陳海春，薛昊

軟熔處理工藝對鍍錫板耐蝕性的影響

陳海春，薛昊

（沈陽理工大學環(huán)境與化學工程學院， 遼寧 沈陽 110159）

為了使鍍錫板獲得更好的耐蝕性和表面光亮性，在表面進行軟熔處理。使用電化學工作站研究不同軟熔工藝處理的鍍層的電化學性能并通過中性鹽霧試驗對比鍍層的耐蝕性能。實驗證明，軟熔處理可使鍍錫板的耐蝕性和光亮性得到大幅度的提升，得到光亮平整的鍍層，最佳處理工藝為軟熔功率420 W，時間10 s，淬水溫度30~40 ℃。

鍍錫； 軟熔； 耐蝕性

鍍錫板是一種具有耐蝕性、導電性、耐變色性、可焊性的功能材料[1-2]，被廣泛應(yīng)用于食品包裝、集成電路、汽車、醫(yī)藥等行業(yè)[3]。但電鍍板的錫層附著力差且表面光澤度低，必須通過軟熔使錫層在瞬間融化以固溶體形式鋪展，冷卻凝固后形成光亮的表面附著在基體上。軟熔處理后的鍍錫層的結(jié)合力增強且孔洞少，易焊，能夠明顯增強鍍錫板的耐蝕性能[4]。鍍錫層的軟熔處理主要包括電阻軟熔、感應(yīng)軟熔和聯(lián)合軟熔三種方式[5-6]。感應(yīng)軟熔加熱速度快，可有效減少錫層的氧化且不會出現(xiàn)電阻軟熔的電弧燒點，因此被廣泛研究與應(yīng)用。

本文在已有的鍍錫層基礎(chǔ)上利用軟熔手段進一步提升鍍錫板的耐蝕性能，探究軟熔處理工藝對鍍錫層的影響，通過對比實驗獲得最佳軟熔處理工藝。

1 實驗部分

實驗材料為二次冷軋板，規(guī)格為50 mm×50 mm×1.4 mm，制備工藝為，除油(除油劑，80 ℃，1 min)→熱水洗（60 ℃）→水洗→酸洗（H2SO4，60 g·L-1, 25 ℃，2 min）→活化→鍍錫→水洗→烘干→軟熔→淬水吹干。以尺寸為150 mm×60 mm×5 mm的鈦板為陽極，鍍液成分為甲基磺酸亞錫40 mL·L-1，甲基磺酸32 mL·L-1，輔助劑11 mL·L-1，添加劑12 mL·L-1。

使用CHI660E型電化學工作站，以鉑電極作輔助電極，飽和甘汞電極（SCE）作參比電極，被測鍍錫板為工作電極的三電極體系，在質(zhì)量分數(shù)3.5% NaCl條件下測試不同軟熔條件的鍍錫板的電化學性能。根據(jù)國標GB-T 10125—1997進行中性鹽霧試驗（NSS），測試鍍錫板出現(xiàn)黃色銹蝕的時間，以判斷不同軟熔工藝的鍍錫板的耐腐蝕性。

2 結(jié)果與討論

2.1 軟熔功率對鍍錫板耐蝕性能的影響

選用錫的熔點溫度232 ℃作為軟熔溫度，時間10 s，其他條件相同，分別在350、380、420、450、480 W的功率下進行軟熔，比較不同軟熔功率對鍍錫板耐蝕性能的影響。

圖1為不同軟熔功率下的鍍錫板的極化曲線。從圖1和表1中可得，隨著軟熔功率的增大，腐蝕電位變正，腐蝕電流在420 W時達到最小為1.066×10-7A，極化電阻為310 W時的5.6倍。這說明軟熔過程可有效降低鍍錫層的自腐蝕傾向，且在充分軟熔的條件下耐腐蝕性能達到最優(yōu)。當功率繼續(xù)增加，腐蝕電位繼續(xù)正移但腐蝕電流反而增大，說明高溫氧化膜層對腐蝕的阻礙有一定的作用，但軟熔功率超過了限度而達到過軟熔狀態(tài)時，表面出現(xiàn)了氧化斑點反而使耐蝕性降低。

圖1 不同軟熔功率下的鍍錫板的極化曲線

表1 不同軟熔功率下的鍍錫層的極化數(shù)據(jù)

圖2為不同軟熔功率下的鍍錫板交流阻抗圖。從圖中可知，隨著功率的增大，阻抗弧的半徑增大，當功率達到420 W時阻抗弧達到最大，此時的耐蝕性能最優(yōu)，當功率繼續(xù)增大時，阻抗弧反而減小。

圖2 不同軟熔功率下的鍍錫板交流阻抗圖

結(jié)合電化學測試的相關(guān)結(jié)果，對被測試片進行中性鹽霧試驗來觀察分析鍍錫層的腐蝕情況。經(jīng)過一個周期的鹽霧試驗，結(jié)果如圖3所示。

圖3 鹽霧試驗后不同軟熔功率的鍍錫層表面形貌

a，e試片的表面出現(xiàn)了大面積的黃色銹蝕，且腐蝕程度較大。b,d膜層的銹蝕相較于a，e膜層明顯減少，且腐蝕程度較輕，鍍層相對光亮。c試片表面未見腐蝕，且鍍層光亮平整，顯示出很好的耐蝕性能。此結(jié)果完全符合電化學測試所得到的結(jié)果，當軟熔功率為420 W時，鍍錫層耐蝕性最佳。

