空穴
- 單粒子輻射導致的VDMOS 體二極管反向I-V 曲線蠕變現(xiàn)象研究
基于界面態(tài)、中性空穴陷阱[21-22],包括空穴激發(fā)、多能級空穴躍遷和俘獲[23-24]、能帶隧穿過程的空穴遷移模型,通過漏極應力實驗和溫度實驗說明了模型的合理性。1 蠕變現(xiàn)象1.1 器件結構和輻照實驗VDMOS 器件結構和工藝由作者所在團隊自主設計,并通過國內6 寸代工平臺采用平面工藝制造,器件剖面結構示意圖如圖1 所示。VDMOS 制造采用后柵氧工藝,首先使用掩膜版通過離子注入和高溫退火分別形成P-body 和N+源區(qū),而后低溫(圖1 VDMOS 器件
電子元件與材料 2022年10期2022-12-03
- 卟啉類自組裝單體的量化計算篩選
受到光誘導電子-空穴對快速復合的限制[41-43]。2018年，ZHANG等[44]報道了一種全光譜響應的純卟啉自組裝超分子光催化劑，該催化劑第一次在不使用助催化劑的條件下全解水，且降解有機污染物的性能是傳統(tǒng)有機光催化劑g-C3N4的10倍。該催化劑高效的光催化還原和氧化能力，得益于自組裝單體分子偶極矩和超分子納米晶體結構所造成的強大內建電場。目前實驗上主要通過構建異質結[45-46]或雙組分自組裝的方法[47]來提高卟啉基光催化劑性能。相比于這2種方法，
紡織高校基礎科學學報 2022年3期2022-11-12
- 調節(jié)閥內瞬態(tài)空化壓力脈動特性分析
理論推導，研究了空穴體積變化與空穴周圍壓力值的數(shù)量關系。Wang等[11-12]采用試驗與數(shù)值模擬相結合，研究了收斂-擴散通道內空泡脫落、潰滅過程，對反射流以及激波機制下的空泡變化過程并進行分析。陳廣豪[13]對收縮-擴展流道內附著型空穴的瞬態(tài)變化過程進行試驗和仿真分析，并對其壓力脈動特性進行了研究。張孝石通過多場同步測量試驗，研究了水下航行體肩部空泡形態(tài)變化與速度、渦的關系，進一步揭示了其近壁面壓力脈動特性。Zhu等[14]通過對變壓比風洞試驗中的液氮文
振動與沖擊 2022年19期2022-10-17
- 具有M形空穴阻擋層結構的AlGaN基深紫外激光二極管性能優(yōu)化
光二極管仍面臨著空穴濃度小、電子泄漏與空穴泄露嚴重、輻射復合率不高等問題[11,12]。為了解決以上問題,優(yōu)化深紫外激光二極管的性能,大部分研究針對電子阻擋層[13]、量子阱[14,15]、量子勢壘[16]、包覆層[17]、波導層[18]等結構進行優(yōu)化。而目前在深紫外激光二極管(DUV-LD)的空穴阻擋層(HBL)方面的研究相對較少。在深紫外激光二極管的工作過程中,進入量子阱內的載流子濃度越大,發(fā)生復合的概率越高[19]。高鋁組分AlGaN的p型摻雜激活能
量子電子學報 2022年4期2022-08-22
- 埋地聚乙烯管線外部土壤空穴的微波無損定量檢測
管線外部土壤產(chǎn)生空穴，該空穴是導致管線位置偏移、管體局部應力集中、管壁變形等損傷的因素之一，嚴重危害PE管線的結構完整性。因此，及時發(fā)現(xiàn)PE管線外部土壤空穴并對其進行無損定量評估，對保證PE管線完整性、安全性，防止油、氣、水泄露等安全事故的發(fā)生非常重要。目前針對埋地管線的主要無損檢測方法有渦流檢測、超聲檢測、紅外檢測等，但這些方法均不能有效地用于PE管線外部土壤空穴的定量檢測，其主要原因在于：① 渦流檢測適用于金屬材料檢測，而聚乙烯是非金屬材料，故無法成功
無損檢測 2022年5期2022-07-19
- 收縮擴張管內液氮空化流動演化過程試驗研究1)
動參數(shù),進而改變空穴結構、脫落和潰滅等空化行為[15-17].因此,揭示低溫介質非定常空化流動的演化過程,對液體火箭發(fā)動機可靠性提升具有十分重要的意義[18-19].試驗研究一直是推動認識空化流動機理的主要方式.由于低溫介質對試驗裝置的耐低溫、密封等性能要求高,對低溫介質開展可視化觀測遠比常溫水困難,同樣具有空化熱力學效應的制冷劑、高溫水等作為代替介質被大多數(shù)學者采用.早在1961 年,Sarosdy 和Acosta[20]通過試驗直觀研究了水和R113
力學學報 2022年5期2022-06-16
- 有機發(fā)光二極管空穴傳輸層探究
結構層中包括了：空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)[1].OLED的發(fā)光原理為：在外加電壓的驅動下，空穴和電子分別從正極和負極注入到有機材料中，空穴與電子在發(fā)光層中相遇、復合，釋放出能量，將能量傳遞給有機發(fā)光物質的分子，使其從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)很不穩(wěn)定，受激分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，輻射躍遷而產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍RGB三原色，構成基本色彩[1，2].1 有機發(fā)光二極管(OLED)空穴傳輸層NPB1.1 空穴傳輸
呂梁學院學報 2022年2期2022-04-29
- 螺芴類空穴傳輸材料的電荷傳輸性質研究
5.2%[4]。空穴傳輸材料(HTMs)作為鈣鈦礦太陽能電池的關鍵材料，在空穴傳輸及電荷分離方面發(fā)揮著重要作用。優(yōu)良的HTMs 不僅可以保證有效的電荷傳輸而且還可減少電荷復合，改善電池的穩(wěn)定性。理想的HTMs應該滿足如下要求[5]：(1)合成成本低廉；(2)合適的最高占據(jù)分子軌道(the highest occupied molecular orbital， HOMO)和最低未占據(jù)分子軌道(the lowest unoccupied molecular o
人工晶體學報 2021年11期2021-12-15
- 近加熱壁面的雙空穴對顆粒堆傳熱性能的影響
