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      Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3微波介質(zhì)陶瓷低溫?zé)Y(jié)研究

      2010-09-15 03:48:32李月明張斌2張華廖潤(rùn)華王竹梅洪燕
      陶瓷學(xué)報(bào) 2010年2期
      關(guān)鍵詞:電性能晶格介電常數(shù)

      李月明張斌,2張華廖潤(rùn)華王竹梅洪燕

      (1.景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院,景德鎮(zhèn):333403;2.浙江正原電氣股份有限公司,嘉興:314003)

      Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3微波介質(zhì)陶瓷低溫?zé)Y(jié)研究

      李月明1張斌1,2張華1廖潤(rùn)華1王竹梅1洪燕1

      (1.景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院,景德鎮(zhèn):333403;2.浙江正原電氣股份有限公司,嘉興:314003)

      以Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3(CLST-0.8)為基料,添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%的CaO-B2O3-SiO2(CBS)復(fù)合氧化物、4%的Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)玻璃料和0~2%的CuO氧化物為復(fù)合燒結(jié)助劑,研究了CuO含量的變化對(duì)CLST-0.8陶瓷的低溫?zé)Y(jié)行為及微波介電性能的影響。隨著CuO添加量的增加,陶瓷體積密度、介電常數(shù)εr、無(wú)載品質(zhì)因數(shù)與諧振頻率乘積Qf值,都呈先增加后降低,諧振頻率溫度系數(shù)τf則呈先降低后升高的趨勢(shì)。添加10%CBS、4.0%LBSCA和1.0%CuO的CLST-0.8微波介質(zhì)陶瓷,可在900℃下保溫5 h燒結(jié),并具有較佳的微波介電性能:εr=58.36,Qf=2011GHz,τf=3.44 ppm/℃。

      Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3,CuO,微波介質(zhì)陶瓷,低溫?zé)Y(jié)

      1 前言

      隨著無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)陶瓷介質(zhì)微波元器件的小型化提出了越來(lái)越高的要求,因此,進(jìn)一步研究開(kāi)發(fā)高介電常數(shù)且能與金屬Ag(熔點(diǎn)961℃)或Cu(熔點(diǎn)1083℃)等導(dǎo)體低溫共燒的微波介質(zhì)陶瓷材料成為研究的熱點(diǎn)。自從Takahasli等人[1]發(fā)現(xiàn)了具有高介電常數(shù)εr和較大的負(fù)諧振頻率溫度系數(shù)τf的(Li1/2Ln1/2)TiO3(Ln=La,Nd,Sm 等稀土元素)開(kāi)始,人們對(duì)CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2體系陶瓷進(jìn)行了廣泛研究,開(kāi)發(fā)出了一批性能優(yōu)異的高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷[2-3]。

      Ca(1-x)(Li1/2Sm1/2)xTiO3(CLST)系微波介質(zhì)陶瓷是由CaTiO3和Li1/2Sm1/2TiO3形成的固溶體,由于其優(yōu)異的微波介電性能而受到廣泛關(guān)注。Ezaki等[4]研究發(fā)現(xiàn)非化學(xué)計(jì)量比的CLST陶瓷(摩爾比n(CaO)∶n(Li2O)∶n(Sm2O3)∶n(TiO2)=16∶9∶12∶63)具有較好的微波介電性能(εr=105,Qf=4640GHz,τf=13ppm/℃),但其燒結(jié)溫度高達(dá)1300℃,必須降低燒結(jié)溫度才能實(shí)現(xiàn)與Ag等的低溫共燒。

      本課題組的前期研究成果表明:在Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8-TiO3(CLST-0.8)材料基礎(chǔ)上添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%(下同)的CaO-B2O3-SiO2(CBS)復(fù)合氧化物和4.0%Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)低熔點(diǎn)玻璃料為復(fù)合燒結(jié)助劑的 CLST-0.8陶瓷,在950℃保溫5 h燒結(jié)后具有較佳的微波介電性能:εr=61.81,Qf=1707GHz,τf=-8.3ppm/℃[5]。但其燒結(jié)溫度仍然偏高,難以實(shí)現(xiàn)LTCC技術(shù)要求與Ag電極低溫共燒的要求,需進(jìn)一步添加燒結(jié)助劑使其燒結(jié)溫度降低至900℃左右。因此,本研究在上述組成的基礎(chǔ)上,添加0.5、1.0、1.5、2.0%的CuO,研究CuO對(duì)CLST-0.8-10%CBS-4%LBSCA(CLSTCL)陶瓷的降溫效果及陶瓷的燒結(jié)性能、晶體組成、顯微結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響。

      2 實(shí)驗(yàn)

