良率
- 提高半導(dǎo)體良率的質(zhì)量管理策略分析
32）1 半導(dǎo)體良率管理面臨的挑戰(zhàn)隨著電子信息技術(shù)快速發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷持續(xù)高速增長。截至2022年，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模已達到5 740億美元。為滿足消費電子、通信、汽車電子等下游需求，半導(dǎo)體制造商不斷提高集成度，推出更復(fù)雜的芯片產(chǎn)品。與此同時，更先進的制程也對半導(dǎo)體企業(yè)的良率管理能力提出更高的要求。目前主流芯片制程已經(jīng)達到10 nm 甚至更小的工藝節(jié)點。極限尺寸使芯片制造難度大幅提高，不同工序間容錯率降低。任何微小變異都可能導(dǎo)致產(chǎn)量損失和質(zhì)量問題。晶圓
今日自動化 2023年7期2023-11-23
- 基于CNN-LSTM的晶圓良率預(yù)測*
試電路參數(shù)與晶圓良率之間的關(guān)聯(lián),進而對晶圓良率進行預(yù)測,可揭示半導(dǎo)體工藝制程中影響晶圓良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為工藝制程調(diào)整及晶圓質(zhì)量控制提供重要參考。因此,晶圓良率預(yù)測逐漸獲得晶圓制造質(zhì)量管理部門關(guān)注。傳統(tǒng)晶圓良率預(yù)測研究主要考慮晶圓缺陷的數(shù)量、類型、來源等因素展開,BAE等[1]考慮晶圓缺陷的群聚特征與晶圓圖上缺陷的空間分布特點,基于不同的回歸分析方法建立良率預(yù)測模型;邱明輝等[2]提出一種基于密度噪聲的應(yīng)用空間聚類方法分析晶圓缺陷的聚集特征,并設(shè)計一種混合模
組合機床與自動化加工技術(shù) 2023年7期2023-08-02
- 設(shè)備部件延壽的灰色多指標畸變預(yù)測模型
、生產(chǎn)過程的產(chǎn)品良率變異情況等,這些因素對設(shè)備壽命的影響均是未知的,造成預(yù)測的精度出現(xiàn)偏差較大。故本文選用灰色預(yù)測方法構(gòu)建灰色多目標畸變預(yù)測模型,對設(shè)備部件的壽命已經(jīng)達到管控閾值后,進行延長壽命的預(yù)測研究,并對模型的預(yù)測精度進行檢驗,最終根據(jù)畸變預(yù)測的結(jié)果確定了設(shè)備部件的延壽時間,并以半導(dǎo)體制造業(yè)為實際案例驗證了該模型的有效性。1 延壽畸變預(yù)測模型架構(gòu)本文首先確定了兩種上限和下限畸變異常預(yù)測指標A和B。然后運用灰色系統(tǒng)理論,在第一階段分別建立灰色上下畸變預(yù)
系統(tǒng)工程與電子技術(shù) 2023年2期2023-02-01
- 螺絲機設(shè)備類型及在自動化行業(yè)中的應(yīng)用
點是鎖付質(zhì)量高、良率高，不良螺絲和鎖付不良品隨時排除。缺點是效率低，人工容易疲勞，不適合連續(xù)生產(chǎn)，綜合成本高。半自動螺絲機為人工進行產(chǎn)品的上料，螺絲自動進行上料，自動進行鎖付；或者是螺絲自動上料，人工進行產(chǎn)品的上料和鎖付。半自動螺絲機效率比人工高，鎖付質(zhì)量也能得到保障。自動化螺絲機就是自動對產(chǎn)品進行定位、自動上螺絲、自動進行鎖付、自動周轉(zhuǎn)成品的螺絲機設(shè)備。自動化螺絲機效率高、成本低，但是良率不一，問題也比較多。1.2 按平臺類型分按平臺類型，分為桌面式螺絲
裝備制造技術(shù) 2022年8期2022-11-10
- 無視覺引導(dǎo)下普通電批超小螺絲鎖付結(jié)構(gòu)設(shè)計
，影響螺絲的鎖付良率。改進后采用兩組軸承對批頭進行導(dǎo)向，而且兩個軸承的間距在結(jié)構(gòu)允許的條件下盡量遠、盡量靠近批頭端部，以控制批頭端部的擺動量，提高螺絲的鎖付良率。改進前，連接體上端與批頭結(jié)合處的密封墊片采用聚氨酯或硅膠墊片，密封性雖好，但是由于加工精度難以保證，密封墊片對批頭的摩擦力變動量大，造成電批的鎖付力矩波動大，影響螺絲的鎖付質(zhì)量。改進后采用POM材質(zhì)，保證加工精度，提高耐磨性，從而提高摩擦力的穩(wěn)定性，達到穩(wěn)定鎖付力矩的目的。2.4 吸嘴設(shè)計吸嘴結(jié)構(gòu)
裝備制造技術(shù) 2022年7期2022-10-21
- LED用藍寶石平片濕法清洗研究
