蔡閏生 高紅月 何川龍 邢文濤
(航天材料及工藝研究所,北京 100076)
對(duì)截面厚度變化較小,采取適當(dāng)提高透照電壓,減小曝光量進(jìn)行一次性透照的方法,被稱(chēng)為寬容度透照模式[1]。這種方法在射線檢測(cè)實(shí)踐中使用極為廣泛,環(huán)形焊縫檢測(cè)就是最典型的應(yīng)用。此外對(duì)存在凸起、臺(tái)階等變截面金屬鑄件的射線檢測(cè),也多應(yīng)用這種模式。然而,這種寬容度照相模式,在檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)中常被加以限制使用。例如檢測(cè)方法GJB1187A—2001中要求對(duì)鋁合金件照相不得提高30 kV[2]。其他一些標(biāo)準(zhǔn)甚至明確提出:A級(jí)技術(shù)(最低等級(jí))曝光量應(yīng)不小于15 mA·min。標(biāo)準(zhǔn)限制的目的在于確保必要的曝光量,以保證檢測(cè)靈敏度,完成對(duì)細(xì)節(jié)缺陷的檢出。但在檢測(cè)實(shí)踐中,一些檢測(cè)工作量大且使用便攜射線機(jī)(額定透照電流較?。┑墓S企業(yè),為實(shí)現(xiàn)全面檢測(cè)以及提高檢測(cè)效率,通常會(huì)使用較大的透照電壓和相對(duì)較小的曝光量,這種有別標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)方法,其檢測(cè)靈敏度和檢測(cè)結(jié)果常被質(zhì)疑。但事實(shí)上,提高透照電壓、減小曝光量(有相當(dāng)數(shù)量的額定透照電流5 mA的檢測(cè)設(shè)備),實(shí)際檢測(cè)靈敏度降低多少,降低的趨勢(shì)如何,業(yè)界并沒(méi)有明確的認(rèn)識(shí)。本文將以鋁材料為樣本,以絲型像質(zhì)計(jì)為指征,分析大寬容度模式下的射線檢測(cè)靈敏度。
射線檢測(cè)靈敏度是指底片記錄、顯示細(xì)節(jié)的能力[3]。而這個(gè)能力一般用像質(zhì)計(jì)來(lái)表征,絲型像質(zhì)計(jì)為國(guó)內(nèi)普遍采用,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織也將其納入標(biāo)準(zhǔn)中。簡(jiǎn)單地說(shuō):就是底片能發(fā)現(xiàn)多大直徑的絲,即表示在所應(yīng)用的照相技術(shù)下,該尺寸絲狀細(xì)節(jié)可被發(fā)現(xiàn)的能力。但細(xì)致地說(shuō),在黑白底片上,能夠發(fā)現(xiàn)的細(xì)節(jié),都是底片上黑白差異所致,也就是對(duì)比度上的顯示。因此,獲得合適的底片黑度以及較大的對(duì)比度,就是獲得較高射線檢測(cè)靈敏度的關(guān)鍵所在。
射線檢測(cè)理論中有ΔD≥ΔDmin,其中不等式左側(cè)表示可發(fā)現(xiàn)細(xì)節(jié)的對(duì)比度,右側(cè)表示人眼視覺(jué)特性可識(shí)別的最小黑度差(對(duì)于不同形狀的細(xì)節(jié),最小黑度差有一定的差別)。因此,射線檢測(cè)所追求的就是較大數(shù)值的ΔD。
式中,μ為衰減系數(shù),與材料或缺陷性質(zhì)相關(guān);G為膠片特性曲線斜率,與膠片種類(lèi)相關(guān);ΔT為厚度差異或缺陷尺寸;n為散射比。很明顯,公式中并沒(méi)有與透照電壓和透照電流(曝光量)相關(guān)的參數(shù),但實(shí)際上,衰減系數(shù)μ與散射比n都與透照電壓間接關(guān)聯(lián),而且隨著透照電壓的升高,衰減系數(shù)有降低趨勢(shì)。
公式(1)表明:⑴隨后的分析模式所涉及參數(shù)具有全面性;⑵檢測(cè)靈敏度與透照電壓并非具有完全的線性相關(guān)性;⑶寬容度照相模式與檢測(cè)靈敏度具有關(guān)聯(lián)規(guī)律。
透照電壓和透照電流以及透照時(shí)間(曝光量=透照電流×透照時(shí)間)是射線檢測(cè)的幾個(gè)重要參數(shù)。從宏觀上,它們與膠片性質(zhì)等指標(biāo)一起,共同影響底片的黑度、對(duì)比度和靈敏度。從微觀上,透照電壓決定了射線光子穿透物體的能力,透照電流決定了穿透物體的射線光子數(shù)量,這是在透照電壓適當(dāng)情況下獲得的結(jié)論。但如果透照電壓過(guò)低,即使使用大的透照電流和較長(zhǎng)的透照電流輸入時(shí)間,由于入射光子的動(dòng)能不足,衰減過(guò)大,穿透物體的光子數(shù)目也不會(huì)多;同理,如果透照電壓較高,較小的透射電流,穿透物體的光子數(shù)目也不會(huì)過(guò)少。決定底片黑度和靈敏度的本質(zhì)原因,就是這些穿透物體的光子數(shù)[3]。從這個(gè)意義上講,較高的透照電壓,較低的透照電流,或者說(shuō)較小的曝光量,原理上可以獲得應(yīng)有的檢測(cè)靈敏度。
