失性
- 基于FPGA的非易失性存儲器NvRAM時序分析方法
尤為重要。而非易失性存儲器（Non-Volatile Random Access Memory，NvRAM）因其斷電后數(shù)據(jù)仍然能夠保留的特性大受推崇，并且NvRAM還具有速度快、自動保存和自動恢復數(shù)據(jù)等功能，電路設計相對簡單，被廣泛使用在機載設備當中[1-2]。隨著存儲器的性能逐漸在計算機系統(tǒng)中占據(jù)了越來越重要的位置，能否高效準確運用存儲器就有了更高的要求。在工程中，開發(fā)者們逐漸發(fā)現(xiàn)對于存儲器的控制邏輯相對復雜，時序要求也比較嚴格，且在調試過程中，存儲器出
信息記錄材料 2023年1期2023-03-13
- 關于一臺數(shù)控機床系統(tǒng)數(shù)據(jù)丟失的修復方法*
重要,其中包含易失性數(shù)據(jù)和非易失性數(shù)據(jù),如果電池沒電、硬件損壞、系統(tǒng)干擾等都會造成機床數(shù)據(jù)丟失的可能性,也是典型的機床故障,通過案例形式分析數(shù)據(jù)類型及故障處理方法,有效提升維修人員的故障處理能力。1 故障基本情況CTX310車削中心為SINUMERIK 840D系統(tǒng),系統(tǒng)硬件為PCU20,訂貨號:6FC5210-0DF00-1AA1,由于機床長時間處于關機狀態(tài),導致系統(tǒng)無法正常啟動進入操作頁面,只停留在840D shop stun界面。如圖1所示:圖1 顯
包頭職業(yè)技術學院學報 2023年4期2023-03-07
- 序言：新型存儲器件與系統(tǒng)
大數(shù)據(jù)應用的非易失性內存安全技術，重點分析了存儲系統(tǒng)在采用非易失性內存后對系統(tǒng)體系結構和安全方面的影響以及所產(chǎn)生的新問題和新方法等；重慶大學的科研團隊[2]綜述了將計算單元臨近存儲器的近數(shù)據(jù)處理技術，并全面分析和研究了相關系統(tǒng)架構、編程框架、應用場景以及軟硬件平臺等；武漢理工大學的科研團隊[3]介紹了非易失性存儲器件的性能、可靠性和應用方面的重要工作，并對相關器件和技術應用在存儲系統(tǒng)中的發(fā)展趨勢進行了分析和展望；西北工業(yè)大學的科研團隊[4]面向傳統(tǒng)塊接口限
集成技術 2022年3期2023-01-06
- 一種非易失性可重構場效應晶體管研究
在此提出一種非易失性浮動可編程門可重構場效應晶體管（FPG-RFET）。2 器件結構與傳統(tǒng)的RFET不同，F(xiàn)PG-RFET引入了非易失性電荷存儲層作為浮動程序門，而不是需要獨立電源的程序門，在浮動程序門中存儲的電荷可以通過控制門進行編程，所以本質上只需要一個獨立供電的門即可完成可重構操作。此外，控制門可以調節(jié)浮動編程門中的等效電壓，有效地降低靜態(tài)功耗和逆漏電流的產(chǎn)生。新設計器件結構如圖1所示。圖1 新設計FPG-RFET結構圖可見，所設計器件為平面溝道。以
微處理機 2022年4期2022-09-02
- 科學家開發(fā)出三維垂直場效應晶體管
。FET可以非易失性方式存儲1和0，這意味著它不需要一直供電;垂直設備結構則增加了信息密度并降低了操作能源需求。氧化鉿和氧化銦層沉積在垂直溝槽結構中，鐵電材料具有在同一方向排列時最穩(wěn)定的電偶極子，鐵電氧化鉿自發(fā)地使偶極子垂直排列。信息通過鐵電層中的極化程度存儲，由于電阻的變化，系統(tǒng)可以讀取。另一方面，反鐵電體通常在擦除狀態(tài)下上下交替偶極子，這使得氧化物半導體溝道內的擦除操作變得有效。研究證實，該器件在至少1 000個周期內都可保持穩(wěn)定，研究人員還使用第一原
河南科技 2022年12期2022-07-14
- 面向非易失性內存的持久索引數(shù)據(jù)結構研究綜述
061 引言非易失性內存是一種新興的存儲介質，其具備字節(jié)可尋址、內存級別讀寫時延的特性，這給當前大量的存儲系統(tǒng)帶來了根本性的變革。非易失性內存正在迅速發(fā)展，現(xiàn)有的大部分非易失性內存（如相變內存[1]、STT-RAM[2]等）仍處于研究階段，但由美光科技有限公司和英特爾聯(lián)合研制的傲騰持久內存（基于3D XPoint[3]）已經(jīng)發(fā)布，并且投入市場。由此，在存儲系統(tǒng)中盡可 能發(fā)揮非易失性內存性能優(yōu)勢的需求越發(fā)迫切。其中，面向非易失內存研發(fā)新型持久索引數(shù)據(jù)結構是解
