采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET-Si8499DB。在1.5 mm×1 mm的占位面積內(nèi)，這款20 V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。

新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級(jí)產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5、2.5、2和1.8 V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為32、46、65和 120 mΩ。

Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)，器件的芯片級(jí)封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內(nèi)提供了超低導(dǎo)通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導(dǎo)通電阻則很相近，從而為其他產(chǎn)品功能騰出空間，或是使終端產(chǎn)品變得更小。

MOSFE的低導(dǎo)通電阻意味著負(fù)載、充電器和電池開(kāi)關(guān)中更低的壓降，使智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等個(gè)人手持設(shè)備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長(zhǎng)。

MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC。