氧化石墨烯摻雜PEDOT：PSS作為空穴注入層對有機發(fā)光二極管發(fā)光性能的影響

楊君禮　武聰伶　李源浩　李菀麗　苗艷勤　郭鹍鵬劉慧慧　王　華　　吳永安（太原理工大學新材料界面科學與工程教育部重點實驗室，太原0004；太原理工大學新材料工程技術(shù)研究中心，太原0004；山西國光半導體照明工程研究有限公司，太原000）

氧化石墨烯摻雜PEDOT：PSS作為空穴注入層對有機發(fā)光二極管發(fā)光性能的影響

楊君禮1，2武聰伶1，2李源浩1，2李菀麗1，2苗艷勤1，2郭鹍鵬1，2，*劉慧慧1，2王華1，2，*吳永安3
（1太原理工大學新材料界面科學與工程教育部重點實驗室，太原030024；2太原理工大學新材料工程技術(shù)研究中心，太原030024；3山西國光半導體照明工程研究有限公司，太原030012）

研究了氧化石墨烯（GO）摻雜聚（3，4-亞乙二氧基噻吩）：聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT：PSS）作為空穴注入層對有機發(fā)光二極管發(fā)光性能的影響.在PEDOT：PSS水溶液中摻入GO，經(jīng)過濕法旋涂和退火成膜后，不僅提高了空穴注入層的空穴注入能力和導電率，透光率也得到了相應的提高，從而使得有機發(fā)光二極管（OLED）器件的發(fā)光性能得到了提升.通過優(yōu)化GO摻雜量發(fā)現(xiàn)，當GO摻雜量為0.8%（質(zhì)量分數(shù)）時，空穴注入層的透光率達到最大值（96.8%），此時獲得的OLED器件性能最佳，其最大發(fā)光亮度和最大發(fā)光效率分別達到17939 cd· m-2和3.74 cd·A-1.與PEDOT：PSS作為空穴注入層的器件相比，摻雜GO后器件的最大發(fā)光亮度和最大發(fā)光效率分別提高了46.6%和67.6%.

氧化石墨烯；PEDOT：PSS；空穴注入；透光率；導電率；有機發(fā)光二極管

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1　引言

有機發(fā)光二極管（OLED）具有響應速度快、亮度高、視角寬、抗震性能好、可實現(xiàn)柔性顯示等特點，有望成為下一代平板顯示、固態(tài)照明和柔性電子設(shè)備的首選.1-5在OLED器件三明治結(jié)構(gòu)中，空穴注入層的空穴注入能力、導電率和透光率是影響器件效率的重要因素.6，7聚（3，4-亞乙二氧基噻吩）：聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT：PSS）的功函數(shù)大概在-5.0 eV，位于氧化銦錫（ITO）的功函數(shù)（-4.7 eV）與常用的有機半導體材料最高占據(jù)分子軌道（HOMO）能級之間，因此其水溶液通過旋涂和退火成膜后，常用來作為OLED器件中的空穴注入層.8-11然而，PEDOT：PSS經(jīng)濕法旋涂制備的薄膜導電率往往不理想，致使OLED器件的效率不高.12，13為解決這一問題，Zhou 等14用輕微氧等離子體處理PEDOT：PSS薄膜，使其空穴注入性能得到了改善，器件的驅(qū)動電壓降低、發(fā)光性能得到了提高.侯延冰課題組15以及Sevim 和Mutlu12對PEDOT：PSS薄膜進行了電場和熱處理，并將其作為空穴注入層制備了聚合物電致發(fā)光器件（PLED），提高了器件的空穴注入能力.Wang等16利用多璧碳納米管（MWCNTs）的金屬或半金屬特性，將其摻雜到PEDOT：PSS中提高了空穴注入能力，從而改善了OLED器件的發(fā)光性能.Qian等17利用脫水的納米管鈦酸（DNTA）摻雜PEDOT：PSS制備了柔性O(shè)LED器件，PEDOT中的硫原子和DNTA的相互作用抑制了PEDOT分子的噻吩和發(fā)光層聚［2-甲氧基-5-（2'-乙烯基-己氧基）聚對苯乙烯撐］（MEHPPV）分子中乙烯撐的相互作用而使整個器件的性能提高.顯然，通過對PEDOT：PSS摻雜是提高OLED器件發(fā)光性能的一條有效途徑，然而，摻雜空穴注入層影響器件發(fā)光性能的機理還有待深入的研究.

