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      半波長(zhǎng)SIR帶通濾波器在諧波抑制中的應(yīng)用*

      2010-12-21 06:27:58張立明馮全源
      電子器件 2010年2期
      關(guān)鍵詞:雜散平行諧振

      張立明,馮全源

      (西南交通大學(xué)微電子研究所,成都 610031)

      隨著電子戰(zhàn)、衛(wèi)星通信和個(gè)人移動(dòng)通信等領(lǐng)域的迅速發(fā)展,作為關(guān)鍵射頻器件的濾波器的作用越來越重要。現(xiàn)代微波通信系統(tǒng)對(duì)帶通濾波器的要求,不僅僅是有良好的帶內(nèi)性能,如較小的插損,良好的匹配,有衰減極點(diǎn)等,而且要求其有良好的帶外性能即有足夠?qū)挼淖鑾?。特別是用在微波振蕩器或放大器輸出端的濾波器,要求具有良好的諧波抑制性能[1]。

      M.Makimoto和S.Yamashita提出的應(yīng)用階梯阻抗諧振器(SIR-Stepped Impedance Resonators)構(gòu)成濾波器,通過調(diào)節(jié)新的設(shè)計(jì)參量-阻抗比K,既能實(shí)現(xiàn)濾波器小型化的目的,同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)抑制諧波提高阻帶頻率響應(yīng)指標(biāo)。另外,雖然理論已經(jīng)證明了四分之一波長(zhǎng)SIR最適于微型化結(jié)構(gòu),但在實(shí)際中,半波長(zhǎng)SIR比四分之一波長(zhǎng)SIR用于更多的射頻器件。這是由于半波長(zhǎng)SIR是由帶狀線結(jié)構(gòu)組成,允許有更廣的幾何結(jié)構(gòu),且和有源器件有很好的兼容性[2]。

      本文應(yīng)用SIR結(jié)構(gòu)特性分別設(shè)計(jì)了相同阻抗比和不同阻抗比的半波長(zhǎng)SIR帶狀線平行耦合帶通濾波器,通過控制SIR的阻抗比,控制各階諧波通帶的中心頻率位置,間接實(shí)現(xiàn)抑制諧波的目的。同時(shí)為了減小濾波器的體積,所有組成濾波器的單元諧振器都采用了緊湊的發(fā)夾形結(jié)構(gòu)。

      1 半波長(zhǎng)SIR-BPF的設(shè)計(jì)原理

      1.1 半波長(zhǎng)型SIR-BPF的基本結(jié)構(gòu)

      平行耦合開路端的半波長(zhǎng)SIR被用來實(shí)現(xiàn)適合于MIC的BPF。當(dāng)采用SIR作為單元諧振元件時(shí),輸入輸出耦合和諧振器的級(jí)間耦合仍能通過相同的平行耦合線實(shí)現(xiàn),但耦合角并不限于π/4弧度。帶狀線平行耦合BPF的分布式耦合電路如圖1所示,這一電路的電學(xué)參量由偶模阻抗Zoe和奇模阻抗Zoo及電耦合角θ來表示[3]。

      圖1 采用帶狀線SIR n級(jí)BPF的一般結(jié)構(gòu)

      如圖2所示,平行耦合節(jié)可以等效為由兩根單線和一個(gè)導(dǎo)納反相器組成的等效電路。因此,只要制定被設(shè)計(jì)的濾波器的反相器參數(shù),就可以確定平行耦合節(jié)的綜合電學(xué)參數(shù)。

      圖2 平行耦合帶狀線和它的等效電路電學(xué)參數(shù)

      1.2 半波長(zhǎng)型SIR諧波特性分析

      半波長(zhǎng)型SIR的基本結(jié)構(gòu)如圖3所示,現(xiàn)在取θ1=θ2=θ,則從開路端看去,它的輸入導(dǎo)納為:

      圖3 半波長(zhǎng)SIR諧振單元

      設(shè)雜散諧振頻率為fSB1fSB2fSB3,對(duì)應(yīng)的θ為θS1θS2θS1,諧振時(shí)輸入導(dǎo)納Yi=0。

      于是:

      第一雜散響應(yīng)

      第二雜散響應(yīng)

      第三雜散響應(yīng)

      可以看出, SIR的雜散諧振頻率受阻抗比K的控制,通過K的選取,可以改變寄生雜散諧振條件,使某些f0的整數(shù)倍處出不產(chǎn)生寄生條件,得到寬阻帶特性的BPF濾波器。

