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      聚乙炔中雙激子和兩個單激子的穩(wěn)態(tài)性質(zhì)

      2011-12-26 07:47:40孫書娟姚鐘瑜潘孟美
      河北科技大學學報 2011年4期
      關鍵詞:位形激子晶格

      孫書娟,傅 軍,姚鐘瑜,潘孟美

      (海南師范大學物理與電子工程學院,海南???571158)

      聚乙炔中雙激子和兩個單激子的穩(wěn)態(tài)性質(zhì)

      孫書娟,傅 軍,姚鐘瑜,潘孟美

      (海南師范大學物理與電子工程學院,海南???571158)

      在Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型基礎上,計入長程電子關聯(lián)的影響,研究聚乙炔分子鏈中雙激子態(tài)與2個單激子態(tài)的穩(wěn)態(tài)性質(zhì),比較不同關聯(lián)強度下激子的晶格位形、能級、電荷密度波、自旋密度波以及吸收譜線。結(jié)果表明:零電子關聯(lián)下分子鏈中的2個單激子不能穩(wěn)定存在;激子半徑均隨著關聯(lián)強度的增加而減??;與雙激子的2個能級精細結(jié)構(gòu)相比,2個單激子的能隙出現(xiàn)4個精細結(jié)構(gòu);2類激子的電荷密度波、自旋密度波與吸收譜線均隨關聯(lián)強度變化,并呈現(xiàn)顯著區(qū)別。以上結(jié)果為區(qū)分分子鏈中2類激子的行為提供了依據(jù),結(jié)果顯示在激子行為中必須考慮電子與其的關聯(lián)性。

      雙激子;單激子;電子關聯(lián);能級;電荷密度波;自旋密度波

      有機共軛聚合物除了具有良好的化學、力學和電絕緣性能而得到廣泛應用以外,某些有機聚合物還具有豐富的光、電、磁特性,是重要的光電功能材料[1-3]。例如:聚乙烯基咔唑(PVK),聚對苯乙撐(PPV)等,具有優(yōu)良的發(fā)光性質(zhì)和非線性光學性質(zhì)。許多研究小組對有機發(fā)光的物理機制展開了深入細致的理論研究[4-5],一般認為,聚合物的發(fā)光與分子鏈中的激子和雙激子的產(chǎn)生、演化、傳輸和輻射過程密切相關。因而,研究激子與雙激子的穩(wěn)態(tài)性質(zhì),是進一步在理論上研究其產(chǎn)生、演化、湮滅過程的基礎。

      在關于激子性質(zhì)的研究中,電子關聯(lián)作用特別是長程電子作用常被忽略[6-7],這對激子的研究始終是一缺憾,因此,理論研究中,逐漸把電子關聯(lián)作用引入到對高分子鏈的靜態(tài)和動力學過程中[8-11]。計入長程電子關聯(lián)的影響,在Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型基礎上[12],筆者研究高分子鏈中雙激子與2個單激子的穩(wěn)態(tài)性質(zhì)。以反式聚乙炔為例,比較了不同關聯(lián)強度下激子的晶格位形、能級、電荷密度波、自旋密度波以及吸收譜線的變化。

      計算結(jié)果表明:零電子關聯(lián)下高分子鏈中的2個單激子不能穩(wěn)定存在,必演化為一雙激子態(tài);激子半徑均隨著關聯(lián)強度的增加而不斷減?。慌c雙激子的2個能級精細結(jié)構(gòu)相比,2個單激子的能隙出現(xiàn)4個精細結(jié)構(gòu),并且隨關聯(lián)強度的增加而喪失簡并;2類激子的電荷密度波、自旋密度波與吸收譜線均隨關聯(lián)強度變化,并呈現(xiàn)顯著區(qū)別。以上結(jié)果為區(qū)分分子鏈中2類激子的行為提供了依據(jù),結(jié)果顯示在激子行為中必須考慮電子與其的關聯(lián)性。

      1 模型與方法

      有機聚合物分子是典型的一維結(jié)構(gòu),筆者采用的模型是拓展的SSH哈密頓模型。在SSH哈密頓的基礎上,加上擴展的Hubbard電子關聯(lián)能。改進的系統(tǒng)哈密頓為