選取適當(dāng)厚度標(biāo)準(zhǔn)鋁試塊,鋪放絲型像質(zhì)計(jì),以黑度2.0為限制條件,分步完成射線照相。其中鋁試塊厚度選取要相對(duì)大些,以盡可能地提高透照電壓。其中黑度限制在2.0,具有兩個(gè)意義:第一是為了保證黑度在GJB1187A—2001的規(guī)定范圍內(nèi);第二提高透照電壓,同時(shí)減小透照電流,勢(shì)必造成黑度波動(dòng),進(jìn)而影響ΔD,致靈敏度數(shù)值失真。
測(cè)試中使用相同底片以防止底片的特征曲線的G值變化帶來(lái)誤差。另外相同的底片可使得底片噪聲得到相對(duì)控制。
因?yàn)檫x取鋁試塊的厚度為定值,當(dāng)透照電壓變化后,實(shí)際上ΔT值就是像質(zhì)計(jì)可發(fā)現(xiàn)的的絲徑數(shù)值。
此外,測(cè)試過(guò)程中,要保證焦距、透照設(shè)備、顯影設(shè)備及參數(shù)的一致性。
綜上,模型設(shè)計(jì)的中心思想就是:公式(1)為模版,恒定相應(yīng)參數(shù),獲取透照電壓和透照電流變化下的靈敏度數(shù)值。
選取15 mm標(biāo)準(zhǔn)鋁試板,源測(cè)放置10#~16#絲鋁質(zhì)像質(zhì)計(jì),從曝光曲線(焦距1 m)選取15 mm厚度對(duì)應(yīng)透照參數(shù)55 kV,15 mA·min,獲得底片。
圖1 55 kV,15 mA·min像質(zhì)計(jì)影像Fig.1 IQI image of 55 kV and 15 mA·min
按照GJB1187A—2001要求,A級(jí)技術(shù)底片黑度要求在1.7~4.0間,現(xiàn)選擇2.0黑度,查詢(xún)曝光曲線,正常透照時(shí),相匹配的透照參數(shù)為55 kV,15 mA·min。
從圖1看出像質(zhì)計(jì)10#~14#絲完整可見(jiàn)。表明此透照條件下,射線檢測(cè)絕對(duì)靈敏度可到14#絲即0.16 mm。這個(gè)靈敏度完全滿(mǎn)足GJB1187A—2001對(duì)于15 mm厚金屬材料必須達(dá)到12#絲0.25 mm絲徑的靈敏度要求。
由于圖1匹配的各項(xiàng)透照指標(biāo)完全符合GJB1187A—2001的要求。因此,圖1可作為透照15 mm鋁試板的標(biāo)準(zhǔn)底片,相關(guān)透照電壓和曝光量確定為基準(zhǔn)參數(shù)。進(jìn)一步將以此為基礎(chǔ),對(duì)寬容度透照模式中曝光量與透照電壓的關(guān)系進(jìn)行驗(yàn)證。即逐步減小曝光量,尋找2.0黑度下的適配透照電壓。具體地,曝光量從15 mA·min開(kāi)始,以1 mA·min為幅度逐步降低,直至曝光量為1 mA·min。通過(guò)實(shí)驗(yàn),各曝光量對(duì)應(yīng)的透照電壓數(shù)值見(jiàn)表1。
表1 透照電流與透照電壓匹配Tab.1 Matching technique of transmission current and voltage
由表1可知,隨著曝光量逐步減小,底片黑度2.0的情況下,初期曝光量15~10(mA·min)區(qū)間,匹配透照電壓增加的幅度較小;中期曝光量9~6(mA·min)區(qū)間,匹配透照電壓變化幅度略有增大;后期曝光量5~1(mA·min)區(qū)間,匹配透照電壓提升明顯。
經(jīng)擬合,在保證底片黑度2.0的前提下,透照電壓與曝光量存在比較精確的冪函數(shù)關(guān)系,其擬合R2=0.998,如圖2所示。
圖2 黑度2.0時(shí),透照電壓與透照電流的關(guān)系Fig.2 Voltage and current relationship between radiographic exposure of black 2.0
從射線透照基礎(chǔ)理論分析這種關(guān)系原因。底片的黑度主要是由射線光量子的數(shù)量決定,當(dāng)透照電壓較低的時(shí)候,即使曝光量較大,也存在相當(dāng)多的低能光量子,它們?cè)谂c被透照物質(zhì)的原子發(fā)生碰撞時(shí),能量被完全消耗,不能穿透物體到達(dá)膠片貢獻(xiàn)黑度。而當(dāng)透照電壓較高時(shí),盡管曝光量較小,但存在相對(duì)更多的高能光量子,它們穿透物體,使底片感光,便有了底片的黑度。至于冪函數(shù)的關(guān)系,這從X射線管的連續(xù)譜輻射總強(qiáng)度公式可以簡(jiǎn)單理解,即射線總強(qiáng)度(可形象理解為光量子數(shù)目)與管電流與透照電壓的平方的乘積成比例。