影響PSS的外觀良率。因此，對藍寶石平片清洗工藝進行研究并優(yōu)化來提高平片潔凈度，進而提高PSS的良率和品質(zhì)、保證外延質(zhì)量，成了一項急迫的工作。1 方法概述目前，藍寶石平片清洗以RCA標準清洗技術(shù)為主，RCA清洗法依靠溶劑、酸、表面活性劑和水，在不破壞晶圓表面特征的情況下通過噴射、凈化、氧化、蝕刻和溶解來處理晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染，這種清洗方法對不同污染物采用不同的清洗劑。藍寶石平片表面一般會有顆粒、有機物、無機物、金屬離子等雜質(zhì)，這些雜質(zhì)根據(jù)
電子元器件與信息技術(shù) 2022年6期2022-09-08
- 電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器的靜態(tài)誤差分析與建模*
界引入了INL 良率的概念，INL良率定義為在多個相同的DAC 芯片樣本中INL 小于0.5 LSB 的概率[3]。在此基礎(chǔ)上，文獻[4]推導(dǎo)出了一個公式，描述管子失配對電流舵DAC INL 良率的影響，通過計算可以獲得管子失配與INL 良率的映射關(guān)系。試驗表明這種方法要求的單位電流源管尺寸過大，導(dǎo)致DAC 梯度效應(yīng)增強，寄生電容增大，動態(tài)性能下降，成本提高。蒙特卡羅仿真是評估失配最精確的方法，但是仿真時間與DAC 的分辨率呈指數(shù)關(guān)系，極大地影響了設(shè)計效率
電子與封裝 2022年8期2022-08-31
- 印制板外層圖形轉(zhuǎn)移中線路良率改善方法
板）的AOI一次良率統(tǒng)計見圖1所示。圖1 18110型號的AOI一次良率統(tǒng)計AOI一次良率不良項凹短、銅絲銅渣、干膜擦花三項居高不下，設(shè)備的保養(yǎng)會改善良率，但效果不明顯。2 試驗計劃PCB外層圖形生產(chǎn)流程：針刷磨板機——壓膜機——曝光機——顯影線試驗根據(jù)條件相關(guān)性分為3組：試驗①、試驗②、試驗③，試驗數(shù)量各60 PNL。記錄生產(chǎn)參數(shù)見表1所示（18110型號生產(chǎn)條件）3 試驗過程（1）試驗一。表2 生產(chǎn)條件參數(shù)表更改壓膜速度為下限值1.8 m/min，相關(guān)
印制電路信息 2021年10期2021-12-08
- 5 V雙向TVS器件表面缺陷改善
中，對每片晶圓的良率有較高的要求（業(yè)界水平不小于98%），然而，在實際生產(chǎn)的過程中，常因材料片電阻率、工藝過程、沾污、缺陷等異常導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)低良率報廢，對產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)成本造成巨大影響。因此，對工藝過程能力控制提出了較高的要求，并且需要持續(xù)優(yōu)化工藝條件，提升產(chǎn)品良率。本文分析了造成晶圓邊緣漏電異常的原因及內(nèi)部機理，研究了工藝對晶圓邊緣處器件漏電的影響，結(jié)合現(xiàn)有的工藝條件，提出了工藝優(yōu)化方法，改善了器件表面缺陷，解決了5 V雙向TVS器件的良率問題，實現(xiàn)了片
電子與封裝 2021年9期2021-10-13
- 光模塊印制板量產(chǎn)良率提升的研究
。1 流程確認及良率分析1.1 流程確認從流程設(shè)計來看，光模塊板的流程與傳統(tǒng)的PCB設(shè)計沒有什么本質(zhì)上的區(qū)別。結(jié)合光模塊板高平整度、高表觀的要求，對外層的PCB工藝流程提出了更高的要求，特別是表面處理的工藝流程確定。初期外層流程設(shè)計如圖1所示。圖1 初期外層流程圖1.2 良率及缺陷分析1.2.1 報廢缺陷類別分析按照初期的流程以及現(xiàn)場的管控,光模塊板批量生產(chǎn)到FQC收集到的良率只有50%,針對缺陷按照類別和工段分別進行分析。按照報廢缺陷類別分析見圖2所示。
印制電路信息 2021年7期2021-08-10
- 基于六西格瑪?shù)氖謾C攝像頭模組質(zhì)量改善研究
，手機攝像頭模組良率一直不高，嚴重影響生產(chǎn)進度和產(chǎn)品質(zhì)量，引起公司高度重視，隨即組建六西格瑪小組做精益改善，提高良率。圖1 手機攝像頭模組1 手機攝像頭模組生產(chǎn)流程及其現(xiàn)狀1.1 手機攝像頭模組生產(chǎn)流程A手機攝像頭一直以購入其他公司成品模組的方式完成組裝，C公司現(xiàn)階段承接攝像頭模組ODM和OEM業(yè)務(wù)，對生產(chǎn)技術(shù)帶來了很高要求。一個合格的手機攝像頭模組需要具備防水、架構(gòu)穩(wěn)定、無黑點、無損傷、測試性能良好等特點，其生產(chǎn)流程簡化如圖2所示。圖2 手機攝像頭模組生
精密制造與自動化 2021年1期2021-03-26