      以 分 析 純 CaCO3、Li2CO3、Sm2O3、TiO2、H3BO3、SiO2、CaO、Al2O3和CuO為原料,按基料 CLST-0.8和燒結(jié)助劑CBS和LBSCA的化學(xué)計(jì)量配料?;匣旌狭螩LST-0.8以乙醇和氧化鋯球子為介質(zhì),球磨24 h,干燥后,在1100℃下保溫4 h預(yù)燒,合成CLST-0.8粉料;燒結(jié)助劑CBS混合料在715℃下保溫5 h預(yù)燒,合成CBS復(fù)合氧化物;LBSCA混合料在1000℃熔融均化30 min后倒入水中淬冷,120℃烘干,球磨,過(guò)100目篩。

      將預(yù)燒好的基料添加10%CBS、4.0%LBSCA和0、0.5、1.0、1.5、2.0%的 CuO 氧化物,再次球磨,干燥后加入適量的5%濃度的PVA作粘結(jié)劑,造粒,干壓成型,制成Φ25×12 mm的標(biāo)準(zhǔn)圓柱體,在850~1000℃下保溫5 h燒成后,緩慢冷卻至室溫。

      采用阿基米德法測(cè)量燒成后陶瓷樣品的體積密度,采用德國(guó)Brucker公司生產(chǎn)的D8-Advance型X射線衍射儀分析樣品的晶體結(jié)構(gòu)。采用美國(guó)Agilent公司生產(chǎn)的 8719ET(500 MHz~13.5GHz)網(wǎng)絡(luò)分析儀,用Hakki-Coleman介質(zhì)柱諧振法測(cè)量樣品的介電常數(shù)εr及無(wú)載品質(zhì)因數(shù)與諧振頻率乘積Qf,諧振模式為TE011,頻率測(cè)量范圍1~4GHz。在25~80℃溫度范圍內(nèi)采用空腔法測(cè)量諧振諧振頻率溫度系數(shù)τf,并用25℃時(shí)的諧振頻率f(25)為標(biāo)準(zhǔn)頻率,其計(jì)算公式為:

      其中,f(80)為80℃的諧振頻率。

      3 結(jié)果分析與討論

      3.1 樣品的物相分析

      圖1為添加不同含量CuO氧化物的CLSTCL經(jīng)900℃燒結(jié)后陶瓷樣品的XRD圖譜。由圖可以看出,添加不同含量CuO的CLSTCL陶瓷的主晶相均為斜方鈣鈦礦結(jié)構(gòu),但CuO含量為2%時(shí),出現(xiàn)少量的未知相。同時(shí)也可以看出,隨著CuO含量的增加,衍射峰略有向高角度方向移動(dòng)。由于Ca2+、Cu2+、(Li1/2Sm1/2)2+的離子半徑分別為 1.1200?、1.0200?、0.9995?[6],相差不大,可以形成固溶體,因而少量的CuO能固溶到CLST晶體中,但加入量過(guò)多時(shí),部分Cu2+不能進(jìn)入晶格中,導(dǎo)致了未知相的出現(xiàn)。同時(shí)由于Cu2+離子半徑小于Ca2+離子半徑,Cu2+的固溶進(jìn)晶格導(dǎo)致了晶胞體積減小,衍射峰向高角度移動(dòng)。

      3.2 樣品的燒結(jié)性能

      圖2顯示了CLSTCL-x%CuO陶瓷的體積密度隨CuO摻雜量x的變化。由圖可以看出:當(dāng)CuO添加量為1%時(shí),陶瓷的致密度最高;同時(shí)隨著燒結(jié)溫度的升高,體積密度先增大后減小,加入CuO后,CLSTCL-x%CuO陶瓷的體積密度均在900℃達(dá)到最大,而未添加CuO的陶瓷體系在950℃時(shí)才達(dá)到飽和。這說(shuō)明CuO的加入能降低CLSTCL的燒結(jié)溫度,由于Cu2+固溶進(jìn)CLST晶格產(chǎn)生晶格畸變,燒結(jié)活化能降低,從而促進(jìn)了陶瓷的致密化,降低了燒結(jié)溫度。

      3.3 樣品的微波介電性能

      圖3為不同燒結(jié)溫度下CLSTCL-x%CuO陶瓷的介電常數(shù)εr與CuO摻雜量的關(guān)系。從圖可以看出,隨著燒結(jié)溫度的升高,介電常數(shù)逐漸增大,當(dāng)燒結(jié)溫度為900℃介電常數(shù)達(dá)到飽和,繼續(xù)升高溫度,介電常數(shù)降低,介電常數(shù)的變化與體積密度保持很好的一致性。在900℃之前,介電常數(shù)εr不斷升高,是由于Cu2+固溶到CLST的晶格中形成了固溶體,活化了晶格,促進(jìn)陶瓷的致密化,因而材料的介電常數(shù)會(huì)有所提高[7-8]。在900℃之后,由于溫度過(guò)高,促使了較多玻璃相生成導(dǎo)致介電常數(shù)εr下降。

