蔣建波

（福建火炬電子科技股份有限公司，福建 泉州 362000）

1 引言

多芯組瓷介電容器是在片式瓷介電容器的基礎(chǔ)上研發(fā)的新產(chǎn)品。片式瓷介電容器是當(dāng)前電子無源元件中發(fā)展最快、應(yīng)用最廣的片式元件之一，但其體積小，很難實現(xiàn)大容量。多芯組瓷介電容器則解決了片式瓷介電容器容量小的問題，由于采用了精密的堆疊、封裝等技術(shù)，不僅實現(xiàn)了大容量，同時也實現(xiàn)了產(chǎn)品的高可靠性。

國軍標(biāo)GJB 6788-2009《含宇航級的多芯組瓷介固定電容器通用規(guī)范》包括了兩種質(zhì)量水平產(chǎn)品：K級（一般可靠）產(chǎn)品和S級（宇航級）產(chǎn)品。本文將通過對GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)中S級產(chǎn)品與K級產(chǎn)品的比較，產(chǎn)品的可靠性設(shè)計分析，GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)與美國軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-PRF-49470標(biāo)準(zhǔn)的比較，該產(chǎn)品目前在國內(nèi)外的應(yīng)用及需求情況，說明開發(fā)本標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的必要性和重要性。

2 “S”級產(chǎn)品與 “K”級產(chǎn)品的檢驗區(qū)別

2.1 鑒定檢驗

表1 鑒定檢驗的分組區(qū)別

2.1.1 1組（溫度沖擊和電壓處理）的區(qū)別

K級產(chǎn)品的溫度沖擊采用5次循環(huán)，而S級產(chǎn)品的溫度沖擊則采用100次循環(huán)。電壓處理方面，K級產(chǎn)品用的是至少96 h的電壓處理；而S級產(chǎn)品采用168～264 h的電壓處理。在實驗條件的嚴(yán)酷度方面，S級產(chǎn)品明顯比K級產(chǎn)品加嚴(yán)很多。

2.1.2 2 組（外觀和機(jī)械檢查）

K級產(chǎn)品和S級產(chǎn)品在鑒定檢驗的2組中的試驗條件要求是一樣的，不一樣的是抽樣方案和批不合格判定標(biāo)準(zhǔn)。K級產(chǎn)品的試驗樣品數(shù)為：54+1，允許不合格數(shù)為：1只；S級產(chǎn)品的試驗樣品數(shù)為：66+1，允許不合格數(shù)為：1只。從而可以看出，S級產(chǎn)品所要求的母體數(shù)更多，在2組檢驗中S級產(chǎn)品有更嚴(yán)格的批合格判定要求。

2.1.3 6 組（破壞性物理分析）

K級產(chǎn)品無要求破壞性物理分析而S級產(chǎn)品有要求。破壞性物理分析（DDA：Destructive Physical Analysis）（詳見本文的 3.3.1 過程檢驗）。

2.1.4 7 組（穩(wěn)態(tài)濕熱，低電壓）

在鑒定檢驗中，K級產(chǎn)品不要求做穩(wěn)態(tài)濕熱（低電壓）試驗，而S級產(chǎn)品要求做穩(wěn)態(tài)濕熱（低電壓）試驗。而穩(wěn)態(tài)濕熱是電容器可靠性測試方面很重要的一個試驗。從而可以看出S級產(chǎn)品在電性能和可靠性方面要求明顯比K級產(chǎn)品嚴(yán)格（詳見本文的 3.4.1 檢驗項目比較）。

2.1.5 8 組（壽命試驗）

在鑒定檢驗中，K級產(chǎn)品壽命試驗要求做1000 h，而S級產(chǎn)品的壽命試驗要求做4000 h。從這點(diǎn)我們可以得出如下結(jié)論：S級產(chǎn)品在壽命可靠性方面要求明顯比K級產(chǎn)品高。

2.2 過程檢驗

在過程檢驗中，S級產(chǎn)品要求做非破壞性內(nèi)部檢查（超聲波檢查）和芯片破壞性物理分析，而K級產(chǎn)品沒有對這兩項檢驗項目的要求，如表2所示。非破壞性內(nèi)部檢查（超聲波檢查）和芯片破壞性物理分析的詳細(xì)說明見本文 3.3.3。