氧化石墨烯（GO）作為制備石墨烯的重要前驅(qū)體，具有類似石墨烯的二維結(jié)構(gòu)，其表面及外圍存在羥基、羧基、環(huán)氧基等官能團，賦予其較好的水溶性（如圖1（a）所示）.另外，GO的HOMO能級和最低未占據(jù)分子軌道（LUMO）能級分別為-4.9和-1.3 eV，作為寬帶隙材料已被應用在有機太陽能電池、OLED等有機光電子器件中.18-20目前為止，GO在OLED器件中的應用還主要圍繞其對器件導電率的影響等方面開展研究.21，22而GO摻雜PEDOT：PSS對空穴注入層透光率的影響以及對導電率和透光率協(xié)同作用后對OLED器件發(fā)光性能的影響尚未見報道.在本文中，我們利用GO的水溶性，將其與PEDOT：PSS水溶液混合均勻，研究了GO摻雜PEDOT：PSS作為空穴注入層對OLED器件發(fā)光性能影響的機理.

圖1　（a）GO和（b）PEDOT：PSS的分子結(jié)構(gòu)Fig.1　Molecular structures of（a）GO and（b）PEDOT：PSS

2　實驗部分

2.1實驗材料

GO按照改進的Hummer法23合成.PEDOT：PSS （Clevios P VPAI4083）購于德國Heraeus公司（HOMO，-5.2 eV），其分子結(jié)構(gòu)如圖1（b）所示.N，N'-二苯基-N，N'-（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4，4'-二胺（NPB）和三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3）的純度均為99.0%，且均購于臺灣Nichem Fine Technology Co.Ltd.

2.2實驗設(shè)備

所用測試設(shè)備有U-3900紫外可見光譜儀（ultraviolet-visible）（HITACHI，日本）、TENSOR 27型傅里葉變換紅外（FTIR）光譜儀（BRUKER，英國）、RTS-8四探針測試儀（廣州四探針科技，中國）、美國Keithley 2400數(shù)字源表和PR-655光譜儀.其中，紅外光譜儀測試PEDOT：PSS和GO混合物中的主要官能團，紫外-可見光譜儀用于測量薄膜的透光率，四探針測試儀測薄膜導電率，Keithley 2400結(jié)合PR-655光譜儀測量出器件的電致發(fā)光（EL）性能（電流、亮度、光譜等）.器件制備完成后，未對器件進行封裝，直接進行EL測試，所有測試都是在室溫、大氣條件下于暗室中進行的.

2.3器件制備工藝

2.3.1ITO玻璃基片的清洗

本實驗所用ITO玻璃的方塊電阻為15 Ω·□-1.首先用洗潔精對玻璃基底進行清洗；然后，將玻璃基板放在盛有丙酮、異丙醇和去離子水燒杯中反復超聲清洗兩遍；將清洗好的玻璃基板放入真空干燥箱中干燥8 h；最后再移到紫外燈下進行臭氧處理15 min，以去除玻璃表面殘留雜質(zhì)和提高ITO的功函數(shù).

2.3.2空穴注入層的制備

利用0.45 μm的水相過濾頭分別將PEDOT：PSS 與GO混合溶液（PEDOT：PSS：GO）和純PEDOT：PSS溶液過濾，然后旋涂在處理好的ITO玻璃基底上.旋涂PEDOT：PSS：GO混合溶液時的旋轉(zhuǎn)速率為2500 r· min-1.旋涂純PEDOT：PSS溶液時的旋轉(zhuǎn)速率為3000 r·min-1.兩種溶液的旋轉(zhuǎn)時間均為1 min.將旋涂有兩種溶液的ITO玻璃基底置于充有氮氣的手套箱中120°C退火15 min，待退火完成后自然冷卻至室溫.所得膜厚均約為（30±2）nm.

2.3.3真空鍍膜工藝

把冷卻好的玻璃基板移入真空蒸鍍腔內(nèi)，待真空度低于5×10-4Pa時，將空穴傳輸層NPB、電子傳輸層和發(fā)光層Alq3、電子注入層氟化鋰（LiF）和鋁（Al）陰極依次蒸鍍制備器件.其中，有機材料的蒸鍍速率為0.1 nm·s-1，LiF的蒸鍍速率為0.01 nm·s-1，Al膜的蒸鍍速率保持在0.3-0.5 nm·s-1.

3　結(jié)果與討論

圖2給出了GO摻雜PEDOT：PSS的FTIR光譜.其中，1630和1722 cm-1處為羧基中C=O的伸縮振動吸收峰，3435 cm-1處為羥基的伸縮振動吸收峰，說明GO已成功地摻雜到PEDOT：PSS溶液中.