      1.3 半波長(zhǎng)型SIR在諧波抑制中的應(yīng)用

      半波長(zhǎng)型平行耦合SIR-BPF一般有兩種結(jié)構(gòu):一種結(jié)構(gòu)是由相同阻抗比的單元SIR組成,如圖4所示,其雜散諧振頻率發(fā)生在由整數(shù)倍基頻f0衍生的頻率上,這一特性對(duì)于抑制產(chǎn)生于非線性電路中的諧波成分的輸出濾波器的設(shè)計(jì)是十分有價(jià)值的。

      阻抗比的選擇應(yīng)滿足:

      這是根據(jù)第一次諧波出現(xiàn)位置的要求而求得的阻抗比K的最大值。一般情況下為了計(jì)算方便,可以適當(dāng)選擇K。

      另外一種結(jié)構(gòu)是不同阻抗比的單元SIR組合的BPF,通過改變多個(gè)SIR阻抗比來控制雜散諧振頻率而又保持主諧振頻率不變,主要應(yīng)用于有寬阻帶需求的抑制雜散頻率響應(yīng)的BPF.在平行耦合線等分布耦合電路中,由電路的電特性和頻率固有的依賴性可知,雜散響應(yīng)的抑制在不同結(jié)構(gòu)的SIR-BPF中得以提高。

      圖4 相同結(jié)構(gòu)SIR-BPF傳輸響應(yīng)

      如圖5所示,不同阻抗比的SIR-BPF可以看做由多個(gè)不同阻抗比的單元SIR級(jí)聯(lián)而成,這些單元SIR具有共同的基本諧振頻率,不同的雜散響應(yīng),級(jí)聯(lián)后,可以有選擇的將部分雜散諧振頻率抑制。因此,不同結(jié)構(gòu)的SIR-BPF能得到更好的雜散相應(yīng)抑制和阻帶擴(kuò)展。

      圖5 不相同阻抗比組合SIR-BPF的傳輸響應(yīng)

      在設(shè)計(jì)過程中,首先要考慮的是SIR的結(jié)構(gòu)組成,但是目前不存在系統(tǒng)的方法由指定的雜散響應(yīng)電平以確定合適組合。本節(jié)主要針對(duì)阻抗比的選擇情況進(jìn)行探討。

      根據(jù)”通過改變多個(gè)SIR阻抗比來控制雜散諧振頻率而又保持主諧振頻率不變”這一要求,阻抗比K的選擇應(yīng)該注意以下三點(diǎn):

      (1)各個(gè)耦合節(jié)的第一和第二次雜散響應(yīng)分散分布,不要重疊,以實(shí)現(xiàn)交互抑制;

      (2)在滿足諧波抑制的前提下,兼顧小型化,也就是選擇盡可能小的阻抗比K;

      (3)阻抗比K的選擇并不唯一,可以選取不同的組合進(jìn)行設(shè)計(jì),根據(jù)仿真結(jié)果確定最優(yōu)組合。

      2 SIR濾波器設(shè)計(jì)

      設(shè)計(jì)指標(biāo):通帶3.0 ~3.2 GHz,帶內(nèi)波動(dòng)Lr≤0.01 dB,帶外抑制在f≥3.6 GHz或f≤3.6 GHz處大于40 dB,雜散諧振頻率fs≥2.5f0。

      2.1 設(shè)計(jì)指標(biāo)分析

      濾波器響應(yīng)類型為切比雪夫,經(jīng)計(jì)算級(jí)數(shù)為n=4,相對(duì)帶寬BW=6.25 %。

      (1)相同結(jié)構(gòu)的SIR-BPF

      (2)對(duì)不同結(jié)構(gòu)的SIR-BPF

      由平行耦合BPF結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性,一般將對(duì)稱的平行耦合節(jié)取相同的阻抗比。本設(shè)計(jì)中,為了滿足第一寄生通帶這一指標(biāo),取第二和第三耦合節(jié)的阻抗比k=0.5, 雜散響應(yīng)在 2.55f0,4.1f0, 5.1f0, …。對(duì)第一和第四耦合節(jié),為了設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便,取K=1,其雜散響應(yīng)相應(yīng)發(fā)生在中心頻率的整數(shù)倍2f0, 3f0, 4f0, 5f0, …。由于耦合節(jié)的級(jí)聯(lián)關(guān)系,只有不同結(jié)構(gòu)SIR共有的或者距離比較近的雜散響應(yīng)才會(huì)成為SIR-BPF的雜散響應(yīng),而其它他的雜散相應(yīng)被抑制了。因此,最終得到的SIR-BPF僅有三個(gè)明顯的雜散相應(yīng)2.55f0, 4.1f0, 5.1f0。

      2.2 電路仿真

      為了使濾波器的結(jié)構(gòu)緊湊,有利于實(shí)現(xiàn)小型化,所有組成濾波器的SIR單元均采用了發(fā)夾型結(jié)構(gòu)[4]。在ADS中建立電路原理圖如圖6所示。