表2 過程檢驗項目比較表

2.3 逐批檢驗

2.3.1 A1 分組

K級產(chǎn)品要求在做逐批檢驗時，用5次循環(huán)的溫度沖擊，采用至少96 h的電壓處理。S級產(chǎn)品則采用20次循環(huán)的溫度沖擊并采用168～264 h電壓處理。在逐批檢驗A1分組判定規(guī)則上，K級采用100%檢驗，允許10%或1只電容器不合格（取較大者）；S級規(guī)定了48 h試驗DPA要求，也就是在168～264 h期間的48 h內(nèi)不得出現(xiàn)0.5%（1尺寸和2尺寸）/1%（3、4、5、6尺寸）或1只樣品失效，否則試驗必須進(jìn)行到264 h。以上對比明顯看出S級比K級在A1組中有更高的嚴(yán)酷度，在批合格判定規(guī)則上，S級也明顯比K級加嚴(yán)很多。

表3 逐批檢驗分組區(qū)別

2.3.2 A2、A3分組K級產(chǎn)品要求用檢驗批進(jìn)行分組檢驗，而S級產(chǎn)品要求按生產(chǎn)批進(jìn)行分組檢驗（詳見本文3.5生產(chǎn)批和檢驗批的嚴(yán)格規(guī)定）。

2.3.3 A4組（破壞性物理分析）S級產(chǎn)品要求逐批檢驗時，應(yīng)做破壞性物理分析（DPA），K級產(chǎn)品則無此要求（詳見本文的

2.1.3 破壞性物理分析）。

2.3.4 B4組 分組（穩(wěn)態(tài)濕熱、低電壓）

S級產(chǎn)品逐批檢驗需要做穩(wěn)態(tài)濕熱（低電壓）試驗，K級產(chǎn)品無要求。穩(wěn)態(tài)濕熱（低電壓）試驗是宇航級產(chǎn)品一項重要的可靠性測試試驗（詳見本文的3.4.1檢驗項目比較）。

2.3.5 B5b組 分組（溫度沖擊和試驗后測試、壽命）

S級產(chǎn)品的逐批檢驗中要求增加此組檢驗項目，而K級在逐批檢驗中沒有要求進(jìn)行壽命試驗，只是在周期檢驗中要求做1000 h壽命試驗。從而可以看出S級產(chǎn)品要求每批都需要做壽命維持，而K級產(chǎn)品只需要在一定的周期內(nèi)做壽命維持試驗。B5a分組（壽命）

2.4 周期檢驗

表4 周期檢驗分組區(qū)別

K級產(chǎn)品要求在每個周期檢驗中做壽命試驗。S級產(chǎn)品在周期檢驗中無要求做壽命試驗，但是S級產(chǎn)品要求在逐批檢驗中做壽命試驗（詳見本文3.4.2.（6）壽命試驗）。

2.5 本章小結(jié)

從以上5點(diǎn)的對比分析中我們可以認(rèn)為，在產(chǎn)品檢驗（包括鑒定檢驗、過程檢驗、逐批檢驗、周期檢驗等）中，S級產(chǎn)品和K級產(chǎn)品有很大的區(qū)別：首先，在檢驗或試驗條件的嚴(yán)酷度上，S級產(chǎn)品都比K級產(chǎn)品嚴(yán)酷。其次，在檢驗或試驗批合格的判定原則上，S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品加嚴(yán)很多。第三，S級產(chǎn)品需要特殊的檢驗手段和方法，而K級產(chǎn)品無此要求。第四，S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品批次要求更嚴(yán)格（必須是生產(chǎn)批）。第五，在壽命維持試驗上，S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品要求更嚴(yán)，必須是逐批維持。

3 S級（宇航級）產(chǎn)品的特征

在本文第二章S級產(chǎn)品與K級產(chǎn)品的幾個方面的區(qū)別，本章將展開分析，并闡明S級（宇航級）產(chǎn)品的特征。

3.1 標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定

在GJB 6788-2009 《含宇航級的多芯組瓷介固定電容器通用規(guī)范》中的 第一點(diǎn) 范圍中有規(guī)定： “……。本規(guī)范包括兩種質(zhì)量水平產(chǎn)品：K級產(chǎn)品（一般可靠）和S級產(chǎn)品（宇航級）。”所以從標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定上看S級產(chǎn)品就是宇航級產(chǎn)品。

