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      溶解性硅化合物對反滲透系統(tǒng)的影響及控制

      2012-10-25 07:00:44司建輝王同祖魏銀橋
      石油化工腐蝕與防護 2012年6期
      關(guān)鍵詞:氯化鋁反滲透膜清液

      王 偉,司建輝,王同祖,徐 奕,魏銀橋

      (中國石油獨山子石化分公司,新疆 獨山子 833600)

      隨著工業(yè)廢水排放量的迅速增加,廢水處理問題日益突出。在污水回用處理過程中,由于影響硬度的鈣、鎂離子含量較高,危害明顯,對其處理較為重視,而對其他金屬元素的處理較忽視。隨著近些年廢水中溶解性硅濃度升高,其危害越來越顯著。一旦硅化合物在反滲透膜表面形成致密的硅垢,就難于用普通的方法清洗[1],嚴(yán)重影響反滲透膜的長周期安全運行。

      膠體硅、呈吸附狀態(tài)的硅酸化合物以及比較安定的粗粒狀硅酸化合物[2]經(jīng)過超濾工段可得到完全截留,而造成反滲透膜嚴(yán)重結(jié)硅垢的是呈溶解狀態(tài)的硅酸化合物(即溶解性硅)。有報道指出[3],當(dāng)硅存在于RO給水中的濃度大于20 mg/L時,必須作結(jié)垢傾向的評估。

      1 反滲透膜結(jié)垢問題分析

      1.1 原料水質(zhì)分析

      對現(xiàn)有各工段出水取樣檢測溶解性硅濃度,采用標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12149-2007《工業(yè)循環(huán)水冷卻水和鍋爐用水中硅的測定》中的測定方法,檢測結(jié)果見表1。結(jié)果表明移動床生物膜(MBBR)、氣懸浮池(DAFF)、超濾(UF)、反滲透(RO)進水的溶解性硅濃度基本一致,濃度大致保持在55 mg/L,現(xiàn)有各工藝段及投加各藥劑對于降低污水中溶解性硅濃度的效果甚微。

      表1 各工藝段水樣中溶解性硅濃度Table1 The dissolved silicon concentration in each sewage treatment process mg/L

      1.2 RO膜污垢分析

      由于在污水回用生產(chǎn)過程中,RO膜元件的脫鹽率和產(chǎn)水量都明顯下降,所以取膜元件中污染物進行分析。為查找RO膜結(jié)垢的主要原因,對膜片進行微觀分析如下:

      (1)掃描電鏡和X射線能譜(EDX)分析:發(fā)現(xiàn)膜表面有硅(Si)檢出,因此確定膜表面形成了硅垢。掃描電鏡和X射線能譜分析結(jié)果見圖1。

      (2)傅立葉紅外光譜(FT-IR)分析:發(fā)現(xiàn)有明顯SiO2吸收峰。傅立葉紅外光譜結(jié)果見圖2。

      通過上述分析發(fā)現(xiàn)膜表面覆蓋著含SiO2的白色污染物,說明RO膜已經(jīng)產(chǎn)生了硅結(jié)垢,是硅垢導(dǎo)致了脫鹽率和產(chǎn)水量的下降。通常只要清洗RO膜便可去除硅垢,但在清洗過程中可能造成膜面損傷導(dǎo)致膜元件性能下降。因此,需要從反滲透膜系統(tǒng)上游工段控制污水中的溶解性硅含量。

      圖1 掃描電鏡EDXFig.1 Scanning dlectron mtcroscopy and EDX analysis

      圖2 FT-IR分析Fig.2 FT-IR analysis

      2 絮凝除硅實驗

      針對污水中溶解性硅含量高導(dǎo)致反滲透膜結(jié)硅垢的問題,展開絮凝劑性能評定,優(yōu)選最佳除硅絮凝劑及最佳投加濃度,從而達到一定的除硅效果。

      2.1 絮凝劑1號評價實驗

      以某污水廠污水回用MBBR工藝出水為母液,對絮凝劑1號(聚合氯化鋁)最佳投加濃度進行優(yōu)化評定,評定方法依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)SY/T 5796-93《絮凝劑評定方法》。觀察污水絮凝情況并測定上清液的濁度和pH值,實驗數(shù)據(jù)見表2,上清液經(jīng)濾紙過濾后,測定溶解性硅濃度變化。

