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      一種四相交錯并聯(lián)Boost DC/DC變換器的設計

      2013-09-19 01:31:32李江達謝文群
      電子與封裝 2013年11期
      關鍵詞:紋波導通二極管

      李江達,何 穎,楊 兵,謝文群,楊 芳

      (中國電子科技集團公司第58研究所,江蘇 無錫 214035)

      1 前言

      隨著新能源的廣泛推廣,燃料電池、通信電源及分布式電源等清潔能源大都具有低電壓輸入、大功率輸出的特性,其升壓變換器成了不可或缺的關鍵部件。它們主要由前級高頻整流器、中間級電池組和后級DC/DC變換器組成。DC/DC變換器的輸入部分通常采用大功率Boost變換器,以將前級與中間級的直流電壓提升至一定的幅度,從而更方便地形成負載所需的各種電壓。傳統(tǒng)的Boost變換器需要使用大而笨重的主電感,這是變換器最重的一個器件,在電路板上不易安裝,并增大了變換器的體積,造成電路板的機械負荷增大,在一定程度上也降低了工作的可靠性。為了克服上述弱點,本文將多相交錯并聯(lián)技術用于電流連續(xù)模式Boost DC/DC變換器中,以減小電流紋波、改進工作效率等為目的,從多方面說明了這種拓撲在工業(yè)實踐中具有的先進性和實用性。

      2 大功率Boost變換器的拓撲結構優(yōu)勢

      在電力電子幾大基本拓撲結構中,能夠?qū)崿F(xiàn)升壓的變換器主要有Boost、Buck-Boost、Cuk、Sepic等,這些變換器的輸入輸出都是不隔離的。還有一些電氣隔離的基本拓撲主要有反激、正激、半橋和全橋變換器等。一般來說,非隔離型拓撲的效率都要優(yōu)于隔離型拓撲,而隔離型拓撲可以獲得比非隔離型拓撲更高的升壓比。在非隔離的這些基本拓撲中,Boost變換器具有以下幾個優(yōu)點:(1)Boost變換器所使用的元器件相對比較少,成本較低;(2)只需要一個功率管就可以實現(xiàn)電路功能,控制簡單;(3)開關管的驅(qū)動電路與功率電路共地,驅(qū)動電路設計簡單;(4)輸入端由于電感的存在,輸入電流紋波比較小,這對于蓄電池等電流源供電的場合具有重要意義,因為大的輸入電流紋波會造成蓄電池的額外損耗和發(fā)熱,減少蓄電池的壽命。

      由于Boost變換器[1]具有以上這些優(yōu)點,本文中的設計實例(Vin=24 V、Po=2 000 W、Vo=52 V)低壓輸入大功率輸出電源模塊設計就采用該拓撲,如圖1。

      圖1 Boost變換器原理圖

      3 關鍵創(chuàng)新技術

      3.1 同步整流技術

      在實例要求中明確提出電源的最大輸出電流為38 A,這意味著Boost變換器的輸出整流部分要承受比較大的平均電流。常規(guī)的Boost變換器采用二極管充當輸出整流設備,一般的快恢復二極管正向?qū)▔航翟?.2~1.5 V之間,耗散在這些二極管上的導通損耗最大就會有57 W(38 A×1.5 V),這是一個巨大的數(shù)字,所帶來的后果不僅僅是電源效率的下降,還有散熱器尺寸、電源可靠性等實際問題。如果采用多個二極管并聯(lián),可以減少每一個二極管的耗散功率,但是不能降低總的耗散功率。肖特基二極管的正向?qū)▔航递^快恢復二極管要小,但是一般也在0.6~0.8 V之間(40 A等級的肖特基二極管大多導通壓降在0.8 V左右),二極管上的耗散功率也有30.4 W,同樣不可忽視。

      利用同步整流技術,將整流部分的二極管替換成功率MOSFET,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系,其導通阻抗可以認為不變。例如,以功率MOS管IRFS4321為例,其導通阻抗最大為15 mΩ,那么電流流過此功率MOSFET溝道時產(chǎn)生的導通損耗僅為21.66 W(42×42×0.015),仍然要比肖特基二極管的損耗小6 W。

      3.2 交錯并聯(lián)技術[2]

      上面的分析我們看到,即使采用同步整流技術,功率器件的損耗依然很嚴重。由于輸出電流過大,同步整流技術不能完全體現(xiàn)出其優(yōu)勢來。如果能夠降低流過功率器件的電流,就可以相應減少功率器件的損耗,因此我們很容易就想到了利用多路變換器并聯(lián)技術,將電流平均分為幾份流過每一路電路。例如,如果采用4路并聯(lián),那么每一路流過的平均電流就是9.5 A,對于二極管整流來說,導通損耗和采用單路的情況相當(9.5×0.8×4=30.4 W),但是對于同步整流來說,情況就大大不一樣了,此時導通損耗就變?yōu)?.5×9.5×0.015×4=5.415 W,比單路的情況少了近25 W損耗。

