(diǎn)以及掩膜電解加工中光刻膠不能重復(fù)使用的問題,采用多物理場耦合仿真與潤濕理論分析相結(jié)合的方法,開展鈦合金疏水表面微坑陣列掩膜電解加工的研究。首先,建立電場、流場和溫度場數(shù)學(xué)模型,進(jìn)行掩膜電解加工的
機(jī)械科學(xué)與技術(shù) 2023年1期2023-02-16
- InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術(shù)研究
O2/SiN作為掩膜對InAs/GaSbⅡ類超晶格紅外材料進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體（ICP）刻蝕條件研究，得到InAs/GaSbⅡ類超晶格較好的刻蝕條件以提升紅外探測器性能。對ICP刻蝕過程中容易出現(xiàn)臺面?zhèn)认蜚@蝕以及臺面底部鉆蝕兩種現(xiàn)象進(jìn)行了詳細(xì)研究，通過增加SiO2膜層厚度以及減小Ar氣流量，可有效減少臺面?zhèn)认蜚@蝕；通過減小下電極射頻功率（RF），可有效消除臺面底部鉆蝕。采用適當(dāng)厚度的SiO2/SiN掩膜以及優(yōu)化后的ICP刻蝕參數(shù)可獲得光亮平整的刻蝕表面，表
紅外技術(shù) 2022年10期2022-10-26
- 融合空間掩膜預(yù)測與點(diǎn)云投影的多目標(biāo)跟蹤
一種基于融合空間掩膜預(yù)測與點(diǎn)云投影的多目標(biāo)跟蹤算法。算法模型主要在時序跟蹤器前增加第一層掩膜輸入以提高目標(biāo)初始位置的準(zhǔn)確性。其次，使用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)為主導(dǎo)的跟蹤器進(jìn)行跟蹤，優(yōu)化每幀的單獨(dú)實例分割，以提高跟蹤器的速度，從而提高實時性效果。與之前的自監(jiān)督方法類似，跟蹤器對目標(biāo)掩膜的空間特征學(xué)習(xí)，預(yù)測目標(biāo)在后續(xù)幀的具體位置，從而獲得整個視頻序列對于目標(biāo)的跟蹤掩膜，因此減少遮擋對跟蹤目標(biāo)的丟失情況。還設(shè)置了一個驗證層，將抽取樣例掩膜輸出與跟蹤器對應(yīng)圖片輸出進(jìn)行比較驗
光電工程 2022年9期2022-10-02
- BFA優(yōu)化掩膜參數(shù)的軸承故障診斷方法的研究
的必由之路?；?span id="j5i0abt0b" class="hl">掩膜信號（Masking Signal）處理的EMD 方法，由Ryan Deering 等人最早提出。相對于其他削弱模態(tài)混疊的方法，掩膜信號法的優(yōu)點(diǎn)在于保留EMD方法自適應(yīng)性和完備性好等優(yōu)點(diǎn)。該方法考慮到信號中極值點(diǎn)分布不均勻是導(dǎo)致模態(tài)混疊的主要原因，通過對原分析信號添加合適的掩膜信號均化分析信號的極值點(diǎn)分布，達(dá)到抑制模態(tài)混疊的目的。該方法的核心點(diǎn)在于掩膜信號的兩個參數(shù)幅值和頻率的選取，文獻(xiàn)［2］提出了基于一階固有模態(tài)函數(shù)瞬時頻率的計算方法
機(jī)械設(shè)計與制造 2022年8期2022-08-19
- 路維光電(688401) 申購代碼787401 申購日期8.8
1）高精度半導(dǎo)體掩膜版與大尺寸平板顯示掩膜版擴(kuò)產(chǎn)項目;（2）路維光電研發(fā)中心建設(shè)項目;（3）補(bǔ)充流動資金。公司自成立至今，一直致力于掩膜版的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要用于平板顯示、半導(dǎo)體、觸控和電路板等行業(yè)，是下游微電子制造過程中轉(zhuǎn)移圖形的基準(zhǔn)和藍(lán)本。公司擁有多年的掩膜版研發(fā)和制造經(jīng)驗，一直緊跟平板顯示、半導(dǎo)體芯片、觸控、電路板等下游行業(yè)的發(fā)展動態(tài)，與下游平板顯示、半導(dǎo)體行業(yè)知名企業(yè)建立了良好的溝通和戰(zhàn)略合作，積累了豐富的行業(yè)經(jīng)驗。公司多年來緊跟下游行業(yè)的
證券市場紅周刊 2022年30期2022-08-09
- 掩膜版行業(yè)進(jìn)入高速增長通道
片崛起雙重驅(qū)動，掩膜版行業(yè)進(jìn)入高速增長通道。行業(yè)進(jìn)入高速增長通道掩膜版是光刻工藝的“底片”，市場規(guī)模穩(wěn)步提升：掩膜版是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或者母版，承載著圖形設(shè)計和工藝技術(shù)信息，被應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片（IC）、平板顯示（FPD）、觸控（TP）、電路板（PCB）等行業(yè)。根據(jù)SEMI 的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模從2017年469億美元增長至2021年643億美元，其中掩膜版占比約12%;由此推算，我們認(rèn)為IC掩膜版市場空間約77.16億美元。根據(jù)Om
股市動態(tài)分析 2022年18期2022-05-30
- 掃描射流掩膜電解加工微坑陣列試驗研究
火花、電解加工。掩膜電解加工[1]是電解加工的一種，它以離子的形式去除材料，其具有加工效率高，不接觸式加工，工件無變形、無應(yīng)力產(chǎn)生，無工具損耗、無重鑄層等優(yōu)點(diǎn)?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)使得掩膜電解加工適合在零件表面加工微、納米結(jié)構(gòu)[2]。經(jīng)過多年的發(fā)展，掩膜電解加工微坑表面織構(gòu)取得了顯著的成效。文獻(xiàn)[3]提出了活動掩膜板電解加工的方法，用機(jī)械夾緊的方式，使鏤空掩膜板與工件貼合，加工之后再將掩膜板拆下來，從而實現(xiàn)掩膜板的重復(fù)使用。文獻(xiàn)[4]提出用電絕緣多孔質(zhì)物實現(xiàn)掩膜板
