劉菲 *,趙彥亮,王文霞
(1.太原工業(yè)學(xué)院材料工程系,山西 太原 030008;2.長(zhǎng)治清華機(jī)械廠,山西 長(zhǎng)治 046012)
貴金屬Pd 位于元素周期表的第五周期,以其獨(dú)特的 電子層結(jié)構(gòu)在氫滲透合金中起著非常重要的作用。采用化學(xué)鍍法在氫滲透合金表面施鍍Pd 膜,操作簡(jiǎn)單,方便快捷,是一種常用的方法[1]。化學(xué)鍍鈀的影響因素有很多,其中施鍍溫度對(duì)于Pd 的結(jié)構(gòu)、形貌以及結(jié)合強(qiáng)度等都會(huì)產(chǎn)生重要影響。本文采用不同的施鍍溫度進(jìn)行試驗(yàn),針對(duì)施鍍溫度對(duì)Pd 膜的顆粒沉積速率、鍍層表面形貌、耐蝕性進(jìn)行研究,并通過(guò)電化學(xué)法探討了不同施鍍溫度下所得Pd 膜的氫催化性能。
以氫滲透合金Nb49Ni25Ti26(直徑8.0 mm,厚度0.7 mm)或載玻片(8 mm × 8 mm)為基體,載玻片鍍鈀用于測(cè)定鍍速和觀察形貌,氫滲透合金鍍鈀用于氫分離試驗(yàn)和耐蝕性測(cè)試。
1.2.1 氫滲透合金的預(yù)處理
先砂紙打磨以除去合金表面的氧化層,隨后依次用5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))NaOH 溶液、丙酮、無(wú)水乙醇超聲清洗30 min,去離子水清洗以充分去除油污。
1.2.2 載玻片的預(yù)處理
先將載玻片依次置于酸化的SnCl2溶液(SnCl25 g/L,HCl 20 mL/L)中敏化5 min,去離子水洗凈后,置于酸化的PdCl2溶液(PdCl20.25 g/L,HCl 2.5 mL/L)[2]活化5 min,去離子水洗凈后干燥備用。
采用次磷酸鈉還原法進(jìn)行鍍鈀。鍍液組成和工藝條件為:PdCl22 g/L,NaH2PO2·H2O 10 g/L,38%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))HCl 4 mL/L,NH4Cl 27 g/L,28%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)) NH3·H2O 160 mL/L,pH 9.8 ± 0.2,施鍍時(shí)間2 h。
采用稱重法測(cè)定鍍層的沉積速率,計(jì)算公式為[3]: 式中,v 為化學(xué)鍍鈀層的沉積速率[mg/(cm2·h)];m1、m2分別為電鍍前、后試樣的質(zhì)量(mg);A 為試樣的鍍覆面積(cm2)。
采用JSM-5610LV 型掃描電子顯微鏡(日本電子JEOL,SEM)觀察鈀膜形貌。采用Devanathan-Stachurski雙電解池法[4-6],使用LK2005 型電化學(xué)工作站(天津蘭力科分析儀器公司)配合CMBP-1 型恒電位儀(江蘇江分儀器公司),以鍍鈀氫滲透合金為工作電極,鉑電極為輔助電極,飽和甘汞電極(SCE)為參比電極,通過(guò)測(cè)定電流-時(shí)間曲線研究Pd 鍍層的氫滲透性能,陰極溶液為0.1 mol/L HCl,陽(yáng)極溶液為0.1 mol/L NaOH。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中通過(guò)對(duì)比不同試樣的鈀膜脫落時(shí)間和狀態(tài),描述鈀膜耐腐蝕性。
圖1為鍍速隨溫度變化的關(guān)系。從圖1可看出,溫度較低時(shí),反應(yīng)比較緩慢;40 ~ 60 °C 范圍內(nèi),隨溫度升高,反應(yīng)加快,鍍速顯著提高;60 °C 時(shí),鍍速最大[4.05 mg/(cm2·h)];繼續(xù)升溫至70 °C,鍍速反而下降,這是由于在化學(xué)鍍過(guò)程中,反應(yīng)速率與溫度近似成指函數(shù)關(guān)系,符合Arrhenius 公式[7],因此鍍速會(huì)隨溫度增大而顯著提高。但反應(yīng)溫度不能過(guò)高,因過(guò)高的溫度會(huì)加速鍍液的揮發(fā),不僅造成鍍液中各種溶質(zhì)的濃度發(fā)生改變,尤其加快氨水溶液的快速揮發(fā),造成鍍液成分不穩(wěn)定,同時(shí)伴有大量氣體生成,影響顆粒的沉積。該結(jié)論在郭楊龍等[9]對(duì)Pd 的沉積研究中得到證實(shí),反應(yīng)溫度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致Pd 顆粒的聚集速率大于生長(zhǎng)速率,從而形成許多微小的無(wú)定形聚集體。因此,化學(xué)鍍Pd 時(shí)選取合適的溫度才能保證還原反應(yīng)的順利進(jìn)行和晶核的充分長(zhǎng)大。
圖1 溫度與鍍速的關(guān)系 Figure 1 Relationship between temperature and deposition rate
