三氯氫硅合成工藝及系統(tǒng)

申請(專利)號： 201510120467.4

公開(公告)日：2016-10-19

申請(專利權(quán))人：內(nèi)蒙古盾安光伏科技有限公司

一種三氯氫硅合成系統(tǒng)，包括合成爐、為合成爐供應(yīng)與合成爐內(nèi)外加硅粉反應(yīng)HCL的HCL儲罐、用于冷凝合成爐尾氣的第一冷凝器、接收來自第一冷凝器冷凝后氯硅烷液體的冷凝料儲罐、接收來自于冷凝器的不凝氣的緩沖罐，分離提純來自于冷凝料儲罐的氯硅烷的分離提純裝置、氯硅烷儲罐、汽化器、混合加熱器、流化床反應(yīng)器、第二冷凝器。本發(fā)明還提供了采用該三氯氫硅合成系統(tǒng)的三氯氫硅合成工藝。本發(fā)明將傳統(tǒng)三氯氫硅合成過程中的副產(chǎn)品二氯二氫硅繼續(xù)回床，減少物料損耗，降低尾氣處理系統(tǒng)安全隱患。降低系統(tǒng)二氯二氫硅循環(huán)總量增長速度，同時也提高三氯氫硅轉(zhuǎn)化率。