- AOI檢測技術(shù)應(yīng)用及在印刷式OLED發(fā)展方向
升各段工藝制程的良率，降低不良率。隨之而來，自動光學(xué)檢測設(shè)備（AOI）逐漸應(yīng)用到產(chǎn)品的制程管控中，同時自動光學(xué)檢測設(shè)備（AOI）的要求也逐漸提高，正朝著分辨力高、檢測速度快、掃描時間短、拍攝圖片清晰、操作軟件簡易化、設(shè)計的模塊化和系統(tǒng)處理程序化等方向發(fā)展[1]。關(guān)鍵詞：AOI檢測;工藝制程;良率在電子工業(yè)發(fā)展發(fā)展早期，人們主要采用人工目視和高低倍顯微鏡來觀察產(chǎn)品表面，以確認所看之處是否有缺陷不良存在。這種方式缺點尤為明顯，觀察區(qū)域有限、效率低、漏檢率高、人
科技風(fēng) 2020年35期2020-12-28
- 基于改進的連續(xù)型深度信念網(wǎng)絡(luò)的晶圓良率預(yù)測方法
發(fā)展的態(tài)勢。晶圓良率是完成所有工藝步驟后測試合格的芯片的數(shù)量與整片晶圓上的有效芯片的比值[1]，由于集成電路產(chǎn)品生產(chǎn)投入大、損失代價高，提前預(yù)知晶圓生產(chǎn)的良率情況，對提升晶圓生產(chǎn)工藝、降低晶圓生產(chǎn)損失具有重要意義。傳統(tǒng)的晶圓良率預(yù)測方法主要考慮晶圓的缺陷來源、缺陷數(shù)目、缺陷聚集程度與良率之間的關(guān)系，如：Raghavachari等[2]從統(tǒng)計學(xué)的角度，通過對晶圓單位面積的平均缺陷數(shù)進行分析，建立基于泊松分布的良率預(yù)測方法，但該方法未考慮晶圓缺陷的群聚特性，對
計算機集成制造系統(tǒng) 2020年9期2020-10-12
- 全玻璃手機技術(shù)—復(fù)合玻璃性能研究
響到壓合后的成品良率，雙層玻璃熔合的良率可達95%以上。此外，玻璃來料的崩邊和劃傷也會對熔合良率造成影響，一般情況下，內(nèi)崩邊的不良是100%，因為后續(xù)不會對內(nèi)部進行CNC 加工；外崩邊的直徑不能超過1mm。玻璃疊合影響的是成品的外形，直接影響到后續(xù)的CNC加工，雙層玻璃熔合成品的CNC 加工良率在98%左右。2.2 研發(fā)成果熔合成品包括生產(chǎn)上主要使用的德國某品牌玻璃以及美國某品牌玻璃。2.2.1 德國某品牌玻璃該玻璃的優(yōu)點是薄，目前已用0.25mm、0.4
化工設(shè)計通訊 2020年3期2020-05-15
- 電子紙的2W2D工藝改善研究
TFT特性，損失良率。此外，采用1W1D的刻蝕方法對半色調(diào)掩膜光刻膠的厚度和均一性都有較高的要求，管控難度大，生產(chǎn)過程中經(jīng)常出現(xiàn)未達管控標準返工重新進行曝光的情況，嚴重浪費了產(chǎn)能。為了改善1W1D帶來的問題，我們參考了非電子紙產(chǎn)品的兩次濕刻兩次干刻(2W2D)的工藝方法。然而非電子紙的2W2D工藝會產(chǎn)生較長的a-Si拖尾，導(dǎo)致較大的寄生電容，對像素電壓造成擾動，產(chǎn)生良率損失；此外，a-Si殘留和溝道特性問題也阻礙了電子紙良率的進一步提升。因此，本文對非電子
液晶與顯示 2020年4期2020-05-11
- GaAs HBT 中測信號防護處理
，正確地得到電性良率是必須的。GaAs HBT 器件的中測（Circuit Probing, CP）過程主要以直流測試（例如：漏電流/偏壓和輸出電流）為主，有時會增加射頻功能測試項[2]（例如：增益/小增益/P1dB/Pout），對應(yīng)使用的測試工具是懸臂式探針卡。懸臂式探針卡主要由印刷電路板、探針、環(huán)氧樹脂和固定環(huán)四個部分組成，是測試機與晶圓間重要的媒介工具。藉由探針卡的探針與晶圓上的焊墊或凸塊接觸，將電性信號傳送到測試機并分析其功能與特性，進而判別晶粒的
微處理機 2020年2期2020-05-11
- 基于OTP修調(diào)功能的芯片量產(chǎn)方法研究
響,從而導(dǎo)致芯片良率的下降,增加芯片的生產(chǎn)成本。因此,如何提高芯片的良率使芯片平均成本降低成為一個重要問題。為了保證芯片出貨的良率,測試成為集成電路的重要一環(huán)。芯片制造受到工藝的影響,一些重要參數(shù)會有一定偏差,因此在自動化測試設(shè)備(ATE)測試時,需要通過trim code 進行微調(diào)。需要復(fù)測的情況有以下兩種: 1)可能存在測試機異常導(dǎo)致測試的電壓或電流不合格,需要進行復(fù)測,如果沒有改進算法,此時OTP 也會被重復(fù)燒寫,讓原本可能PASS 的芯片真正失效。
量子電子學(xué)報 2020年6期2020-02-25
- 容偏差靈敏放大器研究與實現(xiàn)?