      圖3還可以看出,隨著CuO添加量x的增加,CLSTCL-x%CuO陶瓷的介電常數(shù)呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),當(dāng)x=1.0%時(shí),陶瓷在900℃保溫5 h燒結(jié)后,介電常數(shù)達(dá)到最大值58.36。CuO摻雜量很少時(shí),由于Cu2+具有很高的電子極化率和離子極化率,CLST陶瓷中氧八面體離子極化能力逐漸變強(qiáng)[9],介電常數(shù)εr也呈上升趨勢(shì);當(dāng)CuO的含量增加到一定值時(shí),由于過(guò)多的CuO產(chǎn)生了雜相,抑制了CLST陶瓷中氧八面體離子極化能力,導(dǎo)致了陶瓷介電常數(shù)的減小。因此,添加少量的CuO有助于提高CLSTCL陶瓷的介電常數(shù)。

      圖4顯示了CLSTCL-x%CuO陶瓷的無(wú)載品質(zhì)因數(shù)與諧振頻率乘積Qf值隨CuO摻雜量x的變化。從圖中可以看出,加入CuO后,隨著燒結(jié)溫度的升高,Qf值呈現(xiàn)出先增大后緩慢降低,且均在900℃時(shí)達(dá)到最大值,與未添加CuO的CLSTCL陶瓷相比,達(dá)到最大值的溫度降低了50℃,是由于CuO固溶進(jìn)晶格中促進(jìn)了陶瓷的燒結(jié)。燒結(jié)溫度高于900℃后Qf值變化不大,是因?yàn)榇藭r(shí)陶瓷均已經(jīng)燒結(jié)致密。

      圖4結(jié)果表明,隨著CuO含量的增加,Qf值呈減小的趨勢(shì),當(dāng)CuO含量為1%時(shí),Qf值獲得最大值,達(dá)2011GHz。介電損耗由漏電損耗和介質(zhì)本身的極化損耗兩方面組成,與陶瓷中的本征因素如晶體中非簡(jiǎn)諧相互作用以及非本征因素如相對(duì)密度、第二相以及氧空位等有關(guān)[10]。一方面,由于CuO的添加增加了CLST晶體的離子排列無(wú)序度,增大了晶格振動(dòng)的非簡(jiǎn)諧作用;另一方面,當(dāng)CuO含量增多時(shí),過(guò)多的Cu2+進(jìn)入晶格中致使晶格畸變程度增加,損耗增加,因而品質(zhì)因素降低。

      圖5顯示了CLSTCL-x%CuO陶瓷的諧振頻率溫度系數(shù)τf隨CuO摻雜量的變化。由圖可知,隨著燒結(jié)溫度的升高,諧振頻率溫度系數(shù)τf不斷降低。這是由于隨著燒結(jié)溫度升高后,陶瓷中玻璃相增多,而且玻璃相的諧振頻率溫度系數(shù)τf為負(fù)值,導(dǎo)致陶瓷的諧振頻率溫度系數(shù)τf下降。

      隨著CuO添加量的增加,相同溫度下的諧振頻率溫度系數(shù)τf在850~900℃燒結(jié)溫度范圍內(nèi)有所降低,900~1000℃溫度范圍內(nèi)則變化不大,略微有所增加。在900℃以下,CLSTCL陶瓷沒(méi)有完全燒結(jié),玻璃相較少,因此諧振頻率溫度系數(shù)主要受到CuO含量的影響,由于CuO具有較低的諧振頻率溫度系數(shù)[11],因而CuO含量的增加降低了陶瓷的諧振頻率溫度系數(shù)。900℃以上,陶瓷燒結(jié),此時(shí)諧振頻率溫度系數(shù)主要受CLSTCL陶瓷的影響,CuO含量的變化對(duì)其影響較小,使得諧振頻率溫度系數(shù)變化不大。添加1.0%CuO的CLSTCL陶瓷,在900℃燒結(jié)5 h其諧振頻率溫度系數(shù)τf為3.44 ppm/℃。

      4 結(jié)論

      (1)CuO的添加能促進(jìn)CLSTCL陶瓷致密化,降低其燒結(jié)溫度,為實(shí)現(xiàn)與Ag共燒的LTCC技術(shù)打下了良好的基礎(chǔ)。

      (2)隨著CuO氧化物摻雜量的增加,CLSTCL-x%CuO陶瓷的體積密度、介電常數(shù)εr和無(wú)載品質(zhì)因數(shù)與諧振頻率乘積Qf都呈現(xiàn)先增加后降低,而CLSTCL-x%CuO陶瓷,在850~900℃范圍內(nèi),隨著CuO氧化物添加量的增加其諧振頻率溫度系數(shù)τf為不斷降低,而在900~1000℃范圍內(nèi)隨著CuO氧化物添加量的增加,其諧振頻率溫度系數(shù)τf為不斷升高。