GJB1187A—2001規(guī)定在焊接件中發(fā)現(xiàn)的像質(zhì)計(jì)絲的長(zhǎng)度不得少于10 mm,鑄件相應(yīng)長(zhǎng)度應(yīng)為100%[4]。結(jié)合以上兩種情況,定義像質(zhì)計(jì)絲長(zhǎng)度顯示50%即為發(fā)現(xiàn)。如此,有兩方面的考量:第一,工程實(shí)踐中,發(fā)現(xiàn)了一定長(zhǎng)度的像質(zhì)計(jì),就表明檢測(cè)能力能夠達(dá)到對(duì)應(yīng)的水平;第二,對(duì)于研究來(lái)說(shuō),工程用像質(zhì)計(jì)不夠精細(xì),有必要細(xì)化。
通過(guò)實(shí)驗(yàn),隨著透照電壓升高曝光量減小,即執(zhí)行寬容度透照模式,檢測(cè)靈敏度有較為明顯的下降,如圖3所示。
圖3 57 kV,13mA·min像質(zhì)計(jì)影像Fig.3 IQI image of 57 kV and 13 mA·min
由圖3可知,當(dāng)曝光量從15 mA·min減小到僅為2 mA·min時(shí),像質(zhì)計(jì)可見(jiàn)最細(xì)絲號(hào)就成為了12#絲,靈敏度下降速度很快。但繼續(xù)實(shí)驗(yàn),這種下降并非大斜率的直線下降,如圖4所示。
圖4 62 kV,10 mA·min像質(zhì)計(jì)影像Fig.4 IQI image of 62 kV and 10 mA·min
由圖4可知,當(dāng)曝光量從標(biāo)準(zhǔn)曝光量的15 mA·min減小了5 mA·min,像質(zhì)計(jì)仍可見(jiàn)12#絲,靈敏度保持不變。但繼續(xù)減小曝光量增大透照電壓,靈敏度再次發(fā)生了顯著變化,如圖5所示。
圖5 63 kV,9 mA·min像質(zhì)計(jì)影像Fig.5 IQI image of 63 kV and 9 mA·min
由圖5可知,像質(zhì)計(jì)可發(fā)現(xiàn)最細(xì)絲為11#。此時(shí),靈敏度仍滿(mǎn)足GJB1187A—2001的相對(duì)要求。此后,這個(gè)靈敏度一直保持到78 kV,4 mA·min。靈敏度與透照電壓對(duì)應(yīng)詳見(jiàn)表2。
表2 透照電壓與靈敏度的關(guān)系Tab.2 The relationship between transillumination voltage and sensitivity
由表2可見(jiàn),寬容度照相模式下,透照電壓與靈敏度具有一定的關(guān)系。其關(guān)系可以表述為:隨著電壓的升高,檢測(cè)靈敏度呈階梯狀下降趨勢(shì),且階梯平臺(tái)逐步加寬。表明:在一個(gè)平臺(tái)上,更多的透照電壓具有相同的檢測(cè)靈敏度。例如:73~78 kV都具有相同的靈敏度。這也從側(cè)面驗(yàn)證了射線理論另個(gè)觀點(diǎn):即透照電壓越高,寬容度越大。
靈敏度是射線檢測(cè)的關(guān)鍵指標(biāo),因此業(yè)內(nèi)對(duì)于寬容度照相這種可降低檢測(cè)靈敏度模式的運(yùn)用抱有謹(jǐn)慎態(tài)度,即不能不用,又只能試探性應(yīng)用,其中核心問(wèn)題就是這種模式下的檢測(cè)靈敏度變化趨勢(shì)的模糊性。通過(guò)對(duì)透照電壓和透照電流(曝光量)相互作用于靈敏度的微觀分析和以鋁材作為模型的宏觀試驗(yàn)分析,經(jīng)過(guò)透照電壓和曝光量?jī)蓞?shù)的組合適配,在2.0黑度下,取得了各組合參數(shù)下的檢測(cè)靈敏度數(shù)據(jù),經(jīng)分析確定以下結(jié)論:⑴鋁材透照電壓提高到可穿透電壓140%,檢測(cè)靈敏度仍滿(mǎn)足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求;⑵在滿(mǎn)足黑度等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求前提下,寬容度照相模式具有可靠的靈敏度;⑶以上結(jié)論雖以鋁材作為研究對(duì)象獲得,但實(shí)驗(yàn)與分析的方法具有普遍意義;⑷透照電壓與曝光量適配數(shù)值具有冪函數(shù)關(guān)系。