機(jī)械設(shè)計與制造 2022年3期2022-04-27
- 基于掩膜板陣列的消串?dāng)_集成成像3D 顯示方法
文提出了一種利用掩膜板陣列阻擋相鄰圖像元間的視區(qū)串?dāng)_的方法，能有效阻擋相鄰視區(qū)的光線，同時不影響立體觀看視區(qū)范圍，且器件結(jié)構(gòu)簡單，易于制備。2 集成成像3D 視角分析集成成像3D 顯示器由普通2D 顯示面板和針孔陣列或微透鏡陣列精密耦合而成，顯示器上顯示微圖像陣列，微圖像陣列由許多圖像元在水平和垂直方向上排列而成，每個圖像元對應(yīng)一個針孔，圖像元節(jié)距與針孔節(jié)距相同，且兩者中心對齊［8］。在3D 顯示時，根據(jù)小孔成像的原理，圖像元像素光線通過其對應(yīng)的針孔成像在
液晶與顯示 2022年5期2022-04-27
- 基于實例分割和光流計算的死兔識別模型研究
割網(wǎng)絡(luò)，獲取肉兔掩膜圖像及邊界框中心點(diǎn)，構(gòu)建基于LiteFlowNet的關(guān)鍵幀光流計算網(wǎng)絡(luò)，獲取肉兔掩膜的光流值。利用光流閾值去除肉兔掩膜圖中的活躍肉兔。利用核密度估計法，確定邊界框中心點(diǎn)的密度分布，進(jìn)一步確定區(qū)分死兔和活兔掩膜的密度分布閾值，實現(xiàn)對死兔的識別。1 模型與算法1.1 數(shù)據(jù)采集于2021年2月21—28日在河南省濟(jì)源市陽光兔業(yè)科技有限公司肉兔繁育舍采集了66日齡的伊普呂肉兔視頻。實驗兔舍為全封閉的階梯式籠養(yǎng)兔舍，每個兔籠中包含5只肉兔。采集視
農(nóng)業(yè)機(jī)械學(xué)報 2022年2期2022-03-14
- 基于改進(jìn)Mask R-CNN的番茄側(cè)枝修剪點(diǎn)識別方法
側(cè)枝與主枝的分割掩膜和邊框位置；針對部分單根枝條被分割成多段掩膜的問題，通過掩膜邊界框?qū)捀弑葏^(qū)分側(cè)枝和主枝，分析同一枝條相鄰掩膜約束條件，然后將符合約束條件的掩膜進(jìn)行合并連接；根據(jù)修剪點(diǎn)在主枝附近的特點(diǎn)確定修剪點(diǎn)所在端，確定靠近修剪端端點(diǎn)的中心點(diǎn)作為側(cè)枝的修剪點(diǎn)。試驗結(jié)果表明，改進(jìn)的Mask R-CNN模型平均分割圖片時間為0.319 s，召回率和精確率分別為91.2%和88.6%，掩膜平均合并成功率為86.2%，修剪點(diǎn)識別平均準(zhǔn)確率為82.9%。該研究為
農(nóng)業(yè)工程學(xué)報 2022年23期2022-03-10
- 高溫處理對Si圖形襯底上SiO2掩膜層的影響
圖形化襯底分為有掩膜圖形和無掩膜圖形兩類，掩膜材料有SiO2、Si3N4或金屬等[8-11]。目前在圖形化藍(lán)寶石襯底上側(cè)向生長的GaN材料的位錯密度由108/cm2以上降低至107/cm2[12]。Oshita等人在Si（100）襯底上用SiO2作掩膜圖形，在1000 ℃得到了質(zhì)量良好的3C-SiC薄膜。通過側(cè)向外延技術(shù)的選擇性生長可以最大程度地減少3C-SiC薄膜中的缺陷[13-14]。然而掩膜材料和最優(yōu)選擇性生長工藝之間的矛盾關(guān)系是側(cè)向外延生長中必須要
海峽科技與產(chǎn)業(yè) 2021年6期2021-12-21
- 一種結(jié)合圖像分割掩膜邊緣優(yōu)化的B-PointRend網(wǎng)絡(luò)方法
8]加入了對預(yù)測掩膜的學(xué)習(xí)。其更進(jìn)一步的改進(jìn)是Cascade Mask R-CNN[9]，通過將框和掩膜分支以多級層疊的方式交織在一起以及通過語義分割提供空間上下文，加入了一個注意力模塊來處理全圖的上下文信息，借鑒了渲染和自適應(yīng)關(guān)鍵點(diǎn)的思想來恢復(fù)圖像的精細(xì)細(xì)節(jié)，以實現(xiàn)高質(zhì)量的圖像分割。類似于 Mask R-CNN[1]的二階段實例分割方法，會面臨得到的實例掩膜分辨率相對較低且嚴(yán)重依賴于目標(biāo)檢測產(chǎn)生的邊界框的問題。掩膜分支是一個卷積網(wǎng)絡(luò)，取ROI分類器選擇的
中國體視學(xué)與圖像分析 2021年3期2021-11-24
- 基于掩膜生成網(wǎng)絡(luò)的遮擋人臉檢測方法
測問題，設(shè)計一種掩膜生成網(wǎng)絡(luò)（Mask Generation Network，MGN），用于在深度CNN 模型中建立人臉遮擋區(qū)域與遮擋特征元素之間的對應(yīng)關(guān)系?；谠?span id="j5i0abt0b" class="hl">掩膜生成網(wǎng)絡(luò)，提出一種遮擋不變的人臉檢測方法，該方法屏蔽由局部遮擋引起的人臉特征元素?fù)p壞，從而提高對遮擋人臉的檢測精度。1 CNN 人臉相似度計算模型目前，無遮擋條件下的人臉檢測已經(jīng)取得了較高的檢測精度，但是遮擋條件下的人臉檢測問題仍然難以解決。對于2 幅相同的人臉圖像，如果在1 幅人臉圖像中加
計算機(jī)工程 2021年11期2021-11-18
- 基于ENVI 5.X 用地分類的掩膜制作方法及步驟
據(jù)加載到用地分類掩膜的生成，按步驟介紹掩膜制作的整個過程。1 軟件概況ENVI（The Environment for Visualizing Images）是目前遙感領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的遙感影像處理軟件之一，是美國Exelis Visual Information Solutions公司的旗艦產(chǎn)品[2]。ENVI 軟件是由遙感領(lǐng)域的著名科學(xué)家，采用交互式數(shù)據(jù)語言IDL (Interactive Data Language)開發(fā)的一套功能強(qiáng)大，操作簡單的遙感