A 在各情況下的良率。仿真數(shù)據(jù)如表1所示。表1 容偏差靈敏放大器Monte Carlo仿真數(shù)據(jù)表從以上數(shù)據(jù)可以得出：1）新工藝下的該靈敏放大器單獨工作在20mv差分輸入時Monte Carlo分析良率達到100.00%；2）在以上幾種情況下該結(jié)構(gòu)的靈敏放大器在差分電壓為10mv 時，蒙特卡洛仿真都或多或少的有Failed情況出現(xiàn)；3）該靈敏放大器性能受差分電壓的影響很明顯，差分電壓越大，其自身延時越小、速度越快、抗偏差能力越強；4）溫度的降低和電壓的升高，
計算機與數(shù)字工程 2019年11期2019-11-29
- 維信諾：昆山5．5代產(chǎn)線良率已達90％
截止三季度末綜合良率已達90%，并為中興、LG、傳音等多個品牌客戶供貨;固安第6代柔性AMO-LED生產(chǎn)線，設(shè)計產(chǎn)能30K/月，目前產(chǎn)能和良率正處于爬坡狀態(tài)，產(chǎn)品已開始批量供貨，綜合良率達70%，未來產(chǎn)能將進一步釋放;合肥第6代柔性AMOLED生產(chǎn)線，設(shè)計產(chǎn)能30K/月，建設(shè)正如期推進中，10月中旬產(chǎn)線主體結(jié)構(gòu)封頂，產(chǎn)線建成后將在技術(shù)、產(chǎn)品等方面持續(xù)創(chuàng)新，為高端客戶提供高端定制化服務(wù);另外投建的廣州增城模組線項目也已于9月底啟動建設(shè)。成交折價率較高的部分交
股市動態(tài)分析 2019年43期2019-11-19
- 和輝光電6代AMOLED產(chǎn)線已量產(chǎn)出貨
O-LED生產(chǎn)線良率超過70%，已經(jīng)量產(chǎn)出貨。據(jù)悉，和輝光電第6代AMOLED生產(chǎn)線主要生產(chǎn)剛性AMOLED，主攻智能手機和筆記本電腦應(yīng)用市場。同時，和輝光電第6代LTPS AMO-LED生產(chǎn)線兼容剛性屏和柔性屏，初期主要量產(chǎn)剛性AMOLED，然后逐漸拓展到柔性AMOLED、2.5K以上分辨率OLED、中尺寸OLED和全面屏等產(chǎn)品。據(jù)了解，和輝光電第6代LTPS AMOLED生產(chǎn)線總投資272.78億元，規(guī)劃月產(chǎn)能3萬大片基板（含部分柔性O(shè)LED，基板尺寸
中國電子報 2019年53期2019-10-24
- 7nm+EUV工藝大規(guī)模量產(chǎn)EUV光刻機能否走出一波行情
制造成本、難度、良率、交付期限均顯著惡化。在關(guān)鍵層應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，從而減少曝光次數(shù)，進而帶來制造成本與難度的降低，這讓EUV光刻技術(shù)具備了足夠的生產(chǎn)價值?！癊UV光刻機在5nm及以下工藝具有不可替代性，在未來較長時間內(nèi)應(yīng)用EDV技術(shù)都將成為實現(xiàn)摩爾定律發(fā)展的重要方向?！蓖蹊Ｕf。因此，從工藝技術(shù)和制造成本綜合因素考量，EUV設(shè)備被普遍認為是7nm以下工藝節(jié)點最佳選擇，它可以繼續(xù)往下延伸三代工藝，讓摩爾定律再至少延長10年時間。DRAM存儲器將帶動EUV光
中國電子報 2019年72期2019-09-26
- 技術(shù)和價格是折疊屏手機“生死穴”
，國內(nèi)面板廠硬屏良率和柔性屏良率仍然偏低，特別是OLED的核心材料設(shè)備主要靠國外供應(yīng)，國內(nèi)的設(shè)備精密度、材料壽命還存在差距，需要進一步攻關(guān)突破。“國內(nèi)面板廠硬屏良率在70%到80%之間，代表性企業(yè)的柔性屏良率在70%到80%之間。影響良率的因素很多，我們所說的良率是指綜合良率，包括前段的顯示屏良率和后段模組良率，材料、工藝、制程等都會對良率產(chǎn)生影響?！眳鞘鐖@說，折疊屏手機大規(guī)模進入市場，還會面臨消費者使用體驗、產(chǎn)品性能指標、供貨能力三大挑戰(zhàn)。柔性顯示產(chǎn)業(yè)鏈
中國商界 2019年5期2019-08-14
- LCD與OLED全面發(fā)展 京東方實現(xiàn)雙技術(shù)開花
