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      容偏差靈敏放大器研究與實現(xiàn)?

      2019-11-29 05:13:48
      計算機與數(shù)字工程 2019年11期
      關(guān)鍵詞:良率位線靈敏

      張 立 姚 榮 方 華

      (上海高性能集成電路設(shè)計中心 上海 201204)

      1 引言

      靈敏放大器(Sense Amplifier,SA)是數(shù)據(jù)Cache的關(guān)鍵部件之一,它在整個數(shù)據(jù)Cache 電路的功能、性能和可靠性方面起著不可忽視的作用[1]。其工作原理是在數(shù)據(jù)Cache 訪問存儲單元中信息時,放大存儲單元位線上的小差分信號;它所起到的作用有縮短數(shù)據(jù)Cache 的讀取操作時間、減小位線電壓的擺幅、提高讀取速度同時降低功耗[2~3]。

      在通常情況下,數(shù)據(jù)Cache 存儲單元兩條位線上的放電擺幅比電源電壓要低,這中設(shè)計能夠很好地降低由于位線的充放電而帶來的時序延時和功耗。如果在存儲陣列的內(nèi)部,即使很小的信號擺幅也可以有很大的噪聲容限,然而它連接存儲陣列外部電路時,兩位線上的電壓擺幅太小,只能將其分別放大到高電平“1”和低電平“0”。如此可以使外部電路順利地讀出數(shù)據(jù)Cache 存儲單元中的內(nèi)容,可以保證輸出結(jié)果的正確性[4~5]。一般情況下,兩個輸入信號為兩條位線的電壓信號,并且它們之間的高低電平相差很小,而兩個輸出信號則是標準的高低電平邏輯信號,如圖1 所示,圖中Vin1和Vin2為兩輸入信號,Vout1和Vout2為兩輸出信號。

      圖1 靈敏放大器輸入輸出信號變化圖

      另一方面,隨著集成電路制造工藝的不斷發(fā)展,存儲陣列容量的不斷增加,芯片集成度的不斷增高,數(shù)據(jù)Cache 的設(shè)計工作將越來越具挑戰(zhàn)性。由于存儲單元器件的充電、放電能力比較弱,所以當數(shù)據(jù)Cache 對存儲單元進行讀取數(shù)據(jù)操作時,位線電壓的擺幅變化會比較小,并且需要花費很長的時間才能使位線上的電壓達到能夠驅(qū)動器件的擺幅。這時數(shù)據(jù)Cache 中的靈敏放大器就可以充分發(fā)揮出它的作用了[6]。所以,靈敏放大器應(yīng)有以下幾個特性[7]:

      1)可以從數(shù)據(jù)Cache的bitcell中檢測到微小的差分信號,并且放大到高電平“1”和低電平“0”,進而保證讀出數(shù)據(jù)的有效性。

      2)因為位線上的耦合電容會很大程度上影響訪存速度,所以靈敏放大器應(yīng)該具備降低或消除這種耦合電容的能力。

      3)高增益的靈敏放大器能夠降低位線上的電壓擺幅,進而大幅度降低數(shù)據(jù)Cache 的工作功耗以及提升其讀取速度。

      本文將基于先進工藝,完成一款低功耗容偏差型靈敏放大器的研究與設(shè)計,以滿足現(xiàn)有數(shù)據(jù)Cache的讀取數(shù)據(jù)需求。

      2 靈敏放大器結(jié)構(gòu)

      本文設(shè)計的SA結(jié)構(gòu)如圖2。

      圖2 靈敏放大器結(jié)構(gòu)圖

      本文設(shè)計的SA 結(jié)構(gòu)為電壓鎖存型,如圖2 所示。其中,P管M6為預充平衡管,在預充時平衡BL和BL_bar的電壓。P管M7和M8為預充管,負責預充BL 和BL_bar 以及復位SA。P 管M4 和M5 為去耦管,負責SA 工作時分離輸入輸出,并減小BL 和BL_bar 上的耦合電容。M0、M1、M2、M3 為互補反相器對,即為鎖存器。M11、M12、M13、M14 為dout和dout_bar 輸出反相器,讓輸出信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,并提升其驅(qū)動能力。N 管M9、M10 為開關(guān)管,由信號SAEN控制。