甘肅科技 2021年10期2021-07-13
- 基于Mask R-CNN的回環(huán)檢測算法
ofMasks，掩膜列表），通過Mask R-CNN[4]得到圖像中可識別物體的掩膜，利用掩膜表示圖像特征。它通過計算兩張圖像所有掩膜之間的相似程度來判斷兩張圖像是否構(gòu)成回環(huán)。為了提高該算法的通用性，本文還將該算法與經(jīng)典的詞袋模型進(jìn)行融合。2.1 LOM2.1.1 特征表示LOM 使用Mask R-CNN 提取的掩膜來表示圖像特征。一幅圖像可以表示為若干個物體掩膜的列表：其中，Mi表示第i 張圖像，miu表示Mi的第u 個掩膜，其表現(xiàn)形式是和圖像同等大小的
電子技術(shù)與軟件工程 2021年5期2021-06-16
- 基于生成對抗網(wǎng)絡(luò)的破損老照片修復(fù)
的整體性。但是其掩膜專為規(guī)則孔洞設(shè)計，不適應(yīng)于破損區(qū)域位置不定，且形狀不規(guī)則的情況。為解決該局限，Liu等人[15]使用非規(guī)則化卷積的操作，實現(xiàn)了使用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的方法對非規(guī)則化破損區(qū)域的修復(fù)。但是由于其忽略了上下文之間的連貫性，往往產(chǎn)生語義錯誤、修復(fù)邊緣不連續(xù)等問題。Yu等人[16]在第二階段修復(fù)網(wǎng)絡(luò)編碼器中加入了注意力層，將圖像特征加權(quán)平均后輸入到解碼器中，提升了網(wǎng)絡(luò)性能。Li等人[17]專門針對人臉圖片進(jìn)行訓(xùn)練，表明了專門針對某一類圖片進(jìn)行訓(xùn)練和網(wǎng)絡(luò)
計算機(jī)與現(xiàn)代化 2021年4期2021-04-23
- 寬周期掩膜法HVPE側(cè)向外延自支撐GaN的研究
側(cè)向外延技術(shù)中，掩膜的厚度、占寬比、周期大小等都對GaN生長有影響。Matsubara等[9]使用具有寬周期窗口的掩膜(窗口寬度200 μm/掩膜寬度10 μm)也得到了低位錯密度的GaN，并且研究了GaN中的位錯分布。掩膜的寬度、占比等對于GaN生長的影響已經(jīng)有了一部分研究[10-11]，但相對來說寬周期的掩膜法側(cè)向外延GaN的研究迄今還較少。本文利用寬周期掩膜法通過HVPE在藍(lán)寶石基GaN襯底上外延GaN。二氧化硅(SiO2)是一種在GaN生長中常用的
人工晶體學(xué)報 2021年3期2021-04-17
- 光刻工藝對大面陣長波碲鎘汞芯片性能的影響
工藝過程中芯片與掩膜版相對位置不變,且芯片方向不變,因此產(chǎn)生的工藝非均勻性會在同一位置相互疊加,并隨著光刻工藝次數(shù)的增加而放大[3]。同時光刻工藝又是探測器芯片制備過程中重復(fù)次數(shù)最多的工藝,因此光刻工藝的非均勻性對探測器的性能影響最大,需要詳細(xì)分析，如圖1所示。圖1 光刻工藝非均勻性影響探測器性能2 光刻工藝非均勻性分析接觸式光刻工藝具有實現(xiàn)簡單、光刻效率高、設(shè)備成本低和對掩模版無損傷面等優(yōu)點(diǎn),是長波碲鎘汞紅外探測器制造的常用工藝。接觸式光刻的原理可以理解
激光與紅外 2021年2期2021-03-09
- PDMS微流控芯片光刻加工的套刻對準(zhǔn)方法
，每次曝光都需要掩膜和硅片上已經(jīng)光刻成型的圖像進(jìn)行對準(zhǔn)，以保證每一層圖形有精確的相對位置，此為套刻［8-9］。套刻精度是光刻的重要技術(shù)指標(biāo)，光刻機(jī)英文名稱即為掩膜對準(zhǔn)曝光機(jī)（Mask aligner）［10-11］。在廣泛使用低端光刻機(jī)進(jìn)行的微流控芯片套刻加工制作中，套刻精度對操作工藝的依賴性更大。受高分子材料PDMS（聚二甲基硅氧烷）有伸縮性［12］及設(shè)備、顯影工序等因素［13-14］的影響，PDMS 微流控芯片套刻加工對準(zhǔn)精度要求相對不高［7］，目前，
實驗室研究與探索 2021年12期2021-03-01
- 金屬掩膜版迎來巨大市場機(jī)遇
心的材料——金屬掩膜距之迎來巨大的市場機(jī)遇。決定產(chǎn)品良率和品質(zhì)的核心耗材金屬掩膜版在OLED面板生產(chǎn)過程中非常關(guān)鍵，決定了OLED產(chǎn)品的生產(chǎn)良率和分辨率。終端電子產(chǎn)品類型日趨豐富，對顯示屏幕的要求也越來越高，平板顯示行業(yè)也在不斷適應(yīng)其變化。目前，主要面板廠商正在加強(qiáng)OLED面板產(chǎn)線的投資力度，截至2020年2月，全球已建成共25條OLED產(chǎn)線，其中我國已建成的OLED產(chǎn)線為13條。據(jù)WitsView預(yù)測，到2021年，我國OLED產(chǎn)線月產(chǎn)能將超過45萬片，
中國電子報 2020年57期2020-09-13
- 氮化鎵的干法刻蝕工藝研究
蝕形貌。研究不同掩膜的刻蝕選擇比，為這些半導(dǎo)體材料的干法刻蝕提供參考。1 GaN系材料的干法刻蝕ICP干法刻蝕原理如圖1所示。本文采用英國Oxford公司的Plasmalab System 100（ICP 180）刻蝕機(jī)對GaN材料的刻蝕工藝進(jìn)行探索，采用美國KLA公司KLA TENCOR P16＋臺階儀測試刻蝕深度，采用荷蘭FEI公司的SIRION 200場發(fā)射掃描電鏡觀察刻蝕形貌。通常刻蝕采用的掩膜有光刻膠（Photo Resist，PR）、SiO2、
實驗室研究與探索 2020年6期2020-08-25
- 一種基于掩膜組合的多類彈載圖像目標(biāo)分割算法?
