高性能頂發(fā)光OLED器件復(fù)合陽極的研究

段良飛，段 瑜,2，王光華,2，張?bào)愕?2，鄧榮斌，季華夏

?

高性能頂發(fā)光OLED器件復(fù)合陽極的研究

段良飛1，段 瑜1,2，王光華1,2，張?bào)愕?,2，鄧榮斌1，季華夏1

（1.云南北方奧雷德光電科技股份有限公司，云南 昆明 650223；2.昆明物理研究所，云南 昆明 650223）

頂發(fā)光OLED器件是有機(jī)光電顯示領(lǐng)域的重要組成部分，其陽極結(jié)構(gòu)及性能對OLED器件的性能具有至關(guān)重要的影響。本文介紹了近年來頂發(fā)光OLED器件陽極的結(jié)構(gòu)、材料及性能改善等領(lǐng)域的研究進(jìn)展。結(jié)合頂發(fā)光OLED器件陽極的工作原理和器件質(zhì)量要求，設(shè)計(jì)了不同結(jié)構(gòu)的頂發(fā)光OLED器件復(fù)合陽極，并采用TFCalc光學(xué)模擬軟件和SimOLED模擬軟件對不同結(jié)構(gòu)復(fù)合陽極的光學(xué)性能及其器件性能進(jìn)行模擬分析，獲得了較優(yōu)的頂發(fā)光OLED復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)為Al/ITO/MoO3，Al/Co/MoO3，Al/Ni/MoO3，Al/MoO3。

頂發(fā)光；OLED；復(fù)合陽極；模擬

0 引言

OLED因具有發(fā)光亮度高、視角范圍廣、自發(fā)光及工作溫度范圍寬等優(yōu)點(diǎn)[1]，已成為有機(jī)光電領(lǐng)域研究和應(yīng)用的重點(diǎn)。按光的取出方式，OLED顯示器可分為底發(fā)光器件（BOLED）和頂發(fā)光器件（TOLED）[2]。其中，傳統(tǒng)的底發(fā)光OLED器件，其光需要經(jīng)過基板發(fā)出，存在發(fā)光面積與像素電路之間競爭的問題，導(dǎo)致開口率較低，不能獲得較高的顯示亮度[3]。對于頂發(fā)光OLED器件而言，光不經(jīng)過基板而是從器件頂端發(fā)出，避免了器件像素電路與發(fā)光面積競爭的問題。此外，OLED器件還可制作在不透明的襯底上，圖像更加細(xì)膩清晰，有利于制備高亮度、高分辨率的有機(jī)平板顯示器[4]。在頂發(fā)光OLED顯示器中，陽極的反射效果有助于提高OLED器件的光出射度，陽極的功函數(shù)與有機(jī)層的匹配程度決定了載流子的注入與發(fā)光效率。因此，陽極結(jié)構(gòu)和性能是決定器件性能的一個(gè)關(guān)鍵因素。近年來，人們對頂發(fā)光OLED器件的陽極進(jìn)行了大量研究。主要有陽極結(jié)構(gòu)，陽極表面修飾，陽極新材料及材料改善等方面的研究[5]。陽極的反射率和功函數(shù)是衡量頂發(fā)光OLED陽極性能的重要指標(biāo)，器件質(zhì)量要求陽極要具有高的反射率，同時(shí)為了更好地注入載流子，陽極的表面能級與有機(jī)層的HOMO能級具有良好匹配[6]。本文針對頂發(fā)光OLED器件，介紹了近年來頂發(fā)光OLED顯示器的陽極結(jié)構(gòu)、陽極材料及陽極材料改性等方面的研究進(jìn)展。通過TFCalc光學(xué)模擬軟件和SimOLED模擬軟件，研究分析并獲得了較優(yōu)化的頂發(fā)光OLED復(fù)合陽極。

1 頂發(fā)光OLED器件陽極

1.1 結(jié)構(gòu)與特性

據(jù)近年來國內(nèi)外的有關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道，2010年，張丹丹[7]等人采用Fe3O4修飾Ag，形成Ag/Fe3O4復(fù)合結(jié)構(gòu)的OLED陽極，在2.5V的低壓下，器件電流效率達(dá)到8.13cd/A。2011年，謝軍[8]等人利用MoO3修飾Ag，形成Ag/MoO3結(jié)構(gòu)作為OLED的復(fù)合陽極，在16V下亮度達(dá)到6760cd/m2。2012年，K. A. Knauer[9]等人，利用Au/MoO3結(jié)構(gòu)作為復(fù)合陽極，制作了頂發(fā)光藍(lán)光磷光OLED器件，達(dá)到33.63cd/A的電流效率。2013年，Mingjie Zhao[10]等人采用Ag/AZO結(jié)構(gòu)作為頂發(fā)光綠光OLED器件的復(fù)合陽極，獲得了亮度為1000cd/m2，電流效率為22cd/A的結(jié)果。J Hou[11]等人采用V2O5/Ag/V2O5/Ag交替疊層作為OLED的陽極，對比度常規(guī)器件亮度增加了13倍。2014年，程祖華[12]等人利用ITO/CuPc作為陽極制作了頂發(fā)光OLED器件，在3.26mA/cm2的電流密度下發(fā)光效率達(dá)到0.09lm/W。2015年，楊尚松[13]等人利用Al/MoO3作為全反射陽極制作了綠光OLED器件，其電流效率最大值達(dá)到6.43cd/A。陳燕[14]等人采用Ag/AgO陽極結(jié)構(gòu)，制備了硅基頂發(fā)光黃光OLED器件，其電流效率在外加電壓為10V時(shí)達(dá)到11cd/A，相應(yīng)亮度為21748cd/m2。張樂天[15]等人，采用Ag/Ge/Ag陽極結(jié)構(gòu)制作了頂發(fā)光藍(lán)光OLED器件。器件最高亮度和最大電流效率分別為3612cd/m2和5.4cd/A。2016年，胡俊濤[16]等人采用一種結(jié)構(gòu)為Ag/MoO3/Ag的結(jié)構(gòu)作為疊層綠光OLED器件的陽極，在驅(qū)動(dòng)電壓為11V時(shí)，其亮度達(dá)到18421cd/m2，電流效率為2.45cd/A。Jian-Xing Luo[17]等人采用Al/glass/p-Si (NPPS)/SiO2結(jié)構(gòu)，以Ni誘導(dǎo)的p-Si（0.01W·cm）薄膜作為陽極，用SiO2修飾，獲得了最高效率為6.7cd/A和4.64lm/W的頂發(fā)光OLED器件。

綜上所述，在頂發(fā)光OLED器件陽極結(jié)構(gòu)的研究中，單層結(jié)構(gòu)的陽極往往難于同時(shí)滿足器件對陽極反射率、穩(wěn)定性、能級匹配性及導(dǎo)電性等多重性能的要求。因此，目前研究的重點(diǎn)主要集中在復(fù)合陽極。目前頂發(fā)光OLED器件復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)的研究重點(diǎn)主要有疊層金屬膜結(jié)構(gòu)，金屬/金屬氧化物復(fù)合結(jié)構(gòu)，金屬/金屬氧化物/金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)，金屬/透明導(dǎo)電氧化物復(fù)合結(jié)構(gòu)，金屬/金屬/金屬氧化物結(jié)構(gòu)及金屬/有機(jī)物復(fù)合結(jié)構(gòu)等。復(fù)合層陽極結(jié)構(gòu)能同時(shí)兼顧頂發(fā)光OLED器件對陽極多重性能的要求，使器件達(dá)到較好的性能。同時(shí)，通過調(diào)節(jié)復(fù)合陽極的材料及復(fù)合結(jié)構(gòu)，有助于提高器件陽極的性能。