      電壓鎖存器型靈敏放大器工作時分為四個階段[8~9]:

      1)預充:當prech信號有效時,通過預充管對位線(BL)和位線非(BL_bar)充電到電源電壓VDD,V1和V2點也預充到高電平VDD,SA復位。

      2)第一階段:字線(WL)開啟,打開的bitcell(存“0”節(jié)點)下拉位線BL 或者BL_bar,相應(yīng)另一側(cè)會維持電源電壓,當下拉至位線差為120mv 左右時,電壓差傳遞至V1 和V2 點為100mv 左右,SAEN 信號有效,SA開始工作。

      3)第二階段:SAEN 信號為“1”時,SA 開始工作,M4、M5關(guān)閉,隔離位線耦合電容,V1和V2點維持原先的電壓差(100mv),M9、M10 開啟,V1 和V2點同時被M0和M2兩N管下拉,直到PMOS開啟。

      4)第三階段:PMOS 開啟,V1、V2 電壓低的一方,控制的PMOS 優(yōu)先開啟,并對另一方進行電流回充,由正反饋形成快速的放大作用。

      3 物理實現(xiàn)

      容偏差靈敏放大器的版圖設(shè)計如圖3 所示,在規(guī)劃此版圖設(shè)計的時候應(yīng)注意以下幾點:

      1)整體布局都應(yīng)相互對稱,采用半邊設(shè)計,再鏡像調(diào)用;

      2)敏感器件(圖中虛線部分)采用中心對稱的方式設(shè)計,從物理設(shè)計上保證SA的內(nèi)部平衡性;

      3)敏感器件用屏蔽線(接VSS)包圍,增強SA的整體抗干擾能力,這也是其容偏差型的一大保證;

      4)放大管采用大于兩倍最小管長的方式設(shè)計,以增加該結(jié)構(gòu)的抗工藝偏差能力,這點將在下一章節(jié)中重點予以分析;

      5)采用非最小規(guī)則進行版圖設(shè)計,雖然該SA的整體設(shè)計面積不是很大,但其內(nèi)關(guān)鍵信號間的走線都應(yīng)拉開足夠大的距離,避免互相之間產(chǎn)生串擾影響SA的工作效率[10~11]。

      圖3 容偏差靈敏放大器晶體管布局

      對該結(jié)構(gòu)的靈敏放大器單獨進行10000 次Monte Carlo 后仿分析(基于40nm 工藝),分別在125℃/0.72V、85℃/0.8V、25℃/0.88V 這三種條件下,每種分析2 種差分輸入(10mv 和20mv)。進而測量該靈敏放大器fire(saen有效)后到數(shù)據(jù)輸出端的延時,即SA的自身延時;另一方面檢測該靈敏放大器是否能在當前環(huán)境下將信號準確放大,即SA 在各情況下的良率。仿真數(shù)據(jù)如表1所示。

      表1 容偏差靈敏放大器Monte Carlo仿真數(shù)據(jù)表

      從以上數(shù)據(jù)可以得出:

      1)新工藝下的該靈敏放大器單獨工作在20mv差分輸入時Monte Carlo分析良率達到100.00%;

      2)在以上幾種情況下該結(jié)構(gòu)的靈敏放大器在差分電壓為10mv 時,蒙特卡洛仿真都或多或少的有Failed情況出現(xiàn);

      3)該靈敏放大器性能受差分電壓的影響很明顯,差分電壓越大,其自身延時越小、速度越快、抗偏差能力越強;

      4)溫度的降低和電壓的升高,都會降低該靈敏放大器的工作效率以及良率。

      4 容偏差分析

      隨著工藝水平的不斷發(fā)展,工藝進入了納米尺度,隨機摻雜波動(Random Dopant Fluctuation)等工藝偏差(Process Variation),及噪聲影響愈加明顯,嚴重影響著靈敏放大器的性能、可靠性[12]。對容偏差設(shè)計方法的研究分析已是存儲器設(shè)計中一項重點[13]。因此對于靈敏放大器的容偏差研究,即設(shè)計一款可靠性高的靈敏放大器是數(shù)據(jù)Cache 設(shè)計研究中的重中之重[14~15]。