結(jié)合預(yù)測子網(wǎng)絡(luò)和掩膜生成網(wǎng)絡(luò)對目標(biāo)進(jìn)行檢測和分割；預(yù)測子網(wǎng)絡(luò)結(jié)合預(yù)設(shè)候選框在不同分辨率的卷積特征圖上進(jìn)行分類和邊界框回歸，提高了對尺度變化的魯棒性；掩膜生成網(wǎng)絡(luò)結(jié)合掩膜預(yù)測系數(shù)線性組合不同部位的激活特征，輸出目標(biāo)及目標(biāo)部件的分割結(jié)果；最后利用分割結(jié)果后處理后輸出目標(biāo)旋轉(zhuǎn)檢測框和打擊目標(biāo)的形心位置，克服了普通矩形框不足。同時通過數(shù)據(jù)增強(qiáng)方式豐富數(shù)據(jù)集，提高了應(yīng)對目標(biāo)旋轉(zhuǎn)、背景光照變化等復(fù)雜環(huán)境的能力。2 基于掩膜組合的目標(biāo)分割算法本文提出的目標(biāo)分割算法整體框
艦船電子工程 2020年6期2020-08-06
- 基于射流掩膜電解加工不銹鋼注塑微結(jié)構(gòu)研究
ng[16]使用掩膜電解加工的方法，在鋁基片上制備出微凸陣列結(jié)構(gòu)，修飾之后獲得超疏水效果?，F(xiàn)在使用掩膜電解加工技術(shù)加工微坑陣列結(jié)構(gòu)改善潤濕性的研究尚且不足。因為掩膜電解加工得到的微坑直徑多集中在100～500 μm，結(jié)構(gòu)尺寸大，無法改變零件表面的潤濕性。因此，為改變零件表面的潤濕性，本文利用光刻技術(shù)在不銹鋼表面制備掩膜，然后，射流掩膜電解加工出微米級的微坑陣列，使其潤濕性得到改善，最后，將不銹鋼作為模具用聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxa
廣東工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2020年3期2020-06-11
- 基于級聯(lián)卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的彩色圖像三維手勢估計
分為三階段，手部掩膜估計階段、二維手勢估計階段和三維手勢估計階段.首先，基于手的輪廓信息有助于更準(zhǔn)確的進(jìn)行手部定位與跟蹤[11]，因此，在級聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中設(shè)計了手部掩膜估計階段，用于產(chǎn)生手部的掩膜信息和特征信息，該信息有助于后續(xù)的手姿態(tài)估計；二維手勢估計階段則利用生成的手掩膜和特征信息估計二維手勢，并利用多個子階段優(yōu)化估計的二維手勢；三維手勢估計階段在二維手勢估計的基礎(chǔ)上，通過三維提升網(wǎng)絡(luò)，得到最終的三維手勢.該三階段級聯(lián)網(wǎng)絡(luò)采用端到端的訓(xùn)練，因此各階段可實現(xiàn)相
小型微型計算機(jī)系統(tǒng) 2020年3期2020-05-12
- 一種結(jié)合多種圖像分割算法的實例分割方案
輸出，即輸出物體掩膜(object mask).Mask RCNN是一個目標(biāo)實例分割的框架(object instance segmentation)，能夠?qū)D像中的各個目標(biāo)進(jìn)行類別的檢測，同時還能為圖像中的每個識別的物體生成一個高質(zhì)量的分割掩膜(segmentation mask).本文提出一種圖像的自動精細(xì)分割方法.該方法在Mask RCNN輸出的分割掩膜的基礎(chǔ)上，使用超像素SLIC和形態(tài)學(xué)算法進(jìn)行掩膜的后處理，得到待分割圖像的確定前景、確定背景和待分
小型微型計算機(jī)系統(tǒng) 2020年4期2020-04-10
- 不銹鋼材料的光纖激光掩膜微細(xì)電解復(fù)合加工
顯提高。光纖激光掩膜微細(xì)電解復(fù)合加工是微細(xì)電解與激光表面改性技術(shù)的結(jié)合,在304不銹鋼表面進(jìn)行激光重熔形成激光掩膜,在微細(xì)電解加工過程中對材料基體起到保護(hù)作用從而加工出微小型腔,本文著重研究激光重熔過程及激光掩膜成分與耐腐蝕性,并通過工藝對比試驗進(jìn)行驗證。2 光纖激光掩膜微細(xì)電解復(fù)合加工2.1 加工原理高能量脈沖激光在304不銹鋼表面按照規(guī)劃好的路徑進(jìn)行激光表面改性處理,經(jīng)過激光重熔后的不銹鋼生成含有Cr、Fe等氧化物的耐腐蝕表層,從而對不銹鋼基體起到保護(hù)
激光與紅外 2020年2期2020-04-07
- 國內(nèi)金屬掩膜板產(chǎn)線今年試產(chǎn)OLED核心零部件本地化提速
建的中國首條金屬掩膜板產(chǎn)學(xué)研綜合產(chǎn)線開工奠基儀式在日照舉行，三期完成后預(yù)計年產(chǎn)值可達(dá)20億元人民幣。同一時期，寰采星科技（寧波）的高精度金屬掩膜板（FMM）產(chǎn)線也在寧波投入運(yùn)營，滿產(chǎn)后的年產(chǎn)值將達(dá)35億元。兩家企業(yè)將于今年完成試生產(chǎn)，并通過驗證后進(jìn)行量產(chǎn)。金屬掩膜板是OLED生產(chǎn)所需要的消耗性核心零部件，長期被日韓企業(yè)壟斷。業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，金屬掩膜板（Mask）的量產(chǎn)意味著OLED產(chǎn)業(yè)在其核心零部件領(lǐng)域取得突破，將改變我國OLED產(chǎn)業(yè)受制于人的局面。填補(bǔ)OL
中國電子報 2020年2期2020-03-26
- 基于LANDSAT時間序列數(shù)據(jù)的洞庭濕地信息遙感監(jiān)測研究
：洞庭湖;濕地;掩膜;動態(tài)監(jiān)測;時間序列中圖分類號：X87 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：2095-672X（2019）10-0-02DOI：10.16647/j.cnki.cn15-1369/X.2019.10.070Abstract： This paper chooses to use the self-determined Dongting wetland as the research object. From 2009 to 2019， LandSa
環(huán)境與發(fā)展 2019年10期2019-11-28
- 清溢光電：掩膜版產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化的領(lǐng)軍者
最早、規(guī)模最大的掩膜版生產(chǎn)企業(yè)之一，公司掩膜版產(chǎn)品多次填補(bǔ)國內(nèi)空白，是國內(nèi)掩膜版行業(yè)的龍頭企業(yè)，代表了中國掩膜版產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先技術(shù)水平。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于平板顯示、半導(dǎo)體芯片、觸控、電路板等行業(yè)，是下游行業(yè)產(chǎn)品制程中的關(guān)鍵工具。2017年全球平板顯示掩膜版企業(yè)銷售金額排名顯示，清溢光電位列前十，是國內(nèi)唯一上榜企業(yè)。政策加持 迎藍(lán)海發(fā)展機(jī)遇期伴隨我國平板顯示行業(yè)、半導(dǎo)體芯片行業(yè)、電路板行業(yè)的快速發(fā)展，全球掩膜版下游運(yùn)用的主要市場，特別是平板顯示行業(yè)已經(jīng)呈現(xiàn)向中國
證券市場紅周刊 2019年44期2019-11-23
- 基于生成模型的古壁畫非規(guī)則破損部分修復(fù)方法
和破損部分對應(yīng)的掩膜作為輸入，進(jìn)行特征提取。解碼器將編碼器得到的特征圖通過反卷積的方法恢復(fù)到原來尺寸，完成修復(fù)，自動將破損區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)全。同時，通過對待修復(fù)壁畫進(jìn)行分塊修復(fù)再拼接的方法實現(xiàn)了對任意尺寸壁畫的修復(fù)。與其他數(shù)字壁畫修復(fù)方法相比，該方法更加通用，不受壁畫種類和破損情況的限制。在一般破損的壁畫上可以得到超過目前先進(jìn)水平的修復(fù)效果，并且在人眼無法辨識有效信息的大面積破損的壁畫上，仍可以恢復(fù)得到有完整語義的圖像。壁畫修復(fù)；卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)；生成模型；自編碼器
圖學(xué)學(xué)報 2019年5期2019-11-13
- 清溢光電(688138) 申購代碼787138 申購日期11.11
5代及以下高精度掩膜版項目、合肥清溢光電有限公司掩膜版技術(shù)研發(fā)中心項目?；久娼榻B：公司主要從事掩膜版的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，是國內(nèi)成立最早、規(guī)模最大的掩膜版生產(chǎn)企業(yè)之一。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于平板顯示、半導(dǎo)體芯片、觸控、電路板等行業(yè)，是下游行業(yè)產(chǎn)品制程中的關(guān)鍵工具。公司始終堅持自主研發(fā)創(chuàng)新，代表了國內(nèi)掩膜版企業(yè)的領(lǐng)先技術(shù)水平。憑借優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務(wù)，公司與下游眾多知名企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系。核心競爭力：公司作為國內(nèi)規(guī)模最大的掩膜版制造商之一，在國內(nèi)現(xiàn)有
證券市場紅周刊 2019年42期2019-11-09
- 基于陸地掩膜的高分辨率圖像艦船檢測方法
出了一種基于陸地掩膜的艦船檢測方法，通過將碼頭掩膜和影像比對提取出港口內(nèi)的艦船目標(biāo)區(qū)域，然后利用形態(tài)學(xué)處理和提取質(zhì)心，最后檢測到艦船目標(biāo)。關(guān)鍵詞：高分辨率;艦船檢測;掩膜;特征提取;形態(tài)學(xué)處理引言：隨著高分辨率衛(wèi)星圖像分辨率的不斷提高，重訪周期的縮短，衛(wèi)星已成為對敵偵察的主要手段。遙感圖像數(shù)據(jù)量隨之越來越大，大量的遙感圖像需進(jìn)行實時處理并充分利用，從而獲取具有判讀價值的圖像。光學(xué)圖像的艦船檢測與識別目前正處于理論研究階段。隨著遠(yuǎn)海打擊的軍事需求和海洋監(jiān)測部
贏未來 2018年31期2018-11-06
- 基于LMD-MS的滾動軸承微弱故障提取方法*
法，在這些方法中掩膜法因其計算效率高、后期處理能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注，但是到目前為止，掩膜法還沒有應(yīng)用在LMD的模態(tài)混疊問題上[15-17]。基于以上原因，筆者將掩膜法引入到LMD方法中，發(fā)現(xiàn)掩膜法具有一定的消噪功能，通過掩膜信號法削弱噪聲對PF分量的影響，并加入了文獻(xiàn)[18]中的頻率能量均值參數(shù)作為依據(jù)，細(xì)化故障頻率所處頻帶，在對仿真信號和滾動軸承微弱的故障信號分析中，成功削弱了LMD的模態(tài)混疊現(xiàn)象，提取了故障特征。并通過計算信號處理前后的信噪比與峭度比