。前人主要針對無空穴顆粒堆開展了較為系統(tǒng)的探索，但是由于顆粒的流動性能差，在顆粒堆中常出現(xiàn)空穴，特別是臨近加熱壁面區(qū)域，空穴的存在對顆粒堆加熱過程的影響需系統(tǒng)探究。張仲彬等[17]通過VOF和凝固熔化模型探究了空穴對相變膠囊蓄熱的影響，發(fā)現(xiàn)空穴的存在使蓄熱過程變緩。YANG等[18]探究了隨機性空穴對多孔結構傳熱性能的影響，研究表明隨機性對努塞爾數(shù)有顯著影響。SOLOMON等[19]重點研究了內部空隙位置對傳熱特性的影響；BADRUDDIN等[20]認為多
廣西大學學報（自然科學版） 2021年4期2021-11-08
- 噴油嘴內部空穴流動試驗研究
受到噴油嘴噴孔內空穴流動的影響， 因此研究噴油嘴噴孔內空穴流動有其重要性和必要性?？梢暬椒ㄊ茄芯繃娪妥靽娍變炔?span id="j5i0abt0b" class="hl">空穴流動的有效方法，但是由于噴油嘴噴孔尺寸非常小，加工真實尺寸的透明噴油嘴難度非常大，同時因透明材料強度低，試驗噴射壓力將無法達到實際噴油壓力。根據(jù)流體力學相似理論設計出來的比例放大噴油嘴，可以在反映噴油嘴細微結構的同時比擬出工作噴射壓力，已經(jīng)成為噴油嘴可視化研究非常有效的手段[5-7]。本研究通過搭建的透明噴油嘴空穴流動可視化試驗臺，采用高速數(shù)
車用發(fā)動機 2021年5期2021-10-31
- 有機空穴傳輸材料在鈣鈦礦太陽能電池中的應用進展
潛力的光伏技術，空穴傳輸材料作為鈣鈦礦太陽能電池的重要組成部分之一，也經(jīng)歷了飛速的發(fā)展。本文介紹了鈣鈦礦太陽能電池的結構及工作原理，并對用于高性能鈣鈦礦太陽能電池中的空穴傳輸材料進行了綜述。1 鈣鈦礦太陽能電池的結構及工作原理鈣鈦礦太陽能電池為多層結構，主要由透明導電電極（如氟摻雜氧化錫（FTO）或氧化銦錫）、電子傳輸層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層、金屬電極（如Au，Ag等）組成。常見的鈣鈦礦電池結構主要有介孔n-i-p結構、平面n-i-p結構及平面p-i-n結
石油化工 2021年9期2021-10-18
- 基于MoOx選擇性接觸的SHJ太陽電池研究進展
選擇性接觸。其中空穴選擇性接觸輸運空穴阻擋電子，而電子選擇性接觸輸運電子阻擋空穴[1]。鈍化半導體表面缺陷保證了光生載流子在復合之前能夠輸運接觸。高效的載流子選擇性接觸和優(yōu)異的表面鈍化性能是太陽電池取得高的光電轉換效率的兩個關鍵因素[2]?；诜蔷Ч璞∧さ墓璁愘|結(silicon heterojunction，SHJ)太陽電池是高效硅太陽電池的典型代表，其器件結構中的本征非晶硅薄膜有效鈍化晶體硅(c-Si)表面，摻雜非晶硅薄膜充當載流子選擇性接觸，使得電池
電源技術 2021年7期2021-07-29
- 基于WO3作為空穴注入層的量子點發(fā)光二極管的構筑
O3[9]被用作空穴注入層材料，以取代PEDOT:PSS。例如，CHEN課題組[10]應用V2O5作為空穴注入層，最大電流效率(CA)為10.91 cd·A-1，峰值外量子效率(EQE)為7.25%。此外，通過用無機五氧化二釩取代有機PEDOT:PSS，QLEDs的穩(wěn)定性/壽命大大提高。YANG等[11]報道，基于WO3的QLEDs顯示出優(yōu)異的器件性能，峰值亮度為21 300 cd·m-2，最大電流效率為4.4 cd·A-1，更重要的是該器件的穩(wěn)定性有顯著
化學研究 2021年3期2021-07-22
- 導熱系數(shù)對含空穴橢球形顆粒堆傳熱性能影響
在顆粒堆內部形成空穴，即顆粒缺失現(xiàn)象，這將對一次換熱的余熱回收效率帶來不利影響。針對固體顆粒余熱回收過程，學者們已經(jīng)進行了許多探索。卜昌盛等[8]研究了固定床內顆粒粒徑、顆粒比熱容、顆粒熱導率等參數(shù)對固定床有效傳熱系數(shù)的影響。鄒立臣等[9]研究了導熱系數(shù)和比熱容等煅后焦余熱回收的影響。BU等[10]研究了顆粒間接觸方式(面接觸、短圓柱接觸和間隙接觸)對有序堆積床內流動換熱的影響。顧永敏等[11]研究了陶瓷顆粒體系中傳熱系數(shù)的確定方法。趙強等[12]研究了煅
廣西大學學報（自然科學版） 2021年2期2021-07-19
- 基于鐵鎳基材引出端可焊性空穴問題研究
可焊性試驗后出現(xiàn)空穴現(xiàn)象。使用破壞性物理分析（DPA）后，可見該區(qū)域出現(xiàn)電鍍錫鉛鍍層局部剝離，電鍍鎳層完好，基材未見異常。采用純水超聲波對鍍后引出端進行超聲波清洗，發(fā)現(xiàn)形態(tài)相似的空穴現(xiàn)象；對原鐵鎳基材進行超聲清洗，出現(xiàn)形態(tài)相似的空穴現(xiàn)象。其與鐵鎳基材加工過程局部引入雜質及再結晶織構存在局部疏松有關。通過對基材增加超聲波清洗可使異常區(qū)域提前暴露，在后續(xù)框架電鍍鎳時，鎳離子填充異常區(qū)域，確保基材與電鍍鎳層及電鍍錫鉛層間結合良好，從而有效改善引出端質量。關鍵詞：
電子產(chǎn)品世界 2021年6期2021-02-10
- 基于Gurson 模型的船用金屬單向拉伸斷裂分析
型[1]分析單一空穴情況，假設材料中的微型空穴為球形空穴，進而對材料的塑性變形和斷裂過程進行研究；同時，提出材料的屈服函數(shù)，該函數(shù)包含空穴的體積分數(shù)、等效應力、靜水應力和母材的屈服應力等參數(shù)。TVERGAARD[2]對Gurson 模型進行修正和完善，考慮材料加工硬化和剪切變形等情況，提出了G-T損傷模型，其屈服函數(shù)包含的參數(shù)有宏觀Von Mises 等效應力、宏觀靜水應力和母材的屈服應力等；同時，對數(shù)值計算結果和試驗測量數(shù)據(jù)進行了對比驗證，并對G-T 損
船舶與海洋工程 2020年4期2020-09-12
- 大直徑直拉單晶硅片退火前后工藝的研究
殘余應力;空位;空穴;缺陷引言大直徑的直拉單晶硅高溫退火，在國外，一般采取的方式是在拉直單晶硅后不出單晶爐，直接進行高溫退火，這就是所謂的爐內高溫退火的直拉大直徑單晶硅;而在國內，對待大直徑的直拉單晶硅采取的方式均以單晶硅片的形式來進行高溫退火。一般直徑超過300mm，厚度超過50mm的直拉單晶硅片對高溫退火要求是相當嚴格的，在高溫退火過程中極容易出現(xiàn)炸裂的現(xiàn)象，同時也會有顯示不出來真實的電阻率值的現(xiàn)象。本文只針對大直徑直拉單晶硅片，在高溫退火過程中提出最
科學導報·學術 2020年70期2020-06-21
- 基于P3HT空穴傳輸層的碳基無機CsPbIBr2鈣鈦礦太陽電池
MeTAD）作為空穴傳輸層和金電極，這與其成本效應（cost effective）的特點是不相符合的。因此，基于低成本碳電極的無空穴傳輸層CsPbIBr2太陽電池受到了更多的青睞，但其較低的開路電壓和填充因子是限制效率提升的主要原因。本文選用了更低成本的3-己基聚噻吩（P3HT）［19］空穴傳輸材料制備了碳基CsPbIBr2鈣鈦礦太陽電池。測試結果表明，相比無空穴傳輸層的碳基參考器件，P3HT的引入提高了電池的內建電勢，改善了載流子輸運，減少了載流子復合，
上海航天 2020年2期2020-04-27
- 具有PEDOT∶PSS/HAT-CN雙空穴注入層的高效柔性OLED器件
度低、電阻率高，空穴注入能力弱[10]；同時薄膜沉積具有一定的保形性，粗糙的襯底導致陽極會呈現(xiàn)出凹凸不平的狀態(tài)，容易出現(xiàn)器件短路的問題，從而造成不可挽回的損壞。OLED屬于雙載流子注入型器件，增強載流子的注入能力、促進載流子的注入平衡是提高OLED性能的關鍵所在。在陽極與空穴傳輸層之間引入空穴注入層作為緩沖層，是修飾平滑陽極、增強陽極與空穴傳輸層之間的功函數(shù)匹配度，提升柔性OLED陽極端的空穴注入能力、促進器件內部載流子平衡的一種重要手段。聚(3，4-亞乙
液晶與顯示 2020年2期2020-04-07
- spiro-OMeTAD類鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸材料性能研究*
eTAD，1）為空穴傳輸材料的全固態(tài)鈣鈦礦太陽電池（PSCs）的光伏電池效率（PCE）達到了9.7%，器件的效率和穩(wěn)定性都得到了極大地提升；Ahn等[2]通過將1作為空穴傳輸材料優(yōu)化后的太陽電池PCE達到了19.7%，目前，其認證效率已達25.2%[3]。雖然1已成為鈣鈦礦太陽電池中最為常用的空穴傳輸材料并展現(xiàn)了良好的性能，但其合成條件苛刻和純化困難導致了很高的成本，因此，設計和合成更加經(jīng)濟高效的空穴傳輸材料是鈣鈦礦太陽電池走向商業(yè)化的關鍵一步。除了1外，
化學工程師 2020年1期2020-03-10
- Pd/g-C3N4 光催化還原對硝基苯胺性能研究
2在厭氧條件下及空穴清除劑的作用下有效地光還原為對苯二胺（PPD），然而，TiO2只能響應紫外光的事實不利于其應用。氮化碳是一種具有優(yōu)異可見光吸收的新型光催化劑，Pd 催化劑在催化加氫反應中表現(xiàn)出優(yōu)異的催化加氫活性。因此本文采用化學還原法制備Pd/g-C3N4催化劑，考查N2、空穴捕獲劑種類、溶劑種類等對光催化還原對硝基苯胺的影響。1 實驗部分1.1 儀器與試劑JEM-2100F 型透射電鏡（TEM）（日本電子公司）；X’Pert PRO MPD 型X 射
安徽化工 2019年5期2019-11-13
- C60與MoO3混合材料做空穴注入層的單層有機電致發(fā)光器件
常是結構為陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極的有機電致發(fā)光器件2,4-6。為了獲得高性能的單層器件，關鍵的因素在于(i)實現(xiàn)電荷載流子的注入以及傳輸平衡，(ii)阻擋電荷以提高電子-空穴復合，(iii)阻擋激子猝滅以促進輻射衰減7。在多層器件中可以通過調節(jié)各個功能層及其厚度可以獲得平衡的載流子，同時也能將發(fā)光激子限制在發(fā)光層內。在磷光OLED中，常用有機材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(5.6-6.3 eV)8-11遠高于氧化銦錫(ITO)電
物理化學學報 2019年8期2019-09-03
- 鈣鈦礦太陽能電池研究進展
作機理及各種新型空穴傳輸材料（Hole transporting materials，HTMs） 在鈣鈦礦太陽能電池中的應用，并探討了鈣鈦礦太陽能電池未來的發(fā)展方向及應用前景。1 鈣鈦礦太陽能電池的結構鈣鈦礦太陽能電池的基本結構由襯底材料、導電玻璃、電子傳輸層、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層和對電極等幾個部分組成。鈣鈦礦器件結構通?？梢苑譃閮煞N，一種是介觀結構，另一種是平面異質結構。介觀結構的PSCs是在染料敏化太陽能電池（DSSCs）的基礎上發(fā)展起來的，和DS
云南化工 2019年3期2019-05-28
- 以硫氰酸亞銅作為空穴注入層的鈣鈦礦發(fā)光器件
TO)透明陽極、空穴注入/傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光層、電子傳輸/注入層和金屬陰極構成。其中，空穴注入/傳輸層應與鈣鈦礦發(fā)光層形成良好接觸，能夠有效注入空穴并阻擋電子流出器件。目前在鈣鈦礦發(fā)光器件中普遍采用的空穴注入/傳輸層是聚(3,4-乙烯二氧噻吩)- 聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonate，PEDOT∶PSS)。PEDOT∶PSS能夠平滑ITO透明電極表面，降低器件漏電流。另外
發(fā)光學報 2019年4期2019-05-13
- InAs/GaSb量子阱中太赫茲光電導特性?
