王孝偉 李鐵才 石堅 林琦
0、引言
MOSFET(metal-xoide-semiconductor fieldeffect transistor)和IGBT等開關(guān)器件已廣泛應用于開關(guān)電源、變頻器、伺服驅(qū)動器中,隨著功率半導體生產(chǎn)工藝、封裝技術(shù)的不斷改進,開關(guān)器件逐步向高頻化方向發(fā)展。高頻化在改善系統(tǒng)性能的同時,卻在系統(tǒng)中產(chǎn)生了高幅值的高頻電壓和電流振蕩,帶來負面的影響。一方面,高頻電壓和電流振蕩產(chǎn)生的電磁波會給系統(tǒng)自身和其他系統(tǒng)帶來嚴重的電磁干擾,影響系統(tǒng)的正常工作;另一方面,高幅值的電壓和電流振蕩會使系統(tǒng)所承受的應力增加,給系統(tǒng)的安全及壽命帶來嚴重的影響。