大數(shù)據(jù) 2021年6期2021-11-22
- 普冉股份：營收和業(yè)績高速增長的非易失性存儲器芯片廠商
。普冉股份在非易失性存儲器芯片領域深耕多年，公司的品牌以其寬電壓、超低功耗、高可靠性、高性價比等產(chǎn)品優(yōu)勢獲得較高的認可，近年來營收和業(yè)績保持快速增長趨勢。近日普冉股份首次公開發(fā)行新股并在上交所科創(chuàng)板上市，募集資金擬用于“閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”。產(chǎn)品具備較強競爭優(yōu)勢出貨量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長普冉股份的主營業(yè)務是非易失性存儲器芯片的設計與銷售，目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應用于眾多領域。20
證券市場周刊 2021年31期2021-08-23
- 非易失半導體存儲器技術發(fā)展狀況淺析
保留數(shù)據(jù)，分為易失性和非易失性兩種。其中作為計算機處理器高速緩沖的靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），以及作為內存的動態(tài)隨機存儲器（DRAM）是兩種最常見的易失性存儲器；而非易失半導體存儲器則是指在斷電情況下，數(shù)據(jù)可穩(wěn)定保留十年以上的RAM，它兼顧了讀寫速度以及數(shù)據(jù)保持能力兩方面，因此被廣泛應用，是當前半導體存儲器技術發(fā)展的熱點。根據(jù)用途、原理，半導體存儲器的基本分類情況如圖1所示。二、世界非易失半導體存儲器發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢目前主要的非易失性存儲器是閃存（FLASH
科技中國 2021年4期2021-06-04
- 基于二維層狀GaSe 納米片憶阻器阻變特性研究
具應用前景的非易失性存儲器之一[4]。相對于傳統(tǒng)的Flash 存儲器,憶阻器還有許多優(yōu)越的綜合存儲性能[1],包括高擦寫速度、高儲存密度、高耐受性、低功耗、微縮性好和三維存儲潛力等眾多優(yōu)點。因此,近年來憶阻器作為信息存儲和計算受到了廣大研究者們和工業(yè)界的廣泛關注。另一方面,自2004 年石墨烯被首次實驗發(fā)現(xiàn)以來,二維材料的研究得到了廣泛的關注。近幾年,越來越多的二維材料被應用到阻變器件的研究中,包括作為電極材料的石墨烯、過渡金屬硫化物、氮化硼等。最近,本研
電子元件與材料 2021年4期2021-04-28
- 單兵巡飛彈弱彈道環(huán)境智能感知系統(tǒng)
，采用高可靠非易失性存儲芯片實現(xiàn)彈道數(shù)據(jù)存儲，芯片尺寸為5 mm×5 mm×2.5 mm。圖2 高可靠存儲模塊電路Fig.2 Highly reliable memory module circuit2 無信息交互下弱環(huán)境感知試驗無信息交互即彈載計算機和引戰(zhàn)系統(tǒng)無持續(xù)相互通信(詢問狀態(tài)和反饋狀態(tài))，僅測試感知系統(tǒng)對微弱環(huán)境力的感知精度和感知、存儲可靠性。2.1 離心過載試驗地面過載測試系統(tǒng)搭建在離心環(huán)境下，以模擬單兵巡飛彈的整個彈道環(huán)境。為了完整地模擬飛控
探測與控制學報 2021年6期2021-02-18
- 基于持久化內存的索引設計重新思考與優(yōu)化
ac.cn)非易失性內存(non-volatile memory， NVM)是近幾年來出現(xiàn)的一類存儲介質的統(tǒng)稱，例如:PCM[1]，ReRAM[2]，STT-RAM[3]等.一方面，這些存儲介質同DRAM(dynamic RAM)一樣有著低訪問延遲、可字節(jié)尋址的特性；另一方面，與DRAM不同的是，它們具有非易失性、較低的能耗和較高的存儲密度.這使得基于NVM技術的非易失性內存有著更大的單片存儲容量，同時能夠作為存儲設備保存數(shù)據(jù).若利用基于非易失性內存構建存
計算機研究與發(fā)展 2021年2期2021-02-07
- 存儲器中易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)
