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      贏創(chuàng)開發(fā)顯示器用半導(dǎo)體涂覆新技術(shù)

      2016-03-15 04:53:15賈磊
      無機(jī)鹽工業(yè) 2016年1期
      關(guān)鍵詞:待機(jī)時(shí)間涂覆氧化物

      贏創(chuàng)開發(fā)顯示器用半導(dǎo)體涂覆新技術(shù)

      作為手機(jī)、筆記本、臺(tái)式機(jī)的主流顯示設(shè)備,薄膜晶體管(TFT)發(fā)揮著重要的作用。目前,企業(yè)多采用非晶硅(a-Si)和低溫多晶硅(LTPS)以提升TFT半導(dǎo)體的性能,但在性能和尺寸方面仍受到較多限制。金屬氧化物作為半導(dǎo)體材料可有效提升平板顯示器的遷移率,滿足高解析度平板顯示器的要求(>10 cm2/Vs)。與硅半導(dǎo)體TFT相比,金屬氧化物半導(dǎo)體具有能耗低、待機(jī)時(shí)間長(zhǎng)、加工和使用便捷等優(yōu)點(diǎn)。贏創(chuàng)工業(yè)集團(tuán)利用獨(dú)有的技術(shù)開發(fā)了金屬氧化物半導(dǎo)體材料iXsenic S,該半導(dǎo)體并未采用較為普及的氣相沉積法(CVD),而是通過涂覆技術(shù)形成半導(dǎo)體層,不僅擁有和CVD法相媲美的效果,且成本大大減少,此外實(shí)現(xiàn)了不同尺寸的可控生產(chǎn)。預(yù)計(jì)在未來幾年內(nèi),iXsenic S有望投入市場(chǎng)。

      賈磊譯自www.ixsenic.com.2015-12-17

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