本發(fā)明提供了一種電子級多晶硅的制備方法。該制備方法包括:將三氯氫硅液體和/或氯硅烷液體進(jìn)行提純,得到三氯氫硅,氯硅烷液體包括三氯氫硅;及采用氫氣與三氯氫硅進(jìn)行還原反應(yīng),得到電子級多晶硅,提純步驟包括:對三氯氫硅液體和/或氯硅烷液體進(jìn)行第一精餾過程,得到三氯氫硅粗產(chǎn)品;將三氯氫硅粗產(chǎn)品與絡(luò)合劑發(fā)生絡(luò)合反應(yīng),以使三氯氫硅粗產(chǎn)品中的雜質(zhì)轉(zhuǎn)化為絡(luò)合物,得到中間產(chǎn)物,其中雜質(zhì)包括B、P和Fe、Al組成的組分中的一種或多種;及將中間產(chǎn)物進(jìn)行第二精餾過程,以去除絡(luò)合物,得到三氯氫硅。將純度較高的三氯氫硅原料與氫氣發(fā)生還原反應(yīng),得到電子級多晶硅。上述制備方法的工藝流程成熟簡單,具有能耗低、產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。公開/公告號:CN108467042A 申請/專利權(quán)人:中國恩菲工程技術(shù)有限公司