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      304L不銹鋼鈍化膜的半導(dǎo)體性能研究

      2013-03-25 02:38:44張茂勝王潤生王庭暄趙森龍王春光
      環(huán)境技術(shù) 2013年3期
      關(guān)鍵詞:膜電位氧化物斜率

      張茂勝 ,王潤生 ,王庭暄 ,趙森龍 ,王春光

      (1. 新疆油田公司實(shí)驗(yàn)檢測(cè)研究院,克拉瑪依 834000; 2.石河子市天源燃?xì)庥邢薰荆幼?832000;3.新疆亞中機(jī)電銷售租賃股份有限公司,烏魯木齊 830011; 4.克拉瑪依普特龍科技有限公司,克拉瑪依 834000)

      前言

      不銹鋼材料在使用過程中,表面會(huì)生成一層致密的鈍化膜而使其具有良好的耐腐蝕能力,常用不銹鋼材料的耐蝕性能主要取決于鈍化膜的性能。但這種鈍化膜由于膜層很薄而在一些特定的環(huán)境中易產(chǎn)生點(diǎn)蝕、縫隙腐蝕而受到破壞,因此研究不銹鋼的耐蝕機(jī)理以及點(diǎn)蝕發(fā)生的機(jī)制對(duì)于提高不銹鋼材料的使用范圍和價(jià)值具有十分重要的理論與工程意義。眾所周知,金屬的腐蝕是一個(gè)電化學(xué)過程,主要發(fā)生在金屬與環(huán)境介質(zhì)的界面上,通過電子與離子在膜中的傳遞和交換,使金屬表面不斷溶解,導(dǎo)致腐蝕的發(fā)生。對(duì)不銹鋼而言,這種電子與離子遷移與交換需要透過金屬表面的鈍化膜層,材料耐腐蝕能力與鈍化膜層的結(jié)構(gòu)和電性能密切相關(guān)。這種鈍化膜層呈半導(dǎo)體性質(zhì),其禁帶寬度約為1~4eV[1],已有大量的研究對(duì)金屬或合金鈍化膜的電性能與進(jìn)行了報(bào)道[2~3],但在鈍化膜的電性能對(duì)材料的耐腐蝕性能影響方面機(jī)理模糊,在二者的相關(guān)性方面仍存在很大的爭(zhēng)議,且多數(shù)研究都局限于中堿性溶液中所形成的鈍化膜,對(duì)在酸性溶液中所形成的鈍化膜研究則很少涉及。

      本文應(yīng)用電容測(cè)量法借助于Mott-Schottky曲線分析研究了304L不銹鋼材料在硫酸介質(zhì)中形成的鈍化膜的半導(dǎo)體性能,同時(shí)對(duì)不同成膜條件對(duì)膜的半導(dǎo)體性能的影響進(jìn)行了討論。

      1 試驗(yàn)

      實(shí)驗(yàn)材料選用市售304L奧氏體不銹鋼,其化學(xué)成分(質(zhì)量百分?jǐn)?shù))為:C 0.045,Mn 0.035, Si 0.035,S 0.03, P 0.029, Cr 17.8, 9.5Ni,F(xiàn)e余量。試樣加工成10mm×10mm×3mm并用環(huán)氧樹脂進(jìn)行密封,工作面積為1cm2,采用水砂紙打磨工作面至2000#,丙酮除油,蒸餾水清洗,熱風(fēng)吹干后置于干燥皿中待用。

      電化學(xué)實(shí)驗(yàn)為常用的三電極體系,采用鉑金電極作輔助電極,選用飽和甘汞電極 (SCE)作為參比電極選用。電化學(xué)實(shí)驗(yàn)儀器為M273A恒電位儀和M5210鎖相放大器。實(shí)驗(yàn)流程為:試樣表面去氧化膜(工作電極預(yù)極化10分鐘,極化電壓-1.2V)→鈍化膜制備(鈍化區(qū)間內(nèi)不同電位下對(duì)工作電極極化1小時(shí))。動(dòng)電位掃描速度為2mV/s,描范圍為-0.4V~1.2V,Mott-Schottky曲線測(cè)試頻率為1000Hz,實(shí)驗(yàn)用硫酸溶液的濃度分別為:0.5M、1M、2M、3M、4.5M。實(shí)驗(yàn)溫度為20±2℃。

      2 理論基礎(chǔ)

      眾所周知,金屬或合金表面的氧化物膜往往都具有半導(dǎo)體性質(zhì),通過分析這些氧化膜在腐蝕環(huán)境中的半導(dǎo)體特性,即可了解有關(guān)膜的腐蝕方面的信息。這些氧化膜有些呈p型半導(dǎo)體特征,有些呈n型半導(dǎo)體特征,無論是p型還是n型,都可以采用Mott-Schottky理論進(jìn)行描述[4]。一般而言,鈍化膜在腐蝕溶液中的空間電荷電容(C)分布正好與溶液電荷相反,其與電位(E)的關(guān)系可以由Mott-Schottky方程來描述:對(duì)于n型半導(dǎo)體膜,空間電荷電容(C)與電位(E)的關(guān)系如下:

      對(duì)于p型半導(dǎo)體膜:

      式中各物理量的含義如下:

      ε為室溫下鈍化膜的介電常數(shù)(15.6[5]),ε0為真空電容率(8.85X10-12F·m-1);EFB為平帶電位(V),ND/ NA分別為n型和p半導(dǎo)體施主濃度和受主濃度,T為絕對(duì)溫度,K為玻爾茲曼常數(shù)。當(dāng)采用Mott-Schottky方程進(jìn)行計(jì)算時(shí),如果忽略Hemholtz電容、表面電容等串聯(lián)電容,則測(cè)試電容的C-2與電位E的關(guān)系就能較好地符合Mott-Schottky方程,進(jìn)而由Mott-Schottky曲線中C-2與電位E直線的斜率求得施主密度ND,由直線的截距求得平帶電位EFB。

      3 結(jié)果與討論

      3.1 極化曲線

      選用2M濃度的硫酸溶液測(cè)試了304L不銹鋼的陽極極化曲線,如圖1所示。由圖1可以很清楚地看出,試樣從a(-0.27V,vs. SCE)點(diǎn)到b(0.98V,vs. SCE)點(diǎn)之間均處于穩(wěn)定鈍化狀態(tài),其穩(wěn)態(tài)鈍化電流密度非常小,約為9.5E-6A·cm-2,說明不銹鋼在2mol/L硫酸溶液中的耐腐蝕能力很強(qiáng)。這主要是因?yàn)椴讳P鋼鈍化膜中Cr在酸性介質(zhì)中主要以Cr2O3,CrOH或Cr(OH)3等形式存在,氫氧基的存在使得鉻、鐵等以水化物的形式存在于膜中,當(dāng)表面的鈍化膜遭到破壞后,從基體遷移來的金屬離子立即與氫氧基結(jié)合成水化物,新膜立即生成,這樣一來不銹鋼的鈍化能力再進(jìn)一步得到增強(qiáng),耐腐蝕能力進(jìn)一步提高。

      3.2 溶液pH 值對(duì)鈍化膜半導(dǎo)體性能的影響

      研究表明[6],不銹鋼產(chǎn)生的鈍化膜由雙層結(jié)構(gòu)組成,其外層一般為不同價(jià)態(tài)的Fe的氧化物(Fe2O3、Fe3O4)和水化物(Fe(OH)3),呈n型半導(dǎo)體特性,內(nèi)層為含不同價(jià)態(tài)Cr的氧化物(三價(jià)的Cr2O3和六價(jià)的CrO3),呈p型半導(dǎo)體特性。圖2是0.7V下不同pH值溶液中極化1小時(shí)測(cè)得的鈍化膜M-S曲線,我們可以將圖2分成三個(gè)區(qū):即曲線斜率為負(fù)的Ⅰ區(qū),曲線斜率為正的Ⅱ區(qū)以及曲線斜率為負(fù)的Ⅲ區(qū)。Ⅰ區(qū)電位為-0.4V~0.16V,在此電位區(qū)間,F(xiàn)e的氧化物空間電荷層處于富集狀態(tài),相當(dāng)于導(dǎo)體,而Cr的氧化物空間電荷層則處于耗盡狀態(tài),為非導(dǎo)體,鈍化膜就呈現(xiàn)出Cr氧化物的p型半導(dǎo)體特特征,因此電容受內(nèi)層Cr的氧化物控制[3]。Ⅱ區(qū)電位為0.16V~0.74V,曲線斜率為正,在此電位區(qū)間內(nèi)Fe和Cr的氧化物空間電荷層分布正好與I區(qū)比相反,此時(shí)Cr的氧化物處于富集狀態(tài),而Fe得氧化物部分電荷層則處于耗盡狀態(tài),隨著掃描電位的正移,氧化物膜的剩余電荷與溶液電荷之間的距離隨之增加,使得M-S曲線呈上升趨勢(shì)。

      從圖2還可以明顯看出,Ⅱ區(qū)直線段的斜率隨pH值的升高而減小,表明施主密度也隨pH值的升高而減小,這是由于在Ⅱ區(qū)電位區(qū)間內(nèi),外層的Fe氧化物和水化物隨著溶液酸度增加,F(xiàn)e氧化物和水化物有可能發(fā)生溶解而轉(zhuǎn)變?yōu)楦邇r(jià)氧化物和水化物,這樣一來Fe氧化物空間電荷層中的過剩電荷將減少,使得膜的電容隨溶液酸度的增加而增大;進(jìn)入Ⅲ區(qū),直線段的斜率不受pH值的影響,說明在此電位范圍內(nèi)膜的受主密度與溶液pH值無關(guān),這與Montemor[7]等人的研究結(jié)果相一致,Montemor等研究了0.5M硫酸溶液中Cr表面的鈍化膜,發(fā)現(xiàn)鈍化區(qū)間內(nèi)在較正的電位下所成膜的組成主要為CrOH,而與成膜時(shí)間及溶液pH值無關(guān)。