      選擇襯底材料如下。

      襯底材料 玻璃纖維薄片

      圖6 設(shè)計(jì)的相同和不同SIR結(jié)構(gòu)的濾波器原理圖

      相對(duì)介電常數(shù) Er=2.6

      襯底高度 H=3.13 mm

      中心導(dǎo)體厚度 t=0.018 mm

      損耗角 Tand=1e-3

      為了獲得更加準(zhǔn)確的濾波器結(jié)構(gòu),在濾波器的設(shè)計(jì)過程中,利用仿真軟件ADS2008對(duì)初始設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化[4],設(shè)計(jì)的SIR-BPF的初始設(shè)計(jì)尺寸和優(yōu)化后的尺寸如表1所示,優(yōu)化后的仿真結(jié)果如圖7所示。

      表1 初始設(shè)計(jì)和優(yōu)化后的平行耦合線設(shè)計(jì)參數(shù)

      圖7

      可以看出:相同阻抗比的SIR-BPF其雜散響應(yīng)出現(xiàn)在 2.55f0、5.1f0,在2f0處并沒有出現(xiàn)寄生通帶,說明阻帶已經(jīng)擴(kuò)展到2.5f0,仿真結(jié)果和理論分析是一致的;不同阻抗比的SIR-BPF其雜散響應(yīng)是由多個(gè)SIR的雜散響應(yīng)組合而成的, 分散在2 f0、2.55f0、3f0、4.1f0處,雖然在2f0處出現(xiàn)了寄生通帶,但是其傳輸響應(yīng)已經(jīng)下降到了-45 dB以下,還是滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)的,并且,和相同阻抗比的SIR-BPF相比,它所有雜散響應(yīng)的傳輸函數(shù)都比較低,這是由于不同SIR的諧波相互抑制作用產(chǎn)生的。

      2.3 Momentum電磁仿真

      版圖的仿真是采用Momentum(矩量法)直接對(duì)電磁場(chǎng)進(jìn)行計(jì)算,其結(jié)果比在原理圖中仿真要更加接近實(shí)物的響應(yīng)。一般情況下,由原理圖直接生成的版圖仿真得到的曲線不滿足指標(biāo)要求,產(chǎn)生這種情況的原因是相鄰耦合線節(jié)間的線寬相差過大或者其它的參數(shù)取值不合適。本文的做法是根據(jù)曲線與指標(biāo)的差別情況,適當(dāng)調(diào)整優(yōu)化目標(biāo)的參數(shù),重新對(duì)原理圖進(jìn)行優(yōu)化仿真。重復(fù)版圖——原理圖——版圖的優(yōu)化過程,直到版圖仿真的結(jié)果達(dá)到要求。

      圖8 三維版圖俯視圖

      最終得到Momentum電磁仿真結(jié)果如圖9和圖10所示。

      圖9 正向傳輸系數(shù)仿真曲線

      圖10 輸入端口反射系數(shù)仿真曲線

      3 結(jié)論

      本文介紹了半波長(zhǎng)SIR-BPF的設(shè)計(jì)原理和設(shè)計(jì)步驟,對(duì)其諧波抑制原理進(jìn)行了分析,并且討論了相同阻抗比和不同阻抗比這兩種結(jié)構(gòu)的SIR-BPF傳輸響應(yīng),目的是說明根據(jù)不同的應(yīng)用背景,可以選擇不同的結(jié)構(gòu)來達(dá)到抑制雜散響應(yīng)的目的對(duì)于不同阻抗比的SIR-BPF,其阻抗比K的組合并不唯一,而是根據(jù)實(shí)際應(yīng)用而有多種選擇,使用這種結(jié)構(gòu)可以得到更好的傳輸響應(yīng),但是設(shè)計(jì)過程要相對(duì)復(fù)雜一些。

      [ 1] Cristal E G, Frankel S.Hairpin-Line and Hybrid Hairpinline/Half-Wave Parallel-Coupled-Line Filters[ J].IEEE Trans Microwave Theory Tech, 1972, 20:719-728.

      [ 2]Makimoto M, Yamashita S.無線通信中的微波諧振器與濾波器[M].趙宏錦,譯.北京:國(guó)防工業(yè)出版社, 2002.

      [ 3] 甘本祓,吳萬春.現(xiàn)代微波濾波器的結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)[ M].北京:科學(xué)出版社, 1973.

      [ 4]Agilent Technologies.“Line Calc Program” Advanced Design System ver.1.3, Palo Alto, CA, November 1999.

      [ 5]Nikholas G.Practical Techniques for Designing Microstrip Tapped Hairpin Resonator Filterson FR 4 Laminates[ M] .Toledo, 2001.

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