1.2 材料種類及性能

頂發(fā)光OLED器件陽極材料的研究中，常用的陽極材料主要有透明導(dǎo)電氧化物和金屬兩大類。據(jù)報(bào)道透明導(dǎo)電氧化物主要有：ITO，AZO，ZnS等[18-20]，其特點(diǎn)是功函數(shù)高、導(dǎo)電性好、化學(xué)穩(wěn)定性好。但部分摻雜元素（如：In）會擴(kuò)散到附近的其他材料中，影響器件的壽命。金屬材料主要有Al，Ag，Mo，Pt，Co，Au，Cu，Ni，Ge等[21]，其中如Au，Mo，Ni，Co，Cu等金屬功函數(shù)較高（如表1所示），便于載流子的注入，但功函數(shù)較高的金屬往往反射率較低，不利于頂發(fā)光OLED器件發(fā)光效率的效率提高，Si，Ge屬于半導(dǎo)體，需要摻雜后才能滿足OLED對陽極掉電性能的要求，Pt，Ni等金屬通常需要很高的蒸發(fā)溫度，常用電子束蒸發(fā)才能制備。反射率較高的金屬Al，Ag等，其功函數(shù)較低，不利于空穴的注入，會導(dǎo)致器件驅(qū)動(dòng)電壓高。氧化物、氮化物主要有SiO2，MoO3，AgO，NiO，NiN，WO3，ZrO2，V2O5，Pr2O3，F(xiàn)e3O4，RuO，CuO，TiN等[22]，有機(jī)物中主要有：PEDOT:PSS，石墨烯，C60，CuPc，PTCDA等[23]。氧化物、氮化物和有機(jī)物在頂發(fā)光OLED陽極中主要用作修飾層或過渡層。

頂發(fā)光OLED器件的性能在一定程度上依賴其陽極的性能，頂發(fā)光OLED器件對陽極的要求是良好的導(dǎo)電性、化學(xué)穩(wěn)定性及較高的功函數(shù)。結(jié)合各陽極材料性能的性能，功函數(shù)膜層的選擇中，透明導(dǎo)電氧化物需要考慮其元素的擴(kuò)散問題，金屬薄膜需要考慮其成本及制備工藝難易程度問題；反射層的選擇中，腐蝕液中Al膜表面比氧化為Al2O3，能有效阻斷進(jìn)一步氧化，因此化學(xué)穩(wěn)定性更好；緩沖層的選擇，有助于降低陽極/有機(jī)層之間的界面勢壘，增加陽極/有機(jī)界面的粘合程度，增大載流子注入能力，降低器件的驅(qū)動(dòng)電壓，阻斷摻雜元素的擴(kuò)散，增加器件壽命，改善器件性能。

表1 常見OLED陽極材料的功函數(shù)[24]

2 頂發(fā)光OLED器件復(fù)合陽極的設(shè)計(jì)與計(jì)算

基于頂發(fā)光OLED器件對陽極各性能的要求，結(jié)合個(gè)材料的性質(zhì)和特點(diǎn)，設(shè)計(jì)采用復(fù)合層陽極結(jié)構(gòu)。設(shè)計(jì)中選擇Al為反射層。Al膜光學(xué)參數(shù)如圖1所示。

圖1 復(fù)合陽極反射層（Al）的光學(xué)參數(shù)

在OLED發(fā)光過程中，載流子在電場作用下從陽極和陰極注入到有機(jī)層中，電極與有機(jī)半導(dǎo)體層的接觸多屬于肖特基接觸，載流子從電極注入到有機(jī)層中存在一定的勢壘。因此，陽極的選擇需要功函數(shù)高，在常規(guī)易制備的材料中功函數(shù)較高的陽極材料有ITO，Mo，Co，Cu，Ni，W等，光學(xué)參數(shù)如圖2所示。用MoO3作為緩沖層，在陽極與有機(jī)層之間引入MoO3層不僅起到緩沖層的作用，MoO3也能作為P型摻雜劑，摻雜到空穴功能層中，提高載流子的注入能力，且MoO3薄膜本身也具有價(jià)格便宜，穩(wěn)定性好，功函數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)。

圖2 陽極材料的n，k值

綜上所述。頂發(fā)光OLED陽極的主體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為三層結(jié)構(gòu)和雙層結(jié)構(gòu)，三層結(jié)構(gòu)主要設(shè)計(jì)為Al/ITO/MoO3，Al/Co/MoO3，Al/Cu/MoO3，Al/Mo/MoO3，Al/Ni/MoO3，Al/W/MoO3，雙層結(jié)構(gòu)為Al/MoO3，ITO/MoO3，結(jié)構(gòu)模型如圖3所示。結(jié)合TFCalc模擬軟件，以Si為襯底，對不同結(jié)構(gòu)頂發(fā)光OLED陽極的光學(xué)性能進(jìn)行模擬計(jì)算。

圖3 OLED陽極結(jié)構(gòu)

采用TFCalc軟件對不同陽極結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能進(jìn)行模擬分析，模擬計(jì)算時(shí)0＝air＝1，MoO3＝2.25[25]，雙層膜反射率可以表示為公式(1)，多層膜反射率表示為公式(2)[26]：

