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      平板電容器邊緣電場特性探究

      2011-08-09 08:51:10邵小桃張靜文
      電氣電子教學(xué)學(xué)報 2011年4期
      關(guān)鍵詞:電荷分布長條等位

      邵小桃,成 超,張靜文

      (北京交通大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,北京 100044)

      平板電容器是“電磁場與電磁波”課程中靜態(tài)場部分常見的計算模型。根據(jù)平板電容器的電荷分布,可以計算平板電容器的電位和電場分布。為了求解方便,一般情況下將平板導(dǎo)體上的電荷分布視作均勻的,基于Schwarz-Christoffel變換,仿真求解平板電容器電場和電位分布。在實際情況下,平板導(dǎo)體上電荷分布并不是均勻的。本文討論線電荷密度為ρ的帶電長線在相距為r的點處產(chǎn)生的電位,然后利用Matlab仿真軟件,得出平板電容器上的電荷密度分布,最終給出空間電位分布和電場分布仿真圖形。從結(jié)果可以看出,平行板平均分塊數(shù)N越大,所得出的結(jié)果越逼近實際情況。

      1 均勻帶電長條的電位分布

      圖1 xoz平面中的均勻帶電長條

      沿 x2到 x1方向,電荷均勻分布,此時每一線元dx實際代表與z軸平行的帶電長線。如選取有限足夠遠(yuǎn)r0處為參考點,線電荷密度為ρ的帶電長線在軸距為r處產(chǎn)生的電位:

      寬度在x2到x1的帶電長條可看做無限多個線電荷密度為ρ的帶電長線構(gòu)成,每個帶電長線在二維平面中的點(x,y)處產(chǎn)生的電位

      因為r0選在有限足夠遠(yuǎn),則x對r′0無影響,可看作常數(shù)。此處僅討論等位線,可將上式積分常數(shù)項舍去,故有

      寬度在x2到 x1的帶電長條在二維平面中的點(x,y)處產(chǎn)生的電位為

      其等位線如圖2所示。

      圖2 均勻帶電長條的電位分布

      從圖2可以看出,等位線為橢圓簇;電場線在導(dǎo)體表面有切向分量,切向分量沿邊緣方向越來越大,并致邊緣完全達到切向。電場線在導(dǎo)體表面有較強的切向分量,將促使導(dǎo)體內(nèi)部自由電荷向?qū)w兩端移動,直至電荷分布使得其產(chǎn)生的電位滿足導(dǎo)體為等位體,否則電荷將在切向電場的作用下繼續(xù)移動。最終,電荷分布將呈現(xiàn)出兩端多,中間少的情形。這就是平行板的“邊緣效應(yīng)”。

      2 平板電容器電場分布逼近

      依據(jù)上面討論,將實際將實際平板電容器沿z向無限延伸,而 x方向則有限延伸,將三維問題轉(zhuǎn)換成為二維問題。xoy平面內(nèi)相距為d、寬度為a的平板電容器如圖3所示放置。

      圖3 平板電容器xoy平面圖

      依據(jù)前面推導(dǎo)出的公式,對應(yīng)圖3可寫出中點位于(0,0)處、長為a的均勻帶電長條在點(x,y)處產(chǎn)生的電位

      其中,有

      那么,當(dāng)長條中心位于(X,Y)處時,其在(x,y)點出激發(fā)的電位為

      從上式可以看出,平行板電容器的空間電位分布與板上的電荷密度有關(guān),由于數(shù)學(xué)表達式復(fù)雜,直接求解存在一定的難度。此處采用逼近思想,間接求出平板電容器極板上的電荷分布。

      將平行板平均分為2N塊窄長條,上下各為N塊,如圖記作1,2,…,2N-1,2N號。每塊窄長條帶電均勻,且電荷密度分別為ρ(1),ρ(2),…,ρ(2N-1),ρ(2N)。

      由對稱性知:

      xoy平面內(nèi)任意一點(x,y)處的電位為2N個窄長條在此處產(chǎn)生電位的疊加,表示為

      圖4 平板電容器在xoy平面產(chǎn)生的電位

      如果利用vi表示第i塊長條中心點處的電位,由上式則有

      利用上式,可由計算機求出電荷密度σ數(shù)組,這樣由式

      可得出空間電位分布,利用式 E(x,y)=-φ(x,y),也可以得到空間電場分布。

      利用Matlab仿真可以計算,N=10時的電荷密度分布ρ,如圖5(a)所示。此處只給出極板N=10個長條分別對應(yīng)的電荷密度大小。

      當(dāng)N=100時,計算出的ρ如圖5(b)所示。

      圖5 不同N時平板電容器電荷密度分布

      從圖5可以看出,平板電容器極板上的電荷密度呈現(xiàn)兩端多,中間少的分布情形,即平板電容器的“邊緣效應(yīng)”。且N越大,所得出的結(jié)果越逼近實際情況。利用quiver函數(shù),可以得到對應(yīng)電位的電場分布。N=20時電位和電場分布的Matlab仿真圖形如圖6所示。

      圖6 平板電容器電位和電場連續(xù)分布的Matlab仿真

      可見,導(dǎo)體表面電場線仍然垂直于導(dǎo)體表面,但在無限大的空間,呈現(xiàn)的則是曲線。

      3 結(jié)語

      考慮邊緣效應(yīng)的平板電容器電場和電位場分布逼近法,并沒有推導(dǎo)出嚴(yán)格的電荷分布函數(shù),但是卻適應(yīng)于任何形狀的導(dǎo)體電荷密度的近似求解。只要得到電荷密度,電位、電場分布也就迎刃而解。將此結(jié)果與通過S-C變換得到的理論值的仿真結(jié)果作比較,結(jié)果非常吻合,說明此逼近方法切實可行。

      [1] H A 豪斯、J R 梅爾徹.電磁場與電磁能[M].美國,麻省理工大學(xué),1989

      [2] 邱萬英.非理想邊緣電容器電容的分析[J].南昌:華東交通大學(xué)學(xué)報.2008,(25).

      [3] 龍非池、王慧.基于Schwarz—Christoffel變換的平板電容器電場點和分布仿真[J].北京:物理與工程.2007,(17).

      [4] 謝處方.電磁場與電磁波[M].北京 :高等教育版社,2006

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