具有很強的脆弱易失性[5]。本文在存儲器中易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)的硬件和軟件框架進行設計，根據(jù)所設計框架闡述了易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)的工作流程，通過實驗驗證了存儲器中易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)的可行性。1 易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)硬件設計儲存器中數(shù)據(jù)一般有易失性數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡數(shù)據(jù)、硬盤數(shù)據(jù)3種，如同用戶登入、網(wǎng)絡連接、運行進程等具有強時態(tài)性的數(shù)據(jù)信息，就屬于易失性數(shù)據(jù)的范疇[6]。易失性數(shù)據(jù)具有隱蔽性、客觀性、脆弱易失性的特點
計算機測量與控制 2019年3期2019-03-19
- FRAM存儲器及其在新型12導心電圖機中的應用分析
的，它是一種非易失性的讀寫存儲器，其核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料有快速存儲和不會丟失數(shù)據(jù)兩大突出型優(yōu)點，所以便攜式檢測設備如新型12導心電圖機就采用了FRAM存儲器來記錄患者數(shù)據(jù)。一、傳統(tǒng)半導體與FRAM存儲器的區(qū)別傳統(tǒng)半導體存儲器可分為兩種，一種是易失性存儲器，一種是非易失性存儲器。易失性存儲器（RAM）又分為靜態(tài)RAM和動態(tài)內存兩種，它可以在隨時隨地進行讀寫，且讀取速度快，操作方便，但關閉電源后數(shù)據(jù)不能保存，若想保存數(shù)據(jù)就必去把他們存入到硬盤中
健康大視野 2018年13期2018-10-31
- 基于RRAM的混合存儲模型
,4]。新型非易失性存儲器(non-volatile memory，NVM)的出現(xiàn)，為解決上述問題提供了方向?，F(xiàn)有的NVM主要有相變存儲器(phase change memory，PCM)、阻變存儲器(resistive random access memory，RRAM)、自旋轉移力矩存儲器(spin-transfer torque RAM，STT-RAM)[5,6]等，它們具有非易失性、漏電功耗低、存儲密度高和擴展性強等特性，成為存儲領域的研究熱點，有
計算機工程與設計 2018年10期2018-10-24
- 一個基于日志結構的非易失性內存鍵值存儲系統(tǒng)
的開銷.由于非易失性內存的延時接近于DRAM，這種用戶態(tài)/內核態(tài)切換開銷對存儲系統(tǒng)的性能的影響是不能忽略的.在基于DRAM內存存儲系統(tǒng)方面，鍵值存儲也是研究熱點，如在實際中被廣泛應用的Memcached[11]、性能非常好的MICA[12]，但針對DRAM設計的系統(tǒng)無法顧及到非易失性內存的特性，如NVM的讀寫延時的差異、DRAM與NVM訪問速度差異等.因此，綜合DRAM和NVM各自特點開發(fā)新型的系統(tǒng)需要新的設計思路和實踐.在使用NVM設計存儲系統(tǒng)時，傳統(tǒng)的
計算機研究與發(fā)展 2018年9期2018-09-21
- 中國開創(chuàng)第三類存儲技術
入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。據(jù)了解，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機中的內存，掉電后數(shù)據(jù)會立即消失；第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來。此次研發(fā)的新型電荷存儲技術，既滿足了10納秒寫入數(shù)據(jù)速度，又實現(xiàn)了按需定制（10秒—10年）的可調控數(shù)據(jù)準非易失特性。這種全新特性不僅在高速內存中可以極
科教新報 2018年16期2018-09-08
- 多鐵異質結構中逆磁電耦合效應的研究進展?
磁性行為也具有易失性,例如在PMN-PT(001)上生長CoFe2O4[27]和La0.7Sr0.3MnO3[28],電場對磁性的調控都顯示了蝶形(butterf l y)行為,這不利于磁存儲等實際應用,研究人員也在努力尋找新的電場非易失調控磁性行為.Zhang等[26]意識到鐵電疇在電場調控磁性中的重要作用,將20 nm非晶態(tài)CoFeB薄膜生長在PMN-PT(001)襯底上(圖2(a)),觀察到了電場對磁性的顯著的非易失性調控.這一現(xiàn)象不能用界面電荷機理
物理學報 2018年15期2018-09-06
- 異構非易失性內存卷模式實現(xiàn)與應用
)0 引 言非易失性內存設備NVM(Non-volatile memory)是指在系統(tǒng)掉電時仍能保持數(shù)據(jù)不丟失的存儲設備。從發(fā)展歷程看，主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩種。塊尋址設備性能比動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)低得多，而字節(jié)尋址設備性能接近DRAM。針對NVM建立訪問模式的研究主要集中在兩個方面。一方面將NVM當作存儲設備，在NVM上建立文件系統(tǒng)進行持久內存管理[1]。另一方面，對于按字節(jié)尋址的NVM，
計算機應用與軟件 2018年8期2018-08-15
- 你認識的存儲器真的是你認識的存儲器嗎？
數(shù)據(jù)存儲方式（易失性和非易失性）和訪問方式（隨機或順序）分類（見表1所示）。如果按功能分類，存儲器可分為兩大類：主存儲器（主存儲器或存儲器），是可作用于數(shù)據(jù)的有效類型；輔助存儲器（數(shù)據(jù)存儲），可提供長期存儲。對于主存儲器，速度至關重要，因為它負責存儲當前使用的和/或更改的數(shù)據(jù)。試想您在玩最喜愛的電子游戲時，每做一個動作都要暫停一次，或者因為智能手機的GPS應用無法及時重新定位而錯過一個路口時，您會有多懊惱。緩存是主存儲器的子集，需要存儲等待執(zhí)行的指令，因此
電子工業(yè)專用設備 2018年1期2018-03-16
- Intel同美光將在2019年停止NAND flash技術合作
被廣泛使用的非易失性存儲器產(chǎn)品，產(chǎn)品被廣泛使用在智能手機、個人電腦、平板電腦、數(shù)據(jù)中心等市場中，2017年全球NAND flash產(chǎn)品銷售額高達550億美元?，F(xiàn)今，NAND flash已經(jīng)發(fā)展至1X nm工藝制程，但是由于先進工藝制程造成了NAND氧化層越來越薄、可靠性越來越差的問題。為提高存儲器的容量、性能、可靠性，各大NAND flash已經(jīng)開始通過堆疊形式研發(fā)和生產(chǎn)3D NAND flash產(chǎn)品。Intel和美光共同開發(fā)的最新第三代3D NAND f
中國計算機報 2018年5期2018-02-26
- 非易失性鐵電疇壁存儲器原型開發(fā)成功
非易失性鐵電疇壁存儲器原型開發(fā)成功由來自澳大利亞、美國和中國的研究人員組成的國際研究團隊成功開發(fā)出了非易失性鐵電疇壁存儲器的功能性原型。鐵電疇壁是含有相同極化區(qū)隔離缺陷的一種拓撲結構，具有獨特的導電特性，通過疇壁的引入或去除能夠生成可讀寫的二元狀態(tài)，從而實現(xiàn)信息存儲，且存儲的信息能夠以無損的方式被讀取。與鐵磁材料相似，鐵電材料也具有疇壁，但鐵電材料的疇壁比鐵磁材料中的疇壁小得多，這就使更小尺寸存儲材料的制備成為了可能。與傳統(tǒng)的硅基復合金屬氧化物半導體結構相
軍民兩用技術與產(chǎn)品 2017年13期2017-12-18
- RRAM在可編程邏輯中的應用
采用更高效的非易失性存儲單元來替代SRAM使得可重復編程系統(tǒng)的速度和功耗得到提高。介紹了基于阻變單元的可編程nvSRAM和nvLUT，對其器件結構和工作模式進行了概述。nvSRAM和nvLUT可以被用于替代傳統(tǒng)可編程邏輯中的SRAM和LUT，其常關和瞬時開啟的特性使得靜態(tài)功耗極低，同時具有更好的CMOS工藝匹配性和更易實現(xiàn)的微縮化前景。阻變隨機存儲器；隨機存儲器；查找表；非易失性邏輯；可編程邏輯；可重配置1 引言如今可編程器件在微系統(tǒng)和集成電路系統(tǒng)中得到廣
微處理機 2017年2期2017-07-31
- 英特爾Fab 68產(chǎn)出3D NAND TLC數(shù)據(jù)中心級SSD
世界最先進的非易失性存儲制造工廠，并成為英特爾SSD產(chǎn)品主要制造廠之一。5月10日，英特爾就在大連工廠發(fā)布了兩款采用最新的3D NAND TLC技術所制造的數(shù)據(jù)中心級SSD產(chǎn)品：DC P4500/P4600。這兩款產(chǎn)品主要為云存儲解決方案所設計，可應用于軟件定義存儲及融合式基礎設施。其中，DC P4500系列專門針對數(shù)據(jù)讀取進行優(yōu)化，能讓數(shù)據(jù)中心從服務器中獲得更多價值并存儲更多數(shù)據(jù);而針對混合型工作負載所設計的DC P4600系列則可以加速緩存，并使每臺服
CHIP新電腦 2017年6期2017-06-19
- 我國數(shù)據(jù)非易失性多功能和可編程自旋邏輯器件研究獲進展
我國數(shù)據(jù)非易失性多功能和可編程自旋邏輯器件研究獲進展中國科學院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實驗室（籌）的研究人員通過優(yōu)化磁異質結構材料，利用自旋軌道耦合轉矩效應及自旋霍爾效應，在新型自旋邏輯器件及其工作機理研究中取得重要進展。研究人員利用微納加工方法，將Pt/Co/MgO和Ta/CoFeB/MgO兩種典型的具有垂直磁各向異性的磁性異質結構加工成十字狀的Hall條樣品，利用鎖相技術表征了兩種體系中電流所攜帶的自旋軌道耦合力矩成分；通過在Hall條兩路徑同時
軍民兩用技術與產(chǎn)品 2017年5期2017-04-25
- Microsemi攜新工藝FPGA發(fā)力中等規(guī)模市場
，不僅保持了非易失性FPGA具備的所有優(yōu)點(如靜態(tài)功耗低、安全性好、擁有單粒子翻轉免疫性等)，而且涵蓋了100K到500K邏輯單元的密度，尤其適合于通信、國防和工業(yè)市場的特定區(qū)間和應用。通過與Silicon Creations合作，Microsemi研制出了全面優(yōu)化的12.7 Gbps收發(fā)器，尺寸小并且低功耗，從而將10 Gbps的總體功耗降低至90 mW以下。PolarFire器件具有同級最低的靜態(tài)功耗，例如100K邏輯單元(LE)器件為25mW;具有零
單片機與嵌入式系統(tǒng)應用 2017年4期2017-04-14
- 中科院物理所基于憶耦器實現(xiàn)非易失性多態(tài)存儲
于憶耦器實現(xiàn)非易失性多態(tài)存儲中國科學院物理研究所的研究人員提出了一種新的非易失性存儲器件——憶耦器（memtranstor），并在單個憶耦器上分別實現(xiàn)了兩態(tài)存儲、多態(tài)存儲和布爾邏輯運算。據(jù)悉，憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。該電子元件的基本特征是具有非線性電荷-磁通回滯曲線。與憶阻器采用電阻（R=dV/ dI）的狀態(tài)存儲信息不同，憶耦器采用電耦（T=dq/dφ，或者等效于磁電耦合系數(shù)α=dE/
軍民兩用技術與產(chǎn)品 2017年3期2017-03-31
- CFP MSA 100G光模塊管理接口設計與實現(xiàn)
性區(qū)分NVR非易失性存儲器和VR易失性存儲器2種。NVR寄存器標識模塊屬性（只讀），在CFP光模塊內部需要有非易失性存儲設備支持數(shù)據(jù)存儲。VR寄存器支持HOST對模塊的控制命令和模塊實時數(shù)字診斷信息更新。1.2CFP MDIO接口硬件設計CFP MDIO接口設計工程實現(xiàn)中通常有2種方案：方案一使用FPGA+MCU方式，F(xiàn)PGA編碼實現(xiàn)從MDIO協(xié)議轉換，F(xiàn)PGA和MCU之間定義私有接口，兩者配合實現(xiàn)CFP模塊標準管理接口功能；方案二使用MCU實現(xiàn)MDIO接
無線互聯(lián)科技 2016年14期2017-02-06
- 英特爾發(fā)布Atom E3900系列Goldmont物聯(lián)網(wǎng)處理