3.2 芯片設(shè)計要求

在GJB 4157標(biāo)準(zhǔn)中，為了保證產(chǎn)品不會因不同的設(shè)計而影響到可靠性，規(guī)定了：“電容器的介質(zhì)最小厚度，額定電壓50 V的為0.02 mm，額定電壓大于50 V的為0.025 mm，最大的介電常數(shù)為3000?！蓖瑯拥?，在 GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)中的3.3.2也有規(guī)定：“……當(dāng)額定電壓為50 V時，其介質(zhì)最小厚度為20 μm；當(dāng)額定電壓大于50 V時，其介質(zhì)最小厚度為25 μm。……最大介電常數(shù)為3000。”兩個標(biāo)準(zhǔn)在這方面的要求是一樣的。也就是說GJB 7688-2009標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定多芯組電容器的芯片達(dá)到宇航級電容芯片的要求。

3.3 生產(chǎn)過程控制

3.3.1 過程檢驗

在GJB 6788-2009中，規(guī)定S級產(chǎn)品必須做100%的非破壞性內(nèi)部檢查和芯片破壞性物理分析（抽檢），而K級產(chǎn)品無此要求。

超聲波掃描檢查作為一種無損檢測，用于檢查產(chǎn)品內(nèi)部是否存在氣隙、分層和裂縫等缺陷。GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了S級產(chǎn)品超聲波檢查程序、方法和要求，增強(qiáng)了發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)工藝缺陷能力。該項檢查只有在S級產(chǎn)品有要求，K級產(chǎn)品沒有此項要求（詳見 GJB 6788-2009 標(biāo)準(zhǔn) 4.5.2）。

DPA是一種分析產(chǎn)品失效或潛在失效的有效手段。通過DPA可判斷產(chǎn)品是否存在內(nèi)部缺陷及其對產(chǎn)品可靠性的影響，并能對產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行識別、定位和描述，以驗證產(chǎn)品的設(shè)計、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿足預(yù)定的規(guī)范要求。把DPA技術(shù)手段運(yùn)用于每批產(chǎn)品的過程檢驗，只有S級產(chǎn)品才會如此規(guī)定，K級產(chǎn)品未作此規(guī)定。GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)中還規(guī)定了S級產(chǎn)品在鑒定檢驗、過程檢驗、逐批檢驗均要求要做DPA檢查（詳見GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn) 表2、 4）。

3.3.2 統(tǒng)計過程控制（SPC）

SPC：用計數(shù)型或計量型的數(shù)據(jù)將產(chǎn)品制造過程中的質(zhì)量特性正確地表達(dá)和反映出來，并對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行科學(xué)的統(tǒng)計分析，發(fā)現(xiàn)制造過程中有潛在的異常情況，并對此提前作出預(yù)防措施，從而使得產(chǎn)品的批合格率提高。SPC最主要的特點(diǎn)是：將生產(chǎn)過程中的微小異常提前發(fā)現(xiàn)，并及時得到糾正。SPC的精髓在于：異常狀況的判定標(biāo)準(zhǔn)不是以產(chǎn)品生產(chǎn)后是否符合檢驗要求，而是以產(chǎn)品制造過程中產(chǎn)品質(zhì)量特征是否符合統(tǒng)計學(xué)中的高度命中（準(zhǔn)確性）和高度集中（再現(xiàn)性）。因為產(chǎn)品各項指標(biāo)符合檢驗要求并不能說明產(chǎn)品的可靠性就高，產(chǎn)品單批合格率高的產(chǎn)品一定比單批合格率低的產(chǎn)品可靠性要高。實行了SPC，可以使產(chǎn)品在質(zhì)量一致性方面和可靠性方面都得到很大的提高。GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)在3.1中明確規(guī)定應(yīng)建立SPC控制，并詳細(xì)列出應(yīng)作SPC的工序節(jié)點(diǎn)。綜上所述，GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)中的產(chǎn)品具有高度的質(zhì)量一致性和高可靠性的質(zhì)量水平。

3.4 質(zhì)量一致性檢驗（逐批檢驗和周期檢驗）

3.4.1 檢驗項目比較

在GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)的逐批檢驗A組中，S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品多增加3項DPA實驗。而且它還規(guī)定S級產(chǎn)品的逐批檢驗不但應(yīng)包括A組檢驗還應(yīng)做B4組（穩(wěn)態(tài)濕熱（低電壓））和B5b（電壓處理后壽命試驗）（GJB 6788-20094.4.2.4.1）。 穩(wěn)態(tài)濕熱（低電壓）試驗的主要目的是檢查電容器在低電壓等的條件下電容器內(nèi)電極的金屬離子遷移是否會導(dǎo)致電容器短路。穩(wěn)態(tài)濕熱（低電壓）試驗是一項重要的電容器電性能可靠性試驗。將B組（周期檢驗）中兩個主要的可靠性項目檢驗作為逐批檢驗項目，可以看出S級產(chǎn)品體現(xiàn)了宇航級產(chǎn)品的一個特征就是：“有生產(chǎn)，就有維持；逐批試驗，逐批維持”。

