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      Vishay發(fā)布應(yīng)用于國防和航天的新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻

      2012-03-30 15:39:26
      電子設(shè)計(jì)工程 2012年22期
      關(guān)鍵詞:膜技術(shù)失效率氮化

      日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表面貼裝片式電阻——E/H(Ta2N)QPL,保證可靠性達(dá)到100 ppm的“M”級失效率。新的E/H(Ta2N)QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術(shù)制造,為國防和航天應(yīng)用提供了增強(qiáng)的性能規(guī)格,包括0.1%的容差和25 ppm/℃的TCR。

      E/H(Ta2N)QPL電阻適用于國防和航天應(yīng)用的控制系統(tǒng),這些應(yīng)用需要考慮在潮濕條件下工作或長期的儲存問題。器件的氮化鉭電阻膜可確保耐潮水平超過MIL-PRF-55342限值的50倍。

      E/H(Ta2N)Mil-PRF-55342薄膜電阻具有不到-25 dB的極低噪聲和0.5 ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞式端接采用了一個(gè)粘性很強(qiáng)的粘合層,上面覆蓋的電鍍鎳柵層可適應(yīng)+150℃的工作條件,對典型電阻的影響小于0.010 Ω。

      新電阻采用01至12的M55342外形尺寸,功率等級為50~1 000 mW,工作電壓為40~200 V,根據(jù)不同的容差,阻值范圍為 49.9 Ω~3.3 MΩ。

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