重頭，超過了非易失性內存，僅次于客戶端和數(shù)據(jù)中心業(yè)務。此外，IoT業(yè)務較上一年增長了19%，未來一年有望繼續(xù)增長。在Atom E3900系列之前，英特爾曾推出過微型的Curie和性能相對更強的Atom E系列產(chǎn)品。但在今天之前，該公司尚未專門打造過高端IoT芯片。Atom E3800系列其實基于Bay Trail，最近發(fā)布的Joule設備則使用了Broxton（曾被英特爾砍掉的移動Atom SoC）。今天發(fā)布的Atom E3900系列，為市場帶來了功耗6W
中國信息化周報 2016年43期2016-12-27
- 聚焦創(chuàng)新探索 提升阻變性能
氧化物異質結非易失性阻變器件具有多態(tài)存儲能力、穩(wěn)定性能較好，開展相關研究對推進阻變存儲器實用化進程具有相當重要的意義。2006年起，顏志波就開始從事過渡金屬氧化物的龐磁電阻、非易失性電阻開關及多鐵性的研究。工欲善其身，必先利其器。在材料合成與樣品制備方面，顏志波熟練地應用固相反應法、溶膠-凝膠法、PLD、磁控濺射等手段；在實驗建設方面，他能夠利用PPMS系統(tǒng)和各種電壓/電流源表并應用LabView軟件自行搭建各種實驗測試與采集系統(tǒng)；在材料表征及樣品性能分析
科學中國人 2016年7期2016-08-16
- 詩性
——史性——失性——試論《白鹿原》及其話劇和電影改編
性 ——史性——失性——試論《白鹿原》及其話劇和電影改編朱堯堯（杭州師范大學310036）摘要：陳忠實的《白鹿原》可謂是史詩性質的巨作，厚重的文本承載了半個世紀的重量，展現(xiàn)了立體而渾厚的民族秘史。經(jīng)孟冰改編的話劇《白鹿原》雖少了幾分詩性，也能彰顯出幾分史學價值。王全安打著“史上最難拍電影的旗號”將《白鹿原》搬上銀屏，為我們展現(xiàn)的卻是“一個女人的傳奇”，完全失去了詩性和史性，無厚重感可言。本文試從百靈、田小娥、白嘉軒、朱先生等人物入手去比較原著、話劇和電影的
大眾文藝 2016年7期2016-01-27
- 英特爾和美光科技推出突破性存儲技術
Point的非易失性存儲器技術，該技術有潛力對那些得益于快速訪問大量數(shù)據(jù)的任何設備、應用或服務實現(xiàn)革新?，F(xiàn)已投入生產(chǎn)的3D XPoint技術是存儲器制程技術的一項重大突破，也是自1989 年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術的非易失性存儲器。互聯(lián)設備和數(shù)字服務的爆炸式增長產(chǎn)生了大量的新數(shù)據(jù)。為了讓這些數(shù)據(jù)變得更有價值，必須對這些數(shù)據(jù)進行非常快速地存儲和分析，而這也為設計內存和存儲解決方案時必須權衡成本、功耗和性能的服務提供商和系統(tǒng)制造商帶來了挑戰(zhàn)。3D
個人電腦 2015年8期2015-11-02
- 華虹宏力榮獲“2015中國智能卡與移動支付行業(yè)評選”雙料大獎
場需求嵌入式非易失性存儲器（eNVM）工藝已廣泛應用于智能卡芯片、微控制器（MCU）等領域，隨著4G通訊、移動互聯(lián)網(wǎng)、金融IC卡、移動支付和物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，嵌入式非易失性存儲器工藝將擁有越來越大的市場需求空間。憑借在嵌入式非易失性存儲器技術的領先地位，華虹宏力在全球贏得了龐大的智能卡IC市場份額，目前是世界第一大的智能卡IC代工廠商。2014年，公司智能卡芯片出貨量達31.4億顆；其中，SIM卡芯片出貨26.6億顆，約占全球50%市場份額。重視技術積累，
電子世界 2015年19期2015-03-24
- 英特爾計劃將其大連工廠升級為“非易失性存儲技術”制造基地
工廠升級為“非易失性存儲技術”制造基地并將其最新技術的生產(chǎn)引入中國北京2015年10月21日電/美通社/--英特爾公司今天宣布將計劃升級其大連工廠，將轉產(chǎn)為“非易失性存儲器”制造。英特爾會將其與美光合資開發(fā)的最新非易失性存儲技術引入中國，落地在英特爾大連制造。英特爾計劃升級改造其大連工廠現(xiàn)有設施、并依托于多年來在大連所建立起的世界級的工廠運營能力和精尖制造專長。未來，英特爾預計對此項目投資高達55億美元。該戰(zhàn)略性計劃是英特爾深化其非易失性存儲器業(yè)務發(fā)展戰(zhàn)略
電腦與電信 2015年10期2015-01-17
- 科西嘉人
