三段式門極驅(qū)動抑制MOSFET關(guān)斷過沖振蕩的研究

王孝偉　李鐵才　石堅　林琦

0、引言

MOSFET（metal-xoide-semiconductor fieldeffect transistor）和IGBT等開關(guān)器件已廣泛應用于開關(guān)電源、變頻器、伺服驅(qū)動器中，隨著功率半導體生產(chǎn)工藝、封裝技術(shù)的不斷改進，開關(guān)器件逐步向高頻化方向發(fā)展。高頻化在改善系統(tǒng)性能的同時，卻在系統(tǒng)中產(chǎn)生了高幅值的高頻電壓和電流振蕩，帶來負面的影響。一方面，高頻電壓和電流振蕩產(chǎn)生的電磁波會給系統(tǒng)自身和其他系統(tǒng)帶來嚴重的電磁干擾，影響系統(tǒng)的正常工作；另一方面，高幅值的電壓和電流振蕩會使系統(tǒng)所承受的應力增加，給系統(tǒng)的安全及壽命帶來嚴重的影響。