3.4.2 主要項目的檢驗條件（嚴(yán)酷度）比較

a）溫度沖擊和電壓處理

在GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)中，對S級產(chǎn)品在逐批檢驗中A1組要求為：溫度沖擊20次，電壓處理時間為：168～264 h；而K級產(chǎn)品的溫度沖擊次數(shù)為5次，電壓處理時間為至少96 h（GJB 6788-2009 標(biāo)準(zhǔn) 4.5.5.1）。 B5b 組中 S 級產(chǎn)品的溫度沖擊次數(shù)為100次，對K級產(chǎn)品則無要求做（GJB 6788-2009 標(biāo)準(zhǔn) 4.5.5.1）。 S 級產(chǎn)品在逐批檢驗中溫度沖擊和電壓處理實驗的嚴(yán)酷度上比K級產(chǎn)品嚴(yán)酷許多，高嚴(yán)酷度的檢驗條件就是對產(chǎn)品本身的可靠性有高要求。這保證S級產(chǎn)品的可靠性要比K級產(chǎn)品高。

b）壽命試驗

GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定K級產(chǎn)品壽命試驗只要求每個周期（一定時間跨度內(nèi)）做一次。而S級產(chǎn)品則要求逐批檢驗（每個批次）中必須做壽命試驗（GJB 6788-2009 標(biāo)準(zhǔn) 4.5.22）。 宇航級產(chǎn)品的一個特征就是：“有生產(chǎn)，就有維持；逐批試驗，逐批維持”。從這點(diǎn)可以看出：S級產(chǎn)品的逐批維持要求比K級產(chǎn)品高。

3.4.3 批合格判定規(guī)則

在逐批檢驗的A1組中，S級產(chǎn)品的批合格判定規(guī)則比K級產(chǎn)品的要求更嚴(yán)格。單批產(chǎn)品的批合格判定規(guī)則越嚴(yán)格就是對同一批產(chǎn)品質(zhì)量的一致性要求越嚴(yán)格。從而我們可以看出，S級產(chǎn)品在產(chǎn)品的質(zhì)量一致性的要求上比K級產(chǎn)品高。

3.5 生產(chǎn)批、檢驗批的嚴(yán)格規(guī)定

檢驗批與生產(chǎn)批的區(qū)別在于檢驗批是指相同型號、標(biāo)稱電容量、額定電壓、電壓—溫度特性和相同介質(zhì)材料，作為一批在同一設(shè)備上進(jìn)行加工的所有電容器。而生產(chǎn)批則是：不但要求相同型號、標(biāo)稱電容量、額定電壓、電壓—溫度特性和相同介質(zhì)材料，而且還要求相同的端接處理、單一的芯片批次，在生產(chǎn)開始、過程、裝配和檢驗作為同一批。從而我們可以看出，生產(chǎn)批比檢驗批在產(chǎn)品質(zhì)量的一致性上有更加嚴(yán)格的要求。要求芯片來料要同一批次，保證了多芯組電容器的高度一致性。要求端接處理相同，保證端接加工工藝的高度集中（正態(tài)分布更集中），而且在生產(chǎn)和檢驗中還要求必須同一批次同時加工，保證多芯組電容器在生產(chǎn)過程和檢驗過程中各因素的協(xié)調(diào)一致。也就是說，生產(chǎn)批對于檢驗批的主要區(qū)別在于，從生產(chǎn)和檢驗過程中盡可能保證時間以及人、機(jī)、料、法、環(huán)各因素的高度一致。而K級產(chǎn)品在檢驗對象的要求只要檢驗批，S級產(chǎn)品檢驗的對象要求用生產(chǎn)批。從以上分析我們可以看出，同一批次的S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品在質(zhì)量水平上更趨于一致，質(zhì)量一致性更好。

3.6 本章小結(jié)