振動、測試與診斷 2018年5期2018-11-01
- 基于飛秒激光成絲的太赫茲成像
太赫茲波,對金屬掩膜板掃描成像,對比分析了時域和頻域的成像效果,研究了氧化鋁陶瓷在不同位置截斷等離子體絲對產(chǎn)生太赫茲波的影響。2 成像原理和方法基于飛秒激光成絲的THz成像,其太赫茲源為雙色光成絲。超短雙色激光與空氣相互作用產(chǎn)生太赫茲輻射,其相關(guān)機(jī)制存在多種理論,其中較為認(rèn)可的是四波混頻[15],即兩個基頻光光子與一個倍頻光光子進(jìn)行差頻得到一個太赫茲波光子。四波混頻的實質(zhì)是三階非線性過程,它與空氣的三階非線性極化率有直接聯(lián)系。由于空氣的三階非線性系數(shù)較小,
激光與紅外 2018年8期2018-08-28
- 基于MS-EEMD的滾動軸承微弱故障提取研究
以上原因，本文將掩膜信號法引入到EEMD方法中，在消除EEMD方法出現(xiàn)的模態(tài)混疊現(xiàn)象后，提取故障信息。1 理論推導(dǎo)1.1 EEMD方法(1)收集到的振動信號為x(t)，加入白噪聲nj(t)，j=1,2,3,...,M(2)用EMD分解xj(t)得到I個()IMFs Ci,j，(i=1,2,3…I)，其中Ci,j表示第j次加入白噪聲幅值后，分解得到的第i個IMF；(3)如果j＜M令j=j+1重復(fù)步驟2；(4)經(jīng)過M次的總體平均消除噪聲對本征模態(tài)函數(shù)的干擾。得
噪聲與振動控制 2018年3期2018-06-25
- 不銹鋼表面光纖激光掩膜微細(xì)電解復(fù)合加工
具有耐腐蝕性保護(hù)掩膜,結(jié)合微細(xì)電解加工,生成復(fù)雜微細(xì)結(jié)構(gòu)。2 加工機(jī)理2.1 制作掩膜層原理研發(fā)的光纖激光掩膜微細(xì)電解加工裝置是將光纖激光表面改性模塊與微細(xì)電解加工模塊安裝在同一分辨率為0.4 μm的三軸進(jìn)給滑臺上,解決激光掩膜電解復(fù)合加工定位問題,如圖1所示。圖1 光纖激光掩膜微細(xì)電解加工裝置Fig.1 The developed EMM device with fiber laser masking激光制掩膜模塊采用德國IPG公司脈沖式輸出的光纖激光器
激光與紅外 2018年4期2018-04-27
- 國內(nèi)首條G11光掩膜版項目在成都高新區(qū)啟動
國內(nèi)首條G11光掩膜版項目——路維光電高世代光掩膜生產(chǎn)基地項目在成都高新區(qū)啟動。該項目總投資10億元，由深圳路維光電參與設(shè)立的控股公司——成都路維光電有限公司負(fù)責(zé)項目建設(shè)，建成后將成為我國最大的掩膜版制造基地。G11光掩膜版項目位于成都高新區(qū)西部園區(qū)，占地面積超過3.6萬平方米，計劃投資建設(shè)6條高世代掩膜版生產(chǎn)線，涵蓋TFT-G11及以下、AMOLED等掩膜版生產(chǎn)線，可全面配套國內(nèi)高世代、新型顯示產(chǎn)業(yè)，項目預(yù)計今年四季度投產(chǎn)。深圳路維光電股份有限公司（以下
電子技術(shù)與軟件工程 2018年5期2018-04-09
- 論用于各向同性濕法刻蝕中的氮化硅掩膜
化硅常被用作頂層掩膜材料。我們通過選擇不同的刻蝕液配比，以便在硅片刻蝕不同的結(jié)構(gòu)，配比不同，氮化硅掩膜的刻蝕速率各不相同?；谶@種認(rèn)識，本文用PECVD及LPCVD兩種不同方法，在型硅片上沉積了560nm和210nm厚的氮化硅薄膜，在分析了它們在不同配比刻蝕液中的刻蝕速率的同時，為科學(xué)制作所需厚度的氮化硅掩膜提供科學(xué)化的參考。關(guān)鍵詞：各向同性刻蝕 掩膜 氮化硅引言隨著科學(xué)技術(shù)發(fā)展，刻蝕技藝日臻完善，低成本的濕法刻蝕法的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛。從完善工藝的角度上說，
魅力中國 2017年51期2018-01-27
- 基于樹莓派的人物追蹤系統(tǒng)及其小車實現(xiàn)
到了圖像處理中的掩膜處理和腐蝕膨脹等重要方法。各個模塊通過參數(shù)的讀取協(xié)調(diào)工作，完成對人物的鎖定和小車的追蹤。關(guān)鍵詞：人物追蹤；視頻圖像處理；腐蝕膨脹；超聲波測距；掩膜1概述隨著人類社會的發(fā)展進(jìn)步，智能技術(shù)不斷地改善著人們的日常生活，對人們的影響越來越大。人物追蹤作為機(jī)器視覺的重要組成部分，其發(fā)展和研究對智能技術(shù)的進(jìn)一步提升以及人與機(jī)器之間交互的推動有著巨大的促進(jìn)作用，而基于樹莓派的人物追蹤系統(tǒng)及其小車實現(xiàn)則是研究所得的重要成果。對于搭載了基于樹莓派的人物追
電腦知識與技術(shù) 2017年23期2017-10-31
- 基于掩膜與仿中值濾波的邊緣檢測處理
00240)基于掩膜與仿中值濾波的邊緣檢測處理張建國1, 王仁慶1, 左俊彥1, 候慧敏1, 鐘 濤1, 胡鳳玲2, 馬千里1(1.上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院,上海 201418; 2.復(fù)旦大學(xué)附屬上海市第五人民醫(yī)院 口腔科,上海 200240)針對醫(yī)學(xué)圖像特殊而又復(fù)雜的模糊邊緣以及難以區(qū)分的背景噪聲,提出一種基于掩膜理論區(qū)分圖像邊緣信息的區(qū)分算法.通過區(qū)域?qū)Ρ榷?、圖像像素特征和有限區(qū)域中像素均值等相關(guān)信息,利用先驗知識和仿中值濾波的方法得到較為清晰的
上海理工大學(xué)學(xué)報 2017年3期2017-07-18
- 插指電極掩膜的設(shè)計與制造*
500)插指電極掩膜的設(shè)計與制造*楊麗娥(云南開放大學(xué) 機(jī)電工程學(xué)院， 昆明 650500)針對插指電極制造中所涉及的掩膜制備復(fù)雜以及高成本問題，提出了一種插指電極透明掩膜的制造方法.通過AutoCAD軟件設(shè)計了指形、螺旋形和方形三種不同圖案的插指電極，采用透明紙和噴墨打印機(jī)將插指電極圖案制造成透明掩膜，利用常規(guī)光刻技術(shù)將透明掩膜上的插指電極圖案轉(zhuǎn)移至硅片上的鋁金屬層，利用高倍顯微鏡對插指電極圖案及插指電極進(jìn)行觀察.通過將本方法應(yīng)用于太陽能電池，并對太陽能
沈陽工業(yè)大學(xué)學(xué)報 2017年2期2017-04-19
- 多層陰影掩膜結(jié)構(gòu)及其制造和使用方法
供了一種多層陰影掩膜及其使用方法。所述多層陰影掩膜包括與沉積掩膜結(jié)合的犧牲掩膜。所述犧牲掩膜對沉積掩膜上蒸發(fā)物的累積提供保護(hù)以防止沉積掩膜變形。
科技資訊 2016年21期2016-05-30
- 基于圖像處理的甘蔗莖節(jié)識別與定位
圖像對二值化圖像掩膜，得到含有莖節(jié)和干擾信息的圖像；對該圖像進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，計算每列像素值之和，統(tǒng)計分析最大值所在列，并結(jié)合質(zhì)心、等效長短軸得到莖節(jié)上下端點(diǎn)坐標(biāo)；以傾角的度數(shù)進(jìn)行反向旋轉(zhuǎn)，最終得到莖節(jié)位置。試驗結(jié)果表明：甘蔗莖節(jié)識別與定位方法處理速度快，莖節(jié)識別率高，左右端的定位誤差分別小于0.9 mm和2.4 mm。關(guān)鍵詞：甘蔗莖節(jié)；圖像處理；MatLab；掩膜；定位0引言甘蔗是我國的主要經(jīng)濟(jì)作物之一，2011年種植面積為15萬 hm2，甘蔗產(chǎn)業(yè)為經(jīng)濟(jì)發(fā)展和蔗
農(nóng)機(jī)化研究 2016年4期2016-03-23
- MASK在遙感影像水系提取中的應(yīng)用
處理的研究重點(diǎn)。掩膜(MASK)技術(shù)就是運(yùn)用地物及影像的特點(diǎn)將影像中的地物提取出來。本文主要介紹地物及影像的特點(diǎn)，運(yùn)用MASK技術(shù)將影像中的水提取出來，并將提取成果與原始影像進(jìn)行比較分析。關(guān)鍵詞：掩膜；水提??；建模；NDVI；閾值中圖分類號：P237文獻(xiàn)標(biāo)識碼：B文章編號：0494-0911(2015)09-0079-04收稿日期：2014-07-31作者簡介：桂新(1967—)，男，高級工程師，主要研究方向為航空攝影測量、地理信息。E-mail：jxgu
測繪通報 2015年9期2016-01-29
- 一種改進(jìn)掩膜信號法及其在車橋振動響應(yīng)信號中的應(yīng)用
384）一種改進(jìn)掩膜信號法及其在車橋振動響應(yīng)信號中的應(yīng)用凌立鵬1，毛 毳1，李長躍2（1.天津城建大學(xué) 土木工程學(xué)院，天津 300384； 2.天津大學(xué) 建筑工程學(xué)院，天津 300384）針對經(jīng)驗?zāi)B(tài)分解法中存在的模態(tài)混疊問題，在掩膜信號法研究的基礎(chǔ)上，通過編制掩膜信號幅值與頻率確定程序，提出了一種改進(jìn)掩膜信號法，并通過兩個仿真實例進(jìn)行了驗證。其在車橋振動響應(yīng)信號中的應(yīng)用結(jié)果表明：在沒有噪聲處理的情況下，該方法可以大致得到信號中非平穩(wěn)的基頻響應(yīng)信號組份，并
噪聲與振動控制 2015年3期2015-12-05
- 基于溝槽型功率器件的三層掩膜板工藝設(shè)計
化，以原有的6層掩膜板為基礎(chǔ)，對掩膜板層數(shù)進(jìn)行削減，用接觸孔掩膜板完成原有的保護(hù)環(huán)掩膜板，工作區(qū)掩膜板及N+區(qū)掩膜板的作用。器件的電性參數(shù)目標(biāo)，通過設(shè)計具體工藝參數(shù)，并對其進(jìn)行仿真，以驗證工藝可行性。所用的參數(shù)與設(shè)計方案適用于所有低壓功率器件生產(chǎn)制造。關(guān)鍵字： 功率器件； 溝槽型功率器件； 掩膜板； 工藝仿真中圖分類號： TN386.1?34 文獻(xiàn)標(biāo)識碼： A 文章編號： 1004?373X（2015）20?0146?04Technological des
現(xiàn)代電子技術(shù) 2015年20期2015-10-26
- 微細(xì)掩膜電解加工的孤島有限元仿真研究
10006）微細(xì)掩膜電解加工的孤島有限元仿真研究唐儀，黃志剛，郭鐘寧，黃紅光，何長運(yùn)（廣東工業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院，廣東廣州 510006）在微細(xì)掩膜電解加工初期，被加工表面會形成孤島結(jié)構(gòu)，不利于加工出形狀、精度良好的淺表面微結(jié)構(gòu)，故減小電解加工過程中的孤島結(jié)構(gòu)很有必要。采用有限元方法建立了微細(xì)掩膜電解加工的數(shù)學(xué)模型，并利用該模型分析掩膜厚度和加工間隙對孤島變化的影響，進(jìn)而推論出電解加工開始時，被加工面上不均勻的電流密度分布是形成孤島的原因。通過增加被加工表面
電加工與模具 2014年4期2014-04-13