      下面將基于40nm工藝的HSPICE仿真數(shù)據(jù),對本文設(shè)計的靈敏放大器在完整數(shù)據(jù)Cache(包含bitcell的放電時間)中進行讀數(shù)容偏差分析。

      表2 L=80nm、slope=100ps條件下電壓型放大器的時序開銷和良率表

      通過Hspice 仿真,在高電平電壓VDD=0.85V,溫度T=75℃的前仿條件下,當放電管溝道長度設(shè)置為2 倍最小管長L=80nm,信號saen 的變化斜率slope=100ps時,得到的時序開銷和仿真良率在不同的差分電壓下如表2 所示,當差分電壓降到30mv的時候,良率開始出現(xiàn)問題。

      表3 L=40nm、slope=100ps條件下電壓型放大器的時序開銷和良率表

      在高電平電壓VDD=0.85V,溫度T=75℃的前仿條件下,當放電管溝道長度設(shè)置為最小管長L=40nm,信號saen的變化斜率slope=100ps時,得到的時序開銷和仿真良率在不同的差分電壓下如表3所示,當差分電壓降到50mv的時候,良率就出現(xiàn)問題,可見管長的增加有利于抗工藝偏差。

      表4 L=40nm、slope=20ps條件下電壓型放大器的時序開銷和良率表

      在高電平電壓VDD=0.85V,溫度T=75℃的前仿條件下,當放電管溝道長度設(shè)置為最小管長L=40nm,信號saen 的slope=20ps 時,得到的時序開銷和仿真良率在不同的差分電壓下如表4 所示,當差分電壓降到50mv的時候,良率出現(xiàn)問題,但由于信號saen 變化斜率slope 的減小,良率進一步下降。信號saen 的slope 改善,反而降低了良率,由此可見,信號saen的slope變緩,可以抗電位偏移。

      綜上所述,放電管的溝道長度L 和saen 信號的slope 值都將影響整個靈敏放大器的可靠性。溝道長度越長、saen 信號的變化斜率越大,靈敏放大器的抗偏差性越好,其可靠性越高。在數(shù)據(jù)Cache 中該結(jié)構(gòu)的靈敏放大器在差分電壓100mv 時各情況均能正常工作,且良率為100.00%,可靠性得到保證,工作頻率超過2.5GHz。

      表5 兩種鎖存器型靈敏放大器仿真結(jié)果對比表

      將該結(jié)構(gòu)的靈敏放大器與一般電流鎖存器型靈敏放大器進行性能比較,如表5 所示,可以發(fā)現(xiàn)本文中的SA 性能有明顯優(yōu)勢,響應(yīng)速度比后者將近快40%;且可靠性也很有優(yōu)越性,后者在差分電壓為50mv 的時候就已經(jīng)開始出錯,可以說本文中的SA 在30mv 差分電壓下的性能相當于后者在50mv差分電壓下的性能。

      5 結(jié)語

      本文設(shè)計了一款新工藝下的容偏差靈敏放大器結(jié)構(gòu),采用全定制的方法實現(xiàn),上層數(shù)據(jù)Cache可直接調(diào)用該結(jié)構(gòu)進行讀寫數(shù)據(jù)處理,具有可控性強、靈敏度高、抗工藝偏差能力強等優(yōu)點。對該結(jié)構(gòu)進行了電路層次和版圖層次的簡單分析,并對其單獨工作時最優(yōu)差分電壓的探索,由實驗表明其能在差分電壓為20mv 下良率達到100.00%,且在同環(huán)境下與電流鎖存器型靈敏放大器進行性能比較。最后通過該結(jié)構(gòu)在完整數(shù)據(jù)Cache 中Hspice仿真分析,證明該靈敏放大器為容偏差型,可靠性進一步得到保障,能夠滿足數(shù)據(jù)Cache 2.5GHz的工作頻率需求。

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