從以上幾個方面的分析，我們認(rèn)為S級產(chǎn)品作為宇航級產(chǎn)品有以下幾個特征：首先，在標(biāo)準(zhǔn)中已經(jīng)明確規(guī)定S級產(chǎn)品是宇航級，而K級產(chǎn)品屬于一般可靠性。其次，在芯片設(shè)計要求上，GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)包括的產(chǎn)品芯片符合宇航級標(biāo)準(zhǔn)，S所以級產(chǎn)品的芯片達(dá)到宇航級電容器芯片的要求。第三，從產(chǎn)品的制造過程控制、檢驗條件（嚴(yán)酷度）和檢驗項目的區(qū)別都說明了S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品有更高的可靠性要求。第四，從產(chǎn)品的制造過程控制、產(chǎn)品檢驗的批合格判定規(guī)則、產(chǎn)品檢驗對象（檢驗批和生產(chǎn)批的區(qū)別）說明了S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品在產(chǎn)品的質(zhì)量一致性方面要好。第五，從產(chǎn)品逐批檢驗項目和周期檢驗項目的不同說明了S級產(chǎn)品比K級產(chǎn)品有更高的壽命可靠性維持要求。以上幾點(diǎn)特征說明了S級產(chǎn)品作為宇航級產(chǎn)品與一般可靠質(zhì)量水平的K級產(chǎn)品的顯著區(qū)別。

4 可靠性設(shè)計

4.1 材料選用

構(gòu)成GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的多芯組瓷介固定電容器的主要原材料有：介電瓷粉、內(nèi)電極材料和外電極材料，其中介電瓷粉和內(nèi)電極材料對產(chǎn)品可靠性具有重大影響，設(shè)計時應(yīng)重點(diǎn)考慮。下面說明一下福建火炬電子科技股份有限公司在生產(chǎn)GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品中所選定的材料。

4.1.1 介電瓷粉的選用要點(diǎn)

選用溫度穩(wěn)定性高、性能優(yōu)良的BP材料作為一類產(chǎn)品材料。

選用有通用特性的BQ、BR和BX材料作為二類產(chǎn)品材料。

其中一類的BP介質(zhì)材料的介電常數(shù)一般為100左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于規(guī)定的≤3000。而二類的BQ、BR和BX一般選用的介質(zhì)材料的介電常數(shù)在2000±200之間，小于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值的≤3000。

4.1.2 內(nèi)電極材料的選用

采用貴金屬系統(tǒng)：鈀銀材料。

材料成分：配合瓷粉的燒結(jié)溫度，選用30%Pd：70%Ag的內(nèi)電極。

材料特點(diǎn)：燒結(jié)溫度最高可達(dá)較高的溫度，產(chǎn)品可靠性高。

4.1.3 介質(zhì)層厚度的設(shè)計

電容器的介質(zhì)厚度決定著電容器的耐壓，介質(zhì)越厚，耐壓越好即額定電壓的富余量越大，額定電壓富余量越大，電容器失效率越低，壽命也越長。為確保產(chǎn)品的高可靠，必須規(guī)定產(chǎn)品的最低介質(zhì)層厚度。如額定電壓50 V產(chǎn)品的燒結(jié)后介質(zhì)層厚度應(yīng)不小于20 μm。

4.2 工藝的設(shè)計

下面例舉福建火炬科技股份有限公司在生產(chǎn)本標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的芯片時所采用的工藝。公司采用了具有國際先進(jìn)水平的 “淋幕成膜濕式印刷一體化成型”的工藝技術(shù)，目前該工藝技術(shù)只有美國、英國等少數(shù)軍工廠商擁有和運(yùn)用，公司將該技術(shù)運(yùn)用在高檔陶瓷電容器的項目上在國內(nèi)乃至亞洲都為首家。

與傳統(tǒng)的 “干式流延法”相比，“淋幕成膜濕式印刷一體化成型”技術(shù)從根本上解決了多層電容器的 “分層”和 “邊角過燒微裂”這兩個困擾電容器質(zhì)量提升的難題。

“淋幕成膜濕式印刷一體化成型”技術(shù)，可在受控的空間和規(guī)定的時間內(nèi)，將陶瓷介質(zhì)和電極材料一次成型，層與層之間采用的是 “鍵合”的方式；而“干式流延法”是先將陶瓷流延成為膜片，然后堆疊印刷，層和層之間只能借 “物理力”來壓合；由于膜的干濕度、表面潔凈度受存放時間、環(huán)境差異及施加的壓力均勻性的影響而不能很好地結(jié)合，容易造成分層的隱患。電容器的邊角微裂是由于燒結(jié)時，邊角燒結(jié)的收縮應(yīng)力引起，事先進(jìn)行倒角處理是解決該問題的最好方法。“淋幕成膜濕式印刷一體化成型”產(chǎn)品在電容器坯體燒結(jié)前已經(jīng)是一體的結(jié)構(gòu)，是允許先倒角的，而 “干式流延法”生產(chǎn)的產(chǎn)品則很難做到這點(diǎn)。所以，從技術(shù)工藝的對比中可以看出，本標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的芯片采用 “淋幕成膜濕式印刷一體化成型”技術(shù)更為先進(jìn)，特別是用在生產(chǎn)高可靠性的軍工產(chǎn)品上更具有明顯的優(yōu)勢。