2.2 軟熔時間對鍍錫板耐蝕性能的影響

軟熔溫度為232 ℃，功率420 W，設(shè)定時間梯度為6、8、10、12、14 s，其他條件相同，比較不同軟熔時間對鍍錫板耐蝕性能的影響。

圖4為不同軟熔時間的鍍錫板的極化曲線。結(jié)合圖4和表2可知，隨著軟熔時間的延長電位不斷正移，在10 s時電位最正為-0.462 V，此時的極化電阻最大為344 043.7 Ω·cm-2，自腐蝕降低，腐蝕速度減慢。但是時間繼續(xù)增加電位沒有再正移，腐蝕電流增大，耐蝕性反而減弱。

圖4 不同軟熔時間的鍍錫板的極化曲線

表2 不同軟熔時間下的鍍錫層的極化數(shù)據(jù)

圖5為不同軟熔時間下的鍍錫板交流阻抗圖。鍍層阻抗顯示出容抗特性且隨著時間的延長弧的半徑增大。時間為10 s時，阻抗弧半徑達到最大。較短的加熱時間降低了鍍層流平的作用，使對鍍層不能很好地流平，導致鍍錫層耐腐蝕性的降低。若加熱時間過長使錫層迅速地發(fā)生氧化反應(yīng)，鍍層表面形貌產(chǎn)生破壞和缺陷。

結(jié)合電化學測試的相關(guān)結(jié)果，對被測試片進行中性鹽霧試驗來觀察分析鍍錫層的腐蝕情況。經(jīng)過一個周期的鹽霧試驗，結(jié)果如圖6所示。

圖5 不同軟熔時間下的鍍錫板交流阻抗圖

圖a能明顯看出鍍層表面的黃色銹蝕產(chǎn)物，且腐蝕程度深面積大，鍍錫層表面光澤度差。圖b的腐蝕程度比a有了明顯的減弱，但仍可見黃色腐蝕產(chǎn)物且表面光澤度很差。圖c鍍層表面未見腐蝕且表面光滑平整。圖d雖然也未見腐蝕但鍍層光澤度與c相比有較大的差距。圖e的涂層又重新出現(xiàn)腐蝕點，但腐蝕程度較輕光澤度較差。此結(jié)果與電化學測試結(jié)果相同，軟熔時間為10 s時能夠得到耐蝕性最佳的鍍錫層。

圖6 不鹽霧試驗后不同軟熔時間的鍍錫層表面形貌

2.3 軟熔淬水溫度對鍍錫板耐蝕性能的影響

軟熔溫度為232 ℃，功率420 W，軟熔時間為10 s，其他條件相同，設(shè)定不同的淬水溫度分別為20、30、40、50、60、70、80 ℃，比較不同軟熔時間對鍍錫板耐蝕性能的影響。

圖7為不同淬水溫度的鍍錫板鹽霧試驗后的表面形貌。由圖中可看出，圖b、c的鍍錫層顯示出了優(yōu)異的耐蝕性能，腐蝕面積小，腐蝕程度輕。隨著淬水溫度的升高，耐蝕性明顯下降，d-g的鍍層表面出現(xiàn)了不同程度的腐蝕點且腐蝕程度不斷加深。結(jié)晶學理論認為軟熔錫層的結(jié)晶過程分為晶核的形成和長大兩個階段[7]；淬水溫度較低時，結(jié)晶形核率增加，晶體可均勻致密覆蓋在基體表面，而溫度低于限度時會縮短晶粒長大的時間[8-9]，致使鍍層不夠致密產(chǎn)生露底。

圖7 不同淬水溫度的鍍錫板鹽霧試驗后的表面形貌

3 結(jié) 論

1）軟熔處理能夠有效地提升鍍錫板的耐蝕性和表面光亮度，最佳的軟熔條件為軟熔功率420 W，時間10 s，淬水溫度30~40 ℃。

2）軟熔時間決定鍍層表面的流平性，使得大孔縮小進而提升鍍層耐蝕性。

3）淬水溫度決定鍍層的結(jié)晶過冷度，對鍍層的晶核形成過程有影響。在最佳的淬水溫度范圍內(nèi)能夠獲得結(jié)晶致密，耐蝕性良好的鍍錫層。

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Effect of Reflow Treatment on Corrosion Resistance of Tin Plate

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（Shenyang Ligong University, Shenyang Liaoning 110159, China）

In order to obtain better corrosion resistance and surface brightness of tin plate, reflow treatment was carried out on the surface. The electrochemical performance of the coatings treated with different reflow processes was studied by using an electrochemical workstation, and the corrosion resistance of the coatings was compared through a neutral salt spray test. The experiment proved that the reflow treatment greatly improved the corrosion resistance and brightness of tin plate, and obtained a bright and smooth coating. The best treatment process conditions were determined as follows: the reflow power 420W, the time 10s, the quenching temperature 30 ~ 40 ℃.

Tin plating; Reflow; Corrosion resistance

2019-12-10

陳海春（1967-），女，朝鮮族，副教授，碩士，研究方向：分析化學教學。

TQ153.1+3

A

1004-0935（2020）09-1066-04