暴雨的夜晚他癲瘋失性瓦雷里舍棄文學，投身于哲學以求抵御一場深刻的精神危機我常常陷入沉思竭力想象他和類似的人掉進思慮的許多細節(jié)那些躲避不開危險事物的人被那白亮鋒利的危機割破之時他流什么血，他說什么話在無限大的黑暗中人的一生永遠提著燈籠行走在無限大的黑暗里手持火焰會帶來無限大的信心俯瞰者會看到那是螢火蟲似的一團光明在飄蕩那團光亮不能照耀得更遠了它不能顧及未來的前面也不能葆有已過去的后面曾經(jīng)被璀璨豁亮的地方都會重新淪陷在黑暗中人的一生永遠提著燈籠行走在漆黑之夜里
延河 2014年12期2014-12-12
- 面向混合內存體系結構的模擬器
幸的是，新型非易失性存儲（Non－Volatile Memory，NVM）技術的興起與發(fā)展為打破傳統(tǒng)DRAM內存這一系統(tǒng)性能與能耗瓶頸提供了契機.以相變存儲器（Phase Change Memory，PCM）為代表的非易失性存儲器件有著良好地可擴展性，比閃存（Flash Memory），更加接近DRAM的時延與帶寬特性，非易失性，以及極低的靜態(tài)功耗等一系列優(yōu)良的特性.遺憾的是，它們同樣也有著使用壽命短、寫時延與功耗過高等一些尚未克服的缺陷.因此，尚不具備利
華東師范大學學報（自然科學版） 2014年5期2014-10-31
- 一種獲取Android應用程序密碼的方法
為兩類:一類是易失性的，斷電后就會消失。另一類是非易失性的，斷電后不會消失。按照以上的分類方法，設備的RAM中存儲的是易失性數(shù)據(jù)，在這些數(shù)據(jù)中通常都包含一些非常重要的信息，如應用程序的密碼和用戶名，認證證書，等等。Android是一種在移動設備上常見的操作系統(tǒng)，如何獲取Android設備RAM中的數(shù)據(jù)并分析其中的重要信息對調查取證工作具有重要意義。1 國內外研究進展目前國內外的專家在如何獲取非易失性數(shù)據(jù)方面做了大量的工作，也開發(fā)了很多比較好的取證軟件，而在
中國人民公安大學學報（自然科學版） 2014年3期2014-06-23
- 德州儀器推出業(yè)界首款高度集成NFC傳感器應答器
耗微控制器和非易失性鐵電存儲器（FRAM）面向工業(yè)、醫(yī)療、可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用北京2014年12月17日電/--日前，德州儀器（TI）宣布推出業(yè)界首款靈活型高頻13.56 MHz傳感器應答器系列。高度集成的超低功耗RF430FRL15xH片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列把符合ISO 15693標準的近場通信（NFC）接口與可編程微控制器MCU）、非易失性FRAM、模數(shù)轉換器ADC）、SPI或I2C接口進行了完美的結合。雙接口RF430FRL15xH
電腦與電信 2014年12期2014-03-23
- 浮柵型有機非易失性存儲器的研究
)浮柵型有機非易失性存儲器的研究陸旭兵1*， 邵亞云1， 劉俊明2(1.華南師范大學華南先進光電子研究院，廣東廣州 510006;2.南京大學固體微結構物理國家重點實驗室,江蘇南京 210093)有機柔性電子器件具有低制造成本、大面積、可柔性折疊等優(yōu)點，是近年來國內外學術界和工業(yè)界的研究熱點.有機非易失存儲器是一種重要的有機柔性電子器件.介紹了浮柵型有機非易失性存儲器件的工作原理；綜述了國內外學術界對浮柵型有機非易失性存儲器的研究進展、存在的問題及解決對策
華南師范大學學報（自然科學版） 2013年6期2013-10-28
- 理解和應用數(shù)字電位器
，同時內部有非易失性（Non-volatile）存儲器EEPROM，用戶可對其進行讀寫操作，并通過軟件控制接口對其阻值進行編程；4）利用數(shù)字電位器可實現(xiàn)模擬電路中對電阻、電壓或電流的數(shù)字控制及調整；5）允許將幾個數(shù)字電位器進行串、并聯(lián)或混聯(lián)；6）受制作工藝影響，總電阻一致性較差，一般有15%～30%偏差；7）低電壓、低功耗、超小型化、工作溫度范圍寬。1.2 主要參數(shù)1）電源電壓范圍 最高、最低工作電壓之差。該范圍一般為 2.5～5.5 V。2）端電壓 加在
電子設計工程 2012年7期2012-09-26
- AGIGA Tech：無電池非易失性RAM