      Boost變換器在功率管導通時,負載是靠輸出電容供電的。在功率關斷后,電感電流就會給輸出電容充電。因此,Boost變換器的輸出電容會承受比較大的紋波電流。輸出電容一般選用鋁電解電容,由于單個鋁電解電容能夠承受紋波電流的能力有限,要承受本設計要求中的紋波電流可能需要十幾個鋁電解電容并聯(lián),這無疑大大增加了電路的體積和重量,而且這么多的鋁電解電容并聯(lián)的效果也并不理想。如果僅僅采用多路并聯(lián)技術,并不能改變輸出電容的充放電時間,輸出電容仍然要承受較大的電流紋波。

      采用交錯并聯(lián)技術,將每一路的驅(qū)動錯開360/N度,可以有效減少輸出電容的充放電時間,從而減少輸出電容的紋波電流。相關研究表明,采用交錯并聯(lián)技術的變換器,其輸出電流紋波可以大幅度減少[3],甚至在某些工作點可以實現(xiàn)零紋波,從而大大減輕了輸出電容的壓力。在實例中,輸入電流最大達到了111 A(Vin_min=18 V),雖然輸入端有電感存在,輸入電流紋波系數(shù)比較小,但是這么大的平均電流產(chǎn)生的電流紋波依然不容小視。前面提到,大的輸入電流紋波會給蓄電池帶來損耗和熱量,減少蓄電池的壽命,而利用交錯并聯(lián)技術,同樣可以大幅減少輸入電流紋波,有利于提高系統(tǒng)的可靠性。實例中采用4路同步整流Boost交錯并聯(lián)拓撲,如圖2所示。

      圖2 4路交錯并聯(lián)同步整流Boost變換器

      3.3 雙環(huán)控制技術

      Boost變換器由于存在右半平面零點,容易造成環(huán)路不穩(wěn)定,采用電壓外環(huán)加電流內(nèi)環(huán)的雙環(huán)控制,可以提高電路的穩(wěn)定性能和動態(tài)響應。本設計采用一個電壓外環(huán)控制輸出電壓,電壓外環(huán)的輸出分別作為4路Boost變換器電流內(nèi)環(huán)的參考,4個電流內(nèi)環(huán)共用一個基準,保證了4路Boost變換器的均流。

      圖3 變換器控制示意圖

      4 工程計算

      4.1 主電感設計

      由于交錯并聯(lián)的四路主電路完全對稱,因而每一相的主電感均相同,以下僅選擇其中一相作為例子。

      變換器的最大占空比 :

      單相最大平均輸入電流:

      電感計算值:

      其中,KL為電感紋波系數(shù),本設計中采用的四項交錯并聯(lián)結構,取最大輸入電流的1/4。通過計算及驗證可得:

      Dmax=0.654

      Iin=27.8 A

      Lmin=14.1 μH(在實際工作中取L=15 μH)

      4.2 磁芯選擇及電感制作

      電感峰值電流:

      電感紋波電流:

      電感電流有效值:

      設100 ℃時鐵氧體的飽和磁密為0.39 T,最大工作磁密為Bmax=3 100 Gs,最大磁通擺幅:

      取電流密度j=5 A/mm2;電感系數(shù)Ku=0.4,計算得AP=2.66 cm4。

      通過查找選取東磁DMR40材質(zhì)磁芯滿足要求:

      匝數(shù):

      得N=8.966匝,取整N=9匝。

      銅皮厚度H≤2Δ,取厚度為0.3 mm的紫銅。

      4.3 功率開關管的選用及主要損耗計算

      選擇功率IR公司的IRFB4310作為功率開關管:Ron=4.8 mΩ,tr=60 ns,tf=57 ns,Coss= 490 pF。

      流過開關功率MOS1~MOS4的電流有效值為:

      四路開關MOS管的總損耗:

      得:Pmos_total=26.7 W

      流過開關功率SR1~SR4的電流有效值為:

      同理可以計算整流管SR1~SR4的總損耗PSR_total=21.6 W。

      5 實驗結果

      筆者通過對以上設計數(shù)據(jù)進行優(yōu)化和微調(diào),研制出符合設計要求的樣機(如圖4),測試數(shù)據(jù)如表1。

      表1 考核條件下,模塊效率測試

      圖4 樣機

      從以上測試數(shù)據(jù)可知,產(chǎn)品的研制性能基本達到了理論預計,這不僅說明本文提出的理論在實際中的有效性,而且為今后進一步研制更大功率密度的DC/DC變換器打下了必要的基礎。

      [1]張占松,蔡宣三.開關電源的原理與設計[M].北京:電子工業(yè)出版社,2006.

      [2]許化民,龔春英,嚴仰光.交錯并聯(lián)結構的雙管正激DC/DC變換器[J].電力電子技術,1999.

      [3]吳松榮,許建平,郭世明.開關電源交錯拓撲輸出電流紋波數(shù)學分析[Z].

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