其中，

對于多層膜，在負(fù)折射率為0＝1－0－i0的基片上，依次鍍上厚度為d，復(fù)折射率為n＝1－－iβ的均勻膜，當(dāng)波長為從真空以角入射，反射率可以表示為：

式中：Rj為鍍完第j層膜的反射率；dj為相位差[26]，結(jié)果如圖4所示。

由圖4可知，三層陽極結(jié)構(gòu)中Al/ITO/MoO3結(jié)構(gòu)的OLED陽極反射率最高，其最高反射率接近95%。其次是Al/Cu/MoO3結(jié)構(gòu)，其反射率在77%～91%，但Cu具有(100)，(110)，(111)，(112)晶相，不同晶體結(jié)構(gòu)的Cu膜其功函數(shù)差距較大，不易控制；Al/Co/MoO3，Al/Ni/MoO3復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)的反射率也較高；而Al/Mo/MoO3，Al/W/MoO3復(fù)合陽極的反射率較低。因此，在三層復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)中，反射率決定于各層材料光學(xué)系數(shù)之間的匹配，在限定了反射層和注入層后，復(fù)合陽極的光學(xué)性能主要受中間層材料的影響。雙層OLED復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)中，反射率最高的是Al/ITO和Al/MoO3復(fù)合結(jié)構(gòu)，其最高反射率皆達(dá)到90%以上，但I(xiàn)TO不宜與有機(jī)層薄膜直接接觸，以防In的擴(kuò)散會影響器件壽命。

采用SimOLED模擬軟件，對不同陽極結(jié)構(gòu)下頂發(fā)光OLED器件的性能進(jìn)行模擬分析，設(shè)計(jì)頂發(fā)光OLED器件結(jié)構(gòu)為：Si（襯底）/復(fù)合陽極/NPB--（空穴功能層）/Alq3（摻雜：發(fā)光層）/Alq3（電子功能層）/Ag（陰極）/Al2O3（密封），模擬結(jié)果如圖5所示。

圖5 頂發(fā)光OLED器件相對亮度

結(jié)合圖5與圖4分析可知，三層復(fù)合陽極中，反射率最高的Al/ITO/MoO3復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)，其頂發(fā)光OLED器件的相對亮度也最高，依次是Al/Cu/MoO3，Al/Co/MoO3，Al/Ni/MoO3，而反射率較低的Al/Mo/MoO3復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)，其頂發(fā)光OLED器件的亮度也相對較低。雙層復(fù)合陽極中，反射率較高的Al/MoO3復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)比反射率較低的Al/Mo復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)其頂發(fā)光OLED器件相對亮度較高。因此，在頂發(fā)光OLED器件中，復(fù)合陽極反射率對器件的亮度具有決定性作用。結(jié)合理論與模擬分析，獲得較優(yōu)化的頂發(fā)光OLED三層結(jié)構(gòu)陽極為Al/ITO/MoO3，Al/Co/MoO3，Al/Ni/MoO3。較優(yōu)化的雙層復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)為Al /MoO3。

3 結(jié)論

通過對近年來頂發(fā)光OLED器件陽極結(jié)構(gòu)與材料的研究分析。目前主要采用多層復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)來滿足器件對陽極多重性能的要求，主要有金屬與金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)，金屬與透明導(dǎo)電氧化物復(fù)合結(jié)構(gòu)，金屬與金屬氧化物、氮化物或有機(jī)疊層結(jié)構(gòu)。結(jié)合各陽極材料的性能，設(shè)計(jì)了三層和雙層OLED陽極結(jié)構(gòu)，采用TFCalc光學(xué)模擬軟件和SimOLED模擬軟件，對不同結(jié)構(gòu)陽極的光學(xué)性能及頂發(fā)光OLED器件性能的影響進(jìn)行模擬分析，獲得了較優(yōu)的陽極結(jié)構(gòu)為：Al/ITO/MoO3，Al/Co/MoO3，Al/Ni/MoO3，Al/MoO3。

[1] 張軍杰, 楊鑄. 全球OLED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢[J]. 現(xiàn)代顯示, 2010, 7(6): 25-30．

ZHANG Jun jie, YANG Zhu. The Development Status & Trend of Global OLED Industry[J]., 2010, 7(6): 25-30.