施鍍溫度對(duì)Pd 膜的顆粒生長(zhǎng)、致密度及膜層厚度的影響很大,具體見(jiàn)圖2。從圖2可知,施鍍溫度為40 °C 時(shí),Pd 顆粒尺寸較小,且整個(gè)膜層的致密度較差。這是由于施鍍溫度較低時(shí),沉積顆粒的形核分散性不好,顆粒未能充分長(zhǎng)大,顆粒個(gè)體獨(dú)立、不飽滿,因而導(dǎo)致整個(gè)鍍層破碎、不致密。施鍍溫度為50 °C時(shí),Pd 顆粒得到較為充分的生長(zhǎng),且顆粒之間的結(jié)合較緊密,整個(gè)膜層的致密度改善。施鍍溫度為60 °C時(shí),顆粒完全充分生長(zhǎng),形成了結(jié)合緊密、強(qiáng)度較高的膜層,且在后期的性能循環(huán)測(cè)試中不易脫落,與基體附著性良好。70 °C 下得到的鍍層由于溫度過(guò)高,Pd顆粒邊界模糊粘連,部分顆粒之間已相互融合,且晶粒腹部空癟、不飽滿,整個(gè)鍍層有破損。這是由于在施鍍過(guò)程中,液體揮發(fā)不斷增強(qiáng),液體中有大量氣泡產(chǎn)生,導(dǎo)致顆粒邊界有大量微小孔洞,膜層與合金的結(jié)合強(qiáng)度不高,在后期性能測(cè)試中較易脫落,影響循環(huán)使用性。
圖2 不同溫度下所得Pd 鍍層的表面形貌 Figure 2 Surface morphologies of Pd coatings prepared at different plating temperatures
不同溫度下所得Pd 鍍層在通電測(cè)試中的測(cè)試時(shí)間及膜層情況如表3所示。
表3 不同溫度下所得Pd 鍍層的耐蝕性 Table 3 Corrosion resistance of Pd coatings prepared at different temperatures
從表3可知,40 °C 下得到的鍍層在測(cè)試700 s后,鍍層大面積脫落;50 °C 下制備的鍍層,在通電測(cè)試1 100 s 后出現(xiàn)部分脫落;60 °C 下制備的鍍層在測(cè)試2 000 s 后,只有略微脫落,顯微觀察發(fā)現(xiàn)鍍層有裂紋;70 °C 下制備的鍍層在通電測(cè)試1 200 s 后出現(xiàn)大塊脫落。60 °C 下制備的Pd 鍍層耐蝕性最好,可能是因?yàn)轭w粒在60 °C 時(shí)得到充分生長(zhǎng),顆粒之間緊密結(jié)合,鍍層比較致密,與合金粘結(jié)牢固,在氫離子滲透過(guò)程中不易被破壞。
圖3為不同溫度下所得鍍層在氫滲透測(cè)試中的電流-時(shí)間曲線。從圖3可知,40 °C 下制備的鍍層在滲氫測(cè)試700 s 時(shí),電流密度突然下降,此后電流擾動(dòng)明顯,波動(dòng)較大,合金表面鍍層出現(xiàn)大面積破損脫落。50 °C 制備的鍍層在經(jīng)歷一段時(shí)間的穩(wěn)態(tài)電流后逐漸出現(xiàn)較大的波動(dòng),1 100 s 時(shí),電流密度突降,鍍層脫落明顯。60 °C 鍍液中制備的鍍層在氫滲透測(cè)試中,基本符合氫分離合金的電流特點(diǎn),雖然電流稍有波動(dòng),但波動(dòng)幅度不大,基本處于穩(wěn)態(tài)。70 °C 下制備的鍍層在氫滲透測(cè)試中電流擾動(dòng)嚴(yán)重,1 200 s 時(shí)出現(xiàn)突降,且鍍層大塊脫落。
圖3 不同溫度下所得Pd 鍍層在氫滲透測(cè)試中的 電流密度-時(shí)間曲線 Figure 3 Current density-time curves for Pd coatings prepared at different temperatures in hydrogen permeation test
在化學(xué)鍍Pd 過(guò)程中,一定的溫度保證了Pd2+轉(zhuǎn)變?yōu)镻d 所需要的能量,使晶粒形核并不斷生長(zhǎng)。溫度過(guò)低,鍍液的活性降低,使Sn2+還原Pd2+的反應(yīng)不能徹底進(jìn)行,Pd2+沉積為Pd 的反應(yīng)過(guò)程受影響。從合金凝固角度來(lái)看,溫度過(guò)低,過(guò)冷度增大,有利于Pd 顆粒形核,但不利于晶核長(zhǎng)大,因而鍍層顆粒細(xì)小,呈無(wú)規(guī)則排列,結(jié)構(gòu)不致密,不能發(fā)揮有效的氫催化作用[9]。升高鍍液溫度,雖然提高了晶粒長(zhǎng)大的速率,但過(guò)高的 溫度會(huì)導(dǎo)致晶粒沉積速率過(guò)大,聚集速率過(guò)大,晶粒異向長(zhǎng)大聚集,晶粒與晶粒間熔融長(zhǎng)大,單個(gè)顆粒生長(zhǎng)不飽滿,加之液體快速揮發(fā)產(chǎn)生的大量氣孔會(huì)影響鍍層的致密度及其與合金的粘結(jié)性,導(dǎo)致后期鍍層脫落,氫滲透過(guò)程無(wú)法穩(wěn)定進(jìn)行。
(1) 40 ~ 60 °C 下化學(xué)鍍靶時(shí),隨溫度升高,反應(yīng)加快,鍍速顯著提高;高于60 °C 時(shí),繼續(xù)升溫,鍍速反而下降。
(2) 施鍍溫度為60 °C 時(shí),顆粒充分生長(zhǎng),得到結(jié)合緊密、附著性好、強(qiáng)度較高的Pd 鍍層。
(3) 60 °C 下制備的Pd 鍍層在通電測(cè)試2 000 s后,表面只有少量顆粒脫落,鍍層較致密,與合金粘結(jié)牢固,耐蝕性較好。
(4) 60 °C 下制備的Pd 鍍層在滲氫測(cè)試中,基本符合氫分離合金的電流特點(diǎn),雖然數(shù)據(jù)稍有波動(dòng),但波動(dòng)幅度不大,基本處于穩(wěn)態(tài)。
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