b層中會形成二維空穴氣,并且二維電子氣和二維空穴氣在空間上是分離的,電子和空穴的能帶有交疊,這使得該量子阱系統(tǒng)有望在太赫茲器件中取得重要應用.基于InAs/GaSb的二類量子阱結構自1983年由Altarelli理論提出[5],并于1987年首次在實驗上制備成功之后[6],由于其獨特的能帶結構引起了人們極大的研究興趣.更重要的是該量子阱系統(tǒng)具有響應波段寬且精確可控、工作溫度高、載流子壽命長、暗電流低和均勻性好等優(yōu)點,使其在長波、多色以及非制冷紅外焦平面陣列
物理學報 2018年18期2018-10-26
- 空穴傳輸層影響鈣鈦礦電池穩(wěn)定性研究
來學界逐漸認識到空穴傳輸層對電池穩(wěn)定性（主要是電池效率的穩(wěn)定）有重要影響[4].究其原因，這與空穴傳輸層能否有效隔離空氣中濕氣對光吸收層鈣鈦礦材料的侵蝕有關.2 空穴傳輸層影響鈣鈦礦電池穩(wěn)定性的研究進展根據(jù)文獻結果，當前空穴傳輸層影響鈣鈦礦電池穩(wěn)定性的研究，主要集中在以下三方面內容.2.1 使用新的空穴傳輸材料在正置結構鈣鈦礦電池中，Spiro-OMeTAD是使用最為廣泛的空穴傳輸材料.作為p型半導體材料，Spiro-OMeTAD具有一般有機小分子材料共同
赤峰學院學報·自然科學版 2018年7期2018-08-11
- 氮化鎵基綠光LED中V坑對空穴電流分布的影響
Jp分別是電子和空穴電流密度，n和p分別是電子和空穴濃度，q是電荷，t是時間，Gn和Gp分別是電子和空穴產(chǎn)生率，Rn和Rp分別是電子和空穴復合率。μn和μp分別是電子和空穴遷移率，Dn和Dp分別是電子和空穴擴散系數(shù)。利用 Fiorentini 等[22]發(fā)展的方法計算由于自發(fā)極化效應和壓電極化效應導致的界面極化電荷?？紤]到缺陷等因素對極化電荷的屏蔽效應，實際的表面電荷密度一般為理論值的20%～80%[23-24]，本文中表面電荷密度采用理論值的50%進行計
發(fā)光學報 2018年5期2018-05-31
- 圍柵硅納米線MOSFET器件的仿真研究
能帶結構復雜，而空穴的有效質量、輸運特性、狀態(tài)分布在很大程度上依賴于此，所以對于P型GAA-MOSFET的研究仿真此前還沒有實現(xiàn)過。本文將利用Silvaco TCAD Atlas仿真系統(tǒng)的數(shù)值計算功能對P型GAA-MOSFET的特性進行仿真研究，探討不同條件下P型GAA-MOSFET的特性。2 模型與基本理論2.1 GAA-MOSFET結構模型GAA-MOSFET的整體結構如圖1中的立體示意圖(a)所示：外圈部分是柵極，它將溝道部分完全包裹??；柱型溝道的兩
微處理機 2018年2期2018-05-09
- 新物質狀態(tài)終獲證實
及其逃逸后留下的空穴組成。伊利諾伊大學工程學院的研究團隊在一系列新實驗中分析了過渡金屬二硒化鈦的非摻雜晶體，并用不同晶體重復了5次實驗，均取得了相同的結果。研究人員稱，他們在實驗中觀察到了該物質及其前驅階段，這能夠有力證明該物質狀態(tài)確實存在。當電子受到激發(fā)而“躍遷”時，會留下一個空穴，而這個空穴會有和帶正電荷的粒子相同的表現(xiàn)。由于帶正電荷，該空穴會吸引電子，兩者配對構成復合粒子，即一種玻色子，被稱為激子。自從“Excitonium”這個詞由哈佛大學理論物理
飛碟探索 2018年1期2018-02-08
- 專利文獻中公開的OLED輔助材料技術綜述1：空穴傳輸材料
材料技術綜述1：空穴傳輸材料馮姝雯，邱曉偉，姜 雪，安玲玲，彭英桂，馮 媛，李 磊，郝 鵬(國家知識產(chǎn)權局專利局專利審查協(xié)作北京中心化學部，北京100081)空穴傳輸材料是OLED器件的重要輔助材料。本文對專利文獻中公開的可用于OLED的空穴傳輸材料進行綜述，以期為該領域的相關技術研究和實際應用提供一定的參考依據(jù)。OLED；空穴傳輸材料；載流子傳輸；輔助材料OLED由于其在顯示和照明方面潛在的應用價值而受到廣泛關注[1-3]。用于OLED的材料包括發(fā)光材料
山東化工 2017年16期2017-09-26
- 氧空穴導致二氧化釩低溫相帶隙變窄?
210093)氧空穴導致二氧化釩低溫相帶隙變窄?顧艷妮1)2) 吳小山2)?1)(江蘇科技大學張家港校區(qū),張家港 215600)2)(南京大學物理學院,固體微結構國家實驗室,南京 210093)(2017年1月16日收到;2017年6月11日收到修改稿)具有一定能量的光照導致低溫絕緣二氧化釩(VO2)發(fā)生絕緣體金屬轉變.本文通過密度泛函理論的Heyd-Scuseria-Ernzerhof雜化泛函方法對含氧空穴的低溫絕緣VO2非磁M1相進行第一性原理研究.研
物理學報 2017年16期2017-09-07
- 多空穴錯位分布對石墨納米帶中熱輸運的影響?