增加超300%，良率水平創(chuàng)新高，達到業(yè)內(nèi)較高水平；綿陽第6代柔性AMOLED生產(chǎn)線已實現(xiàn)量產(chǎn)出貨；重慶第6代柔性AMOLED生產(chǎn)線建設(shè)按計劃推進。京東方合肥第10.5代TFT-LCD生產(chǎn)線實現(xiàn)滿產(chǎn)，良率超90%；武漢第10.5代TFT-LCD生產(chǎn)線完成設(shè)備搬入。在OLED領(lǐng)域，京東方已經(jīng)實現(xiàn)和華為的合作，且也成為蘋果的考察企業(yè)之一，其OLED屏幕應(yīng)用在旗艦手機上，可見京東方在OLED領(lǐng)域的實力也逐漸得到市場認可，而LCD領(lǐng)域其生產(chǎn)的面板成為諸多電視企業(yè)的采
網(wǎng)印工業(yè) 2019年10期2019-05-22
- 針對20 μm 及以下間距的微凸塊工藝缺陷檢測的研究方法
時還可以檢測影響良率的關(guān)鍵缺陷(例如損壞、缺失或錯位的凸塊)并正確地判別每個芯片是否合格。如果錯誤地檢測芯片的共面性或者未能獲取影響良率的關(guān)鍵缺陷，就會造成芯片的錯誤分類并且認為它們可以進一步加工[1]。典型的芯片堆疊通常含有8個或更多個芯片，一個分類錯誤的芯片將會影響整個產(chǎn)品的良率。圖2 關(guān)于微凸塊的直徑CD、凸塊高度（BH）和共面性（CO）的量測表征關(guān)于缺陷率和量測的研究采用了兩種微凸塊類型（如表1所示)。 Imec的PTCO和PTCP封裝測試芯片使用
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年5期2018-12-14
- 平臺管理助推LCM良率提升的方法研究
變?yōu)榉纸M式的產(chǎn)品良率管理。但是由于分析組織之間又跨組織，而且分組式管理的水平又參差不齊，導(dǎo)致產(chǎn)品良率提升沒有了主導(dǎo)者，組織之間協(xié)同作業(yè)差，分析組織的管理者也不能及時掌控產(chǎn)品的實際問題。此種情況下，如何整合公司各個部門資源一起努力以達到良率的健康指標呢？怎樣才能使大家都參與到良率提升中來呢？轉(zhuǎn)型期間，B公司的良率Issue的處理流程類似于七步法問題解決，流程大致可以概括為：發(fā)現(xiàn)異常–成立小組-異常分析–臨時措施–風(fēng)險評估–根因確認–長期措施–預(yù)防措施?？梢钥?/div>
電子世界 2018年20期2018-11-14
- 賽默飛發(fā)布最新半導(dǎo)體行業(yè)解決方案助力“中國芯”
器件生產(chǎn)的品控和良率，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展。近年來在新興技術(shù)市場趨勢和中國政策支持的雙重利好推動下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展達到了前所未有的高度。預(yù)計未來幾年內(nèi)，中國仍將會是全球最大的集成電路市場，且將保持20%左右的年均增長率?！半S著3D NAND產(chǎn)品的快速增長和制造商向高堆棧方向的發(fā)展，行業(yè)的復(fù)雜性和資金投入也相應(yīng)增長，制程控制的需求變得更加嚴格。從二維到3D設(shè)備如FinFETs轉(zhuǎn)變的行業(yè)變化也使得邏輯芯片過程控制變得空前嚴峻。”賽默飛半導(dǎo)體行業(yè)副中國食品工業(yè) 2018年3期2018-06-11
- 汽車IC的行業(yè)趨勢
藝會受到正常產(chǎn)線良率問題和突發(fā)的良率下降的影響，從而導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性差強人意。因此，廠商需要采用新的工藝控制策略以應(yīng)對不成熟的工藝，并防止可能的器件可靠性故障。激烈的市場競爭和強勁的需求給晶圓廠帶來了額外的壓力，它們需要比以往更快的速度達到極其成熟的良率。最后一個趨勢是對于汽車市場器件可靠性的預(yù)期要求要遠遠高于消費電子級元件，多達幾個數(shù)量級。在比較平穩(wěn)的運行環(huán)境中，消費電子元件在頭兩年內(nèi)的故障率也可允許在10%。這是許多非汽車工廠所習(xí)慣的服務(wù)標準。相反，汽車電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年1期2018-03-16