      式中:Hu代表晶格的彈性勢能;He-1代表電子晶格相互作用能;He-e是加入的Hubbard電子關聯(lián)修正項,考慮了背景因子的半滿填充;uj表示第j個原子集團偏離平衡位置的位移;t0為電子躍遷能量;α為電子晶格作用常數(shù);K為鏈彈性常數(shù);M為單體質(zhì)量;C?j,s和Cj,s分別為第j個格點上自旋為s的電子的產(chǎn)生與湮滅算符;U為同一格點電子相互作用參量;V為近鄰格點相互作用參量;

      對 He-e進行 Hartree-fock近似處理,

      式中:ρj,s= 〈nj,s〉;ρj=ρj,s+ρj,-s。采用對總能量變分的方法求解系統(tǒng)哈密頓,電子的能譜εμ({uj})和波函數(shù)Φμ({uj})是格點位形{uj}的函數(shù),可以由求解電子本征方程得到

      其中Zμ,s為本征態(tài)的組合系數(shù),聯(lián)立式(7)和式(10),可以自洽地求得穩(wěn)態(tài)電子能級εμ、波函數(shù)Zμ,s和晶格位形φj+φj+1。求出系統(tǒng)的能態(tài)后進而可以確定系統(tǒng)的一系列靜態(tài)性質(zhì),如電荷密度ρj,s=以及系統(tǒng)吸收譜的計算。光吸收譜的計算是由著名的費米黃金規(guī)則[13-14]得出:

      式中:μ和υ分別為體系的初態(tài)和終態(tài);J為流密度算符。式(11)中δ函數(shù)用寬度為0.08eV的洛楞茲譜形所代替。

      選取的系統(tǒng)為N=200個CH單元的聚合物鏈,并采用周期性邊界條件。選取的SSH模型參量:α=4.1eV,t0=2.5eV,K=21eV[15],關聯(lián)強度U,取0~1.00eV的弱關聯(lián)范圍。

      2 結(jié)果與討論

      根據(jù)以上的理論,筆者計算了聚乙炔鏈中光誘導雙激子和2個單激子的穩(wěn)態(tài)性質(zhì)。隨著關聯(lián)強度的變化,2類激子行為呈現(xiàn)出顯著的差異。

      2.1 能級分布

      2類激子穩(wěn)定狀態(tài)的能級分布如圖1所示。圖1a)為雙激子的能譜,隨著關聯(lián)強度的增加,激子的自旋簡并能級的簡并喪失,分裂為2個能級的精細結(jié)構(gòu)。圖1b)為高分子鏈中2個單激子存在時,系統(tǒng)的能譜圖。隨著關聯(lián)強度的增加,能隙中的簡并能級分裂為4個精細結(jié)構(gòu)能級。電子關聯(lián)強度取值依次為0,0.25,0.50,0.75,1.00eV。圖2—圖5中關聯(lián)強度的取值與圖1中相同。零電子關聯(lián)時,雙激子與2個單激子呈現(xiàn)出相同的能級分布,能隙中有2個能級精細結(jié)構(gòu)。隨著電子關聯(lián)的引入,雙激子的能隙間簡并能級逐漸分裂為2個能級,而2個單激子的能隙間能級有4個能級精細結(jié)構(gòu),即導帶價帶各有一個能級進入能隙。電子關聯(lián)對激子穩(wěn)態(tài)性質(zhì)有顯著影響,顯示出在對激子行為分析時,考慮電子長程關聯(lián)作用的必要性。

      對激子能帶的分析顯示,零電子關聯(lián)時雙激子穩(wěn)態(tài)和2個單激子存在的穩(wěn)態(tài)系統(tǒng)總能量相等。隨著電子關聯(lián)的計入,雙激子系統(tǒng)的總能量隨著電子關聯(lián)強度的增加而不斷增大,能隙逐漸減小。2個單激子系統(tǒng)總能量的能量計入電子關聯(lián)比零關聯(lián)能量顯著增大。隨著電子關聯(lián)的增加,系統(tǒng)總能量先逐漸減少,在0.75eV又增加,但仍大于零關聯(lián)系統(tǒng)總能量。能量計算結(jié)果如表1所示。系統(tǒng)能帶寬度為10.0eV,不受激子類型和關聯(lián)強度的影響。