425100)多空穴錯位分布對石墨納米帶中熱輸運的影響?周欣1)高仁斌1)譚仕華1)彭小芳1)?蔣湘濤2)?包本剛3)1)(中南林業(yè)科技大學理學院,長沙 410004)2)(中南林業(yè)科技大學計算機與信息工程學院,長沙 410004)3)(湖南科技學院教務處,永州 425100)(2017年2月22日收到;2017年3月31日收到修改稿)利用非平衡格林函數(shù)方法研究了石墨納米帶中三空穴錯位分布對熱輸運性質的影響.研究結果發(fā)現(xiàn):三空穴豎直并排結構對低頻聲子的散射
物理學報 2017年12期2017-08-07
- InAs/AlSb/GaSb量子阱中的雙色光吸收
層，以減少電子和空穴在界面處的復合，從而抑制由于電子和空穴復合引起的噪聲。首先應用轉移矩陣方法求解薛定諤方程得到量子阱中電子和空穴的能級和波函數(shù)，研究AlSb夾層對電子和空穴波函數(shù)的影響。應用平衡方程方法求解外加光場條件下的玻爾茲曼方程，研究所有電子和空穴躍遷通道對光吸收系數(shù)的貢獻，重點研究了AlSb夾層厚度對光吸收系數(shù)的影響。結果表明：基于InAs/GaSb的量子阱體系可以實現(xiàn)雙色光吸收，加入AlSb夾層可以有效抑制電子和空穴在界面處的隧穿，從而降低復合
發(fā)光學報 2017年7期2017-07-05
- 學習大學物理課程中關于對正電子的理解
拉克方程；湮滅；空穴1.引言正電子的理論預言和實驗發(fā)現(xiàn)揭開了反粒子的發(fā)現(xiàn)之幕，這也無疑是近代物理界的極為重要的和極其有意義的發(fā)現(xiàn)，它的發(fā)現(xiàn)標志著我們對物質的內涵有了更進一步的理解，尤其是對基本粒子的認識進一步加深。構成物質的基本粒子是既不能產(chǎn)生，也不會湮滅，如電子，我們通常的電子都是指帶負電，而且規(guī)定電子所帶的電量大小為單位電量，直到正電子的發(fā)現(xiàn)，對基本粒子的認識翻開了新的一頁?，F(xiàn)如今，我們發(fā)現(xiàn)在一定條件下，正、負電子可以相互轉化，成對的產(chǎn)生或者湮滅。我們
文理導航 2017年14期2017-05-16
- 氧化鋅作為電子傳輸層的量子點發(fā)光二極管
效率特性，研究了空穴傳輸層厚度對QLED器件性能的影響。實驗結果表明，當空穴傳輸層厚度為40 nm時，器件的開啟電壓為1.7 V，最大發(fā)光效率為1.18 cd/A。在9 V電壓下，器件最大亮度達到5 225 cd/m2，遠優(yōu)于其他厚度的器件。實驗結果與仿真結果基本吻合。量子點發(fā)光二極管； 隧穿注入； 空間電荷限制電流； 電流密度； 亮度； 電流效率1 引 言量子點發(fā)光二極管(QLED)相對于傳統(tǒng)的有機發(fā)光二極管(OLED)來說，具有發(fā)光光譜窄、色純度和量子
發(fā)光學報 2017年4期2017-04-12
- 美國發(fā)現(xiàn)金屬合金新配方 抗輻射能力提升百倍
”走金屬原子留下空穴，輻射粒子在晶體內快速穿梭，而空穴移動較慢，大量空穴逐漸合并后尺寸越來越大，會使金屬外殼膨脹變形。密歇根大學的研究人員采用美國橡樹嶺國家實驗室提供的各種金屬含量大致相同的鎳鈷鐵和鎳鈷鐵鉻鎂合金，將其暴露在能夠造成二級傷害的輻射環(huán)境和500℃高溫下。研究人員發(fā)現(xiàn)，合金內不同大小的金屬原子會相互碰撞，輻射粒子因此不能快速行進，與空穴很容易相遇并填補空穴，使空穴不能聚合成更大尺寸。這類合金能夠在高溫下變軟、低溫下變硬，是理想的耐輻射材料。透射
軍民兩用技術與產(chǎn)品 2017年1期2017-03-31
- 柴油機縫隙式噴油器嘴內空穴流動的模擬分析
縫隙式噴油器嘴內空穴流動的模擬分析勞賀李育學 （中國人民解放軍63707部隊江蘇江陰214431）利用FIRE混合多相流模型，模擬了柴油機縫隙式噴油嘴高壓噴射時嘴內的空穴流動現(xiàn)象，分析了空穴在噴油嘴內分布情況?；谶@一模型進一步分析了噴射壓力和噴孔長寬比等參數(shù)對噴孔內空穴分布的影響。通過模擬計算可知，提高縫隙式噴嘴噴射壓力可以提高空穴強度，其完全空穴主要由上壁面空穴流產(chǎn)生，同時也發(fā)現(xiàn)較圓孔式噴嘴其空穴流強度更大，但空穴在噴孔出口截面上不及圓孔式分布均勻。從
小型內燃機與車輛技術 2016年4期2016-10-21
- 有機空穴傳輸材料在鈣鈦礦太陽電池中的應用
02206）有機空穴傳輸材料在鈣鈦礦太陽電池中的應用劉雪朋1，2孔凡太1，*陳汪超1，2于婷1，2郭福領1陳健1戴松元3，1，*（1中國科學院合肥物質科學研究院應用技術研究所，新型薄膜太陽電池重點實驗室，合肥230031；2中國科學技術大學，合肥230026；3華北電力大學，新型薄膜太陽電池北京市重點實驗室，北京102206）有機-無機雜化鈣鈦礦太陽電池（PSCs）由于其諸多優(yōu)點得到廣泛關注，而有機固態(tài)空穴傳輸材料（HTMs）代替液體電解質使其得到飛速的發(fā)
物理化學學報 2016年6期2016-09-09
- 引氣槽減阻特性的數(shù)值研究