- 改善PECVD制程良率的方法初探
對PECVD制程良率進行改善顯得十分必要。在本文研究的主要領(lǐng)域為液晶顯示器的研發(fā)，尤其對于PECVD的改良方式進行了細致的研究與優(yōu)化。在改善過程中，從特征方面了解到，厚度H1與H相比較小，改善中使用的毛刷為滾軸毛刷，并且毛刷的數(shù)量要有多個。1 改善PECVD制程良率的必要性在TFT-LCD制程過程中，良率損失主要受到膜下異物的不良影響，導(dǎo)致制程良率長期受到損害。由于PECVD的生產(chǎn)技術(shù)十分嚴格，在生產(chǎn)時不能產(chǎn)生任何顆粒物質(zhì)，因此往往會采用清洗玻璃基板沉膜、中國設(shè)備工程 2018年14期2018-01-30
- IC卡最佳封裝良率控制對生產(chǎn)運營模式的影響
成本。IC卡封裝良率直接反映卡片制造商的工藝水平和質(zhì)量控制能力，同時直接影響智能IC卡產(chǎn)品成本。為了控制卡片封裝時的模塊損失，客戶通常會對卡片制造商提出封裝良率要求，即客戶為卡片制造商設(shè)定封裝良率目標，卡片制造商通過控制封裝工藝從而實現(xiàn)客戶要求的封裝良率目標。如果智能IC卡制造商封裝卡片的實際良率不能達到目標，則需要賠付客戶模塊損失，即未達目標而多損失的模塊成本。按此約定，無論卡片制造商基準封裝良率多少，或者是否達到客戶的封裝良率目標，對客戶而言，卡片封裝電子與封裝 2018年1期2018-01-23
- 解決集成電路漏電和中點電位異常的實例分析
性能異常和中測低良率。集成電路；漏電；中點電位；發(fā)射區(qū)；缺陷；磷；砷；原子半徑1 引言IC圓片試驗中，會遇到芯片性能異常和圓片中測低良現(xiàn)象。某個雙通道功率放大集成電路[1]在試制前期，中測良率不穩(wěn)定，低良嚴重時中測批良率僅55%左右。中測失效現(xiàn)象主要表現(xiàn)為芯片漏電和輸出端中點電位異常。為解決問題，對異常原因進行了分析，找出失效機理，并通過工藝改進得以解決。2 中測失效現(xiàn)象描述、分析及改進試驗2.1 中測失效現(xiàn)象該款I(lǐng)C為雙通道功率放大IC，前期中測良率在5微處理機 2017年5期2017-11-17
- 臺積電將推出12nm新工藝：16nm進化版
程工藝上都遭遇到良率問題，而這也直接導(dǎo)致采用改工藝的高通驍龍835、蘋果A10X、聯(lián)發(fā)科Helio X30等移動芯片供貨緊張，并且問題有可能會持續(xù)一整年。臺積電的 16 nm工藝已經(jīng)發(fā)展了多個版本，包括FinFET、FinFET Plus等，若推出 12 nm工藝，不僅可以在市場上緩解 10 nm工藝帶來的訂單緊張問題，而且還可以在市場營銷上反擊三星、GlobalFoundries、中芯國際等對手的 14 nm工藝，避免訂單的流失。 目前擺在臺積電面前的問中國信息化周報 2017年4期2017-03-23
- 淺析IC測試開發(fā)流程及量產(chǎn)數(shù)據(jù)對產(chǎn)品設(shè)計的影響
改善產(chǎn)品的性能和良率，甚至規(guī)避未來可能出現(xiàn)的產(chǎn)品設(shè)計質(zhì)量隱患。然而，遺憾的是國內(nèi)很多設(shè)計公司往往忽略了這一點，或者即使意識到了量產(chǎn)測試數(shù)據(jù)的重要性，卻也不知道從哪里入手、怎樣去分析這些數(shù)據(jù)。因此，如何分析利用這些數(shù)據(jù)非常重要。2.1 量產(chǎn)數(shù)據(jù)與產(chǎn)品良率的關(guān)系首先需要糾正的一個誤區(qū)是：很多設(shè)計公司在追蹤產(chǎn)品測試數(shù)據(jù)時只關(guān)心產(chǎn)品最終的良率，這顯然是不夠的。產(chǎn)品的某些突發(fā)工藝問題并不一定直接反映在產(chǎn)品最終良率變化上，所以在觀察產(chǎn)品良率的同時必須追蹤各個fail網(wǎng)絡(luò)安全與數(shù)據(jù)管理 2016年20期2016-11-18
