陳 陽, 郝建軍, 郭 雪
(沈陽理工大學(xué) 環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院,遼寧 沈陽110159)
隨著鎂合金工業(yè)的發(fā)展及鎂合金應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,提高鎂合金的耐蝕性已成為研究熱點(diǎn)。改善鎂合金的耐蝕性有兩種方法:一是添加不同的合金;二是改善鎂合金的表面性能,一般采用化學(xué)轉(zhuǎn)化、陽極氧化、化學(xué)鍍、電鍍、有機(jī)涂層等方法。
本文主要采用磷化的方法在鎂合金試樣表面形成一層非金屬的、不導(dǎo)電的、難溶的多孔磷酸鹽轉(zhuǎn)化膜,從而提高基體金屬的耐蝕性。采用電化學(xué)方法對(duì)磷化膜的耐蝕性進(jìn)行研究,從而確定最佳的工藝條件。
采用AZ91D 鎂合金,其組成為:鋁9%,鋅1%,鎂余量。樣品尺寸為30mm×20mm×3mm。
(1)除油
采用丙酮和無水乙醇除油。
(2)活化
氫氧化鈉60g/L,檸檬酸鈉30g/L,三聚磷酸鈉15g/L,十二烷基硫酸鈉1.5g/L,65~75℃,10min。
(3)表面調(diào)整
A 液0.8g,B液0.8g,45~55℃,10min。
氧化鋅1~2g/L,氟化鈉0.2~0.4g/L,磷酸3~5g/L,鉬酸銨0.2~1.0g/L,十二烷基磺酸鈉0.1~0.2g/L,酒石酸0.2~0.5g/L,pH值2.5~4.5,45~70℃,5~15min。先用400#的粗砂紙進(jìn)行粗打磨,再用金相砂紙進(jìn)行細(xì)打磨。
電化學(xué)測(cè)試在上海辰華公司生產(chǎn)的CHI604C型電化學(xué)工作站上進(jìn)行。采用標(biāo)準(zhǔn)的三電極體系,工作電極為待測(cè)試樣,參比電極為飽和甘汞電極(SCE),輔助電極為惰性鉑電極。在室溫下,測(cè)定試樣在3.5%的NaCl溶液中的極化曲線和電化學(xué)阻抗譜。
控制磷化液的pH值2.5,磷化時(shí)間5 min,考察磷化溫度對(duì)鎂合金磷化膜耐蝕性的影響。得到的極化曲線和電化學(xué)阻抗譜,分別如圖1和圖2所示。根據(jù)Tafel原理,對(duì)極化曲線進(jìn)行擬合。得到的電化學(xué)參數(shù)列于表1中。
圖1 不同磷化溫度下所得磷化膜的極化曲線
圖2 不同磷化溫度下所得磷化膜的電化學(xué)阻抗譜
表1 不同磷化溫度下所得磷化膜的電化學(xué)參數(shù)
由表1可知:75℃時(shí)所得磷化膜的自腐蝕電流密度最小,阻抗最大,此時(shí)磷化膜的耐蝕性最好。
由圖2可知:75℃時(shí)所得磷化膜的容抗弧半徑大于45℃和85℃時(shí)的,阻抗模值也大于45℃和85℃時(shí)的。因此,75℃時(shí)試樣的耐蝕性良好,磷化膜能起到保護(hù)基體的作用。
磷化液的pH值對(duì)金屬磷化具有重要影響。一般情況下,在較強(qiáng)的酸性溶液中鎂合金迅速溶解。因此,磷化液的pH值決定著鎂合金磷化膜的質(zhì)量。
控制磷化時(shí)間5 min,磷化溫度75℃,考察磷化液的pH值對(duì)鎂合金磷化膜耐蝕性的影響。得到的極化曲線和電化學(xué)阻抗譜,分別如圖3和圖4所示。根據(jù)Tafel原理,對(duì)極化曲線進(jìn)行擬合。得到的電化學(xué)參數(shù)列于表2中。
由表2可知:當(dāng)磷化液的pH值為2.5時(shí),自腐蝕電流密度最小,阻抗最大,此時(shí)鎂合金磷化膜的耐蝕性最好。
圖3 不同pH值下所得磷化膜的極化曲線
圖4 不同pH值下所得磷化膜的電化學(xué)阻抗譜
表2 不同pH值下所得磷化膜的電化學(xué)參數(shù)
磷化時(shí)間對(duì)鎂合金成膜有很大的影響。磷化時(shí)間短,磷化膜未完全形成,磷化膜疏松;磷化時(shí)間長,磷化膜被多余的酸離子溶解,磷化膜變松,晶體變粗糙,耐蝕性下降。
控制磷化液的pH值2.5,磷化溫度75℃,考察磷化時(shí)間對(duì)鎂合金磷化膜耐蝕性的影響。得到的極化曲線和電化學(xué)阻抗譜,分別如圖5 和圖6 所示。根據(jù)Tafel原理,對(duì)極化曲線進(jìn)行擬合。得到的電化學(xué)參數(shù)列于表3中。
圖5 不同磷化時(shí)間下所得磷化膜的極化曲線
圖6 不同磷化時(shí)間下所得磷化膜的電化學(xué)阻抗譜
表3 不同磷化時(shí)間下所得磷化膜的電化學(xué)參數(shù)
由表3可知:當(dāng)磷化時(shí)間為5min時(shí),自腐蝕電流密度最小,阻抗最大,此時(shí)鎂合金磷化膜的耐蝕性最好。
在相同的處理液中,鎂合金磷化最佳的工藝條件為:磷化溫度75℃,磷化液pH值2.5,磷化時(shí)間5min。