拱度增大了斷級后空穴的范圍，減少了航行中的摩擦阻力；引氣槽在Fr≥4.93的航速下有著較好的減阻效果，最大減阻收益為5.9%。降低引氣槽拱度后，空穴范圍變小，阻力性能變差；而增大引氣槽拱度在容積弗勞德數(shù)從4.04到4.93時阻力有所降低，但空穴范圍仍較原模型要小。關鍵詞：引氣槽；三體滑行艇；數(shù)值模擬；拱度；空穴；減阻三體滑行艇是一種特殊的滑行艇艇型，其艇體由一個寬大的主艇體和兩個細長的側片體所構成，主艇體與片體所共同圍成的部分為槽道；與常規(guī)滑行艇不同的是，
哈爾濱工程大學學報 2016年2期2016-04-25
- 磁場下橢圓形量子線中電子與空穴的基態(tài)能量
形量子線中電子與空穴的基態(tài)能量段秀芝1，王廣新2，常春蕊2(1.華北理工大學 輕工學院，河北 唐山063000；2.華北理工大學 理學院，河北 唐山063000)摘要：采用單電子近似方法求解薛定諤方程，研究了橢圓形量子線中電子和空穴的基態(tài)能量及其受磁場的影響.詳細描述了能量哈密頓算符在原子單位與國際單位之間的換算及處理粒子有效質量失配及空穴有效質量各向異性的一種方法，數(shù)值結果表明，磁場的約束使得粒子的基態(tài)能量增加，粒子的基態(tài)能量隨著橢圓坐標中的參數(shù)的增大而
河北大學學報（自然科學版） 2015年5期2016-01-11
- 柴油溫度對噴孔內流動特性影響的仿真分析
、有效噴射速度、空穴斷面分布與無量綱流動參數(shù),并進行分析.結果表明：溫度越高,背壓越低,更容易進入臨界超空穴狀態(tài)；在進入超空穴狀態(tài)之后,噴孔內的超空穴現(xiàn)象加劇有效噴射速度的升高,并且隨著燃油溫度上升,有效速度增加了6%；雷諾數(shù)隨溫度上升而上升,空穴數(shù)隨著雷諾數(shù)的增加而呈指數(shù)下降,而流量系數(shù)在空穴發(fā)展階段維持不變.燃油溫度；空穴；噴孔孔內流動；數(shù)值模擬現(xiàn)代柴油發(fā)動機多配備高壓共軌噴射系統(tǒng).柴油通過噴油器的噴孔直接向缸內噴射,實現(xiàn)更好的排放性能.而高壓共軌系統(tǒng)
浙江大學學報（工學版） 2015年5期2015-10-24
- 基于載流子平衡的效率及亮度提高的有機藍光器件
D器件中，電子和空穴分別從陰極和陽極注入，然后傳輸?shù)桨l(fā)光層中通過輻射復合的形式進行發(fā)光［9］。電荷的注入及載流子的復合是一個很重要的過程，可以通過這個過程控制器件的電學性能及發(fā)光效率［10］。載流子平衡一直以來都被作為研究重點，對效率的改善起到很大的作用［11］。我們對傳統(tǒng)器件(ITO/NPB(40 nm)/mCP∶10%FIrpic(20 nm)/Bphen(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)和ITO/NPB(30 nm)/TcTa(
發(fā)光學報 2015年8期2015-07-25
- Xe26 +入射Au 靶離子L 殼層空穴的產(chǎn)生與退激輻射
過程，原子內殼層空穴主要由離子核直接庫侖電離產(chǎn)生，且往往只發(fā)生內殼層電子的單電離情形不同，重離子(如Arq+、Xeq+、Euq+等)與重元素原子碰撞過程，不僅可導致靶原子產(chǎn)生內殼層空穴，也可使本無內殼層空穴的離子產(chǎn)生相應空穴，而且產(chǎn)生的空穴多，其空穴的退激輻射過程比單空穴復雜［2，3］. 原子或離子多空穴退激輻射的X 射線譜會出現(xiàn)許多復雜的伴線，射線峰發(fā)生能移與增寬效應，空穴的躍遷幾率與熒光產(chǎn)額也會發(fā)生變化，進而導致射線產(chǎn)額與分支比的變化［5-6］. 目前
原子與分子物理學報 2015年1期2015-07-13
- 不同跌坎體型對摻氣減蝕的影響試驗研究
壓力分布，以提高空穴數(shù)，進而達到減輕或消除空蝕破壞的目的，而在邊坡位置設置跌坎進行人工強迫摻氣正是一種可行的選擇。本文針對德黨河水庫泄洪洞出閘水流可能發(fā)生的空化空蝕現(xiàn)象，通過模型試驗研究，分別測試了0 m×0 m、0.14 m×0.14 m、0.28 m×0.28 m、0.42 m×0.42 m、0.56 m×0.56 m等不同跌坎斷面尺寸對下游泄槽臨底壓力與流速分布及空穴數(shù)變化的影響。成果表明：隨著跌坎斷面尺寸的逐漸增大，測點空穴數(shù)變化明顯，當?shù)渤叽绯?/div>
中國水利水電科學研究院學報 2015年6期2015-05-25
- 全空穴模型中柴油非冷凝氣質量分數(shù)的選取
?·設計計算·全空穴模型中柴油非冷凝氣質量分數(shù)的選取李強1，魏建勤2(1.桂林航天工業(yè)學院汽車工程系，廣西 桂林 541004； 2.浙江大學能源系，浙江 杭州 310027)針對廣泛用于柴油噴孔內雙相流計算的全空穴模型，提出了一個柴油非冷凝氣質量分數(shù)與噴射壓力和背壓壓差之間的冪函數(shù)關系式，冪函數(shù)的指數(shù)大小由與空穴剛剛產(chǎn)生和空穴已發(fā)展到柴油噴孔出口這兩種狀態(tài)相對應的非冷凝氣質量分數(shù)確定。使用這個冪函數(shù)關系式計算了不同噴射壓力下柴油的非冷凝氣質量分數(shù)，然后使車用發(fā)動機 2015年2期2015-04-25
- 柴油機雙層多孔噴油嘴瞬態(tài)流動特性