首先，我們制備了具有如下結(jié)構(gòu)的單載流子器件：ITO/PEDOT：PSS：GO（w）（30 nm）/NPB（40 nm）/Al （200 nm），其中，w=0%，0.5%，0.8%，1.0%，w代表GO的質(zhì)量分數(shù).由圖3（a）中的電流密度-電壓特性曲線可以看出，當GO摻雜到PEDOT：PSS中后，在相同電壓下器件的電流密度明顯提高.當驅(qū)動電壓為4 V時，四個器件的電流密度分別為187 mA·cm-2（w= 0%）、273 mA·cm-2（w=0.5%）、233 mA·cm-2（w= 0.8%）、217 mA·cm-2（w=1.0%）.從圖3（b）能級分布示意圖可以看出，ITO、GO和PEDOT：PSS的HOMO能級分別是-4.7、-4.9和-5.2 eV，因此在PEDOT：PSS摻入GO后可在一定程度上降低空穴的注入勢壘，使得PEDOT：PSS空穴注入層的空穴注入能力增加，這也與我們在單載流子器件中觀察到的PEDOT：PSS中摻入GO后器件電流密度提高相一致.24，25

為了探討GO摻雜PEDOT：PSS作為空穴注入層對OLED器件發(fā)光性能的影響.我們制備了如下結(jié)構(gòu)的兩種器件：

A：ITO/PEDOT：PSS（30 nm）/NPB（10 nm）/Alq3（50 nm）/LiF（1 nm）/Al（200 nm）

B：ITO/PEDOT：PSS：GO（w）（30 nm）/NPB（10 nm）/ Alq3（50 nm）/LiF（1 nm）/Al（200 nm）

A器件是以PEDOT：PSS作為空穴注入層的OLED器件.B器件則是以GO摻雜PEDOT：PSS作為空穴注入層的OLED器件，根據(jù)GO摻雜量w不同，分別標記為器件B1（0.5%）、B2（0.8%）和B3 （1.0%）.器件結(jié)構(gòu)如圖4（a）和4（b）所示.

圖2　GO摻雜PEDOT：PSS的傅里葉變換紅外光譜Fig.2　Fourier transform infrared（FTIR）spectrum of GO doped PEDOT：PSS

圖5為器件A、B1、B2和B3在直流電壓6.0 V時對應的電致發(fā)光光譜.從圖中可以看出，四個器件的EL譜幾乎一致，最大發(fā)光峰均在532 nm處，說明GO摻雜PEDOT：PSS后對器件的發(fā)光顏色沒有影響.

器件A和器件B的電流密度-電壓（J-V）、亮度-電流密度（L-J）、發(fā)光效率-亮度（E-L）和功率效率-亮度（P-L）特性曲線如圖6所示.由圖6（a）可看出，當電流密度為600 mA·cm-2時，器件A的驅(qū)動電壓為7.7 V，而器件B1、B2和B3的電壓分別為7.1、7.1和7.2 V，即與器件A相比，器件B1、B2、B3在相同的電流密度下所需要的驅(qū)動電壓明顯降低.同時，我們觀察到器件B1、B2和B3的啟亮電壓均為2.7 V，低于器件A的啟亮電壓3.0 V，表明GO摻雜到PEDOT：PSS后，提高了其空穴注入能力.13，26另外，由圖6（b-d）及表1可以看出，器件B較器件A的最大亮度（Lmax）、最大發(fā)光效率（Emax）、最大功率效率（Pmax）均有所提高.特別是GO摻雜量為0.8%時制備的器件B2性能最佳，其最大發(fā)光效率和最大功率效率與器件A相比，分別提高了67.6%和35.7%.由此可見，通過GO摻雜PEDOT：PSS后，空穴注入層的空穴注入能力提高，可以明顯提高器件的發(fā)光性能.