- 在鏡像投影曝光機(jī)上使用相移掩膜提高解像力的初步研究
辨率下降。相位移掩膜則是在圖案本身上選擇性使用了一相位移層(phase shifter)。當(dāng)曝光光源通過相位移掩模的相位移層后，曝光光源發(fā)出的光的相位會被位移了一預(yù)定角度，使得位移后的光的相位與先前入射的光的相位產(chǎn)生相位差，造成光到達(dá)基板表面時，產(chǎn)生了相消干涉(destructive interference)。經(jīng)由光的相消干涉效應(yīng)來消除繞射所引起的干涉效應(yīng)，大幅提升了圖案邊界的分辨率[1-3]。比較典型的相移掩膜有李文森交替型相移掩膜、無鉻相移掩膜、邊緣
液晶與顯示 2014年4期2014-02-02
- 一種改進(jìn)的掩膜割線相位解纏算法*
33)一種改進(jìn)的掩膜割線相位解纏算法*鐘何平 唐勁松 張 森 張學(xué)波(海軍工程大學(xué)電子工程學(xué)院，武漢 430033)為優(yōu)化掩膜區(qū)域的相位解纏結(jié)果，提出一種改進(jìn)的掩膜割線相位解纏算法。掩膜區(qū)域生成后，直接對非掩膜區(qū)域進(jìn)行相位求解，然后對低質(zhì)量相位區(qū)域采用“消圈”法來最小化掩膜區(qū)域相位的不連續(xù)性，達(dá)到消除傳統(tǒng)掩膜割線算法中的解纏“死區(qū)”，并保持相位連續(xù)性的目的。對InSAR和InSAS干涉圖的解纏結(jié)果表明:該方法消除了傳統(tǒng)掩膜割線法中的解纏“死區(qū)”，提高了解纏
大地測量與地球動力學(xué) 2013年5期2013-09-20
- 基于選擇性注意機(jī)制的無邊界主動輪廓圖像分割算法
定初始化輪廓線或掩膜(mask)，對于復(fù)雜圖像和多目標(biāo)圖像分割效果不夠理想等。受人類視覺感知機(jī)制的啟發(fā)，筆者將選擇性注意機(jī)制引入到無邊界主動輪廓模型，提出一種基于選擇性注意機(jī)制的無邊界主動輪廓圖像分割算法。1 無邊界主動輪廓模型概述主動輪廓模型可分為兩類:基于邊界的方法和基于區(qū)域的方法。前者存在結(jié)果易受圖像噪聲影響，對于初始輪廓線的位置較敏感，難以得到全局性分割等問題;而后者則從圖像模型的角度出發(fā)，給出圖像模型應(yīng)滿足的全局能量泛函，通過最小化能量泛函來驅(qū)動
中國石油大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2013年6期2013-04-27
- 光學(xué)圖像高斯平滑濾波的DSP優(yōu)化
，但該方法對濾波掩膜的系數(shù)取值有嚴(yán)格的限制，具有較大的局限性;黃德天［6］等針對中值濾波進(jìn)行了不同程度的優(yōu)化，取得了較好的效果，但其優(yōu)化方法仍有較大的改進(jìn)空間。本文基于 TMS320C6x 系列［7－8］定點(diǎn)處理器，利用高斯濾波掩膜的可分解性，提出了一種單次遍歷實現(xiàn)兩次卷積的高斯平滑濾波DSP優(yōu)化方法。實驗結(jié)果表明，該方法能夠顯著提升濾波效率，達(dá)到了算法優(yōu)化的目的。2 基本的空域濾波優(yōu)化方法空域濾波在圖像空間中的實現(xiàn)是通過在待處理圖像中逐點(diǎn)移動掩膜進(jìn)行卷積
激光與紅外 2013年12期2013-01-23
- 基于MTSAT衛(wèi)星數(shù)據(jù)的云掩膜閾值算法
266100）云掩膜作為云分類與對流臨近預(yù)報的基礎(chǔ)，直接影響了下一步操作的準(zhǔn)確率，因此云掩膜算法有著重要的作用。文中采用了美國國家海洋和大氣管理局（NOAA）在2008年發(fā)布的 ABI Cloud Mask算法（ACM）[1]，使用 MTSAT的數(shù)據(jù)進(jìn)行云掩膜的計算。該方法使用的傳感器Advanced Baseline Manager（即ABI）是GOES-R搭載的高分辨率傳感器，可用通道為16個，而MTSAT可用通道只有其中5個，文中為了使用MTSAT數(shù)
電子設(shè)計工程 2012年24期2012-01-18
- TMAH溶液中的(110)硅各向異性濕法腐蝕及其在不同添加劑下的腐蝕特性研究*
110)硅在不同掩膜下的腐蝕幾何結(jié)構(gòu),其二是不同添加劑(過硫酸銨、異丙醇等)下(110)硅的腐蝕速率和腐蝕表面的形貌及質(zhì)量,為進(jìn)一步制作(110)硅微結(jié)構(gòu)打下基礎(chǔ)。1 實驗1.1 (110)硅的晶面結(jié)構(gòu)各向異性濕法腐蝕是指腐蝕劑對襯底的腐蝕速率由晶格取向不同而不同,主要表現(xiàn)為(111)晶面腐蝕速率相對(110)、(100)等晶面腐蝕速率可以忽略。(110)硅片中的(111)面與硅片表面的夾角分別為90°和 35.26°,其中有 4個(111)面與 (110
傳感技術(shù)學(xué)報 2011年2期2011-05-06
- EUV 掩膜版的等離子刻蝕法
UV 光刻采用的掩膜版比普通的光學(xué)掩膜版縮小了近4 倍，但其規(guī)格要求卻比現(xiàn)在的193 nm 節(jié)點(diǎn)更加嚴(yán)格。EUV 掩膜版主要的制造要求包括幾乎為零的刻蝕CD bias 以及完美的CD 均勻性。目前，CD的非均勻性主要來自光刻膠腐蝕的不均勻。局部刻蝕CD bias 控制是實現(xiàn)CD bias和均勻性的主要挑戰(zhàn)。業(yè)界采用的比較實用的方法是使吸收層盡可能的薄，這樣一來，光刻膠也會變薄，深寬比也會相應(yīng)的減小，CD bias和刻蝕均勻性也會得以改善。同樣的，薄的光刻膠
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年10期2010-10-24