嘴微小噴孔內復雜空穴湍流流動特性乃至這種復雜的湍流流動對噴霧的影響開展研究.由于真實噴油嘴結構復雜且噴孔內部流動空間非常小，燃油又以極高的壓力和速度流過噴孔，且噴孔內湍流流動強度很高，因此試驗觀察和測量其內部流動狀態(tài)非常困難，部分學者采用比例放大的透明噴油嘴來研究噴嘴內部空穴流動［4-5］.而燃油噴射持續(xù)期非常短，只有幾毫秒，通過試驗獲得噴油嘴內部瞬態(tài)空穴流動特性較難，隨著計算機技術的發(fā)展，計算流體動力學(CFD)方法成為研究噴油嘴內瞬態(tài)流動有效的方法，而江蘇大學學報（自然科學版） 2015年4期2015-02-21
- 頭型對回轉體非定?？栈鲃犹匦杂绊懙膶嶒炑芯?/a>
頭型軸對稱體附著空穴內的水氣阻抗測量發(fā)現(xiàn)了空泡體積的脈動規(guī)律。Rouse H 等[2]通過實驗的研究得到了不同頭型的回轉體表面壓力分布情況。May[3]研究了自然及通氣空化狀態(tài)下的回轉體的動力脈動特性及特征頻率與空泡形態(tài)之間的關系。Lindau等[4]通過數(shù)值計算的方法，分析了不同回轉體空化形態(tài)發(fā)展與回轉體阻力特性之間的關系，并研究了繞平頭回轉體空化流動的三維特性。Katz[5]研究了不同頭型回轉體的初生空化流動特性及其與流動分離的關系。黃彪等[6]研究了哈爾濱工程大學學報 2014年5期2014-09-18
- 超快激光可在半導體上激起“量子液滴”
液滴＂中的電子和空穴以液態(tài)模式環(huán)狀排列，其周圍則是等離子體。美國天體物理聯(lián)合研究實驗室的物理學家與德國馬爾堡大學的理論學家合作，發(fā)現(xiàn)了一類新的準粒子:他們利用超快激光，讓半導體內部的多個電子和空穴以新的方式排列組合，凝結成類似于液體的“量子液滴”。盡管壽命只有短暫的25 ps，但“量子液滴”的穩(wěn)定性卻足以用于研究光和物質的特定形式如何相互作用。相關實驗細節(jié)近日發(fā)表在《自然》雜志上。當電子在半導體中流過時，在原本的位置留下一個空穴。電子可以與空穴結合成對，被中國光學 2014年2期2014-05-16
- 繞平頭回轉體空穴的發(fā)展及脫落特性研究
包含蒸汽或氣體的空穴(空泡)，這種現(xiàn)象稱為空化?？栈F(xiàn)象是航行體水下航行過程最重要的相關流動現(xiàn)象之一［1］，它直接影響航行體的水動力特性及操縱穩(wěn)定性。研究回轉體的空化對工程實際應用具有重要的意義。多年來，國內外學者對回轉體的空化流動進行了廣泛研究。Rouse［2］等通過實驗研究得到了回轉體表面壓力分布情況，并為數(shù)值計算模型的評價提供了可靠的數(shù)據(jù)。May［3］研究了自然及通氣空化狀態(tài)下的回轉體的動力特性并分析了動力脈動及特征頻率與空泡形態(tài)之間的關系。劉樺等［兵工學報 2014年1期2014-02-28
- 內含C60摻雜空穴傳輸層的量子點電致發(fā)光器件
點發(fā)光層及電子-空穴這兩種載流子注入不平衡導致的。與有機分子或者聚合物的最高占有分子軌道及最低未占分子軌道(分別為-5.5 eV左右和-3 eV左右)相比，量子點擁有更低的價帶(-6～-7 eV)和導帶(-4 eV左右)。因此，空穴從聚合物注入相鄰的量子點層需要克服較大的能級差(＞1 eV)，比電子難以遷移至量子點層。對于典型的以氧化銦錫(ITO)為陽極的QD-LED，常用兩類材料來改善空穴的注入[8]。一類材料是導電聚合物，如聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)無機化學學報 2014年6期2014-01-02
- 壘層p型摻雜量的分布對InGaN基發(fā)光二極管性能的影響
俄歇復合［4］、空穴的不均勻分布［5－6］和位錯導致的載流子泄漏［7］等. 其中，在大電流下電子限制不充分和空穴注入效率過低被認為是導致效率衰減的主要原因［6，8］. 通常傳統(tǒng)LED 結構采用AlGaN 電子阻擋層減少載流子泄漏，但是由于GaN 壘層與AlGaN 電子阻擋層存在較大的晶格失配，在最后一個GaN 壘層與AlGaN 電子阻擋層的界面處會產(chǎn)生較強的極化電場，導致最后一個壘層及電子阻擋層的能帶傾斜，不利于電子的限制及空穴的注入［1，9］. 另外，空華南師范大學學報（自然科學版） 2013年2期2013-12-13
- 具有新型雙空穴注入層的有機發(fā)光二極管*
文獻里報道過多種空穴注入層,如MoO3[7],CuPc[8],m-MTDATA[9]等.對降低器件工作電壓,提高器件效率和穩(wěn)定性具有很大影響.雙空穴注入層能在器件陽極和空穴傳輸層之間形成階梯勢壘,這樣更能有利于空穴的注入和傳輸,進而提高器件的發(fā)光性能[10-12].因此,具有雙空穴注入層結構的OLED器件引起了人們的重視.最近,Zhang等[10]使用兩種無機物(Au/V2O5)做雙空穴注入層,研究了器件的發(fā)光性能,發(fā)現(xiàn)單空穴注入層V2O5和雙空穴注入層A物理學報 2013年8期2013-09-27
- 二氧化鈦顆粒表面的光催化反應過程