      圖1 能級與電子關聯(lián)Fig.1 Energy level with electronic correlations

      表1 電子關聯(lián)強度對雙激子系統(tǒng)和2個單激子系統(tǒng)的能量Ea/Eb和能隙Ega/Egb的影響Tab.1 Dependence of energy gap and total energy for biexciton and two single excitions on electron correlations eV

      2.2 晶格位形的比較

      通過計算得到2類激子的晶格位形隨關聯(lián)強度的變化,如圖2所示。圖2a)為雙激子的晶格位形,為一鐘型晶格畸變,隨著關聯(lián)強度的增加,激子半徑逐漸減小。圖2b)為2個單激子的穩(wěn)態(tài)晶格位形。零電子關聯(lián)時,晶格位形為一個鐘型畸變,電子關聯(lián)引入以后,為2個鐘型畸變。即在零電子關聯(lián)下,2個單激子是不能在一個高分子鏈中穩(wěn)定存在的,其穩(wěn)定態(tài)為一個鐘型畸變,與雙激子位形一致。結(jié)合2.1中能譜圖中的分析可知,在零電子關聯(lián)下,2個單激子以雙激子形式穩(wěn)定存在??梢婋娮雨P聯(lián)對單激子的顯著影響,在考查激子-激子復合過程中,電子關聯(lián)的影響是必須考慮不能忽略的。圖2c)為零電子關聯(lián)2類激子的位形圖對比,晶格位形完全一致。

      2.3 電荷密度和自旋密度

      考查雙激子系統(tǒng)和2個單激子系統(tǒng)的電荷密度波和自旋密度波分布,如圖3和圖4所示。圖3a)是雙激子系統(tǒng)電荷密度分布,零電子關聯(lián)時激子不帶電,引入電子關聯(lián)以后,每個波包的電荷量分別為-e和+e,演化為2個荷電單極化子元激發(fā)。圖3b)是2個單激子系統(tǒng)的電荷密度分布,零電子關聯(lián)時與雙激子狀態(tài)一致。電子關聯(lián)下,電荷密度波包形狀與雙激子不同,并且在關聯(lián)強度分別為0.25,0.50,1.00eV時,每個波包的荷電量分別為-2e和+2e,出現(xiàn)2個荷電雙極化子元激發(fā)。在關聯(lián)強度為0.75eV時,2個波包荷電量分別為-e和+e,對應2個單激子系統(tǒng)能量最低狀態(tài),出現(xiàn)狀態(tài)突變。

      圖4為2類激子的自旋密度波分布。圖4a)為雙激子系統(tǒng),自旋密度波很小,可以忽略。圖4b)為2個單激子系統(tǒng)的自旋密度波函數(shù),在關聯(lián)強度為0.75eV時,激子存在自旋波,相對其他電子關聯(lián)下的零自旋也有狀態(tài)的突變。

      圖2 晶格位形與電子關聯(lián)Fig.2 Lattice distortions with electronic correlations for the two systems

      圖3 電荷密度波與電子關聯(lián)Fig.3 Charge density with electron correlations

      對比圖3和圖4可知,計入電子關聯(lián),在雙激子系統(tǒng)里,激子穩(wěn)態(tài)為一對荷電孤子,荷電q=±e,自旋s=0。在2個單激子系統(tǒng)中,0.25,0.50,1.00eV電子關聯(lián)時,其元激發(fā)荷電2e零自旋元激發(fā),可以判斷是一對雙極化子;在關聯(lián)強度為0.75eV時,系統(tǒng)穩(wěn)定狀態(tài)對應荷電q=e,自旋約為?/2,可以判斷系統(tǒng)穩(wěn)定激子狀態(tài)為一對電子-空穴對。