- 基于MicroSIM卡和NanoSIM卡的二切三切卡的研究及新工藝開發(fā)過程中問題解決
兩個：電性能測試良率低和3FF銃切力過低導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性受影響。在本節(jié)中，我們將分別對兩個問題展開討論和研究。在一卡六芯產(chǎn)品的試生產(chǎn)過程中，我們發(fā)現(xiàn)在最終個人化數(shù)據(jù)寫入過程中的ATR（模塊電性能）測試中，各產(chǎn)品試運行批均產(chǎn)生了低良率的現(xiàn)象，由此，我們使用品管七工具中最適用于尋找主要因素，抓住主要矛盾的柏拉圖來進行分析。圖2 柏拉圖分析ATR測試良率低的問題由圖分析得知，電性能良率低的主要問題集中在模塊功能不良的問題，此問題占據(jù)了所有不良中的78.26%，解決數(shù)碼世界 2016年9期2016-10-19
- NAND Flash浮柵干法蝕刻工藝優(yōu)化解決數(shù)據(jù)寫入失效
重要的地位。產(chǎn)品良率是影響NAND Flash發(fā)展的一個重要因素。其中NAND Flash讀寫操作中的寫入失效是良率損失最主要的原因。經(jīng)分析，整合工藝的復(fù)雜性以及蝕刻制程工藝的局限性，浮柵和控制柵物理結(jié)構(gòu)不完善會產(chǎn)生數(shù)據(jù)寫入失效。著眼于對浮柵的干法蝕刻工藝進行改進，改善浮柵和控制柵物理結(jié)構(gòu)，防止寫入失效，從而得到最佳的良率。NAND；Flash工藝制程；浮柵；控制柵；干法蝕刻；良率1 引言隨著蘋果的智能手機（iPhone）及智能移動終端（iPad）的成功，電子與封裝 2016年7期2016-09-13
- 利用縫隙抑制型鎢填充接觸區(qū)工藝來降低良率損失
接觸區(qū)工藝來降低良率損失應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部接觸和中段產(chǎn)品線全球經(jīng)理 Jonathan Bakke在早先的技術(shù)節(jié)點中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)進行鎢（W）填充。如今，由于插塞處的超小開口很容易發(fā)生懸垂現(xiàn)象，因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷，從而留下孔洞。即使沒有孔洞，由于填充物從側(cè)壁生長，在共形沉積時必然會在中間形成中心縫隙問題。這些屬性使極細小的成核層在化學(xué)機械拋光（CMP）過程中電子工業(yè)專用設(shè)備 2016年8期2016-08-24
- KLA-Tencor推出晶圓全面檢測與檢查系列產(chǎn)品應(yīng)對10納米良率挑戰(zhàn)
產(chǎn)品應(yīng)對10納米良率挑戰(zhàn)KLA-Tencor公司日前在 SEMICON West 2016上為前沿集成電路制造推出了六套先進的缺陷檢測與檢查系統(tǒng)：3900系列（以前稱為第5代）和 2930系列寬波段等離子光學(xué)檢測儀、PumaTM9980激光掃描檢測儀、CIRCLTM5全表面檢測套件、Surfscan?SP5XP無圖案晶圓缺陷檢測儀和eDR7280TM電子束檢查和分類工具。這些系統(tǒng)采用一系列創(chuàng)新技術(shù)形成一套全面的晶圓檢測解決方案，使集成電路制造的所有階段“從電子工業(yè)專用設(shè)備 2016年8期2016-03-10
- 應(yīng)用材料公司推出全新光伏金屬化系統(tǒng)
有高轉(zhuǎn)換效率、高良率和良好成本效益的突出優(yōu)勢 ，因此能夠滿足電池制造行業(yè)對最低成本和最低每瓦總成本的需求。該系統(tǒng)一經(jīng)推出，就受到了業(yè)界的熱烈歡迎。目前全球已有數(shù)臺系統(tǒng)投入應(yīng)用，其中，國內(nèi)客戶占多數(shù)。Tempo系統(tǒng)已經(jīng)在晶澳太陽能得到應(yīng)用。精密操作系統(tǒng)和高速印刷控制功能使得Tempo系統(tǒng)每小時可處理超過3200片硅片，并且能保證出色的印刷工藝和質(zhì)量，電池片日產(chǎn)量超過75000片，設(shè)備正常運行率超過92%。通過實際運行測算，和兩條單獨的單線系統(tǒng)相比，Tempo太陽能 2015年5期2015-12-31