[2] 石弘穎. 頂發(fā)射白光有機(jī)電致發(fā)光器件的優(yōu)化[J]. 鹽城工學(xué)院學(xué)報(bào): 自然科學(xué)版, 2014, 24(7): 31-33．

SHI Hong yin. Optimization of Top-Emitting White Organic Light-Emitting Diodes[J].,, 2014, 24(7): 31-33.

[3] Park S W, Choi J M, Kim E, et al. Inverted top-emitting organic light-emitting diodes using transparent conductive NiO electrode[J]., 2005, 244(1): 439-443.

[4] 欒添. 電極影響頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件光電特性研究[D]. 吉林: 吉林大學(xué), 2012.

LUAN Tian. The photoelectric properties of top-emission organic light-emitting diode with different electrode[D]. Jilin: Jilin University, 2012.

[5] Sekine C, Tsubata Y, Yamada T, et al. Recent progress of high performance polymer OLED and OPV materials for organic printed electronics[J]., 2016, 15(3): 439-443.

[6] 魏寅, 王秀峰, 張麥麗, 等. 金屬陽極厚度對OLED微腔器件性能的影響[J]. 半導(dǎo)體光電, 2012, 33(4): 170-174.

WEI Yin, WANG Xiu feng, ZHANG Mai li, etal. Effects of Thickness of Metal Anode on the Performance of OLED Micro-cavity Device[J]., 2012, 33(4): 170-174.

[7] Zhang D D, Feng J, Zhong Y Q, et al. Efficient top-emitting organic light-emitting devices using Fe3O4modified Ag anode[J]., 2010, 11(12): 1891-1895.

[8] 謝軍. 關(guān)于改善藍(lán)光頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光器件性能的研究[M]. 南京: 南京郵電大學(xué)碩士論文, 2011.

XIE Jun.[M]. Nanjing: Master thesis of Nanjing university of posts and telecommunications, 2011.

[9] Knauer K A, Najafabadi E, Haske W, et al. Inverted top-emitting blue electrophosphorescent organic light-emitting diodes with high current efficacy[J]., 2012, 101(10): 103304.

[10] Zhao M, Zou J, Su Y, et al. IZO Protected Silver Films Used as Anodes in Top-Emitting Organic LEDs[J]., 2013, 2(9): 190-195.

[11] Hou J, Gao S, Zhao J, etal. Improving the contrast of top-emitting organic light-emitting diodes with alternating V2O5/Ag layers[J]., 2013, 534: 645-649.

[12] 程祖華. 場發(fā)射陰極OLED器件的結(jié)構(gòu)及性能研究[M]. 鄭州: 鄭州大學(xué)碩士論文, 2014.

CHEN Zu hua.[M]. Zhengzhou: Master thesis of Zheng zhou university.

[13] 楊尚松, 吳遠(yuǎn)武, 洪乙又. 雙鋁電極結(jié)構(gòu)的高性能頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光器件[J]. 光電子技術(shù), 2015, 35(4): 263-267．

YANG Shang song, WU Yuan wu, HONG Yi you. High-performance Top-emitting Organic Light-emitting Diodes Using Double-aluminum Electrodes Structure[J]., 2015, 35(4): 263-267.

[14] 陳燕, 陳星明, 胡勝坤. 高效高亮度硅基頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的研制[J]. 液晶與顯示, 2015, 30(6): 960-964．

CHEN Yan, CHEN Xing ming, Hu Sheng kun.Top-emitting organic light-emitting devices based on silicon substrate with high efficiency and luminance[J]., 2015, 30(6): 960-964.

[15] 張樂天, 劉士浩, 謝文法. 基于Ag/Ge/Ag陽極的藍(lán)光頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件[J]. 發(fā)光學(xué)報(bào), 2015, 36(11): 1294-1298．

ZHANG Le tian, LIU Shi hao, XIE Wen fa. Blue Top-emitting Organic Light-emitting Devices Based on Ag/Ge/Ag Anode[J]., 2015, 36(11): 1294-1298.

[16] 胡俊濤, 鄧亞飛, 梅文娟. 透明疊層結(jié)構(gòu)Ag/MoO3/Ag陽極對綠光OLED器件性能的影響[J]. 液晶與顯示, 2016, 31(1): 74-79．

HU Jun tao, DENG Ya fei, MEI Wen juan. Effects of transparent Ag/MoO3/Ag stack as anode on the performance of green organic light-Emitting diodes[J]., 2016, 31(1): 74-79.