      圖4 自旋密度波與電子關聯(lián)Fig.4 Spin density wave with electron correlations

      由以上分析可知,電子關聯(lián)的引入以及電子關聯(lián)的強弱對激子穩(wěn)態(tài)系統(tǒng)元激發(fā)類型有著顯著的影響。分析比較雙激子和單激子對的穩(wěn)態(tài)性質(zhì),對激子行為的比較,有利于進一步區(qū)別系統(tǒng)中元激發(fā)的類型,有利于對聚合物發(fā)光過程的理解。

      2.4 理論吸收光譜

      圖5為電子關聯(lián)為0,0.25,0.50,0.75,1.00eV時雙激子系統(tǒng)的吸收譜,其中實線為雙激子在不同電子關聯(lián)時的吸收譜線,虛線部分為2個單激子的系統(tǒng)在不同電子關聯(lián)下的吸收譜線。隨著關聯(lián)強度的增加,雙激子吸收譜線沒有明顯的變化,而2個單激子的系統(tǒng),其激子激發(fā)吸收譜線電子關聯(lián)的引入分裂為2個峰,特別是在電子關聯(lián)為0.75eV,出現(xiàn)一強烈的吸收譜線。在關聯(lián)強度為0.75eV的激子狀態(tài)突變的意義,有待開展進一步的研究工作。

      圖5 理論吸收譜與電子關聯(lián):實線部分是雙激子吸收譜,虛線部分是2個單激子系統(tǒng)吸收譜Fig.5 Calculated absorption with electron correlations:Solid line for biexciton system and dotted line for two single excitons system

      4 結(jié) 語

      通過以上的結(jié)果分析可知,電子關聯(lián)強度對雙激子和2個單激子的穩(wěn)態(tài)性質(zhì)有顯著的影響。零電子關聯(lián)下高分子鏈中的2個單激子不能穩(wěn)定存在,必演化為一雙激子態(tài),系統(tǒng)元激發(fā)為中性無自旋元激發(fā);雙激子的激子半徑隨著關聯(lián)強度的增加而減小,考慮電子關聯(lián)的影響時,其元激發(fā)為一對荷電的正負孤子對;與雙激子的2個能級精細結(jié)構(gòu)相比,2個單激子的能隙出現(xiàn)4個精細結(jié)構(gòu);在電子關聯(lián)強度為0,0.25,0.50,1.00eV時,2個單激子系統(tǒng)的激子演化為2個荷電雙極化子,而在關聯(lián)強度為0.75eV時,該系統(tǒng)的電荷密度與自旋密度波出現(xiàn)狀態(tài)的突變,初步判斷為電子-空穴對。以上結(jié)果為區(qū)分高分子鏈中2類激子的行為,為激子發(fā)光過程的理解提供參考。該結(jié)果顯示在激子行為中考慮電子關聯(lián)作用是十分必要的。

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      Static nature of biexciton and two single-excitons in polyacetylene

      SUN Shu-juan,F(xiàn)U Jun,YAO Zhong-yu,PAN Meng-mei
      (College of Physics and Electronic Engineering,Hainan Normal University,Haikou Hainan 571158,China)

      Adding a extended Hubbard term to the SSH model for polyacetylene,we carried a self-consistent variation calculation on biexciton and two single-excitons in polyacetylene.The configuration,energy level,charge density wave,spin density wave and absorbance in the two systems are compared.Results show that the two single-excitons can not exist stablely without electronic correlation;radiuses of biexitons and single-excitons decrease as the electronic correlation increases;two single-excitons system has four energy levels in the energy gap,while biexciton system has only two;charge density wave,spin density wave and absorbance of the two systems all change according to the electronic correlation and with marked differences.The facts offer a criterion to distinguish the two kinds of exciton,and show that the electronic correlation must be considered in excitons behavior.

      biexciton;exciton;electronic correlation;energy level;charge density wave;spin densitywave

      O561.2

      A

      1008-1542(2011)04-0308-05

      2010-11-09;

      2011-03-13;責任編輯:王士忠

      海南師范大學青年教師基金資助項目(QN0803)

      孫書娟(1981-),女,河南南陽人,講師,碩士,主要從事低維高分子鏈的電、磁、光性質(zhì)方面的研究。

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