- MIPS_RAC終端測試于0.13 μm邏輯平臺的工藝優(yōu)化
MIPS_RAC良率的影響。兩種器件的尺寸均為寬度10 μm和長度0.13 μm。本實驗中的器件速度使用安捷倫4156電性測試儀進行測試。圖3顯示了6組實驗的MIPS_RAC終端測試的良率，TTT組、FFF組和NSF組的MIPS_RAC合格率損失均為0，NFS組的良率損失為0.2%， SSS（3倍標準差）的良率損失分別為1.5%和12%， SSS（4.5倍標準差）的良率損失增至62%。由此可見，隨著器件速度減慢，MIPS_RAC的合格率顯著降低。表1 器件電子與封裝 2014年1期2014-09-19
- 應(yīng)用材料公司推出先進全自動硅片檢測系統(tǒng)
池生產(chǎn)的總體平均良率。這些新功能包括：100%在線硅片檢測，以解決人工檢查的質(zhì)量局限；以及通過光致發(fā)光（PL）技術(shù)自動預(yù)測硅片電池轉(zhuǎn)換效率的能力，使客戶能夠只處理符合質(zhì)量和良率規(guī)格的硅片，獲取更高的利潤。Vericell系統(tǒng)采用最先進的PL技術(shù)，結(jié)合多重感應(yīng)功能和先進的軟件算法，能夠根據(jù)裸硅片材料預(yù)測最終的電池轉(zhuǎn)換效率，其多晶硅硅片的平均預(yù)測誤差小于0.15%。去除低效率硅片以及識別需要工藝改進的硅片，即可全面提升工廠中更高效電池的產(chǎn)能，進而顯著提高利潤。電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年5期2014-08-15
- NiCr勢壘腐蝕工藝技術(shù)
時出現(xiàn)不同的產(chǎn)品良率，使用70℃王水處理的硅片因為沒有形成有效的勢壘區(qū)，最后良率很低，不足50%，。使用50℃王水處理的硅片最終測試良率在70%左右。3.2 硝酸鈰銨去除法因為硝酸鈰銨也有較強的氧化性，并且光刻版制作后也是用含硝酸鈰銨的溶液腐蝕的，配制好的溶液也易保存。所以采用硝酸鈰銨腐蝕液來進行去除NiCr實驗，圖3是采用硝酸鈰銨處理過的勢壘區(qū)圖片。圖3 硝酸鈰銨溶液處理過的勢壘區(qū)實驗發(fā)現(xiàn)，硝酸鈰銨溶液處理過的勢壘區(qū)表面平坦光滑，并且對產(chǎn)品最后的良率也有微處理機 2014年5期2014-08-07
- 基于鏈式的信號轉(zhuǎn)移冗余TSV方案
能是最有效的提高良率的方法，但是卻帶來了面積成本。提出了一種基于鏈式的信號轉(zhuǎn)移冗余方案，輸入端從下一分組選擇信號硅通孔傳輸信號。在基于概率模型下，提出的冗余結(jié)構(gòu)良率可以達到99%，同時可以減少冗余TSV的數(shù)目。三維集成電路；硅通孔；容錯1 引言隨著集成電路的發(fā)展，為了在一定尺寸的芯片上實現(xiàn)更多功能，延續(xù)摩爾定律，三維方向上的封裝應(yīng)運而生。硅通孔（Through-Silicon-Via，TSV）作為新興的互連技術(shù)，是指在晶圓和晶圓之間、芯片和芯片之間制作垂直計算機工程與應(yīng)用 2014年17期2014-07-08
- 應(yīng)用材料雙層網(wǎng)印技術(shù)將提升電池0.2%以上效率
，轉(zhuǎn)換效率顯著、良率提升，成本效益突出。在應(yīng)用材料Baccini絲網(wǎng)印刷平臺將技術(shù)升級為Esatto雙層網(wǎng)印功能后，天津英利新能源有限公司呈報，較之前單層網(wǎng)印生產(chǎn)基準更為出色，同時達到電池效率提升0.2%以上、節(jié)省約15%的漿料成本、產(chǎn)出增加15%、良率提高0.46%。應(yīng)用材料公司副總裁暨能源暨環(huán)保解決方案事業(yè)群太陽能產(chǎn)品總經(jīng)理吉姆穆林（JimMullin）表示：“我們很高興能夠和天津英利新能源公司合作，共同推動先進的電池設(shè)計并迅速投入量產(chǎn)。運用Esatt網(wǎng)印工業(yè) 2013年11期2013-08-15
- 賽默飛發(fā)布最新半導(dǎo)體行業(yè)解決方案助力“中國芯”