      表2 絮凝劑1號評價實驗分析數(shù)據(jù)Table2 The experimental data of flocculant evaluation NO.1

      由上表可看出,其上清液的pH值和濁度與絮凝劑投加濃度呈反比;隨著絮凝劑投加濃度增加,其上清液中溶解性硅濃度出現(xiàn)先升高后降低的趨勢,在絮凝劑投加濃度為90 mg/L時出現(xiàn)一個拐點,此時,溶解性硅濃度降至最低28.9 mg/L,溶解性硅沉降率最高為26.4%。

      2.2 絮凝劑2號評價實驗

      以某污水廠污水回用MBBR工藝出水為母液,對絮凝劑2號(聚合氯化鋁鐵)最佳投加濃度進行優(yōu)化評定,評定方法依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)SY/T 5796-93《絮凝劑評定方法》。觀察污水絮凝情況并將上清液經(jīng)濾紙過濾后,測定溶解性硅濃度變化。實驗數(shù)據(jù)見表3。

      表3 絮凝劑2號評價實驗分析數(shù)據(jù)Table3 The experimental data of Flocculant evaluation NO.2

      由上表可看出,其上清液的pH值與絮凝劑投加濃度呈反比,濁度波動較大;隨著絮凝劑投加濃度增加,其溶液的pH值逐漸下降;其上清液中溶解性硅濃度出現(xiàn)先降低后升高的趨勢,在絮凝劑投加濃度為40 mg/L時出現(xiàn)一個最低點,此時,溶解性硅濃度降至最低為30.7 mg/L,溶解性硅沉降率最高為21.9%。

      絮凝劑性能評價結(jié)果顯示:同一濃度下絮凝劑2號的絮凝除硅效果明顯優(yōu)于絮凝劑1號。絮凝劑2號的最佳投加濃度為40 mg/L,硅去除率為21.9%。

      2.3 pH值工藝優(yōu)化實驗

      為進一步將污水中的溶解性硅轉(zhuǎn)化為膠體硅、呈吸附狀態(tài)的硅酸化合物等形態(tài),可通過調(diào)節(jié)污水pH值,達到一定的超濾截留除硅效果。以某污水處理廠MBBR工藝段的出水為實驗溶液,水樣pH值為8.1,溶解性硅濃度為52.8 mg/L,在常溫條件下,分別采用氨水(質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%)、石灰水(自制濃度為50 g/L)和氫氧化鈉固體調(diào)節(jié)溶液pH值,攪拌后倒入錐形瓶中,靜置30 min。觀察硅酸鹽沉淀現(xiàn)象,濾紙過濾,取透過液,然后測定水樣中溶解硅含量,計算溶解硅去除率。

      2.3.1 氨水調(diào)節(jié)pH值除硅分析

      圖3 氨水調(diào)節(jié)pH值對溶解性硅的影響Fig.3 The pH value regulated by NH3·H2O Solution to dissolved silicon effect

      氨水調(diào)節(jié)pH值對除硅影響如圖3所示,用質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%的氨水調(diào)節(jié)水樣pH值,pH值在8.1~10.5時,水樣中并無明顯沉淀物析出,水樣中溶解性硅濃度在誤差允許的情況下,變化不明顯;當(dāng)調(diào)節(jié)水樣pH值為11.0和11.5時,水樣中出現(xiàn)明顯白色沉淀物,溶解性硅濃度分別降低至32.8 mg/L和32.0 mg/L,即硅的去除率分別為37.5%和39.0%。

      2.3.2 石灰水調(diào)節(jié)pH值除硅分析

      圖4 石灰水調(diào)節(jié)pH值對溶解性硅的影響Fig.4 The pH value regulated by CaCO3solution to dissolved silicon effect