[17] Luo J X, Wang W, Meng H, etal. Optimizing efficiency of polycrystalline p-Si anode organic light-emitting diode[J]., 2016: 1-5.

[18] Marks T J, Veinot J G C, Cui J, et al. Progress in high work function TCO OLED anode alternatives and OLED nanopixelation[J]., 2002, 127(1): 29-35.

[19] Jeong S H, Park B N, Yoo D, et al. Al-ZnO thin films as transparent conductive oxides: synthesis, characterization, and application tests[J]., 2007, 50(3): 622.

[20] Pang H, Yuan Y, Zhou Y, et al. ZnS/Ag/ZnS coating as transparent anode for organic light emitting diodes[J]., 2007, 122: 587-589.

[21] 涂愛國, 周翔. 具有Au/MoO3空穴注入層的有機(jī)發(fā)光二極管[J]. 發(fā)光學(xué)報(bào), 2010, 31(2): 157-161.

TU Ai guo ZHOU Xiang. OLEDs with Au/MoO3 Hole Injection Layer[J]., 2010, 31(2): 157-161.

[22] 李軍. 有機(jī)電致發(fā)光器件中的電極修飾[D]. 大連: 大連理工大學(xué), 2013: 15-50.

LI Jun. Electrode modification in organic electroluminescent devices [D]. Dalian: Dalian University of Technology, 2013: 15-50.

[23] 劉佰全, 蘭林鋒, 鄒建華. 具有新型雙空穴注入層的有機(jī)發(fā)光二極管[J]. 物理學(xué)報(bào), 2013, 62(8): 87302-087302.

LIU Bai quan, LAN Lin feng, ZOU Jian hua.A novel organic light-emitting diode by utilizing double hole injection layer[J]., 2013, 62(8): 87302-087302.

[24] Michaelson H B. The work function of the elements and its periodicity[J]., 1977, 48(11): 4729-4733.

[25] Lee Y J, Nichols W T, Kim D G, et al. Chemical vapour transport synthesis and optical characterization of MoO3thin films[J]., 2009, 42(11): 115419.

[26] 牛文賀. 太陽能玻璃梯度折射率寬帶減反射性能研究[D]. 濟(jì)南: 山東建筑大學(xué), 2014: 20-25.

NIU Wen he.Study on broadband refractive index of solar glass[D]. Jinan: Shan dong Architecture University, 2014: 20-25.

[27] Abdellaoui A, Lévêque G, Donnadieu A, et al. Iteratively derived optical constants of MoO3, polycrystalline thin films prepared by CVD[J]., 1997, 304(1): 39-44.

Research on High-Performance Composite Anode of Top-emitting OLED Devices

DUAN Liangfei1，DUAN Yu1,2，WANG Guanghua1,2，ZHANG Xiaodan1,2，DENG Rongbin1，JI Huaxia1

(1.,650223,;2.,650223,)

Top-emitting OLED is playing an important part in the fields of organic photoelectric display. The anode structures of OLED have a crucial influence on the performances of devices. This paper introduces the research progress of top-emitting OLED anode structures, materials and performances in recent years. The different structure composite anodes of the top-emitting OLED devices were designed by combining with principles and quality requirements. The TFCalc optical simulation software and SimOLED simulation software were used to simulate and calculate the optical performances and devices performances of top-emitting OLED with different composite anodes. The results show that Al/ITO/MoO3, Al/Co/MoO3, Al/Ni/MoO3and Al/MoO3are the better composite anodes in the three and two layers OLED anode structures.

Top-emitting，OLED，Composite anode，Simulation

O482.3

A

1001-8891(2017)05-0457-06

2016-06-30；

2017-04-20。

段良飛（1988-），男，碩士研究生，主要從事有機(jī)光電材料與器件研究，E-mail：liangfeiduan@hotmail.com。

王光華（1984-），男，博士，主要從事OLED器件研究，E-mail:wangguanghua@oleid.com。

國家自然青年基金（61604064）；昆明市產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展重點(diǎn)項(xiàng)目（2014-01-A-G-02-2006）；昆明市科技計(jì)劃(20152C01214)；云南省應(yīng)用基礎(chǔ)研面上項(xiàng)目(2016FB112)；云南省省院省?？萍己献黜?xiàng)目(2015IB016)。