新的一類，即非易失性存儲器（Non-volatile Memory），其特點是既能像ROM那樣，在斷電后依然保存數(shù)據(jù)不丟失，又能像RAM那樣及時進行數(shù)據(jù)的擦寫?；谶@些優(yōu)點，目前非易失性存儲器已經(jīng)占據(jù)存儲器市場大部分份額，大有取代其他存儲器之勢。與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點。隨著技術發(fā)展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型?！胺且?span id="j5i0abt0b" class="hl">失性存
電腦與電信 2011年11期2011-08-08
- 數(shù)字電位器在加速度存儲測試調理電路中的應用
節(jié)，為此基于非易失性數(shù)字電位器MAX5497結合微處理器C8051F340控制，設計了相應的增益放大電路。1 MAX5497芯片加速度存儲測試系統(tǒng)要求每通道量程可分檔位設置，即試驗前根據(jù)預估的試驗結果，對各測量通道的增益放大系數(shù)進行參數(shù)設置[5-6]。系統(tǒng)的增益放大部分電路見圖1，在圖1所示的反饋放大電路中，放大器電阻R1固定為5 kΩ，而反饋電阻由數(shù)字電位器來擔任，通過控制數(shù)字電位器抽頭W的位置，改變W與L之間的電阻值RWL，使得放大器增益A=-RWL/
電子設計工程 2011年22期2011-06-09
- Microchip擴展獨立實時時鐘/日歷器件系列
SPI接口、非易失性存儲器和比競爭器件性價比更高的有效功能組合。這些新器件可減少元件數(shù)量及成本，適用于智能能源（如恒溫器、電表和商用制冷）、家電（如咖啡機、燃氣灶和微波爐）、汽車（如儀表板控制、汽車收音機和GPS）、消費類電子（如辦公設備和視頻系統(tǒng)），以及通信市場（如收音機、無繩電話和網(wǎng)絡系統(tǒng)）等應用。MCP795WXX/BXX RTCC器件具有毫秒報警功能，以及支持極快速數(shù)據(jù)存取的10 MHz SPI接口，從而能夠實現(xiàn)較長的MCU休眠和省電模式，電池耗電
電子設計工程 2011年23期2011-04-02
- Synopsys推出可用于180 nm CMOS工藝技術的可重編程非易失性存儲器IP
e AEON非易失性存儲器（NVM）知識產(chǎn)權（IP）。這些產(chǎn)品包括數(shù)次可編程（FTP）IP、射頻識別(RFID)IP多次可編程（MTP）IP和可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）多次可編程（MTP）IP等多種IP解決方案。Synopsys提供的DesignWare AEON NVM IP可面向多種領先工藝技術并具有100多種不同的存儲配置，并且這些IP都符合相應的業(yè)界規(guī)范。DesignWare AEON NVM IP在標準CMOS工藝技術上進行實施時，無需
電子設計工程 2011年14期2011-04-01
- 關于Ｖ系列Ｆ－ＲＡＭ的技術說明
司全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商RamtronInternational Corporation的兩款具有高速讀／寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM2SV02。兩款256kb器件是Ramtron公司v系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0v至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具
電子產(chǎn)品世界 2009年9期2009-09-24
- 阻變型非易失性存儲器單元電路結構設計與Ｓｐｉｃｅ仿真
步確定阻變型非易失性存儲器的擦寫速度、器件功耗和集成度等實用化的性能指標，設計RRAM存儲器單元電路結構，并使用HSpice軟件分別對RRAM存儲器單元結構電路的延時和功耗性能進行仿真。同時，通過仿真對雙極型和單極型兩種電阻轉變類型及器件工藝進行比較和分析，確定1T1R結構電路單元適用于雙極型阻變型非易失性存儲器件，并且電路仿真的結果為阻變型非易失性存儲器的進一步實用化提供了參考。關鍵詞：非易失性存儲器；電阻轉變特性；存儲單元結構；1T1R中圖分類號：TN
現(xiàn)代電子技術 2009年2期2009-05-12