      (3)添加1.0%CuO的CLSTCL-x%CuO陶瓷,在900℃保溫5 h燒結(jié)具有較佳的微波介電性能:εr=58.36,Qf=2011 GHz,τf=3.44 ppm/℃。

      1 Ta kahashi H, Baba Y, Ezaki K,et al.Dielectric characteristics of (A1+1/2A3+1/2)TiO3ceramics at microwave frequencies. Journal of Applied Physics, 1991, 30:2339~2342

      2 EzakiK,Baba Y,TakahashiH,etal.Microwave dielectric properties of CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2ceramics.Journal of Applied Physics,1993,32:4319~4322

      3 Chen Y C,Cheng P S,Yang C F,et al.Substitution of CaO by BaO to improvethemicrowavedielectricpropertiesof CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2ceramics.Ceramics International,2001,27:809~813

      4 Ezaki K,Baba Y,Takahashi H,et al.Microwave dielectric properties of CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2ceramics.Japanese Journal of Applied Physics,1993,32(9B):4319~4322

      5 張斌.CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2微波介質(zhì)陶瓷低溫?zé)Y(jié)及其微波介電性能研究.景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院碩士學(xué)位論文,2009 Zhang Bin,Research on Microwave Dielectic Properties and Low Temperature Sintering of CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2Ceramics.Jingdezhen Ceramic Institute,2009

      6 Shannon R D.Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides.Acta Crystallographica Section E,1976,A32:751~767

      7 Sagala D A and Nambu S.Microscopic calculation of dielectric loss at microwave frequencies for complexperovskite Ba(Zn1/3Ta2/3)O3.Journal of the American Ceramic Society.1992,75:2573~2575

      8 Kucheiko S,Choi J W,Kim H J,et al.Microwave dielectric properties of CaTiO3-Ca(Al1/2Ta1/2)O3ceramics.Journal of the American Ceramic Society,1996,79(10):2739~2743

      9 呂文中,張道禮,黎步銀等.高εr微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)、介電性質(zhì)及其研究進(jìn)展.功能材料,2000,31(6):572~576 Lü Wenzhong,Zhang Daoli,Li Buyin,et al.The structure,dielectric behavior and research development of microwave dielectric ceramics with high εr.Journal of Functional Materials,2000,31(6):572~576

      10 何進(jìn),楊傳仁.微波介質(zhì)陶瓷材料綜述.電子元件與材料,1995,14(2):7~13 He Jin,Yang Chuanren,Review of microwave ceramic.Electronic Components&Materials,1995,14(2):7~13

      11 Kim D W,Ko K H and Hong K S.Influence of copper(Ⅱ)oxide additions to zinc niobate microwave ceramics on sintering temperature and dielectric properties.Journal of the American Ceramic Society,2001,84(6):1286~1290

      RESEARCH ON LOW-TEMPERATURE SINTERING OF Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3MICROWAVE DIELECTRIC CERAMICS

      Li Yueming1Zhang Bin1,2Zhang Hua1Liao Runhua1Wang Zhumei1Hong Yan1
      (1.School of Materials Science and Engineering,Jingdezhen Ceramic Institute,Jingdezhen 333403;2.Zhejiang Zhengyuan Electric Co.Ltd.,Jiaxing 314003)

      The low temperature sintering behaviors and microwave dielectric properties of Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3(CLST-0.8)ceramics were investigated,which were added 10%CaO-B2O3-SiO2(CBS)multiplicity oxide and 4%Li2O-B2O3-SiO2-CaOAl2O3(LBSCA)glass and 0~2%CuO as multiplicity sintering additives.The results indicate that with the increasing of CuO content,the bulk density,the dielectric constant εr,the product of quality factor and resonance frequency Qf value of CLST-0.8 ceramics all increase first and then decrease,the temperature coefficient of resonant frequency τfof the ceramics decreases first and then increases.The sample of CLST-0.8 with 10%CBS,4.0%LBSCA and 1.0%CuO sintered at 900℃for 5 h has excellent microwave dielectric properties:εr=58.36,Qf=2011 GHz,τf=3.44 ppm/℃.

      Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3,CuO,microwave dielectric ceramic,low temperature sintering

      on Feb.11,2010

      T Q 1 7 4.7 5

      A

      1000-2278(2010)02-0208-05

      2010-02-11

      江西省教育廳科技項(xiàng)目(編號(hào):GJJ10562)

      李月明,E-mail:lym6329@163.com

      Li Yueming,E-mail:lym6329@163.com

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