      由上圖還可以看出,在Ⅰ和Ⅲ區(qū)間內(nèi)直線段在E軸上的截距不受溶液pH值的影響,而在Ⅱ區(qū),pH值對(duì)截距(即平帶電位EFB)有較大影響。溶液PH值和平帶電位EFB之間存在如下關(guān)系[8]:

      由公式(3)可以看出,膜的平帶電位和溶液的pH值呈直線關(guān)系,其斜率為0.0592V/pH,圖3給出了Ⅱ區(qū)直線段的平帶電位EFB與溶液pH值之間的關(guān)系,由圖3可以看出,平帶電位和溶液pH值近似呈線性關(guān)系,其斜率為58.58mV/pH,這與由公式(3)計(jì)算所得的斜率值(59.2mV/pH)很接近。

      3.3 成膜電位對(duì)鈍化膜半導(dǎo)體性能的影響

      圖1 不銹鋼在2mol/L 硫酸溶液中的陽極極化曲線

      圖2 0.7V 下2 小時(shí)不同pH 值下所成膜的Mott-Schottky 曲線

      圖3 平帶電位與溶液pH 值的關(guān)系

      圖4 成膜電位對(duì)Mott-Schottky 曲線的影響

      圖4為試樣在鈍化區(qū)間內(nèi)不同電位下極化2小時(shí)、1KHz的測(cè)試頻率下所得鈍化膜的Mott-Schottky曲線,可以明顯看出,在測(cè)試的電位范圍內(nèi),隨著成膜電位的增加兩直線段的斜率增加,膜內(nèi)的施主密度隨成膜電位的增加而減小,膜層表面的空間電容變化較大,表明鈍化膜的半導(dǎo)體性能有較大的差異。造成這種差異的根源與組成鈍化膜的Fe、Cr氧化物的半導(dǎo)體性質(zhì)密切相關(guān)。電位較低時(shí),膜中二價(jià)鐵離子含量較高;隨著成膜電位的升高,F(xiàn)e2+被氧化成Fe3+,鈍化膜變得更致密,缺陷數(shù)量減少,進(jìn)而使得施主密度降低,在M-S圖上就表現(xiàn)為直線的斜率增加。此外,從圖4還可以看出,隨著成膜電位的升高,M-S圖上的直線段斜率更趨一致,表明膜內(nèi)的兩施主密度減小,施主密度更加一致。

      3 結(jié)論

      304L不銹鋼鈍化膜在-0.4V~0.16V電位區(qū)間內(nèi)呈p型半導(dǎo)體特性,在0.16V~0.74V 電位區(qū)間內(nèi)呈n型半導(dǎo)體特性,在0.74V~1.2V電位范圍內(nèi)呈p型半導(dǎo)體特性;隨著成膜電位的升高,膜內(nèi)兩施主密度減小,施主密度趨于一致;膜的平帶電位和溶液的pH值之間具有一定的線性關(guān)系,擬合直線的斜率大約為58.58mV/pH。

      [1]chultze J W, Lohrengel M M. Stability, reactivity and breakdown of passive films. Problems of recent and future research. Electrochim Acta, 2000, 45(15/16):2499.

      [2]Carmezim M J, Sim?es A M, Montemor M F, Cunha Belo M Da, Corrosion Sci. 47(2005)581.

      [3]Hakiki N E, Cunha Belo M D, Simoes A M P, et al.Semiconducting properties of passive films formed on stainless steels [J]. J.Electrochem. Soc., 1998,145(11):3821.

      [4]Rata A D, Chezan A R, Presura C, Hibma T, Applied Surface Science 532-535(2003)341.

      [5]Sikora J, Sikora E, Macdonald D D. Electrochimca Acta[J],2000, 45:1875.

      [6]D-S Kong, S-H Chen, C Wang, W Yang. A study of the passive films on chromium by capacitance measurement. Corrosion Science, 2003, 45:747.

      [7]Montemor M F, Ferreira M G S, Hakiki N E, et al. Chemical composition and electronic structure of the oxide films formed on 316L stainless steel and nickel based alloys in high temperature aqueous environments [J]. Corrosion Science,2000,42:1635.

      [8]Morrison S R. Electrochemistry at Semiconductor and Oxidized Metal Electrodes. Trans. Wu H H. Beijing: Science Press,1988.

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