5 目前本產(chǎn)品國內(nèi)外使用情況及與國外產(chǎn)品的比較

5.1 本產(chǎn)品在國內(nèi)外的使用情況

目前國際航天航空領(lǐng)域的衛(wèi)星、載人飛船、導(dǎo)彈等武器裝備的電源正向低壓、高頻、低功耗的方向發(fā)展，因此，高頻開關(guān)電源的濾波、儲能電路中選用的電容器也提出了更高的要求：

1）大容量、小體積；

2）高溫、長壽命化；

3）高頻低阻抗化；

4）耐紋波電流；

5）高可靠性。

這就對電容器的容量、材料特性、封裝結(jié)構(gòu)等都提出了新的要求。多芯組瓷介電容器主要應(yīng)用于武器裝備的高頻電源中，能夠滿足新型高頻開關(guān)電源的多種需求，有效提高航天、航空等裝備系統(tǒng)可靠性問題。多芯組瓷介電容器已在國外裝備的開關(guān)電源中廣泛應(yīng)用。

本標(biāo)準(zhǔn)范圍的S級產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和質(zhì)量水平等同于MIL-PRF-49470B標(biāo)準(zhǔn)中T級（高可靠）產(chǎn)品的質(zhì)量水平，而K級產(chǎn)品的質(zhì)量水平也等同于MILPRF-49470B標(biāo)準(zhǔn)中B級（一般可靠）產(chǎn)品的質(zhì)量水平。

5.2 本標(biāo)準(zhǔn)與美國標(biāo)準(zhǔn)的比較

本標(biāo)準(zhǔn)與美國標(biāo)準(zhǔn)的比較如表5所示。

所以從以上兩點(diǎn)可以看出本標(biāo)準(zhǔn)無論是S級（宇航級）產(chǎn)品或者是K級（一般可靠）產(chǎn)品都達(dá)到國際的先進(jìn)水平。而目前，歐美國家都禁止對我國出售這類產(chǎn)品。

表5 GJB 6788-2009與美國軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-PRF-49470B標(biāo)準(zhǔn)的比較

6 結(jié)束語

綜上所述，我們可以得出如下結(jié)論：1）在同一標(biāo)準(zhǔn)（GJB6788-2009《含宇航級的多芯組瓷介固定電容器通用規(guī)范》）中，S級產(chǎn)品作為宇航級產(chǎn)品和K級（一般可靠）產(chǎn)品有顯著的區(qū)別；2）GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品都有特殊、嚴(yán)格的可靠性設(shè)計要求；3）GJB 6788-2009等同于美國軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-PRF-49470；4）GJB 6788-2009標(biāo)準(zhǔn)中的S級（宇航級）產(chǎn)品和K級（一般可靠）產(chǎn)品可以替代美國軍用標(biāo)準(zhǔn)中的MIL-PRF-49470中的T級（宇航級）產(chǎn)品和B級（一般可靠）產(chǎn)品。從而可以打破歐美等國家對我國在此類高可靠的多芯組瓷介固定電容器的貿(mào)易禁運(yùn)。

[1]GJB 6788-2009，含宇航級的多芯組瓷介固定電容器通用規(guī)范[S].

[2]MIL-PRF-49470B-2003，Capacitor,fixed,ceramic dielectric,switch mode power supply (general purpose and temperature stable) , standard reliability and high reliability，general specification for[S].

[3]ZZR-Q/HJ 20015A-2009，CCS49型、CCK49型無包封水平堆疊多芯組瓷介固定電容器詳細(xì)規(guī)范[S].

[4]GJB 546A-1996，電子元器件質(zhì)量保證大綱[S].

[5]賈新章，李京苑.統(tǒng)計過程控制與評價——CPK、SPC和PPM技術(shù)[M].北京：電子工業(yè)出版社，2004.

[6]GJB 4157-2001，高可靠瓷介固定電容器總規(guī)范[S].

[7]GJB 546A-1996，電子元器件質(zhì)量保證大綱[S].