一種具有0.5dB噪聲系數(shù)的450～470MHz單片集成LNA
2014-12-25 14:09:40曾健平戴志偉楊浩張海英鄭新年
湖南大學(xué)學(xué)報(bào)·自然科學(xué)版 2014年2期
曾健平 戴志偉 楊浩 張海英 鄭新年
摘要：基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝，設(shè)計(jì)制造了一款工作于450～470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器（LNA），該LNA采用阻容負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)輸入阻抗匹配，減小了無源元件占有的芯片面積，達(dá)到了單片集成的目的，同時(shí)降低了使用成本.測(cè)試結(jié)果表明，該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數(shù)，其低噪聲性能十分優(yōu)秀，這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優(yōu)異的低噪聲特性.endprint
摘要：基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝，設(shè)計(jì)制造了一款工作于450～470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器（LNA），該LNA采用阻容負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)輸入阻抗匹配，減小了無源元件占有的芯片面積，達(dá)到了單片集成的目的，同時(shí)降低了使用成本.測(cè)試結(jié)果表明，該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數(shù)，其低噪聲性能十分優(yōu)秀，這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優(yōu)異的低噪聲特性.endprint
摘要：基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝，設(shè)計(jì)制造了一款工作于450～470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器（LNA），該LNA采用阻容負(fù)反饋的方式實(shí)現(xiàn)輸入阻抗匹配，減小了無源元件占有的芯片面積，達(dá)到了單片集成的目的，同時(shí)降低了使用成本.測(cè)試結(jié)果表明，該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數(shù)，其低噪聲性能十分優(yōu)秀，這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優(yōu)異的低噪聲特性.endprint
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