      石灰水調(diào)節(jié)pH值對除硅影響如圖4所示,用自制的石灰水調(diào)節(jié)水樣pH值,隨著pH值在8.1~12.0內(nèi)逐漸增大,水樣中則會出現(xiàn)明顯白色沉淀物,溶解性硅濃度顯著下降,硅的去除率也明顯增加;當(dāng)水質(zhì)pH值為12.0時,水中溶解性硅濃度為17.2 mg/L,即硅的去除率高達67.4%。

      2.3.3 氫氧化鈉固體調(diào)節(jié)pH值除硅分析

      圖5 氫氧化鈉固體調(diào)節(jié)pH值對溶解性硅的影響Fig.5 The pH value regulated by NaOH solid to dissolved silicon effect

      氫氧化鈉調(diào)節(jié)pH值對除硅影響如圖5所示,用氫氧化鈉固體調(diào)節(jié)水樣pH值,隨著pH值在8.1~12.0逐漸增大,水樣中也會出現(xiàn)明顯白色沉淀物,溶解性硅濃度顯著下降,硅的去除率也明顯增加。當(dāng)水質(zhì)pH值為12.5時,水中溶解性硅濃度為29.2 mg/L,即硅的去除率高達45.1%。

      當(dāng)污水pH值在9.0~9.5時,溶解性硅處于不穩(wěn)定狀態(tài),考慮到整體水處理工藝,過高的pH值可能腐蝕管線,因此向污水中加入堿,用來調(diào)節(jié)污水的pH值。pH工藝優(yōu)化實驗結(jié)果顯示:向污水中投加氨水會散發(fā)臭味且效果不明顯;向污水中投加石灰水則會引入大量的鈣離子,易使反滲透膜系統(tǒng)形成鈣垢(以碳酸鈣為主),需要對系統(tǒng)進行頻繁清洗;而投加氫氧化鈉固體不會對系統(tǒng)造成結(jié)垢傾向。結(jié)合現(xiàn)場工藝、考慮操作人員健康安全及操作簡單易行性,建議使用氫氧化鈉固體調(diào)節(jié)氣浮池水質(zhì)pH值在9.0~9.5,即可達到有效除硅作用。

      3 消除反滲透膜硅垢的具體措施

      通過提高絮凝劑2號(聚合氯化鋁鐵)的投加濃度及加堿調(diào)節(jié)pH值同時作用優(yōu)化絮凝除硅效果,降低污水中溶解性硅濃度。其流程調(diào)整見圖6。

      圖6 技術(shù)改進流程Fig.6 Technical process improvement

      具體實施方法:

      (1)將絮凝劑由聚合氯化鋁替換為聚合氯化鋁鐵絮凝劑,投加濃度為20~50 mg/L。

      (2)將可溶硅含量作為一項常規(guī)檢測指標(biāo),定期(3或5 d)進行檢測。

      (3)在管線上添加氫氧化鈉溶液加入口,其位置可位于氣浮池的后端,調(diào)節(jié)污水pH值在9.0~9.5。

      (4)如果絮凝劑聚合氯化鋁鐵已經(jīng)將氣浮池的溶解性硅濃度沉降到20 mg/L以下,可以考慮不用加堿調(diào)節(jié)溶液的pH值。

      4 結(jié)論

      影響污水廠深度處理回用系統(tǒng)RO膜結(jié)垢的主要原因為操作條件和水質(zhì)。通過優(yōu)化絮凝沉降工藝、氣浮池pH值等工藝,可將污水中溶解性硅的去除率達到40%,從而能夠有效降低膜表面硅的沉積量,減緩膜表面硅垢的形成,延長了膜的運行周期。

      [1]陳啟俊.硅垢防治法[J].工業(yè)水處理,1985(3):18.

      [2]周本省.工業(yè)水處理技術(shù)[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,1997.396-397.

      [3]Lianfa Song,Guvdev Singh.Influeuce of vavioccs wouovaleut catlons and calciumion on the colloidal fouling potentiol[J].Jouvual of colloial and Luterface Scieuce,2005,289(2):479-487.

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