研究進展。以電子空穴機理為主線，結合最新研究結果，分析了電子空穴機理的具體反應歷程。并按照光生電子空穴分離、自由基產(chǎn)生和自由基氧化3個過程分析了TiO2顆粒表面光催化反應歷程，重點分析了自由基產(chǎn)生過程，明確了Ti3+和O2-等基團的形成過程和在光催化反應過程中的作用?；赥iO2光催化反應歷程，提出了TiO2光催化活性的調控措施。通過提高電子和空穴復合幾率，可抑制TiO2的光催化活性；通過減小禁帶寬度，或抑制電子和空穴復合，可提高TiO2的光催化活性。二氧石油化工 2012年2期2012-11-09
- 周期載荷下不可壓超彈性材料的空穴動生成
用，超彈性材料中空穴生成和預存空穴的突然增長問題得到大量關注［1－3］。Gent等［4］在實驗中觀察到超彈性材料中的空穴生成現(xiàn)象，Ball［5］基于非線性彈性理論的框架對超彈性材料中的空穴突然生成問題進行了理論分析，將其模擬為一類空穴分岔問題。Horgan等［6－7］將預存空穴的突然增長問題作為對空穴分岔問題的另一種解釋。在有限變形彈性理論框架下，受外邊界表面拉伸載荷作用的不可壓超彈性球體的平凡解是球體保持其不變形狀態(tài)。對外加載荷存在一個極限值，當載荷大于振動與沖擊 2012年18期2012-09-15
- 摻雜GaN間隔層對雙波長發(fā)光二極管光譜調控作用的研究*
制各阱中的電子或空穴濃度，很好地解決了雙波長發(fā)光二極管中兩種阱發(fā)光強度不均的問題，并且通過控制阻擋層的厚度，可以調控兩種阱中的載流子濃度，從而調控發(fā)光峰的相對強度.這些可以歸因于摻雜GaN間隔層對電子或空穴的阻擋作用.GaN，間隔層，數(shù)值模擬，雙波長發(fā)光二極管PACS:85.60.Jb，85.50.－n，87.15.A － ，78.60.Fi1.引 言近年來，隨著發(fā)光二極管(LED)技術的不斷進步，LED在發(fā)光效率、使用壽命以及成本控制等方面都取得了長足進物理學報 2011年2期2011-10-23
- SHH應力下超薄柵氧PMOS器件退化研究
橫向電場會引起熱空穴產(chǎn)生，縱向電場也會導致熱空穴出現(xiàn)。如果在PMOS器件襯底端施加一定的正電壓，就會在器件中產(chǎn)生襯底熱空穴(SHH)效應[10-12]。迄今為止，人們對由襯底熱空穴引起的PMOS器件退化的研究(尤其是在超薄柵氧器件情況下)很少。在此，本文作者通過襯底熱空穴注入技術，對厚度為1.4 nm的超薄柵氧PMOSFET襯底熱空穴應力過程中器件退化進行研究，重點對應力下 SILC退化和氧化層擊穿特性進行研究。1 器件和實驗采用的器件為90 nm標準工藝中南大學學報（自然科學版） 2011年9期2011-08-04
- 帶導流墻的門槽結構在閘門全開工況下的應用
定條件下還會產(chǎn)生空穴、空蝕和振動，危及閘門及水工建筑物的安全，特別是對于深孔泄水道的閘門，這一問題尤為突出，而業(yè)界人士也一直在努力探尋新的門槽形式，力爭消除平面閘門的這一主要缺陷。1 一種帶導流墻的門槽結構文獻［1］采用了一種帶導流墻的門槽結構，與一種新型的平面閘門相配合，用以改善泄水閘工作門局部開啟運行時的水流條件和降低門槽區(qū)的氣蝕危險性。其主要結構特點是:將上游的閘墻按倒梯形延伸至閘槽中，形成導流墻，在門槽下端設置錯距、斜坡及圓角，只在上游面設置閘門前綜合智慧能源 2011年11期2011-07-30
- 高導無氧銅桿的沖擊拉伸斷裂系列實驗以及基于樣本體積單元的分析*
5211)基于微空穴成核與增長模型，研究沖擊拉伸桿斷裂的歷史已有30余年。主要問題是:(1)需確定的材料參數(shù)太多;(2)對空穴聚集誘發(fā)的突變認識不足。隨著工程科學的發(fā)展，采用損傷力學方法預估準靜態(tài)拉伸下桿斷裂的研究有較大進展。T.Pardoen等［1］研究了彈塑性固體中空穴增長與聚集效應。A.A.Benzerga［2］發(fā)展了空穴聚集的微力學框架，其中空穴形狀及體積的演化規(guī)律按微力學的聚集現(xiàn)象導出。A.R.Ragab［3-4］基于橢球空穴間基體頸縮，提出一種爆炸與沖擊 2011年4期2011-06-20
- 用于認知無線電的自適應雙模跳頻OFDM系統(tǒng)
頻譜感知到的頻譜空穴共有N個,各個空穴帶寬分別為Hi(i=1,2,…,N),且第i個與第j個頻譜空穴之間的間隔為Di,j(i≠j)。規(guī)則1 當某一頻譜空穴寬度大于基帶跳頻帶寬,或連續(xù)n個頻譜空穴占用的頻帶寬度大于基帶跳頻帶寬時,啟動射頻跳頻切換中心頻率。即滿足式中,Hi,Hi+n分別為第i個和第(i+n)個頻譜空穴的寬度;Di,i+n為第i個與第(i+n)個頻譜空穴之間的間隔。規(guī)則2 當連續(xù)n個頻譜空穴占用的頻帶寬度小于或等于基帶跳頻總帶寬時,在其中選出最無線電工程 2011年3期2011-06-13
- 有效陰極結構和空穴緩沖層的有機電致發(fā)光器件
）有效陰極結構和空穴緩沖層的有機電致發(fā)光器件徐維1，2，羅鈺1，王莉1，袁俊文1（1.西安交通大學先進制造技術研究所，陜西 西安 710049；2.五邑大學數(shù)學物理系，廣東 江門 529020）在有機電致發(fā)光器件的電子傳輸層與注入層之間，以m-MTDATA作為HIL，使用三氧化鉬（MoO3）插入超薄層LiF-Al-Alq3，有效促進電子注入；然后，從熱動力學引發(fā)化學反應，生成n型Alq3摻雜物和促進電子注入的角度進行解釋.用MoO3作為空穴注入緩沖層，插入華僑大學學報（自然科學版） 2010年4期2010-08-30
- 全空穴模型中柴油非冷凝氣質量分數(shù)的選取