圖3　單載流子器件的（a）電流密度-電壓特性曲線和（b）能級示意圖Fig.3?。╝）Current density-voltage characteristic curves and（b）energy level distribution of the hole-only devices NPB：hole transport layer；ITO：conductive glass

圖4 （a）器件A和（b）器件B1，B2，B3的結(jié)構(gòu)示意圖Fig.4　Structures of（a）deviceAand（b）devices B1，B2，B3Alq3：emitting layer and electron transport layer；w=0.5%，0.8%，1.0%

圖5　器件A，B1，B2，B3的歸一化EL光譜Fig.5　Normalized electroluminescence（EL）spectra of devicesA，B1，B2，B3

為了更加深入地了解GO摻雜PEDOT：PSS作為空穴注入層對OLED器件發(fā)光性能提高的機理，我們對空穴注入層的導電率和透光率分別進行了研究.首先，將GO在PEDOT：PSS中的摻雜量w分別為0%、0.5%、0.8%和1.0%的溶液旋涂于石英片上，經(jīng)過120°C退火處理后制備了四個薄膜，分別標記為薄膜fA（w=0%）、fB1（w=0.5%）、fB2（w=0.8%）和fB3（w=1.0%）.隨后，對四個薄膜的導電率進行了測量.由圖7可以看出，薄膜的導電率在GO摻雜PEDOT：PSS后明顯提高.其中薄膜fB1的導電率最高，但是與其相對應的器件B1并非發(fā)光性能最佳的器件.隨后，分別對薄膜fA、fB1、fB2和fB3進行了透光率的測量.從圖7中可以看出，薄膜fB1、fB2和fB3的透光率與薄膜fA的透光率相比，明顯提高.其中，薄膜fB2的透光率達到96.8%，為四個薄膜中的最大值，這與器件B2具有最好的發(fā)光性能相吻合.這也解釋了器件B2與器件B1相比，驅(qū)動電壓一致時亮度更高的原因.

圖6　器件A，B1，B2，B3的發(fā)光特性曲線Fig.6　Light-emitting characterisitc curves of devicesA，B1，B2，B3（a）current density-voltage（J-V），（b）luminance-current density（L-J），（c）luminous efficiency-luminance（E-L），（d）power efficiency-luminance（P-L）

表1　器件的電致發(fā)光性能參數(shù)Table 1　Electroluminescence characteristics of the devices

圖7　GO摻雜濃度分別為0%，0.5%，0.8%，1.0%的PEDOT：PSS：GO薄膜的透光率和導電率Fig.7　Transparency and conductivity of PEDOT：PSS：GO films with different GO doping amount of 0%，0.5%，0.8%，1.0%

圖8為GO摻雜PEDOT：PSS前后薄膜的原子力顯微鏡（AFM）照片.由圖中可以看出，與PEDOT：PSS旋涂所得薄膜相比，隨著GO摻入量的增加，薄膜的平均面粗糙度（Ra）值逐漸降低，這可能是導致薄膜透光率提高的原因之一.據(jù)文獻報道，27AFM照片中主要為PEDOT，暗色部分主要為PSS.圖8（d）與圖8（b）和8（c）相比，雖然Ra值降低，但是PEDOT與PSS分布均勻性變差，這可能是GO量增加后，疏水性的PEDOT和親水性的PSS相分離有所增加導致的，從而使薄膜的透光率有所降低.

圖8　不同GO摻雜濃度的PEDOT：PSS：GO薄膜的原子力顯微鏡（AFM）照片F(xiàn)ig.8　Atomic force microscopy（AFM）topographic images of PEDOT：PSS：GO films with different GO doping amount w（GO）：（a）0%，（b）0.5%，（c）0.8%，（d）1.0% （on silicon substrate）；Ra：the average surface roughness

4　結(jié)論

GO摻雜PEDOT：PSS作為空穴注入層可提高OLED器件的發(fā)光性能，其機理可歸結(jié)為GO的加入提高了空穴注入層的空穴注入能力和導電率，進一步調(diào)整GO含量，使空穴注入層的透光率達到最大時可獲得發(fā)光性能最佳的OLED器件.其中，GO 在PEDOT：PSS中的摻雜量為0.8%時制備的OLED器件與PEDOT：PSS為空穴注入層的器件相比，最大亮度和最大發(fā)光效率分別提高了46.6%和67.6%.

References

（1）Kido，J.；Kimura，M.；Nagai，K.Science 1995，267（5202），1332.doi：10.1126/science.267.5202.1332

（2）Lindla，F(xiàn).；Boesing，M.；van Gemmern，P.；Bertram，D.；Keiper，D.；Heuken，M.；Kalisch，H.；Jansen，R.H.Appl.Phys.Lett. 2011，98（17），173304.doi：10.1063/1.3584033

（3）Reineke，S.；Lindner，F(xiàn).；Schwartz，G.；Seidler，N.；Walzer，K.；Lüssem，B.；Leo，K.Nature 2009，459（7244），234.doi：10.1038/ nature08003

（4）Zhang，Q.；Chen，J.；Cheng，Y.；Wang，L.；Ma，D.；Jing，X.；Wang，F(xiàn).J.Mater.Chem.2004，14（5），895.doi：10.1039/ b309630k

（5）Yu，S.J.；Suo，F(xiàn).；Li，W.Z.；Lin，H.；Li，L.；Jiang，Y.D.Acta Phys.-Chim.Sin.2007，23，1821.［于勝軍，鎖釩，黎威志，林慧，李璐，蔣亞東.物理化學學報，2007，23，1821.］doi：10.3866/PKU.WHXB20071132

（6）Jang，J.；Ha，J.；Kim，K.Thin Solid Films 2008，516（10），3152.doi：10.1016/j.tsf.2007.08.088

（7）Oey，C.C.；Djuri?i?，A.B.；Kwong，C.Y.；Cheung，C.H.；Chan，W.K.；Nunzi，J.M.；Chui，P.C.Thin Solid Films 2005，492（1-2），253.doi：10.1016/j.tsf.2005.07.118

（8）Sommer，J.R.；Farley，R.T.；Graham，K.R.；Yang，Y.； Reynolds，J.R.；Xue，J.；Schanze，K.S.ACS Applied Materials &Interfaces 2009，1（2），274.doi：10.1021/am800236x

（9）Tamilavan，V.；Sakthivel，P.；Li，Y.；Song，M.；Kim，C.H.；Jin，S.H.；Hyun，M.H.J.Polym.Sci.，Part A：Polym.Chem.2010，48（14），3169.doi：10.1002/pola.v48：14

（10）Chu，Z.Z.；Wang，D.；Zhang，C.；Zou，D.C.Acta Phys.-Chim. Sin.2012，28，2000.［初增澤，王丹，張超，鄒德春.物理化學學報，2012，28，2000.］doi：10.3866/PKU. WHXB201206071

（11）Zhang，X.；Hu，Q.；Lin，J.；Lei，Z.；Guo，X.；Xie，L.；Lai，W.；Huang，W.Appl.Phys.Lett.2013，103（15），153301.doi：10.1063/1.4824766

（12）Sevim，A.；Mutlu，S.Org.Electron.2009，10（1），18.doi：10.1016/j.orgel.2008.09.003

（13）Xu，J.H.；Yang，Y.J.；Jiang，Y.D.；Yu，S.J.Acta Phys.-Chim. Sin.2009，25，19.［徐建華，楊亞杰，蔣亞東，于軍勝.物理化學學報，2009，25，19.］doi：10.3866/PKU.WHXB20090104

（14）Zhou，Y.；Yuan，Y.；Lian，J.；Zhang，J.；Pang，H.；Cao，L.；Zhou，X.Chem.Phys.Lett.2006，427（4-6），394.doi：10.1016/j. cplett.2006.06.035

（15）Qin，L.F.；Hou，Y.B.；Shi，Q.M.；Jiang，J.S.；Gao，R.；Wang，Y. Chinese Journal of Luminescence 2008，29，41. ［秦麗芳，侯延冰，師全民，蔣婧思，高瑞，王琰.發(fā)光學報，2008，29，41.］

（16）Wang，G.；Tao，X.；Wang，R.Compos.Sci.Technol.2008，68 （14），2837.doi：10.1016/j.compscitech.2007.11.004

（17）Qian，L.；Xu，Z.；Teng，F(xiàn).；Duan，X.X.；Jin，Z.S.；Du，Z.L.；Li，F(xiàn).S.；Zheng，M.J.；Wang，Y.S.J.Nanopart.Res.2007，9（3），523.doi：10.1007/s11051-006-9119-0

（18）Li，S.S.；Tu，K.H.；Lin，C.C.；Chen，C.W.；Chhowalla，M.ACS Nano 2010，4（6），3169.doi：10.1021/nn100551j

（19）Lee，B.R.；Kim，J.W.；Kang，D.；Lee，D.W.；Ko，S.J.；Lee，H. J.；Lee，C.L.；Kim，J.Y.；Shin，H.S.；Song，M.H.ACS Nano 2012，6（4），2984.doi：10.1021/nn300280q

（20）Jiang，X.C.；Li，Y.Q.；Deng，Y.H.；Zhuo，Q.Q.；Lee，S.T.；Tang，J.X.Appl.Phys.Lett.2013，103（7），073305.doi：10.1063/1.4818820

（21）da Silva，W.J.；Yusoff，A.B.；Jang，J.IEEE Electron Device Lett.2013，34（12），1566.doi：10.1109/LED.2013.2284272

（22）Yu，J.C.；Jang，J.I.；Lee，B.R.；Lee，G.W.；Han，J.T.；Song，M.H.ACS Applied Materials&Interfaces 2014，6（3），2067.doi：10.1021/am4051487

（23）Marcano，D.C.；Kosynkin，D.V.；Berlin，J.M.；Sinitskii，A.；Sun，Z.Z.；Slesarev，A.；Alemany，L.B.；Lu，W.；Tour，J.M. ACS Nano 2010，4（8），4806.doi：10.1021/nn1006368

（24）Luo，Y.；Duan，Y.；Chen，P.；Zang，C.L.；Xie，Y.；Zhao，Y.；Liu，S.Y.Acta Phys.Sin.2012，61（14），147801.［駱楊，段羽，陳平，臧春亮，謝月，趙毅，劉式墉.物理學報，2012，61 （14），147801.］

（25）Bagui，A.；Iyer，S.S.K.Org.Electron.2014，15（7），1387.doi：10.1016/j.orgel.2014.03.042

（26）Khizar-ul-Haq；Khan，M.A.；Zhang，X.W.；Zhang，L.；Jiang，X. Y.；Zhang，Z.L.J.Non-Cryst.Solids 2010，356（20-22），1012.doi：10.1016/j.jnoncrysol.2010.01.023

（27）Wu，X.K.；Liu，J.；Wu，D.Q.；Zhao，Y.R.；Shi，X.D.；Wang，J.；Huang，S.J.；He，G.F.J.Mater.Chem.C 2014，2（20），4044. doi：10.1039/c4tc00305e

Effect of Graphene Oxide Doped PEDOT：PSS as a Hole lnjection Layer on the Luminescence Performance of Organic Light-Emitting Diodes

YANG Jun-Li1，2WU Cong-Ling1，2LI Yuan-Hao1，2LI Wan-Li1，2MIAO Yan-Qin1，2GUO Kun-Peng1，2，*LIU Hui-Hui1，2WANG Hua1，2，*WU Yong-An3
（1Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials of Ministry of Education，Taiyuan University of Technology，Taiyuan 030024，P.R.China；2Research Center of Advanced Materials Science and Technology，Taiyuan University of Technology，Taiyuan 030024，P.R.China；3Shanxi Guoguang Semiconductor Lighting Engineering Co.Ltd.，Taiyuan 030012，P.R.China）

We prepared organic light-emitting diodes（OLED）using graphene oxide（GO）doped poly（3，4-ethylenedioxythiophene）：poly（styrenesulfonate）（PEDOT：PSS）as a hole injection layer（HIL）.The PEDOT：PSS：GO HIL layer was prepared by mixing GO into a PEDOT：PSS aqueous solution and spin-coating onto indiumtin oxide（ITO）.The luminance of the ITO/PEDOT：PSS：GO（w）/NPB/Alq3/LiF/Al devices were investigated.High luminance and luminous efficiency at a low turn-on voltage were observed when using PEDOT：PSS：GO as the HIL layer in OLEDs.This can be attributed to its enhanced hole injection ability，conductivity and transparency compared to a PEDOT：PSS HIL layer based OLED.The optimized OLED containing PEDOT：PSS：GO（0.8%，mass fraction）composite HIL layer shows a transmission value of 96.8%，maximum luminance and luminous efficiency of 17939 cd·m-2（at 7.5 V）and 3.74 cd·A-1（at 5.5 V），respectively.These were 46.6%and 67.6% higher，respectively，compared to the reference OLED containing a PEDOT：PSS HIL layer.

September 29，2014；Revised：December 15，2014；Published on Web：December 17，2014.

Graphene oxide；PEDOT：PSS；Hole injection；Transparency；Conductivity；Organic light-emitting diode

?Editorial office ofActa Physico-Chimica Sinica

O649

10.3866/PKU.WHXB201412171

The project was supported by the National Natural Science Foundation of China（61307029，21101111），Shanxi Provincial Key Innovative Research

Team in Science and Technology，China（2012041011），International Science&Technology Cooperation Program of China（2012DFR50460），and

New Century Excellent Talents in University of Ministry of Education of China（NCET-13-0927）.

國家自然科學基金（61307029，21101111），山西省科技創(chuàng)新重點團隊（2012041011），科技部國際科技合作專項項目（2012DFR50460）和教育部新

世紀人才計劃（NCET-13-0927）資助項目